DE1151960B - Vorrichtung zur Speicherung binaerer Informationen - Google Patents
Vorrichtung zur Speicherung binaerer InformationenInfo
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 90
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 55
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 101100406366 Caenorhabditis elegans pad-2 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Speicherung binärer Informationen, bei der magnetische
Filme verwendet werden.
Die Benutzung von Ferritkernen für die Speicherung von Informationen ist bekannt. Die Kerne können
hierbei, um eine große Anzahl von Informations-Bits zu speichern, in Form einer Matrix angeordnet
werden. In einer solchen Matrix kann ein einzelner Kern in einen gewünschten magnetischen Zustand
durch Anlegung von zwei Halbströmen, z. B. einem Zeiienstrom und einem Spaltenstrom, gebracht und
somit aus der Matrix ausgewählt werden. Ein einzelner Halbstrom ist dabei nicht in der Lage, einen Kern
einzustellen, während zwei Halbströme, die an einen Kern angelegt werden, additiv wirken und ein magnetisches
Feld erzeugen, das genügend stark ist, um den Kern einzustellen.
Vor kurzem wurde bekannt, Ferritkerne durch Speicherelemente aus einem dünnen magnetischen
Film zu ersetzen. Diese Filme sind anisotrop und besitzen eine leichte und senkrecht dazu eine schwere
Magnetisierungseinrichtung. Jedes dieser Speicherelemente besitzt einen Antriebsleiter und einen dazu
parallelen Informationsleiter, die beide in einem Winkel zu der leichten Magnetisierungsrichtung angeordnet
sind. Außerdem ist ein Leseleiter vorgesehen, der senkrecht zu dem Antriebsleiter und Informationsleiter angeordnet ist.
Das Speicherelement wird zur Darstellung einer binären Eins oder einer binären Null durch Anlegung
ve η Strömen an den Antricbsleiter und an den Informationsleiter
eingestellt. Der Strom im Antriebsleiter erzeugt ein magnetische.·; Feld, das zwei Drittel der
Feldstärke beträgt, die erforderlich ist. um den Film umzuschalten. Der Strom in dem Informationsleiter
erzeugt ein magnetisches Feld, dessen Feldstärke ein Drittel derjenigen beträgt, die erforderlich ist, um den
Film umzuschalten. Die Richtung des Stromes in dem Fnformationsleiter zur Einschreibung einer binären
Eins ist eine derartige, daß die Felder des Informationsleiters und des Antriebsleiters additiv sind, wodurch
ein Feld mit voller Stärke zum Umschalten an den Film angelegt wird. Zur Einschreibung einer
binären Null fließt der Strom in dem Informationsleiter in der umgekehrten Richtung, so daß die
Felder zueinander subtraktiv sind und nur ein Drittel des Schaltfeldes an den Film angelegt wird.
Der Zustand des Filmelementes wird durch Anlegung eines starken Stromes an den Antriebsleiter in
der entgegengesetzten Richtung abgetastet, und die Polaritäten der Lesesignalimpulse, die in dem Leseleiter
durch die Umschaltung des Films erzeugt Vorrichtung zur Speicherung
binärer Informationen
binärer Informationen
Anmelder:
International Computers and Tabulators
Limited, London
Limited, London
Vertreter:
Dipl.-Ing. W. Cohausz, Dipl.-Ing. W. Florack
und Dipl.-Ing. K.-H. Eissei, Patentanwälte,
Düsseldorf, Schumannstr. 97
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 8. Juni 1959 (Nr. 19 492)
Großbritannien vom 8. Juni 1959 (Nr. 19 492)
Edward Michael Bradley,
Stevenage, Hertfordshire (Großbritannien).
ist als Erfinder genannt worden
werden, zeigen die Art der gespeicherten Information an.
