DE1255822B - Legierungsverfahren zum Verbinden eines Halbleiterkoerpers aus Silizium mit einem Elektrodenkoerper aus Gold - Google Patents
Legierungsverfahren zum Verbinden eines Halbleiterkoerpers aus Silizium mit einem Elektrodenkoerper aus GoldInfo
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Description
DEUTSCHES
V/fflTWS
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT DeutscheKl.: 21g-11/02
Nummer: 1255 822
Aktenzeichen: S 53211 VIII c/21 g
1 255 822 Anmeldetag: 18.April 1957
Auslegetag: 7. Dezember 1967
Die Erfindung bezieht sich auf ein Legierungsverfahren zum Verbinden eines Halbleiterkörpers aus
Silizium mit einem Elektrodenkörper aus Gold. Ein solcher Elektrodenkörper kann dabei an dem Halbleiterkörper
durch einen Legierungsprozeß angebracht werden, um lediglich einen Anschlußkörper, gegebenenfalls
mit sperrschichtfreiem Überzug zum Halbleiterkörper, zu erzeugen oder um bei dem Legierungsprozeß
unmittelbar gleichzeitig den p-n-Ubergang im Halbleiterkörper herzustellen. Hierbei hat
es sich als schwierig ergeben, die Elektrodenkörper derart mit dem Halbleiterkörper zu verbinden, daß
sich für die Randlinie des erstarrten Elektrodenkörpers gegenüber der Oberfläche des Halbleiterkörpers,
die gleichzeitig die Randlinie des in der Oberfläche des Halbleiterkörpers endenden p-n-Übergangs sein
kann, ein einfacher fortlaufender Kurvenzug, z.B. eine Kreislinie, ergibt und nicht eine unregelmäßige,
wellige, gegebenenfalls gezackte Randlinie. Eine solche wellige oder gezackte Randlinie ist sehr unerwünscht,
denn sie kann bei der Belastung des Gleichrichters in Sperrichtung zu hohen Sperrströmen und
gegebenenfalls zu Durchschlägen Anlaß geben.
Es ist bereits vorgeschlagen worden, einen Germaniumkörper und einen Indiumkörper dadurch miteinander
zu verbinden, daß man diese beiden Körper im Vakuum zunächst auf eine Temperatur erhitzt, bei
der sie miteinander legieren, anschließend eine geringe Menge von Sauerstoff zuführt und dann auf die
zur Legierungsbildung erforderliche Endtemperatur weiter erhitzt. Dabei wird ein Breitlaufen des Indiumkörpers
durch Erhöhung der Oberflächenspannung verhindert.
Bei der Materialkombination Silizium—Gold läßt sich eine saubere und definierte Legierungsgrenze an
der Oberfläche durch derartige Verfahrensschritte, insbesondere durch eine Erhöhung der Oberflächenspannung
nicht erzielen.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die unregelmäßige Legierungsgrenze an der Oberfläche
darauf zurückzuführen ist, daß sich das Gold beim Erhitzen zusammenzieht. Bei dem Verfahren
nach der Erfindung wird dies durch eine Herabsetzung der Oberflächenspannung verhindert.
Das ist erfindungsgemäß dadurch möglich, daß die aufeinanderliegenden Körper zunächst in einem Behälter
im Hochvakuum auf eine noch unter der höchsten angewandten Legierungstemperatur liegende
Temperatur erhitzt werfen, bei der jedoch die beiden Körper bereits sicher miteinander legieren, und daß
dann in den Behälter ein die Oberflächenspannung des Elektrodenkörpers herabsetzender Stoff einge-Legierungsverfahren
zum Verbinden eines
Halbleiterkörpers aus Silizium mit einem
Elektrodenkörper aus Gold
Halbleiterkörpers aus Silizium mit einem
Elektrodenkörper aus Gold
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Berlin und München,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. Horst Irmler, Mannheim
bracht wird und anschließend die Körper auf die maximale Legierungstemperatur gebracht werden.
