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DE1240553B - Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation

Info

Publication number
DE1240553B
DE1240553B DEH55276A DEH0055276A DE1240553B DE 1240553 B DE1240553 B DE 1240553B DE H55276 A DEH55276 A DE H55276A DE H0055276 A DEH0055276 A DE H0055276A DE 1240553 B DE1240553 B DE 1240553B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
pulse
circuit arrangement
emitter
amplitude modulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEH55276A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoki Shimizu
Koichi Fukushima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE1240553B publication Critical patent/DE1240553B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors

Landscapes

  • Interface Circuits In Exchanges (AREA)

Description

  • Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation (PAM), bei der periodische Abtastimpulse kurzzeitig eine stromleitende Verbindung zwischen einem das Nachrichtensignal führenden Eingangsanschluß und einem die amplitudenmodulierte Pulsfolge abgebenden Ausgangsanschluß herstellen.
  • Schaltungsanordnungen dieser Art dienen beispielsweise zur Herstellung von Sprechkanälen für Teilnehmer nach einem Zeitmultiplexsystem. Eine bekannte derartige Schaltungsanordnung wird an Hand von Fi g. 1 der Zeichnung näher erläutert. Ihr Nachteil besteht darin, daß trotz der Verwendung von vier Dioden die Sperrimpedanz zwischen Eingangsanschluß und Ausgangsanschluß im Sperrzustand verhältnismäßig klein ist.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß nur wenige Schaltungselemente erforderlich sind, daß trotzdem jedoch eine hohe Sperrimpedanz zwischen Eingangsanschluß und Ausgangsanschluß gewährleistet ist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen Eingangsanschluß und Ausgangsanschluß die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors geschaltet ist, der durch eine Sperrspannung normalerweise im nichtleitenden Schaltzustand gehalten und durch die Abtastimpulse periodisch in den leitenden Schaltzustand geführt wird.
  • Diese und weitere Einzelheiten der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung hervor. In der Zeichnung zeigt F i g. 1 eine Darstellung einer bekannten PAM-Schaltung, F i g. 2 eine PAM-Schaltung nach einer Ausführungsform der Erfindung, F i g. 3 Wellenform und Impulsdarstellungen, die zur Erläuterung der Erfindung dienen sollen.
  • Die in der F i g. 1 dargestellte bekannte PAM-Schaltung enthält vier in einer Brücke zusammengeschaltete Dioden D1 bis D4, die normalerweise durch Anlegen von Gegen- oder Sperrspannungen an ihre Plus- und Minuselektroden in gesperrtem Zustand gehalten werden. Es sind dies die Sperrspannungen +Eg und -EG. Diese Dioden werden vorübergehend in ihren leitenden Zustand gebracht, indem man ihnen zwei Sätze von Steuer- oder Abtastpulsen mit positiver und negativer Polarität (+Gp und -Gp) zuführt, um so ein Sprechsignal von der Eingangsklemme A jeweils kurzzeitig zu einer PAM-Ausgangsklemme B durchzuschalten. In der F i g. 1 bezeichnet es eine Sprechsignalquelle und R, einen Lastwiderstand. In einem derartigen PAM-Stromkreis sind jedoch zwei Arten synchroner Impulse mit Plus- und Minuspolarität sowie einander entgegengesetzt polarisierte Vorspannungsquellen notwendig. Außerdem ist die Durchlaßimpedanz zwischen den Klemmen A und B bei gesperrten Dioden in ihrem Wert gleich der Sperrimpedanz nur einer gesperrten Diode, die im Vergleich mit der Sperrimpedanz eines Transistors verhältnismäßig klein ist. Das bedeutet, daß bei Verwendung von vier Dioden drei dieser Dioden nichts zum Sperren des Signals beitragen.
  • Durch die vorliegende Erfindung wird der oben beschriebene Nachteil beseitigt; eine einfache Schaltung, in der nur ein einziger Transistor benutzt wird, macht es möglich, eine bipolare PAM zu erzielen.
  • Die in F i g. 2 dargestellte PAM-Schaltung gemäß der Erfindung enthält einen Abtastimpuls-Eingang C, eine Sperrspannungs-Eingangsklemme D, einen Impulstransformator PT und einen Transistor T. Weitere einander entsprechende Schaltungselemente sind in den F i g. 1 und 2 durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet.
  • Wenn im Betrieb ein Steuer- oder Abtastimpuls Gp an die Primärwicklung des Impulstransformators gelegt wird, ohne daß irgendein Sprechsignal von der Quelle es gegeben wird, erzeugt die Sekundärwicklung des Impulstransformators PT eine Impulsspannung, welche einen Emitterstrom in den Transistor T einspeist, wodurch der Arbeitspunkt des Transistors T in den Sättigungs- oder Durchlaßbereich verschoben wird. Dadurch ergibt sich eine innere Impedanz zwischen Emitter und Kollektor des Transistors T, deren Betrag sehr klein ist, beispielsweise nur einige Ohm. Unter dieser Bedingung sind die Eingangsklemme A für das Sprechsignal und die Ausgangsklemme B für das PAM-Signal miteinander über eine außerordentlich kleine Impedanz verbunden, so als wenn zwischen ihnen ein geschlossener Schalter läge. Das Signal wird also von der Eingangsklemme A zur Ausgangsklemme B ohne wesentlichen Widerstand oder Verlust übertragen.
