DE1441738B2 - Modulationsanordnung mit metalloxyd feldeffekt transistor - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Modulationsanordnung mit einem Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor, der eine »Drain«-Elektrode, eine »Source«-Elektrode, eine Steuerelektrode und eine Blockelektrode aufweist.

Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren zeichnen sich bekanntlich durch hohen Eingangswiderstand und geringe Eingangskapazität aus. Es ist deshalb schon vielfach versucht worden, Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren an Stelle von Röhren oder üblichen Transistoren zum Verstärken, Mischen und Modulieren heranzuziehen. In der Praxis hat sich nun aber gezeigt, daß bei der Verwendung der Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren in Modulationsschaltungen das modulierte Ausgangssignal mit beträchtlichen Störspannungen behaftet ist. Diese Störspannungen beruhen auf Streukapazitäten zwischen der das Schaltverhalten steuernden Steuerelektrode und der das modulierte Ausgangssignal abgebenden »Drain«-Elektrode des Transistors. Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Modulationsanordnung mit einem Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor zu schaffen, bei welcher diese Störspannungen im modulierten Ausgangssignal unterdrückt sind. Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß zwischen Steuerelektrode und »Source«-Elektrode eine Wechselspannung angelegt ist, durch die das über einen Widerstand an den »Drain«- und »Source«-Elektroden anliegende Eingangssignal zerhackt wird, und daß zwischen Blockelektrode und »Source«-Elektrode eine Kompensationsspannung angelegt ist, wobei die Kompensationsspannung und die Wechselspannung entgegengesetzte Polarität haben.

Mit der Erfindung ist es möglich, die erwähnten Störspannungen nahezu vollständig auszuschalten. Weiterhin ergibt sich durch die bei der Erfindung erfolgende, vorzugsweise in Rechteckform stattfindende Zerhackung des Eingangssignals der Vorteil, daß das dann ebenfalls zerhackte, modulierte Eingangssignal auf einfache Weise verstärkt werden kann.

Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist als Verstärker ein zweiter Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor gleichen Aufbaues vorgesehen, zwischen dessen »Source«-Elektrode und Steuerelektrode das Ausgangssignal des ersten Transistors angelegt ist. Dabei erfolgt die Verbindung zwischen dem Ausgang des ersten Transistors (Modulator) mit dem Eingang des zweiten Transistors (Verstärker) in direkter Weise, d. h. ohne Zwischenschalten einer Kapazität, womit dann auch das verstärkte Ausgangssignal des zweiten Transistors im wesentlichen frei von kapazitiv bedingten Störspannungen ist.

In der Zeichnung ist eine Ausführungsform der Erfindung beispielsweise dargestellt, und zwar zeigen

F i g. 1 und 2 schematische Ansichten im Schnitt von Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren, die für die erfindungsgemäßen Zwecke geeignet sind,

F i g. 3 ein Prinzipschaltbild der Betriebsweise des Metalloxyd- Feldeffekt-Transistois,

Fig. 4 eine Wellenform der Eingangs- und Ausgangsspannungen und der Erregerspannung der erfindungsgemäßen Schaltung,

F i g. 5 ein Schaltbild einer Ausführungsform der Erfindung,

F i g. 6 eine Ersatzschaltung des Modulationsteils,

F i g. 7 Wellenformen an verschiedenen Teilen der G5 Schaltung.

Zum besseren Verständnis der Erfindung wird zunächst eine besipielsweise Ausführungsform eines Metalloxyd - Feldeffekt - Transistors beschrieben. Γ η F i g. 1 ist ein Transistor dieser Art dargestellt, der eine p-leitende Unterschicht 1 und zwei n-leitende Bereiche 2 und 3 aufweist, wobei letztere in die Unterschicht mit einem kleinen Abstand zwischen sich eingesetzt sind. Zwischen diesen η-leitenden Bereichen2 und 3 ist ein sehr dünner Kanal 4 vom gleichen Leitfähigkeitstyp (η-Typ) wie die Bereiche ausgebildet. Der Kanal 4 ist von einem Isolierfilm 5, welcher beispielsweise aus Siliziumdioxyd besteht, bedeckt, und eine Steuerelektrode G₁ ist an der Oberseite des Films 5 angebracht. Eine »Source«-Elektrode S und eine »Drain«-Elektrode D sind mit den Bereichen 2 und 3 verbunden und eine zweite Steuerelektrode, im nachfolgenden Blockelektrode G₂ ist an der Unterschicht 1 angebracht. Wenn gewünscht, können die »Source«- Elektrode 5¹ und die »Drain«-Elektrode D ausgewechselt werden.