Für die grundsätzliche Anwendung dieses soeben ao geschilderten Erfindungsgedankens können verschiedene Lösungswege beschritten werfen.
Für die grundsätzliche Anwendung dieses soeben ao geschilderten Erfindungsgedankens können verschiedene Lösungswege beschritten werfen.
Ist z. B. für seine Evakuierung der Raum des Behälters, in welchem nach dem Aufbringen der einzelnen Elektrodenmaterialkörper auf den Siliziumkörper
as das Legieren mit diesem vorgenommen wird, an eine Reihenschaltung einer Hochvakuumpumpe und einer
Vorvakuumpumpe angeschlossen, so kann nach einem dieser Lösungswege die Erfindung in der nachfolgenden
Weise verwirklicht werfen. Der Siliziumkörper, welcher mit den aufgelegten dotierten Goldfolien
als Elektrodenmaterialkörper versehen worden und gegebenenfalls in eine aus Graphit bestehende
Legierungsform eingesetzt ist, wird in den Evakuierungsraum gebracht. Nunmehr wird der Raum dieses
Behälters auf ein Hochvakuum von z. B. etwa IO-5 Torr evakuiert. Nach Erreichen dieses Druckes
wird der Ofenraum auf eine Temperatur von etwa 800 bis 900° C gebracht. Bevor jedoch die für den
Legierungsvorgang benutzte höchste Temperatur erreicht wird, wird bereits bei einer Temperatur, bei
der das Anlegieren zwischen dem Elektrodenmaterial und dem Siliziumkörper sicher vonstatten gegangen
ist, der Evakuierungsraum auf die Vorvakuumpumpeinrichtung umgeschaltet, welche mit einem maximalen
Unterdruck von z. B. etwa IO-1 Torr arbeitet. Hierdurch wird die Atmosphäre in dem Evakuierangsraum
mit einem gewissen Betrag von Sauerstoff angereichert. Dadurch wird eine Oxydhaut an der
Oberfläche des flüssigen Elektrodenmaterialkörpers erzeugt. Diese Oberflächenschicht erzeugt an der
Oberfläche der flüssigen Goldlegierung eine geringere Oberflächenspannung, als sie an sich sonst an deren
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Oberfläche vorhanden wäre. Nach Erreichen der höchsten Temperatur für den Legierungsvorgang, die
für eine kurze Zeitdauer von z. B. etwa 1 bis 10 Minuten aufrechterhalten wird, erfolgt das Abschalten
der Beheizung und die Abkühlung des Ofens im Verlauf eines Zeitraumes von etwa 3 Stunden.
Ein solches Verfahren gewährleistet, daß beim Anlegieren des Elektrodenmaterialkörpers zunächst ein
nur geringer Sauerstoffpartialdruck in der Atmosphäre des Evakuierungsraumes vorhanden ist, so daß
die dotierten Goldfolien während des Anheizprozesses an der Berührungsfläche zwischen Halbleiterkörper
und Elektrodenmaterialkörper nicht oxydieren und damit also ein einwandfreies Anlegieren des Elektrodenmaterialkörpers
auf der ganzen Berührungsfläche zwischen beiden stattfindet. Die Entstehung der dann
während des Abkühlungsprozesses vorhandenen Oxydhaut gewährleistet, wie entsprechende Versuche
ergeben haben, daß sich eine relativ saubere einfache Randlinie, z.B. Kreislinie, am Elektrodenmaterialkörper
ergibt und insbesondere scharfe Zacken oder Einbuchtungen und Vorsprünge an dieser nicht mehr
entstehen. Für den Halbleiterkörper aus Silizium kann beispielsweise für den einen Elektrodenmaterialkörper
eine Legierung aus Gold—Antimon benutzt werden.
