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DE1207512B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-bauelementen mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-bauelementen mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper

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Publication number
DE1207512B
DE1207512B DET19742A DET0019742A DE1207512B DE 1207512 B DE1207512 B DE 1207512B DE T19742 A DET19742 A DE T19742A DE T0019742 A DET0019742 A DE T0019742A DE 1207512 B DE1207512 B DE 1207512B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor body
platelet
distinguished
surface sides
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET19742A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Rer Nat Heinz Beneking
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Patentverwertungs GmbH filed Critical Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority to DET19742A priority Critical patent/DE1207512B/de
Publication of DE1207512B publication Critical patent/DE1207512B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem plättchenförmigen Halbleiterkörper Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem plättchenförnügen Halbleiterkörper, bei dem eine Unterscheidung der beiden großflächigen gleich großen Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers erforderlich ist.
  • Die Kennzeichnung der einzelnen Oberflächen erfolgt meistens in einem besonderen technologischen Arbeitsgang, z. B. durch Rauhbeizen einer Plättchenseite. Dabei muß die nicht zu beizende Seite in einem weiteren Arbeitsgang vor dem Beizen abgedeckt werden und die sich dabei ergebende Abdeckschicht im Anschluß an das Beizverfahren wieder entfernt werden, ohne daß Rückstände verbleiben. Unter Umständen kann sich die Kennzeichnung, wie beispielsweise das Rauhbeizen, auch nachteilig auf das zu fertigende Bauelement auswirken.
  • Zur Vermeidung dieser Nachteile wird das anfangs genannte Verfahren erfindungsgemäß so durchgeführt, daß der plättchenförmige Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß auf Grund seiner geometrischen Form eine visuelle Unterscheidung der zu unterscheidenden großflächigen Oberflächenseiten möglich ist.
  • Eine solche Unterscheidung ist beispielsweise dann möglich, wenn der Halbleiterkörper derart ausgebildet ist, daß in den zu unterscheidenden Halbleiterebenen keine Symmetrielinien vorhanden sind. Eine entsprechende Formgebung des Halbleiterkristalls wird im allgemeinen durch Sägen und Rastern erzielt.
  • Es empfiehlt sich, dem Halbleiterkörper eine solche Form zu geben, bei der während des üblichen Rastervorgangs keine Schnittverluste und zusätzliche Rasterarbeiten auftreten. Dies ist beispielsweise dann der Fall, wenn der Halbleiterkörper die Gestalt eines ungleichseitigen Dreiecks oder eines ungleichseitigen Parallelogramms erhält. Die F i g. 1 zeigt als Ausführungsbeispiel den Fall, daß eine größere Halbleiterplatte 1 durch Rastern in einzelne ungleichseitige Parallelogramme 2 aufgegliedert wird. Eine analoge Aufteilung für ungleichseitige Dreiecke 2 ist in F i g. '2 dargestellt.
  • Der Hauptzweck der vorliegenden Erfindung liegt darin, mit Hilfe einer besonderen geometrischen Formgebung des Halbleiterkörpers seine verschiedenen Halbleiteroberflächen voneinander unterscheiden zu können. Wie diese Unterscheidung vorgenommen werden kann, soll am Beispiel eines in Parallelogrammform vorliegenden Halbleiterplättchens in Verbindung mit F i g. 3 erläutert werden. Bezieht man sich bei dem in Gestalt eines ungleichseitigen Parallelogrammes geschnittenen Halbleiterplättchens gemäß F i g. 3 auf die längere Seite c als Basis, so ist der einen Plättchenoberfläche auf der rechten Seite eindeutig ein spitzer Winkel ß1 (F i g. 3 a), der anderen Plättchenoberfläche dagegen als rechter Basiswinkel ein stumpfer Winkel ß2 (F i g. 3 b) zugeordnet. Je nachdem der rechte Basiswinkel ß also stumpf oder spitz ist, zeigt die eine oder die andere Seite des Plättchens nach oben.
  • Bei dreieckförmigen Halbleiterplättchen mit unterschiedlichen Seiten ist eine Unterscheidung der einzelnen Halbleiteroberflächen auf ähnliche Weise möglich. Bezieht man sich gemäß der F i g. 4 a auf die Basis c des ungleichseitigen Dreiecks, so ist das Kriterium dafür, daß die eine Halbleiteroberfläche nach oben liegt, daß das von der Spitze C auf die Basis c gefällte Lot die Basis rechts vom Mittelpunkt D der Basis c trifft. Für die andere Halbleiteroberfläche gilt das umgekehrte Kriterium, d. h., das von der Spitze C des Dreiecks auf die Basis c gefällte Lot schneidet die Basis links von der Mitte D der Basis, wie F i g. 4 b zeigt.
  • Soll nun bei einseitig diffundierten Halbleiterplättchen zwischen diffundierten und nicht diffundierten Halbleiteroberflächen unterschieden werden, so ist bei der Diffusion darauf zu achten, daß, z. B. entsprechend einer der oder anderen Charakteristiken, bei visueller Betrachtung der Halbleiterplättchen die gleichen Kriterien erfüllt sind, so daß bei allen Plättchen auch die gleiche Oberfläche behandelt wird. Mit Hilfe der jeweiligen Kriterien ist nach erfolgter Diffusion im weiteren Verlauf des Herstellungsprozesses ständig die Möglichkeit der Unterscheidung der einzelnen Halbleiteroberflächen gegeben, so daß bei Kenntnis der jeweiligen Charakteristiken bei sämtlichen weiteren Arbeitsgängen eine Verwechslung der einzelnen Halbleiteroberflächen praktisch ausgeschlossen ist. Eine entsprechende geometrischeFormgebung des Halbleiterkörpers macht somit eine zusätzliche Kennzeichnung der Oberflächen nicht erforderlich.
  • Die F i g. 5 schließlich zeigt einen gezogenen Transistor, bei dem eine npn-Zonenfolge im Halbleiterhö-per 1 vorbanden st. Durch er._tsprecl-.e äde eometrische Formgebung zumindest der Halbleiteroberflächen in Analogie mit den vorhergehenden Ausführungsbeispielen kann ebenfalls eine Unterscheidung der einzelnen Halbleiterteile vorgenommen werden. Bei einer solchen Anordnung wäre natürlich eine Unterscheidung auch dann möglich, wenn der übrige Halbleiterkörper mit Ausnahme der zur Unterscheidung dienenden Halbleiteroberflächen eine andere geometrische Struktur aufweist. Im Ausführungsbeispiel der F i g. 5 haben die Oberflächen der zu unterscheidenden Halbleiterteile die Form eines ungleichseitigen Dreiecks.
  • Es besteht natürlich auch die Möglichkeit, den Halbleiterkörper dann, wenn eine Unterscheidung zwischen den einzelnen Oberflächen nicht mehr erforderlich ist, bezüglich seiner geometrischen Form abzuwandeln. Eine Unterscheidung kann beispielsweise dann überflüssig sein, wenn das System bereits kontaktiert ist.

