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DE1297085B - Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht

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Publication number
DE1297085B
DE1297085B DES89017A DES0089017A DE1297085B DE 1297085 B DE1297085 B DE 1297085B DE S89017 A DES89017 A DE S89017A DE S0089017 A DES0089017 A DE S0089017A DE 1297085 B DE1297085 B DE 1297085B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
regeneration
semiconductor material
different
carrier body
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES89017A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dipl-Chem Dr Erhard
Heywang
Sirtl
Dipl-Phys Dr Walter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
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Priority to US424149A priority patent/US3359143A/en
Priority to CH17065A priority patent/CH432473A/de
Priority to NL6500206A priority patent/NL6500206A/xx
Priority to SE254/65A priority patent/SE301014B/xx
Priority to FR1303A priority patent/FR1420169A/fr
Priority to GB1130/65A priority patent/GB1037146A/en
Priority to BE658145A priority patent/BE658145A/xx
Publication of DE1297085B publication Critical patent/DE1297085B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/22—Sandwich processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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DES89017A 1964-01-10 1964-01-10 Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht Pending DE1297085B (de)

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DES89017A DE1297085B (de) 1964-01-10 1964-01-10 Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterschicht
US424149A US3359143A (en) 1964-01-10 1965-01-07 Method of producing monocrystalline semiconductor members with layers of respectively different conductance
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NL6500206A NL6500206A (no) 1964-01-10 1965-01-08
SE254/65A SE301014B (no) 1964-01-10 1965-01-08
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GB1130/65A GB1037146A (en) 1964-01-10 1965-01-11 Improvements in or relating to processes for manufacturing semiconductor cyrstals having at least two layers of different conductivity and/or conductivity type
BE658145A BE658145A (no) 1964-01-10 1965-07-12

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US (1) US3359143A (no)
BE (1) BE658145A (no)
CH (1) CH432473A (no)
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NL6500206A (no) 1965-07-12
BE658145A (no) 1965-07-12
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