Nach einem zweiten Lösungsweg kann z. B. in der Weise verfahren werden, daß statt der Umschaltung
des evakuierten Raumes auf die Vorvakuumpumpeinrichtung vor Erreichen der höchsten Legierungstemperatur und nach Absperren der Hochvakuumpumpe
sowie nach dem mit Sicherheit gewährleisteten Anlegieren des Elektrodenmaterialkörpers eine geringe
Menge eines Stoffes in die Atmosphäre des Evakuierungsraumes eingebracht bzw. eingelassen
wird, welcher die Entstehung einer Oberflächenhaut an der flüssigen Goldlegierung begünstigt. Es eignet
sich z. B. in Anlehnung an den Lösungsweg, der bereits geschildert worden ist, das Einlassen einer geringen
und bestimmten dosierten Menge von Sauerstoff. Statt eines Gases kann jedoch auch ein Stoff in
Dampfform in den Evakuierungsraum eingebracht oder in diesem zum Verdampfen gebracht werden.
Als ein solcher Stoff eignet sich z. B. ein öl. Dieses Öl wirkt dann, sobald sein Dampf zur entsprechenden
angegebenen Zeit in dem Evakuierungsraum erzeugt oder freigegeben wird, an der Oberfläche des
flüssigen Elektrodenmaterialkörpers als eine Verunreinigung. Solche Verunreinigungen tragen aber dazu
bei, daß die Oberflächenspannung eines flüssigen Körpers durch die Anlagerung dieser Verunreinigungen
herabgesetzt wird. Das Verfahren nach der Erfindung ist auch in der Form möglich, daß in dem
Evakuierungsbehälter ein kleiner Behälter mit Öl angeordnet wird, der zunächst geschlossen oder auch
offen sein kann. Das öl gelangt dann bei der Beheizung des Behälters zur Verdampfung und in die
Atmosphäre des zunächst geschlossenen Behälters oder in den Raum eines in einer Art Garage angeordneten
Ölbehälters und wird durch Öffnen des Behälters oder Herausfahren des Behälters aus der
Garage oder deren öffnen für den Eintritt in die Atmosphäre des Evakuierungsbehälters freigegeben.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
In der Anordnung nach der F i g. 1 bezeichnet 1 den Evakuierungsbehälter, 2 eine Hochvakuumpump-
einrichtung und 3 eine Vorvakuumpumpeinrichtung. Dieser Evakuierungsraum im Behälter 1, in welchen
die zu legierenden Halbleiterkörper gegebenenfalls in entsprechenden Formen eingebracht werden, wie es
durch die Teile 4 angedeutet ist, kann durch den Röhrenofen 5 beheizt werden, der z. B. aus einem
elektrisch beheizten Keramikrohr besteht.
In der F i g. 2 ist noch eine Kurve wiedergegeben, in welcher die Temperatur T über der Zeit t aufgetragen
ist. Zunächst wird mittels der Vorvakuumpumpe 2 und der Hochvakuumpumpe 3 der Innenraum
des Behälters 1 bis zum Zeitpunkt it nach F i g. 2 auf Hochvakuum gebracht und auf diesem gehalten.
Nunmehr wird die Beheizungseinrichtung 5 eingeschaltet. Bei einer Temperatur entsprechend
dem PunktF1 der eingetragenen Kurve beginnt das Elektrodenmaterial aus Gold, z. B. eine aufgebrachte
Gold-Antimon-Folie, mit dem Siliziumkörper zu legieren. Sobald bei dieser Beheizung die Temperatur
ao entsprechend dem Punkt F2 erreicht ist, wird der Raum des evakuierten Behälters 1 nunmehr auf die
Vorvakuumpumpe umgeschaltet. Das erfolgt, indem der Hahn 6 in der Pumpleitung la geöffnet und der
Hahn 7 in der Umgehungsleitung 8 für die Hochvakuumpumpe geöffnet wird. Nunmehr findet eine
Anreicherung der Atmosphäre in dem Behälter 1 mit Sauerstoff statt, die dann von dem Zeitpunkt t1 ab bis
zum Zeitpunkt t3 vorhanden ist. Vom Zeitpunkt J1 an
entsprechend der Temperatur gemäß dem PunktFj kann eine Oxydschicht an der Oberfläche des flüssigen,
bereits an die Halbleiterschicht an der Berührungsfläche mit dieser mit Sicherheit anlegierten
Elektrodenmaterialkörpers entstehen. In dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 ist auch gleichzeitig die
Anwendung der anderen Lösungen, welche oben grundsätzlich geschildert worden sind, angedeutet
Hierfür ist an dem Pumprohria, über welches der Behälter 1 an die Hochvakuumpumpeinrichtung angeschlossen
ist, eine weitere Leitung 9 angeschlossen, die mit einem Sperrhahn 9 a versehen und an einen
Behälter 10 angeschlossen ist, in welchem sich Sauerstoff oder ein Öldampf befindet. In diesem Falle werden
wieder, sobald der Zeitpunkt tx erreicht ist, die Hähne 7 und 6 geschlossen und nunmehr der Hahn 9
für einen kurzen Zeitraum geöffnet, so daß eine dosierte Menge Sauerstoff oder öl bzw. öldampf in den
Raum des Behälters eingelassen wird. Nach der dritten Lösung kann in dem Behälter 1 eine Pfanne
11 angeordnet sein, in welcher eine geringe Menge öl untergebracht ist, die unter dem Einfluß der Erwärmung
ohne Behinderung in Dampfform übergeht.