In F i g. 2 ist ein Beispiel einer anderen Ausf ührungsfoim des Metalloxyd-Feldeffekt-Transistors dargestellt. Dieser Transistor besitzt eine Unterschicht 11, eine »Source«-Elektrode 12 und eine »Drain«-Elektrode 13, beispielsweise aus Gold, die auf der Unterschicht 11 geformt sind, und eine Kanalschicht 15, welche einen Weg für den zwischen den Elektroden 12 und 13 fließenden elektrischen Strom bildet und im allgemeinen aus einer sehr dünnen Schicht aus CdSe, CdS oder dergleichen hergestellt ist und ferner eine Dicke zwischen etwa 0,1 bis 1 Mikron hat. An der Oberseite der Kanalschicht 15 ist ein Isolierfilm, beispielsweise aus Al₂O₃ geformt, an dem eine Steuerelektrode G₁ angebracht ist.

Hierbei ist zu erwähnen, daß die Verwendung von Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren der in F i g. 1 und 2 dargestellten Bauarten vorzuziehen ist, jedoch, ist die Erfindung nicht auf die Verwendung dieser besonderen Transistoren beschränkt und können auch andere Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren vorgesehen werden, solange ihre Bauform derart ist, daß der zwischen der »Source«-Elektrode und der »Drain«- Elektrode fließende Strom durch ein elektrisches Feld gesteuert werden kann, das durch eine Spannung erzeugt wird, welche der Kanalschicht durch einen Isolierfilm aufgeprägt wird.

Bei Tiansistoren der vorangehend beschriebenen Bauarten kann der zwischen der »Sourcee-Elektrode S und der »Drain«-Elektrode D fließende Strom durch eine Spannung gesteuert werden, die an die Steuerelektrode G₁ oder an die Blockelektrode G₂ gelegt wird, so daß sie eine Verstärkungsfunktion haben, die der von herkömmlichen Flächentransistoren ähnlich ist. Die herkömmlichen Flächentransistoren haben jedoch im allgemeinen eine geringe Eingangsimpedanz und weisen außerdem pn-Übergänge auf, so daß sie, wenn sie als Modulatoren verwendet werden, nachteilig sind, da, wie vorangehend beschrieben, Störspannungen auftreten. Im Gegensatz dazu sind die vorangehend beschriebenen Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren dadurch gekennzeichnet, daß sie einen außerordentlich hohen Eingangswiderstand (d. h. etwa 10¹⁵ Ohm) und keine pn-Übergänge zwischen der »Drain«- Elektrode und der Quelle haben.

Die Erfindung beruht auf der Ausnutzung dieser Eigenschaften und zieht die Verwendung von Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren als Modulatoren vor, um neuartige Modulationsverstärkerschaltungen mit sehr geringen Störeffekten zu schaffen.

Bei der in F i g. 3 dargestellten prinzipiellen Einbau-

weise eines Metalloxyd-Feldeffekt-Transistors wird ein Transistor 34 von der in F i g. 1 gezeigten Art verwendet. Wie schematisch dargestellt, ist eine Erregerquelle 33 für eine Rechteckwellenform an die Steuerelektrode G₁ und an die »Source««-Elektrode S geschaltet, während die Blockelektrode G₂ unmittelbar mit der »Source«-Elektrode S verbunden ist. Zu verstärkende Gleichstrom-Eingangssignale werden an der »Drain«-Elektrode D und an der »Source«-Elektrode 5 des Metalloxyd-Feldeffekt-Transistors 34 über zwei Eingangsklemmen 31 und einen Eingangswiderstand 32 aufgeprägt. Die »Drain«-Elektrode D ist mit dem Eingang eines Verstärkers 51 über einen Kopplungskondensator 35 verbunden. Bei der vorangehend beschriebenen Prinzipschaltung bilden die Elemente 31 bis 34 eine Modulatoreinheit 50, welche dazu dient, das Eingangssignal in eine Wechselspannung mit der gleichen Frequenz wie bei der Erregerquelle 33 umzuwandeln, während die Wechselstromverstärkereinheit 51 der Verstärkung des erwähnten Wechselstromes dient.