  • Wenn nun der Transistor T ein Steuertransistor ist, der durch einen relativ großen Emitterstrom bis zu einem gewissen Betrag gesättigt werden kann, so ist eine Übertragung des Signals zwischen Emitter und Kollektor des Transistors in zwei Richtungen (bipolar) möglich, und wenn der Emitterstrom als Impulsstrom angelegt wird, kann der Transistor als ein Schalter in zwei Richtungen arbeiten.
  • Während der Zeitspanne, in der kein Steuer- oder Abtastimpuls angelegt wird, liegt an der Klemme D eine Sperrspannung +EB mit positiver Polarität an und bewirkt die Sperrung der Strecke zwischen Emitter und Basis sowie zwischen der Basis und dem Kollektor des Transistors T, so daß sich der Transistor im Sperrzustand befindet.
  • Infolgedessen ist die innere Impedanz zwischen Emitter und Kollektor des Transistors T außerordentlich groß, etwa mehrere Megohm, so als wenn ein elektrischer Schalter geöffnet wäre. Die Klemmen A und B sind daher wirksam elektrisch voneinander getrennt, und es wird von der Klemme A kein Sprechsignal an die Klemme B übertragen.
  • Die zur Erläuterung der Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Schaltung dienende F i g. 3 zeigt Wellenformen in wesentlichen Teilen der Schaltung nach F i g. 2. Die unter (a) dargestellte Sprechsignalspannung wird der EingangsklemmeA zugeführt. Die Steuer- oder Abtastimpulse unter (b) werden der Klemme C zugeführt, und an der Ausgangsklemme B kann die Impulsfolge gemäß (c) als »Proben« des primären Signalspannungsverlaufs abgenommen werden.
  • Diese Impulsfolge gestattet in an sich bekannter Weise die Wiederherstellung des Sprechsignals, wenn die Frequenz der Abtastimpulse genügend groß gegenüber den Frequenzen des Sprechsignals ist.
  • Bei der Schaltung nach F i g. 2 ist der Transistor T ein Transistor des Typs pnp; man kann aber statt dessen auch einen npn-Transistor verwenden. In diesem Fall muß jedoch die Sperrspannung EB negative Polarität haben, und um einen Emitterstrom durch den Transistor hindurchzutreiben, muß die Sekundärwicklung M#, des Impulstransformators PT mit ihrer Polarität umgekehrt werden, so daß die Polarität der Steuer- oder Abtastimpulse Gp nicht umgekehrt wird. Wenn man eine unipolare PAM-Modulationsimpulsreihe erhalten will, darf das Ende des Widerstandes R1 in F i g. 2 nicht geerdet, sondern mit einer Spannungsquelle geeigneten Wertes verbunden werden. Unipolare PAM-Modulations-Impulse kann man so mit positiver oder negativer Polarität erhalten, die Polarität hängt lediglich davon ab, ob das Ende des Widerstandes R1 mit einer positiven oder negativen Klemme der elektrischen Spannungsquelle verbunden wird.
  • In einem praktischen Beispiel, bei dem die Amplitude der Steuer- oder Abtastimpulse 4 bis 8 Volt betrug und die Breite der Steuer- oder Abtastimpulse 0,6 bis 1 #ts war, während die Frequenz der Abtastimpulse 8 kHz betrug, wurde ein Sprechsignal mit Frequenzen zwischen 200 bis 4000 Hz in Impulsform an die Ausgangsklemme übertragen, mit einer Dämpfung von nur etwa 1 bis 2 db.
  • Außerdem war die Linearität zwischen Eingangs-und Ausgangssignal bis zu etwa -f- 2 dbm in dem Eingangssignal gewährleistet, wobei die Dämpfungsverzerrung der zweiten und dritten Oberwelle größer als 35 bzw. 45 db war, während in denjenigen Zeitspannen, in denen kein Steuer- oder Abtastimpuls angelegt war, die Sperrdämpfung des Sprechsignals an der Ausgangsklemme mehr als etwa 80 db betrug, wenn die Sperrspannung einen Wert von -f-5 V hatte.
  • In der vorstehenden Beschreibung wurde der Transistor T als Richt-Transistor beschrieben; es kann jedoch ein in beiden Richtungen wirksamer Transistor mit einer ähnlichen Schaltung ebensogut Verwendung finden.
  • Wie sich aus den obigen Angaben ersehen läßt, zeigen PAM-Schaltungen gemäß der vorliegenden Erfindung ganz erheblich bessere Betriebseigenschaften als die bekannten Schaltungen, und die Nachteile dieser bekannten PAM-Schaltungen mit Diodenbrücken sind vermieden.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation, bei der periodische Abtastimpulse kurzzeitig eine stromleitende Verbindung zwischen einem das Nachrichtensignal führenden Eingangsanschluß und einem die amplitudenmodulierte Pulsfolge abgebenden Ausgangsanschluß herstellen, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Eingangsanschluß (A) und Ausgangsanschluß (B) die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors (T) geschaltet ist, der durch eine Sperrspannung (EB) normalerweise im nichtleitenden Schaltzustand gehalten und durch die zwischen die Basis und den Emitter oder den Kollektor des Transistors angelegten Abtastimpulse periodisch in den leitenden Schaltzustand geführt wird.
DEH55276A 1964-02-27 1965-02-23 Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation Pending DE1240553B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1240553X 1964-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1240553B true DE1240553B (de) 1967-05-18

Family

ID=14875841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEH55276A Pending DE1240553B (de) 1964-02-27 1965-02-23 Schaltungsanordnung zur Pulsamplitudenmodulation

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1240553B (de)

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