Diese bekannte Speicheranordnung hat die Vorteile einer konstruktiven Einfachheit und einer hohen Betriebsgeschwindigkeit
im Vergleich mit Speichereinrichtungen, die auf Ferritkernen beruhen. Sie hat jedoch den praktischen Nachteil, daß der Wert der
Antriebs- und Informationsströme beim Einschreibvorgang sehr genau gesteuert werden muß. Es ist
offensichtlich, daß, wenn einer der Ströme etwas schwächer ist als der richtige Wert und die Schaltströme
additiv sind, ein volles Schaltfeld hierbei nicht erhalten werden kann und infolgedessen das Speicherelement
nicht umgeschaltet wird. Auf der anderen Seite, wenn die Ströme zu groß sind, besteht die Gefahr,
daß ein Element nur durch das Feld, das von einem Leiter erzeugt wird, umgeschaltet wird. Verschiedene
Differenzen in den einzelnen Filmelementen und in der exakten Stellung der Leiter zu den einzelnen
Filmelementen verringern weiterhin die Toleranzen der Schaltströme. Ein weiterer Nachteil ist, daß
es erforderlich ist, Ströme in beiden Richtungen vorzusehen, und zwar in beiden Leitern, im Informations-
und im Antriebsleiter. Dieser Umstand bedingt, daß die Stromimpulsgeneratoren, die zur Betätigung
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der Matrix erforderlich sind, verhältnismäßig kompliziert aufgebaut sein müssen. Ein weiterer Nachteil ist
die Tatsache, daß bei der Ablesung und beim Einschreiben einer Information verschiedene Werte für
den Strom erforderlich sind.
Zweck der Erfindung ist es, eine dünne Filmspeichereinrichtung vorzusehen, die größere Toleranzen
bei den Betätigungsströmen zuläßt.
Gemäß der Erfindung wird eine Vorrichtung zur Speicherung binärer Informationen vorgeschlagen,
die aus einem dünnen Film eines anisotropen magnetischen Materials besteht und mit einem ersten und
einem zweiten Antriebsleiter gekoppelt ist, wobei der
einem niohtmagnetischen Leiter bestehen. Die Aufeinanderfolge,
in der die Leiter über dem Film 1 verlegt sind, kann verschieden sein; z. B. kann der Leseleiter
9 als erster auf den Film aufgedampft werden, um eine maximale Kopplung zu erzielen. Der Rückleitungsweg
für den Leiter 9 kann durch einen weiteren, gleichen Leiter vorgesehen sein oder kann durch
die Unterlage selbst bewirkt werden, wenn diese leitend ist.
Eine abgeänderte Konstruktion der Speichereinrichtung, bei der der Film auf einer Unterlage durchgehend
abgelagert ist, ist z. B. in Fig. 1 durch die Fläche 2 dargestellt. Das Speicherelement eines Films
besteht aus einem Flächenelement, wie durch das
erste Leiter in einem kleinen Winkel zu der Richtung
der leichten Magnetisierbarkeit des Films und der 15 Bezugszeichen 1 gezeigt ist, wobei das Flächenelezweite Leiter senkrecht zu dem ersten Leiter ange- ment 1 derjenige Teil des Films ist, der wirksam ordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ein- durch die angelegten magnetischen Felder geschaltet schreiben einer Information der Film in den einen wird. Der Leiter 3 kann einen Antriebestrom in der binären Zustand durch das magnetische Feld, das Richtung, die durch den Pfeil 4 angegeben ist, leiten, durch einen Stromimpuls in dem ersten Leiter erzeugt 20 Dieser Strom erzeugt ein im wesentlichen gleichwird, und in den anderen binären Zustand durch das mäßiges Feld Hd in dem Film in der Richtung, die
der leichten Magnetisierbarkeit des Films und der 15 Bezugszeichen 1 gezeigt ist, wobei das Flächenelezweite Leiter senkrecht zu dem ersten Leiter ange- ment 1 derjenige Teil des Films ist, der wirksam ordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ein- durch die angelegten magnetischen Felder geschaltet schreiben einer Information der Film in den einen wird. Der Leiter 3 kann einen Antriebestrom in der binären Zustand durch das magnetische Feld, das Richtung, die durch den Pfeil 4 angegeben ist, leiten, durch einen Stromimpuls in dem ersten Leiter erzeugt 20 Dieser Strom erzeugt ein im wesentlichen gleichwird, und in den anderen binären Zustand durch das mäßiges Feld Hd in dem Film in der Richtung, die
durch den Film 5 angegeben ist. Der Leiter 6 kann einen Strom in der Richtung, die durch den Pfeil 7
angegeben ist, leiten. Dieser letztere Strom erzeugt ein im wesentlichen gleichförmiges FeIdZf4, in dem
Film in der Richtung, die durch den Pfeil 8 angegeben ist. Die »leichte« Richtung der Magnetisierung des
Films ist durch die Pfeile 10 und 11 angegeben. Es kann festgestellt werden, daß der Film gegenüber den
kombinierte Feld, das durch den gleichen Stromimpuls in dem ersten Leiter zusammen mit einem
Stromimpuls in dem zweiten Leiter erzeugt wird, versetzt wird.