Wenn angenommen wird, daß eine Spannung Ei mit einer Wellenform von der in Fig. 4a gezeigten Art über die Eingangsklemmen 31 aufgeprägt wird und daß eine Spannung V₉ mit einer Wellenform von der in F i g. 4b gezeigten Art über die Steuerelektrode G₁ und die »Source«-Elektrode S des Feldeffekt-Transistors 34 aufgeprägt wird, befindet sich der Stromweg zwischen der »Drain«- und der »Sourcee-Elektrode dieses Transistors im »Sperr«-Zustand, solange die Polarität der Spannung V₃ ausreichend negativ mit Bezug auf die »Source«-Elektrode S ist. Der Grund, weshalb der Feldeffekt-Transistor 34 in seinem »Sperr«- Zustand unter den vorangehend beschriebenen Bedingungen gehalten wird, besteht darin, daß, wenn der Steuerelektrode G₁ (F i g. 1) eine negative Spannung aufgeprägt wird, eine positive Raumladung auf der dem Kanal 4 zugekehrten Seite erzeugt wird, um die wirksame Breite des Kanals 4 zu verringern, wodurch dessen Leitwert auf einen außerordentlich niedrigen Wert herabgesetzt wird.

Bei einer Erregerspannung mit einer zur vorangehend beschriebenen entgegengesetzten Polarität oder solange die Steuerelektrode G₁ positiv oder nahezu Null mit Bezug auf die »Source«-Elektrode S gehalten wird, wird der Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor 34 in seinem »Ein-«-Zustand gehalten, so daß der Eingang durch den Transistor 34 kurzgeschlossen ist.

Der Grund, weshalb der Feldeffekt-Transistor 34 durch eine positive Spannung an seiner Steuerelektrode G₁ leitend gemacht wird, besteht darin, daß hierdurch eine negative Raumladungsschicht im Kanal 4 erzeugt und der Leitwert im Kanal erhöht wird. Hieraus ergibt sich, daß, wenn negative und positive Spannungen wechselweise an die Steuerelektrode G₁ gelegt werden, der Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor 34 wechselweise leitend und nichtleitend wird, so daß der Eingang zerhackt wird, wie durch die Wellenform e₀ in F i g. 4c gezeigt, und dann auf die Verstärkereinheit 51 übertragen wird. Nach der Verstärkung durch die Verstärkereinheit 51 wird dieses Signal an den Ausgangsklemmen 49 erhalten.

Durch die Verwendung von Metalloxyd-Feldeffekt-Transistoren können Störspannungen, welche durch ein pn-Kontaktpotential erzeugt werden, wirksam vermieden werden. Bei der erfindungsgemäßen Ausführungsform ist es nun weiterhin möglich, Störspannungen aufzuheben, die an den Ausgangsklemmen von der Erregerquelle her durch eine Elektrodenkapazität zwischen den Elektroden eines im Modulator verwendeten Transistors auftreten.

Im allgemeinen wird, wenn die Erregerfrequenz zunimmt, eine Störspannung infolge der Kapazitäten zwischen den Elektroden des Transistors erzeugt. Dieser Störeffekt wurde bisher vernachlässigt. Er kann jedoch ein Problem werden, wenn die Störspannung, welche durch ein pn-Kontaktpotential erzeugt wurde,

ίο durch die Verwendung der in F i g. 3 gezeigten Schaltung ausgeschaltet wird. Es ist nicht erforderlich, die Kapazitäten zwischen allen Elektroden zu berücksichtigen, sondern es muß nur die Kapazität zwischen der Steuerelektrode G₁ und der »Drain«-Elektrode berücksichtigt werden, welche die Störspannung am ernstesten beeinflußt.