Die Erfindung ist sowohl dann anwendbar, wenn es sich darum handelt, gleichzeitig mehrere Elektrodenmaterialkörper
für verschiedene Elektroden mit dem Siliziumkörper zu legieren, als auch dann, wenn
nur der Elektrodenmaterialkörper für eine einzelne Elektrode mit dem Siliziumkörper legiert werden soll,
wobei gegebenenfalls mit dem Siliziumkörper durch einen vorausgehenden oder einen nachfolgenden Legierungsvorgang
eine oder mehrere andere Elektrodenmaterialkörper verbunden werden können. Es kann z. B., wenn ein Gleichrichter hergestellt werden
soll, in der Weise vorgegangen werden, daß zunächst mit dem Siliziumkörper durch Legieren eine Aluminiumfolie
verbunden wird, die bei etwa 900 bis 950° C anlegiert wird. Der in dieser Weise fertiggestellte
Halbleiterkörper wird dann zusammen mit einer auf ihn aufgelegten Folie aus Gold—Antimon
Claims (7)
1. Legierungsverfahren zum Verbinden eines Halbleiterkörpers aus Silizium mit einem Elektrodenkörper
aus Gold, dadurch gekennzeichnet, daß die aufeinanderliegenden Körper zunächst in einem Behälter im Hochvakuum
auf eine noch unter der höchsten angewandten Legierungstemperatur liegende Temperatur erhitzt
werden, bei der jedoch die beiden Körper bereits sicher miteinander legieren, und daß dann
in den Behälter ein die Oberflächenspannung des Elektrodenkörpers herabsetzender Stoff eingebracht
wird und anschließend die Körper auf die so maximale Legierungstemperatur gebracht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zur Evakuierung des Behälters die Reihenschaltung
einer Vorpumpe und einer Hochvakuumpumpe dient, dadurch gekennzeichnet, daß bei Erreichen
der erwähnten Temperatur die Hochvakuum-
pumpe ausgeschaltet und durch einen Nebenschluß umgangen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Behälter nach Erreichen
der erwähnten Temperatur mit einem Gefäß verbunden wird, das den erwähnten Stoff in einer
dosierten Menge enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein oberhalb der erwähnten
Temperatur von dem festen oder flüssigen in den gasförmigen Zustand übergehender Stoff verwendet
und vor dem Evakuieren in den Behälter eingebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Stoff Sauerstoff
zugesetzt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zu verbindenden
Körper in einer Legierungsform in den Behälter gebracht werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Goldelektrode
mit Antimonzusatz verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 015 936.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 015 936.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 707/464 11.67 © Bundesdruckerei Berlin
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1015936B (de) * | 1956-05-28 | 1957-09-19 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung, z.B. eines Gleichrichters |
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1957
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DE1015936B (de) * | 1956-05-28 | 1957-09-19 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung, z.B. eines Gleichrichters |
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