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DE1216365B - Speicherkern-Matrix und daraus aufgebauter Matrizenblock - Google Patents

Speicherkern-Matrix und daraus aufgebauter Matrizenblock

Info

Publication number
DE1216365B
DE1216365B DES76620A DES0076620A DE1216365B DE 1216365 B DE1216365 B DE 1216365B DE S76620 A DES76620 A DE S76620A DE S0076620 A DES0076620 A DE S0076620A DE 1216365 B DE1216365 B DE 1216365B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory core
matrix
frame
soldering
soldering lugs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES76620A
Other languages
English (en)
Inventor
Ernst Schmotz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES76620A priority Critical patent/DE1216365B/de
Publication of DE1216365B publication Critical patent/DE1216365B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)

Description

  • Speicherkern-Matrix und daraus aufgebauter Matrizenblock Auf dem Gebiet der Speichertechnik von Informationen ist es bekannt, z. B. kleine magnetisierbare Ringkerne mit rechteckförmiger Hystereseschleife als Speicherelemente zu verwenden. Diese Kerne sind insbesondere mit isolierten Drahtleitungen durchzogen, die verschiedene Aufgaben zu erfüllen haben. So bewirkt beispielsweise eine Drahtleitung die Einspeicherung eines bestimmten magnetischen Zustandes in dem Speicherelement, eine andere Drahtleitung dient zur Abfragung dieses magnetischen Zustandes, eine nächste Drahtleitung vermittelt die Einstellung eines entgegengesetzten magnetischen Zustandes in dem Speicherelement usw.
  • Es ist bereits bekannt, derartige magnetische Speicherelemente in einer Vielzahl derart neben-und hintereinander anzuordnen, daß eine sogenannte Speicherkern-Matrix gebildet wird. Die betreffenden, beispielsweise Spalten-, Zeilen-, Informations- und Lesedrähte kreuzen sich dabei in den Löchern dieser Ringkerne. Die entsprechenden Drähte, die insbesondere jeden dieser Kerne durchziehen, sind außerhalb dieser Kernanordnung mit Lötfahnen kontaktiert, die ihrerseits mit den anzuschließenden Schaltelementen kontaktiert werden. Diese Lötfahnen sind in bekannter Weise in einem Rahmengestell angeordnet. Derartige Rahmengestelle bestehen z. B. aus Kunstharz, so daß die Lötfahnen eingegossen werden können. So werden z. B. Speicherkern-Matrizen mit Ringkernen aus Ferrit mit einem Ringkernaußendurchmesser von 2 mm verwendet und in Spalten und Reihen zu jeweils 64 Stück, also insgesamt 4096 Kernen, nebeneinander angeordnet und von jeweils 4 Drahtleitungen durchzogen. Mehrere solcher Matrizen, deren Spalten- und Zeilenleitungen in Reihe geschaltet sind, können übereinander zu einem Speicherkern-Matrizenblock zusammengefaßt sein.
  • Im Zuge der Verkleinerung elektrischer Bauelemente ist es erstrebenswert, nicht nur diese elektrischen Speicherelemente selbst zu verkleinern, sondern insbesondere die Halterungs- und Anschlußorgane zu miniaturisieren.
  • So ist es auch bekannt, flache, an einem Ende gabelförmig gespreizte Lötfahnen zwischen zwei Isolierstoffrahmen einzuklemmen 'und benachbarte Lötfahnen gegeneinander zu versetzen, um das Umwickeln der Lötfahnenenden mit den Drähten auch bei gedrängtem Aufbau zu ermöglichen.
  • Ferner sind Matrixrahmen bekannt, bei denen nach Art einer Heftklammer gebogene Lötfahnen von der Unterseite durch einen Isolierstoffrahmen gesteckt, auf der Oberseite ein Stück entlanggeführt und wiederum zur Unterseite durch ein anderes Loch im Rahmen gesteckt sind. Dag' LÖtfahnenende wird senkrecht zur Rahmenebene hochgebogen und dient als Lötanschlußhaken für den darumgewickelten Draht.
  • Diese Miniaturisierung führt vielfach zu komplizierten Herstellungsverfahren, insbesondere bei der Festlegung der Lötfahnen in den Rahmenteilen derartiger Matrizen sowie bei der Kontaktierung der Drahtleitungen mit diesen Lötfahnen. Das Kontaktieren der sehr dünnen Drahtleitungen mit einer Drahtstärke von beispielsweise 0,12 mm an ösenförmigen oder an hakenförmigen Enden der Lötfahnen erfordert einen relativ hohen Aufwand an manueller oder maschineller Arbeit. Die bekannten Lötfahnenformen sind vor allem nicht geeignet, die Kontaktierung mehrerer Lötfahnen mit den zugehörigen Drähten in einem einzigen Arbeitsgang, z. B. im bekannten Tauchlötverfahren, vorzunehmen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Aufbau derartiger miniaturisierter Speicherkern-Matrizen und -Matrizenblöcke derart zu gestalten, daß das Kontaktieren der Drahtleitungen mit den Lötfahnen vereinfacht ist.