F i g. 6 zeigt eine Ersatzschaltung einer Modulatoreinheit der in F i g. 3 dargestellten Ausführungsform. In F i g. 6 stellt Ei die an die Eingangsklemmen 31 gelegte Eingangsspannung dar, R_g den Wert des Eingangswiderstandes 32, C die Kapazität des Kopplungskondensators 35 und R die Eingangsimpedanz der Verstärkereinheit 51. In F i g. 6 ist der Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor 34 als Schalter SW dargestellt, der synchron mit der Frequenz der Erregerquelle 33 geöffnet und geschlossen wird, wobei C die Kapazität zwischen der Steuerelektrode G₁ und der »Drain«-Elektrode D darstellt. Die Störspannungen, welche über den Kondensator C_s auftreten, werden nachfolgend in Verbindung mit F i g. 7 behandelt. Wenn eine Erregerspannung mit einer Wellenform von der in F i g. 7 (a) gezeigten Art bei einem Wert von ei von Null angelegt wird oder wenn die Eingangsklemmen kurzgeschlossen sind, fließt ein Strom in den Kondensator C über die Kapazität C_s, wenn der Schalter SW geöffnet und geschlossen wird. Wenn der Strom, der fließt, wenn der Schalter SW aus dem Einschaltzustand in den Ausschaltzustand gebracht wird, mit i'sa bezeichnet wird und der Strom, der fließt, wenn der Schalter aus seinem Ausschaltzustand in seinen Einschaltzustand betätigt wird, mit isb bezeichnet wird, ist die Ladung Δ Q, welche im Kondensator C durch diese Ströme isa und ise während eines Betätigungszyklus des Schalters " gespeichert wird, durch die folgende Gleichung gegeben.

AQ = f(i_s a + is β) dt.

Andererseits ist die Spannung F₀ am Kondensator C im wesentlichen konstant, da es üblich ist, die Zeitkonstante, d. h. Ci?, so zu gestalten, daß ein Wert erhalten wird, der ausreichend größer als die Periode eines Zyklus Γ ist. Daher ist die elektrische Ladung Δ Q', welche vom Kondensator C über R_g und R während eines Zyklus entladen wird, gegeben durch die folgende Gleichung:

Δ Q' = -^ — H - — . (2)

i? 2 R+ Rg 2

Im Gleichgewichtszustand der Schaltung soll die Beziehung zwischen Δ Q und Δ Q' sein

AQ = AQ'

so daß aus den Gleichungen (1) und (2)

2 R(Rg + R) ^Tr,. . , ■

Vc = ^κ—^—- · J (isa + isB) dt.

T 2R + Rg ο

I 441 738

5 6

Daher ist die Ausgangsstörspannung Θ_οη, die über den Widerstand R auftritt, gegeben durch

_ΘοΆ = V₀ (l *—) = -1 hi_SA + i_SB) dt. (5)

\ -^ -J- Kg J 1 ΛΛ-j- Kg O

Die Wellenform dieser Spannung ist in F i g. 7 (c) berücksichtigt werden, welche durch die Veränderung gezeigt. Die Störspannung entsteht daher unver- der Umgebungstemperatur verursacht wird. Dies ist meidlich, sofern nicht die Flächeninhalte der Ströme is α dadurch begründet, daß, selbst wenn die Elemente und isB gleich sind und einander aufheben. Wenn der der Schaltung so eingestellt sind, daß die Störspannung Modulator und der Verstärker ohne die Verwendung io bei einer gegebenen Temperatur Null wird, eine Vereines Kondensators oder eines Transformators direkt änderung in der Umgebungstemperatur zu einer Vermiteinander gekoppelt sind, fließt Strom in den änderung in den Elektrodenkapazitäten zwischen der Modulator von der Verstärkerseite, wobei der Strom Steuerelektrode G₁ und der »Draine-Elektrode D und moduliert und verstärkt wird, so daß eine Stör- zwischen der Blockelektrode G₂ und der »Drain«- spannung entsteht. Hieraus ergibt sich, daß die Stör- 15 Elektrode D führt, so daß Störspannungen infolge spannung wegen des Kondensators C unvermeidlich von Temperaturveränderungen entstehen. Die Kaerzeugt wird. pazität zwischen den Elektroden G₂ und D, die von

Zur Vermeidung dieser Störspannungen dient die einem Isolator getrennt sind, wird jedoch im allin F i g. 5 dargestellte erfindungsgemäße Ausführung gemeinen durch die Umgebungstemperatur nicht der Schaltung. Der in F i g. 1 dargestellte Metalloxyd- 20 wesentlich beeinflußt.