Claims (4)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem plättchenförmigen Halbleiterkörper, bei dem eine; Unterscheidung der beiden großflächigen gleich großen Oberflächenseiten des Halbleiterkörpers erforderlich ist, d a -durch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß auf Grund seiner geometrischen Form eine visuelle Unterscheidung der zu unterscheidenden großflächigen Oberflächenseiten möglich ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß die zu unterscheidenden Oberflächenseiten keine Symmetrielinien aufweisen.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß die zu unterscheidenden Oberflächenseiten die Form, von ungleichseitigen Dreiecken haben.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper derart ausgebildet wird, daß die zu unterscheidenden Oberflächenseiten die Form von ungleichseitigeri Parallelogrammen haben. In Betracht gezogene. Druckschriften: Belgische Patentschrift Nr. 539 992; französische Patentschriften Nr. 1116 365, 1243 865; USA.-Patentschriften Nx. 2 913 676, 2 951191..
DET19742A 1961-03-01 1961-03-01 Verfahren zum Herstellen von Halbleiter-bauelementen mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper Pending DE1207512B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2412947A1 (fr) * 1977-12-22 1979-07-20 Western Electric Co Dispositif a semi-conducteurs et appareil de montage

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539992A (de) *
FR1116365A (fr) * 1953-12-24 1956-05-07 Philips Nv Système d'électrodes comportant un corps semi-conducteur, en particulier diode à cristal ou transisteur
US2913676A (en) * 1955-04-18 1959-11-17 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2951191A (en) * 1958-08-26 1960-08-30 Rca Corp Semiconductor devices
FR1243865A (fr) * 1959-09-08 1960-10-21 Telecommunications Sa Perfectionnement à la réalisation des diodes de commutation p-n-p-n au silicium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539992A (de) *
FR1116365A (fr) * 1953-12-24 1956-05-07 Philips Nv Système d'électrodes comportant un corps semi-conducteur, en particulier diode à cristal ou transisteur
US2913676A (en) * 1955-04-18 1959-11-17 Rca Corp Semiconductor devices and systems
US2951191A (en) * 1958-08-26 1960-08-30 Rca Corp Semiconductor devices
FR1243865A (fr) * 1959-09-08 1960-10-21 Telecommunications Sa Perfectionnement à la réalisation des diodes de commutation p-n-p-n au silicium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2412947A1 (fr) * 1977-12-22 1979-07-20 Western Electric Co Dispositif a semi-conducteurs et appareil de montage

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