Die Benutzung von senkrecht aufeinanderstellenden Feldern anstatt der bekannten parallelen Felder
erhöht wesentlich die Toleranzen in den Antriebsströmen. Der Strom in dem ersten Leiter muß genügend
stark sein, um ein volles Schaltfeld zu erzeugen. Da 30 Leitern so orientiert ist, daß ein Winkel θ zwischen
das zugehörige Feld aber in der harten Richtung der Magnetisierung liegt, kann es beispielsweise zwei-
oder dreimal stärker sein als das erforderliche Minimumfeld, ohne eine ungewünschte Schaltung hervorzurufen.
In gleicher Weise kann der Strom in dem zweiten Leiter nur einen Wert besitzen zwischen dem
Minimum, das erforderlich ist, um die gewünschte Schaltung in Verbindung mit dem Feld des ersten
Leiters zu bewirken, und einem Maximum, das eine
der leichten Richtung der Magnetisierung und der Richtung des Feldes He besteht. Der Winkel θ kann
in der praktischen Ausführung 5° betragen.
Es sei angenommen, daß der Magnetisierungsvektor des Films in Richtung der leichten Magnetisierungsachse, d. h. in der Richtung des Pfeiles 10, liegt;
dieser Zustand des Films entspricht z. B. einer binären Null. Ein Antriebsstromimpuls von genügend
großer Amplitude, um ein Feld//,, zu erzeugen, das
Schaltung in Abwesenheit des Feldes im ersten Leiter 40 stärker ist, als zur Sättigung des Films in der schweren
bewirken könnte. Richtung erforderlich, wird nun durch den Leiter 3
Als weiterer Vorteil kann festgestellt werden, daß in der Richtung des Pfeiles 4 hindurchgeleitet. Es
alle Schaltwirkungen mit Stromimpulsen gleicher tritt eine Bereichdrehung in dem Film auf, und der
Richtung erzielt werden. Magnetisierungsvektor wird in Richtung des ange-
Die Erfindung soll an Hand eines Beispiels näher 45 legten Feldes ausgerichtet, d. h. in Richtung des
beschrieben und mit Bezug auf die Zeichnungen er- Pfeiles 5. Diese Bewegung des Vektors induziert einen
läutert werden, in denen Spannungsimpuls von z. B. positiver Polarität in dem
Fig. 1 ein einfaches magnetisches Filmspeicher- Leseleiter 9. Der Magnetisierungsvektor wird um
element zeigt und weniger als 90° von seiner ursprünglichen Stellung
Fig. 2 ein Schema zeigt, das eine Speichermatrix 50 gedreht, um mit dem Feld Hd ausgerichtet zu werden,
darstellt, die eine Mehrzahl von einzelnen Speicher- so daß der Vektor in die ursprüngliche Stellung zu-
elementen enthält. rückkehrt, wenn der Antriebsimpuls aufhört. Diese
Der physikalische Aufbau eines Speicherelementes Rückdrehung in der entgegengesetzten Richtung ist
läßt sich wie folgt beschreiben: von der gleichen Ausdehnung wie die ursprüngliche
Eine kreisförmige Scheibe eines anisotropen Films 1 55 Drehung. Deshalb wird ein negativer Impuls in dem
ist auf einer Unterlage2 abgelagert. Über der Scheibe 1 Abtastleiter 9 induziert. Auf diese Weise erzeugt die
ist ein Streifenleiter 3 angeordnet. Zwei weitere Strei- Anlegung eines Antriebsimpulses auf dem Leiter 3,
fenleiter 6 und 9 liegen über der Scheibe 1 und sind wenn sich der Film im Null-Zustand befindet, keine
im rechten Winkel zum Leiter 3 angeordnet. Die Lei- bleibende Änderung des Zustandes des Films, erzeugt
ter 3 und 6 werden zur Leitung von Antriebsströmen 60 jedoch Impulse von gleich großer Amplitude und
benutzt, und der Leiter 9 ist für Lesezwecke vorge- entgegengesetzter Polarität in dem Abtastleiter gleichsehen,
wobei in ihm Signale induziert werden, wenn zeitig mit der anlaufenden bzw. ablaufenden Kante
sich der magnetische Zustand des Films ändert. Die jedes Antriebsimpulses. Die Gleichheit der Amplitude
Leiter 3, 6 und 9 können aus Kupferstreifen bestehen, setzt voraus, daß die Anstiegs- und die Abfallzeit des
sie können beispielsweise aufgedampft oder plattiert 65 Antriebsimpulses im wesentlichen die gleichen sind.