  • Die Erfindung geht aus von einer Speicherkern-Matrix, die aus einer Vielzahl von Speicherkernen zusammengesetzt ist und bei der die Speicherkerne von mehreren, sich insbesondere senkrecht, waagerecht und diagonal kreuzenden Drahtleitungen durchzogen und bei der die Drahtleitungen mit elektrisch leitfähigen, bezüglich benachbarter Lötfahnen versetzt angeordneter Lötfahnen kontaktiert sind, die derart durch zwei Durchbrechungen eines Rahmenteils geführt sind, daß sie an der Rahmenunterseite nach außen führen und zwischen den beiden Durchbrechungen mit einem Zwischenstück an der Rahmenoberseite verlaufen.
  • Die Erfindung besteht darin, daß die Zwischenstücke der Lötfahnen Erhebungen aufweisen, an denen die Drahtleitungen kontaktiert sind. Es ist besonders vorteilhaft, um den Lötfahnen einen festen Sitz zu verleihen und damit die Kontaktierung zu erleichtern, wenn in weiterer Ausbildung der Erfindung ein zweiter Rahmenteil derart mit dem ersten, mit Lötfahnen versehenen Rahmenteil verbunden ist, daß die an der 'Unterseite des Rahmenteils verlaufenden Lötfahnenstücke zwischen beide Rahmenteile eingeklemmt sind. Das Unterteil des Matrixrahmens, der zweite Rahmenteil, verhindert beim Kontaktieren der Drahtenden auf .den Lötfahnenerhebungen ein Verschieben der Lötfahnen aus ihrer Lage, ohne daß diese bereits fest mit dem ersten Rahmenteil, beispielsweise durch Kleben, verbunden sein müssen.
  • Die Erfindung sieht insbesondere vor, daß in die Erhebung der Lötfahne eine Rille zur Aufnahme der Drahtleitungsenden eingeprägt ist. Mehrere derartige Matrizen können nach der Erfindung in einfacher Weise übereinander zu einem Matrizenblock gestapelt, kontaktiert und gegebenenfalls eingegossen werden.
  • Die erfindungsgemäße Speicherkern-Matrix zeichnet sich durch eine sehr einfache Einführbarkeit und sichere Anordnung der Lötfahnen in den Rahmenteilen aus und bietet gemäß der besonderen Ausbildung dieser Lötfahnen die Möglichkeit, daß in einer Flechtvorrichtung geflochtene Matrixanordnungen durch entsprechendes Aufsetzen der Drahtenden auf die entsprechenden Erhebungen bzw. in die Rillen der Lötfahnen und nachfolgende Verlötung bzw. Verschweißung maschinell im Massenverfahren kontaktiert werden können. Die bisher übliche Einzelkontaktierung jeder einzelnen Drahtleitung mit der entsprechenden Lötfahne kann bei der erfindungsgemäßen Matrix wegfallen.
  • An Hand der in den F i g. 1. bis 12 angegebenen Beispiele wird die Erfindung näher erläutert.
  • In F i g. 1 ist als Beispiel ein erster Rahmenteil 1 dargestellt, der mit einer Vielzahl von Löchern und Aussparungen versehen ist. Dabei dienen die Löcherpaare 2 und 3 dem Hindurchführen der aus erfindungsgemäßen Kammsegmenten gebildeten Lötfahnen und die Löcher 4 mit den Aussparungen 5 dem Hindurchführen der Lötfahnen eines weiteren Kammsegmentes. Die Löcher 6 sind für das Hindurchführen von Verbindungsbolzen zum Aufbau eines aus mehreren Matrizen aufgebauten Blockes und die Löcher 7 für besondere zusätzliche Lötösen vorgesehen. Der erste Rahmenteil t weist z. B. jeweils auf einer Rahmenseite 65 derartige Löcherpaare auf. Unter Löcherpaare seien auch jeweils die Löcher 4 mit den Aussparungen 5 zu verstehen.
  • In F i g. 2 ist ein Leitersegment 8 mit Stegen 9 und 9' und den Verbindungsstreifen 10 dargestellt, das z. B. aus einem aus Messing bestehenden Metallstreifen ausgestanzt worden ist. Dieses Leitersegment wird anschließend an diese Ausstanzung, z. B. in der Art der F i g. 3 bis 5, gebogen, geprägt und der Steg 9' abgeschnitten, so daß ein Kammsegment entsteht. Die F i g. 4 zeigt in der Seitenansicht ein derartiges Kammsegment mit den Stegen 9. Die Zinken 10 dieses Kammsegmentes sind an ihrem vorderen Ende 11 insbesondere rechtwinklig umgebogen. Auch an den Stellen 12 sind diese Zinken nochmals zweifach rechtwinklig gebogen, so daß ein Abstand zwischen 11 und 12 eingehalten ist, der dem Abstand der Löcherpaare 2 und 3 bzw. 4 und 5 entspricht. Zwischen den Biegestellen 11 und 12 sind in die Kammzinken Erhöhungen 13 und zweck: mäßigerweise in diese Erhöhungen Rillen 14, wie in F i g. 5 im Schnitt A-B dargestellt, eingeprägt. Die Breite der Zinken 10 beträgt beispielsweise 0,5 bis 0,6 mm, die Biegeradien beispielsweise etwa 0,2 mm, die Abstände der Löcherpaare 2 und 3 bzw. 4 und 5 etwa 5,2 mm. Die Rillen sind 0,15 mm tief in die Erhöhungen eingeprägt und verlaufen vorzugsweise in einem Radius. Die Oberflächen der Kammzinken sind z. B. vergoldet.