Feldeffekt-Transistor mit zwei Steuerelektroden wird Wie in F i g. 5 gezeigt, ist erfindungsgemäß eine

bei dieser Ausführungsform derart verwendet, daß Diode 73 in den Stromkreis der Steuerelektrode ge-

der zweiten Steuerelektrode, der Blockelektrode eine schaltet, um die Störspannung auf ein Mindestmaß

Spannung von der in F i g. 7 (b) gezeigten Art auf- herabzusetzen, welche durch eine Veränderung in der

geprägt wird, um die Spannungsspitzen wie in F i g. 7 (d) 25 Umgebungstemperatur verursacht wird. Da die Ka-

gezeigt, aufzuheben, um dadurch die Störspannung pazität zwischen den Elektroden G₂ und D eine

zu verringern. pn-Übergangskapazität ist, verändert sie sich in

Wie F i g. 5 zeigt, ist ein Widerstand 72 zwischen Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur in der der Blockelektrode G₂ und der »Source«-Elektrode S gleichen Weise wie die pn-Übergangskapazität der

eines Transistors 34 geschaltet, und die Blockelektrode 30 Diode 73, so daß die Wirkung auf die Spitzenwellen-

G₂ ist ferner über einen Kondensator 71 mit einer spannung, die an der »Drain«-Elektrode D über die

Spannungsquelle verbunden, welche eine Spannung Kapazität zwischen den Elektroden G₁ und D auftritt

von Rechteckwellenform abgibt, deren Phase der- und durch die Veränderung in der Umgebungs-

jenigen der Spannung der Quelle 33 entgegengesetzt ist. temperatur verursacht wird, und die Wirkung auf die

Die von der Quelle 70 gelieferte Spannung von 35 Spitzenwellenspannung, welche an der »Drain«- Rechteckwellenform wird durch eine Differenzier- Elektrode D über die Kapazität zwischen den Elekschaltung differenziert, die aus dem Kondensator 71 troden G₂ und D auftritt, einander aufheben. Bei dieser und dem Widerstand 72 besteht, um eine Spannung Ausführungsform kann ein Kondensator mit einem von spitzer Wellenform zu erzeugen, die an der gegebenen Temperaturkoeffizienten an Stelle der »Drain«-Elektrode D über die Elektrodenkapazität 40 Diode 73 verwendet werden. Wenn ein Kondensator71, zwischen der Blockelektrode G₂ und der »Drain«- der im wesentlichen den richtigen Temperatur-Elektrode D auftritt. koeffizienten hat, um die Elektrodenkapazität zwischen

Da die Spannung der Erregerquelle 33 und die den Elektroden G₂ und D aufzuheben, verwendet Spannung der Quelle 70 entgegengesetzte Polarität wird, ist es ferner möglich, einen Temperaturausgleich haben, sind der Strom, der durch die Elektroden- 45 ^zu erzielen, wodurch der Störeffekt verringert wird, kapazität zwischen der Elektrode G₁ und der »Drain«- Wie in der obigen Beschreibung ersichtlich wurde, Elektrode D von der Quelle 33 her fließt, und die ist für das Entstehen einer Störspannung auch die Spannung, die zur »Drain«-Elektrode D von der Anwesenheit des Kondensators C (Kopplungskonden-Quelle 70 über die Kapazität zwischen den Elektroden sator 35) verantwortlich. Eine solche Störspannung G₂ und D fließt, ebenfalls um 180° phasenverschoben, 50 kann auch dadurch erfindungsgemäß ausgeschaltet so daß die Ströme einander aufheben, wodurch die werden, daß, wie in F i g. 5 gezeigt, ein zweiter Störspannung sehr wirksam verringert wird. Die Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor verwendet wird, und Größe des zur »Drain«-Elektrode D über die Kapazität zwar für die Verstärkereinheit 51, welche nunmehr zwischen den Elektroden G₂ und D fließenden Stroms ohne die Verwendung eines Kopplungskondensators kann dadurch auf einen gewünschten Wert eingestellt 55 direkt mit der Modulatoreinheit 50 gekoppelt ist. werden, daß die Spannung der Spannungsquelle 70 In F i g. 5 sind mit 31 bis 34 Elemente bezeichnet, eingestellt wird. Obwohl es wünschenswert ist, daß die den in F i g. 3 dargestellten entsprechen. Mit 60 ist die Spannungen von spitzer Wellenform genau ent- der Belastungswiderstand des Transistors 34 bezeichnet gegengesetzte Phase, jedoch die gleiche Wellenform und mit 61 ein Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor von haben, wird durch den Unterschied zwischen diesen 60 der in F i g. 1 dargestellten Bauform. Die Block-Spannungen eine Störspannung erzeugt, selbst wenn elektrode G₂₂ des Transistors 61 ist direkt mit der die Phasendifferenz von 180° nur geringfügig ver- »Source«-Elektrode S₁ gekoppelt, und über die »Drain«- schieden ist. Es ist möglich, die Störspannung, wenn Elektrode D₁ und die »Source«-Elektrode S₁ des ihr Mittelwert berücksichtigt wird, ausreichend zu Transistors 61 sind in Reihe ein Belastungswiderstand verringern. 65 63 und eine Spannungsquelle 62 geschaltet. Die