werden. Die Leiter sind voneinander durch geeignete Es wurde bereits festgestellt, daß die anisotrope
Isolationsschichten isoliert, die nicht gezeigt sind. Die Natur des Films zur Folge hat, daß der Magnetisie-Unterlage
2 kann aus Glas hergestellt sein oder aus rungsvektor nach Wegnahme des angelegten magne-
tischen Feldes in die leichte Richtung zurückkehrt. Eine theoretische Untersuchung der Eigenschaften
des Films sagt voraus, daß das »Rückstellmoment« des Vektors infolge der anisotropen Eigenschaften
nicht konstant ist und daß es ein Maximum bei 45° in bezug auf die leichte Richtung besitzt. Ebenso
wurde vorausgesagt, daß, wenn ein weiteres Feld in der Richtung des Pfeiles 8 während des Abfalls des
Feldes in der Richtung des Pfeiles 5 angewendet wird,
Es kann festgestellt werden, daß die Toleranzen in den Antriebsstromimpulsen viel größer gewählt werden
können als diejenigen, die bei den bekannten Halbstrom-Auswahlmethoden möglich sind. Die
Minimum- und Maximumwerte der Felder sind eine Funktion der magnetischen Eigenschaften des Films,
so daß die eben gezeigten Größen durch sorgfältige Kontrollmaßnahmen bei der Herstellung des Films
zu werden. Das FeId/^ muß einen Minimumwert
überschreiten, um sicherzustellen, daß die Schaltung
vom »Null«- auf den »Eins«-Zustand stattrindet, es darf jedoch nicht so groß sein, daß es die Schaltung
5 in Abwesenheit des Feldes Hd bewirken kann. Für
ein besonderes Muster eines Films war das Minimum des Wertes Hd — 3 Örsted, und die Betätigung mit
Hd = 10 Örsted war ebenso genügend; der Minimumwert von H1, betrug 0,5 Örsted, und das Maximum
der Vektor sich über die 90°-Stellung dreht und sich io von H0 betrug 1,2 Örsted. Das Muster hatte anin
Richtung des Pfeiles 11 ausrichtet, wenn das wei- nähernd 1 cm im Durchmesser und 1600 A Stärke
tere Feld fortgenommen wird. Die Minimumgröße und war hergestellt durch Ablagerung auf einer Glasdes
Feldes, die in der Richtung des Pfeiles 8 erforder- unterlage bei 300° C aus einer 81:19-Nickel-Eisenlich
ist, um eine Schaltung des Films zu bewirken, ist Legierung, wobei ein Ausrichtungsfeld von 80 Örsted
unabhängig von der Größe des Feldes Hd und ver- 15 während der Ablagerung angelegt war. Der Winkel Θ
ursacht, vorausgesetzt, daß das Feld/ϊ,; genügend betrug 6C
stark ist, die Bewegung des Vektors um mehr als 45c
von der leichten Richtung. Der geringste Wert der
Größe des Feldes H0 ist derjenige, der gerade genügend ist, um den Vektor über die 90°-Stellung zu 2-bewegen.
von der leichten Richtung. Der geringste Wert der
Größe des Feldes H0 ist derjenige, der gerade genügend ist, um den Vektor über die 90°-Stellung zu 2-bewegen.