  • Diese vorgeformten Kammsegmente werden nun erfindungsgemäß mit ihren äußeren Enden 11 zuerst entweder durch die Löcher 2 bzw. durch die Löcher 4 zur Oberseite des ersten -Rahmenteils 1 und sodann durch die Löcher 3 bzw. die Aussparungen 5 wieder auf die Unterseite geführt und dort umgebogen. Auf diese Weise befindet sich zwischen den Löcherpaaren 2 und 3 bzw. 4 und 5 der Teil der Kammzinken, der zwischen den Biegestellen 11 und 12 verläuft und die Erhebungen 13 besitzt. Nachdem ein derartiges Kammsegment in der obengenannten Weise entweder durch die Löcherpaare 2 und 3 oder die Löcherpaare 4 und 5 geführt und mit den Enden der Zinken umgebogen ist, wird ein weiteres Kammsegment nunmehr durch die noch freien Löcherpaare 4 und 5 bzw. 2 und 3 in der gleichen Weise geführt und mit den Zinkenenden umgebogen. Die Erhebungen benachbarter Lötfahnen verlaufen dann gegeneinander versetzt. Diese Versetzung erleichtert bekanntlich die Kontaktierung der Drahtleitungen mit den Lötfahnen, obwohl der Abstand der Lötfahnen und damit die gesamte Abmessung der Kernmatrix verkleinert sind.
  • In den F i g. 6 und 7 ist eine erfindungsgemäße Speicherkern Matrix dargestellt. Dort sind die Kammsegmente mit ihren Zinken 10 bereits durch den ersten Rahmenteil 1 geführt und mit ihren Enden umgebogen. Nach Einsetzen der zusätzlichen Lötösen 15 in die dafür vorgesehenen Löcher 7 ist der zweite Rahmenteil 16 mit dem ersten Rahmenteil t mechanisch verbunden worden, so daß die umgebogenen Enden der Lötfahnen sowie ein Teil der anderen Enden der Lötfahnen zwischen den beiden Rahmenteilen festgelegt sind. Die F i g. 7 stellt einen Schnitt C-D durch die Speicherkern-Matrix nach F i g. 6 dar, die Versetzung 17 benachbarter Lötfahnen ist gut zu erkennen. Die Stege 9 der Kammsegmente können entlang. der gezeichneten Trennlinie T abgeschnitten werden. Der Teil der Zinken, der über die Rahmenteile hinausragt, kann nach oben oder unten gebogen werden, so daß die nach oben gebogenen Lötfahnenenden einer Matrix mit nach unten gebogenen Lötfahnenenden einer darüber angeordneten Nachbarmatrix zusammenstoßen.
  • In F i g. 8 ist schematisch die Art der Verpflechtung der einzelnen Drahtleitungen 18 durch die Kerne 19 angegeben. Nach Fertigstellung des Flechtwerkes wird der Matrixrahmen gemäß F i g. 6 bzw. 7 derart in die Flechtvorrichtung eingesetzt, daß die Erhebungen 13 der Lötfahnen mit den Drahtleitungsenden in Verbindung kommen, die Drahtleitungsenden insbesondere in den Rillen 14 der Erhebungen liegen und sodann durch eine zusätzliche Löt- bzw. Schweißvorrichtung in einem Löt- bzw. Schweißvorgang mit den Lötfahnen kontaktiert werden.
  • Bei der erfindungsgemäßen Speicherkern-Matrü gemäß F i g. 9, 10 und 11 sind die Stege 9 dei Kammsegmente bereits entfernt. Die Enden dei Drahtleitungen 18 sind in den Rillen 14 der Lötfahnen 10 mit diesen kontaktiert. Die über die Rahmenteile hinausragenden Lötfahnenenden sind wechselseitig auseinandergebogen.
  • In F i g. 12 ist schematisch ein aus vier erfindungsgemäßen Speicherkern-Matrizen zusammengestellter Matrizenblock dargestellt. Die abgebogenen Lötfahnenenden benachbarter Matrizen stoßen aneinander und sind z. B. durch Tauchlötung miteinander verbunden.
  • Die erfindungsgemäßen Speicherkern-Matrizen zeichnen sich nicht nur durch einen geringen Raumbedarf, sondern auch durch ein geringes Gewicht und durch niedrige Herstellungskosten aus. Die erfindungsgemäße Konstruktion gestattet, daß aus fertigungstechnischen Gründen nicht im Rahmen selbst, sondern in einer getrennten großräumigen Vorrichtung geflochten werden kann, daß also das zeitraubende Wickeln der Drähte um die Lötfahnenenden entfällt und daß vor allem mehrere Lötverbindungen gleichzeitig hergestellt werden können.