Es muß daher zur Verringerung der Störspannungen Ausgänge aus diesem Transistor 61 werden über einen

durch die Verwendung der Blockelektrode die Ver- Kopplungskondensator 64 zu den Ausgangsklemmen

änderung in den jeweiligen Elektrodenkapazitäten 49 abgeleitet.

Da der Abflußstrom des Feldeffekt-Transistors 61 in der Verstärkereinheit 51 durch das elektrische Feld oesteuert wird, das durch eine über seine Steuerelektrode G₁I und die »Source«-Elektrode S₁ aufgeprägte Spannung erzeugt wird, so daß durch den Eingangskreis im wesentlichen kein Strom fließt, ist es nicht erforderlich, einen Kondensator zu verwenden, um den in den Modulator 50 vom Verstärker 51 fließenden Strom zu sperren.

Daher ist, selbst wenn Strom aus der Erregerquelle durch die Elektrodenkapazitäten des Transistors 34 fließt, der Betrag der Störspannung infolge des Fehlens eines Kondensators, der elektrische Ladung speichert, stark verringert.

Bei der in F i g. 5 gezeigten Ausführungsform können herkömmliche Flächentransistoren (vom pnp-Typ oder vom npn-Typ) an Stelle des Metalloxyd-Feldeffekt-Transistors in der Verstärkereinheit 51 verwendet werden. Ferner ist zu erwähnen, daß die Spannung der Erregerquelle 33 eine beliebige andere Wellenform als eine Rechteckwellenform, z. B. eine sinusförmige Wellenform, haben kann.

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Modulationsanordnung mit Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor, der eine »Drain«-Elektrode, eine »Source«-Elektrode, eine Steuerelektrode und eine Blockelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Steuerelektrode (G₁) und »Source«-Elektrode (S) eine Wechselspannung (V₉, 33) angelegt ist, durch die das über einen Widerstand (32) an den »Drain«- und »Source«- Elektroden (D, S) anliegende Eingangssignal (Ei) zerhackt wird, und daß zwischenBlockelektrode (G₂) und »Source«-Elektrode (S) eine Kompensationsspannung (70) angelegt ist, wobei die Kompensationsspannung (70) und die Wechselspannung (Vg, 33) entgegengesetzte Polarität haben.

2. Modulationsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselspannung (Vg, 33) und die Kompensationsspannung (70) Rechteckspannungen sind.

3. Modulationsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Quelle der Wechselspannung (V_g, 33) und der Steuerelektrode (G₁) eine Diode (73) eingefügt ist.

4. Modulationsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Kompensationsspannungsquelle (70) und der Block- bzw. »Source«-Elektrode (G₂, S) ein Differenzierglied (71, 72) geschaltet ist.

5. Modulationsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch einen zweiten Metalloxyd-Feldeffekt-Transistor (61) gleichen Aufbaus, der als Verstärker betrieben wird und an dem das Ausgangssignal des ersten Transistors (34) unmittelbar zwischen Steuerelektrode und »Source«- Elektrode anliegt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 536/289