Wie gerade erläutert wurde, kann der Zustand des
Films durch Anlegung eines Antriebsimpulses an den
Leiter 3 abgelesen werden. Die Amplitude dieses Impulses ist größer als das Minimum, das für die Ein- 25 noch verbessert werden können, gäbe erforderlich ist. Es ist angebracht, einen Impuls Wenn ein Stromimpuls an den Leiter 3 angelegt
Films durch Anlegung eines Antriebsimpulses an den
Leiter 3 abgelesen werden. Die Amplitude dieses Impulses ist größer als das Minimum, das für die Ein- 25 noch verbessert werden können, gäbe erforderlich ist. Es ist angebracht, einen Impuls Wenn ein Stromimpuls an den Leiter 3 angelegt
von der gleichen Amplitude in beiden Fällen, für die wird, wenn der Film in einem Zustand »Eins« ist,
Eingabe und für die Ablesung, zu benutzen, so daß wird der Magnetisierungsvektor gedreht von der Richdie
praktische Minimumamplitude durch das Mini- tung des Pfeiles 11 auf die Richtung des Pfeiles 5.
mum, das bei der Ablesung erforderlich ist, bestimmt 30 Diese Drehung erzeugt einen kleinen positiven Imwird.
puls, dem ein großer negativer Impuls in dem Ab-
Es ist zweckdienlich, einen kleinen Antriebsstrom tastleiter 9 folgt. Da der kleine positive Impuls durch
in dem Leiter 6 zu benutzen. Hierdurch ist das Drehung um einen relativ kleinen Winkel aus der
Feld H0 verhältnismäßig klein. Daher erzeugt das Richtung des Pfeiles 11 auf die Richtung des Pfei-FeId
H0 nur eine kleine Ablenkung des magnetischen 35 les 8 erzeugt wird und der negative Impuls durch
Vektors. Der Vektor befindet sich sehr dicht an der Drehung um 90° aus der Richtung des Pfeiles 8 auf
90°-Stellung, wenn die Felder Hd und H0 an den die Richtung des Pfeiles 5 erzeugt wird, ist die Am-FiIm
gleichzeitig angelegt werden. Die Ströme in den plitude des positiven Impulses im Vergleich mit der
Leitern, wenn die Antriebsstromimpulse unterbrochen Amplitude des negativen Impulses vernachlässigbar
werden, klingen exponential in einem Betrag ab, der 40 klein. Der Vektor dreht weiterhin in die Richtung
durch Zeitkonstanten der betreffenden Stromkreise des Pfeiles 10, wenn der Stromimpuls aufhört. Auf
bestimmt wird. Es ist möglich, daß das Feldi7t, auf diese Weise schaltet der Stromimpuls den Film von
einen vernachlässigbaren Wert abklingen kann, wäh- dem Zustand »Eins« auf den Zustand »Null« und hat
rend das Feld Hd noch ziemlich groß ist. bewirkt, daß zwei negative Impulse in dem Abtast-
Unter diesen Bedingungen besteht die Gefahr, daß 45 leiter 9 erzeugt werden.
sich der Vektor auf den »Null«-Zustand anstatt auf Es ist offensichtlich, daß das Filmelement vom
den »Eins«-Zustand einstellen kann. Diese Gefahr Zustand »Null« auf den Zustand »Eins« geschaltet
wird in der Praxis dadurch vermieden, daß die Be- werden kann durch die gleichzeitige Anlegung von
endigung des Stromimpulses in dem Leiter 6 derart Antriebsimpulsen auf den Leitern 3 und 6, um eine
verzögert wird, daß das Feld H0 auf dem vollen Wert 50 binäre Eins zu speichern. Die Anlegung von einem
aufrechterhalten wird, bis das Feld Hd auf einen klei- Antriebsimpuls an den Leiter 3 allein versetzt den
nen Wert abgeklungen ist. Hierdurch wird sicherge- Film in den Zustand »Null«, wenn er vorhergehend
stellt, daß der Vektor sich auf den »Eins«-Zustand in dem Zustand »Eins« war, und erzeugt zwei Imentspannt.
Die Endstellung des Vektors wird einzig pulse von der gleichen Polarität in dem Abtastleiter,
durch die Anwesenheit oder Abwesenheit des FeI- 55 Wenn der Film bereits im Zustand »Null« ist, läßt
des H0 während des Abklingens des Feldes Hd be- ein einziger Antriebsimpuls den Zustand unverändert
stimmt. Dementsprechend kann der Stromimpuls in und erzeugt zwei Impulse von ungleicher Polarität
dem Leiter 6 früher beginnen als gleichzeitig mit oder in dem Abtastleiter.