Claims (7)

  1. Patentansprüche: 1. Speicherkern-Matrix, bei der die magnetisierbaren Speicherkerne von mehreren, sich insbesondere senkrecht, waagerecht und diagonal kreuzenden, der Einspeicherung und Abfragung von Informationen in den Kernen dienenden Drahtleitungen durchzogen und bei der die Drahtleitungen mit elektrisch leitfähigen, bezüglich benachbarter Lötfahnen versetzt angeordneten Lötfahnen kontaktiert sind, die derart durch zwei Durchbrechungen eines Rahmenteils geführt sind, daß sie an der Rahmenunterseite nach außen führen und zwischen den beiden Durchbrechungen mit einem Zwischenstück an der Rahmenoberseite verlaufen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenstücke der Lötfahnen Erhebungen (13) aufweisen, an denen die Drahtleitungen kontaktiert sind.
  2. 2. Speicherkern-Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Rahmenteil (16) derartig mit dem ersten, mit Lötfahnen versehenen Rahmenteil (1) verbunden ist, daß die an der Unterseite des Rahmenteils (1) verlaufenden Lötfahnenstücke zwischen beiden Rahmenteilen eingeklemmt sind.
  3. 3. Speicherkern-Matrix nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötfahnenerhebungen (13) zur Aufnahme des Drahtleitungsendes Rillen (14) aufweisen.
  4. 4. Speicherkern-Matrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötfahnen der geradzahligen Rahmenteildurchbrechungen (2, 3) je einer Matrixseite aus einem Kammsegment (8) und die Lötfahnen der ungeradzahligen Rahmenteildurchbrechungen (4, 5) je einer Matrixseite aus einem Kammsegment (8) hergestellt sind, bei dem der Abstand benachbarter Kammzinken (10) dem doppelten Lötfahnenabstand entspricht.
  5. 5. Speicherkern-Matrizenblock, dadurch gekennzeichnet, daß Speicherkern-Matrizen in der Art der vorhergehenden Ansprüche übereinander angeordnet sind.
  6. 6. Speicherkern - Matrizenblock nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die den entsprechenden Drahtleitungen zugeordneten Lötfahnenenden verschiedener Matrizen außerhalb der Rahmen miteinander kontaktiert sind.
  7. 7. Speicherkern - Matrizenblock nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die benachbarten Lötfahnenenden einer Matrix wechselseitig derart hoch- bzw. niedergebogen sind, daß sich die entsprechenden Lötfahnen benachbarter Matrizen berühren. B. Speicherkern-Matrizenblock nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Block mit einem isolierenden Gießharz vergossen ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Gebrauchsmuster Nr. 1810 099, 1810103.
DES76620A 1961-11-09 1961-11-09 Speicherkern-Matrix und daraus aufgebauter Matrizenblock Pending DE1216365B (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1810099U (de) *
DE1810103U (de) * 1959-09-25 1960-04-21 Siemens Ag Rahmen fuer eine magnetkernmatrix.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1810099U (de) *
DE1810103U (de) * 1959-09-25 1960-04-21 Siemens Ag Rahmen fuer eine magnetkernmatrix.

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