später als der Stromimpuls in dem Leiter 3. Oft ist Die Schaltzeit des Films konnte nicht genau gees
in der Praxis zweckdienlich, einen kurzen Strom- 60 messen werden. Es wurden jedoch Versuche mit Animpuls
an den Leiter 3 und einen längeren, diesen triebsimpulsen mit einer Anstiegszeit von 100 Nanokurzen
Stromimpuls zeitlich einschließenden Strom- Sekunden durchgeführt, die ergaben, daß die Schaltimpuls
an den Leiter 6 anzulegen, so daß das Feld He zeit vermutlich in der Größe von einigen Nanoansteigt
und später als das Feld Hd abfällt. Sekunden ist. Die Schaltzeit ist in jedem Falle sehr
Das Feld H11 darf beliebig groß sein, da es ohne 65 viel kleiner, als sie mit den bekannten Ferritkern-Anwesenheit
des Feldes H0 nicht schalten kann. Es Speichereinrichtungen erhalten werden kann,
ist zwar für das Feldffj ein Minimalwert erforder- Die große Toleranz in den Antriebsströmen und
lieh, ein Maximalwert braucht jedoch nicht beachtet die hohe Schaltgeschwindigkeit machen das beschrie-
bene Speicherelement insbesondere geeignet für die Konstruktion von einer Speichermatrix zur Benutzung
in elektronischen Rechenmaschinen. Eine 4-4-Matrix, wie beispielsweise in Fig. 2 gezeigt, kann
selbstverständlich in der Anzahl der Speicherelemente in den Reihen und in den Spalten beliebig erhöht
werden.
Jeder der Leiter 3 a bis 3d entspricht dem Leiter3
in Fig. 1 und ist gemeinsam für vier einzelne Filme 1 mit einer bekannten Wortauswahlmatrix (Wortselektor)
12 verbunden. Die Leiter 6 a bis 6d entsprechen dem Leiter 6 in Fig. 1. Sie verbinden jeweils eine
Spalte von vier Filmelementen und sind mit einem Ziffernselekto'r 13 verbunden. Die Leiter 9 α bis 9d
entsprechen dem Leiter 9 in Fig. 1 und sind jeweils mit einem Verstärker 14 verbunden. Die Leiter 6 α
bis 6 d sind getrennt von den Leitern 9 α bis 9d gezeigt,
und die Filmelemente wurden vergrößert, um eine Übersichtlichkeit der Darstellung zu erhalten.
Die Anlegung einer besonderen Kombination von Potentialen an die Eingangsleitungen 15 verursacht
beim Wortselektor 12 die Anlegung eines Antriebsimpulses an einen ausgewählten von den vier Leitern
3 α bis 3 rf, z. B. an den Leiter 3 c. Der Strom fließt
durch den Leiter 3 c über den den Stromwert bestimmenden Widerstand 17 zur Erde.
Die Anlegung einer Kombination von Spannungen an die Eingangsleitungen 16 verursacht beim Ziffernselektor
13 die Anlegung eines Antriebsimpulses an einen ausgewählten Leiter 6 a bis 6 d, z. B. an die
Leiter 6 a und 6 d. Der Strom fließt nun durch diese zwei Leiter und über die strombestimmenden Widerstände
18 zur Erde. Nur die Filmelemente, die mit den zwei stromdurchfloesenen Leitern gekoppelt sind,
werden auf den Zustand »Eins« geschaltet, wie oben erklärt wurde. Auf diese Weise ist die dritte Reihe
von oben der Elemente eingestellt worden und es wurde dadurch das binäre Wort 1001 dargestellt. Die
anderen Elemente der Matrix wurden nicht umgeschaltet. Die Information, die nun in der dritten
Reihe der Elemente der Matrix gespeichert ist, kann zu jeder späteren Zeit nur durch Anlegung einer entsprechenden
Potentialkombination an die Leitungen 15 abgelesen werden. Dies bewirkt, daß ein Antriebsimpuls an den Leiter 3 c angelegt wird, der eine Rück-
setzung der Filmelemente zur Folge hat, wodurch die Erzeugung von Impulsen in den Leitern 9 α bis 9d
erfolgt. Wenn die Verstärker nur auf negative Signale ansprechen, dann erzeugen die Verstärker mit den
Leitern 9 α und 9 d ein Signal an den Ausgangsleitungen 19 gleichzeitig mit der Anlaufkante des
Antriebsimpulses. Die anderen beiden Verstärker erzeugen kein Ausgangssignal zu dieser Zeit, da die
Filmelemente, die mit den Leitern verbunden sind, sich bereits im »NuU«-Zustand befinden und daher
positive Impulse gleichzeitig mit der ansteigenden Kante des Antriebsimpiüses erzeugen. Alle Verstärker
erzeugen selbstverständlich einen Ausgangsimpuls an der Ablaufkante des Antriebsimpulses, da
zu dieser Zeit unabhängig von dem vorhergehenden
Zustand des Films ein negativer impuls erzeugt wurde.
Claims (7)
1. Vorrichtung zur Speicherung binärer Informationen, die aus einem dünnen Film eines anisotropischen
magnetischen Materials besteht und mit einem ersten und einem zweiten Antriebsleiter
gekoppelt ist, wobei der erste Leiter in einem kleinen Winkel zu der Richtung der leichten
Magnetisierbarkeit des Films und der zweite Leiter senkrecht zum ersten Leiter angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Einschreiben einer Information der Film in den einen binären
Zustand durch das magnetische Feld, das durch einen Stromimpuls in dem ersten Leiter (3) erzeugt
wird, und in den anderen binären Zustand durch das kombinierte Feld, das durch den gleichen
Stromimpuls in dem ersten Leiter (3) zusammen mit einem Stromimpuls in dem zweiten
Leiter (6) erzeugt wird, versetzt wird.
2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom in dem
zweiten Leiter (6) so lange aufrechterhalten wird, bis der Strom in dem ersten Leiter (3) auf einen
relativ kleinen Wert abgeklungen ist.
3. Speichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromimpuls in
dem ersten Leiter (3) erzeugt wird.
4. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, in der ein dritter Leiter senkrecht
zu dem ersten Leiter und parallel zum zweiten Leiter vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der magnetische Film auf einer leitenden Unterlage aufgebracht ist und ein Ende des dritten
Leiters (9) mit der Unterlage verbunden ist, um eine Leseschleife rund um den Film zu bilden.
5. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Feldstärke, die durch den ersten Leiter (3) erzeugt wird, wesentlich größer ist als die Feldstärke,
die eine Sättigung in der Richtung der schweren Magnetisierung bewirkt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der magnetische Zustand des
Films durch Anlegung eines Stromimpulses nur an den ersten Leiter festgestellt wird, derart, daß
ein Signal in der Leseschleife induziert wird, wobei die Polarität des Signals den Zustand des
Elementes anzeigt.
7. Speichermatrix, die eine Mehrzahl von Speicherelementen nach einem der Ansprüche 1 bis 6
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß der magnetische Film, der jedes Speicherelement bildet, ein
Flächenelement eines einzelnen fortlaufenden Films bildet.
In Betracht gezogene Druckschriften: RCA-Review, 1952, Heft 2, S. 183 bis 185;
Electronics, 5. Juni 1959, S. 55 bis 57.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 309 648/210 7.63
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB19492/59A GB942674A (en) | 1959-06-08 | 1959-06-08 | Improvements in or relating to magnetic data storage devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1151960B true DE1151960B (de) | 1963-07-25 |
Family
ID=10130267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ18224A Pending DE1151960B (de) | 1959-06-08 | 1960-06-01 | Vorrichtung zur Speicherung binaerer Informationen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3258752A (de) |
DE (1) | DE1151960B (de) |
GB (1) | GB942674A (de) |
SE (1) | SE300235B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1296671B (de) * | 1964-06-29 | 1969-06-04 | Ibm | Magnetischer Duennschichtspeicher |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1197503B (de) * | 1962-07-24 | 1965-07-29 | Max Planck Gesellschaft | Speicherelement mit einer duennen magnetischen Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung und Anwendung |
GB1059312A (en) * | 1963-07-19 | 1967-02-15 | Int Computers & Tabulators Ltd | Improvements in or relating to pulse generating circuits |
US3699553A (en) * | 1971-02-12 | 1972-10-17 | Us Navy | Nondestructive readout thin film memory device and method therefor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3030612A (en) * | 1956-12-07 | 1962-04-17 | Sperry Rand Corp | Magnetic apparatus and methods |
NL239587A (de) * | 1958-05-28 | |||
US2920317A (en) * | 1958-09-17 | 1960-01-05 | Bell Telephone Labor Inc | Code translators |
NL243931A (de) * | 1958-10-01 | |||
US3023402A (en) * | 1959-01-28 | 1962-02-27 | Burroughs Corp | Magnetic data store |
NL132254C (de) * | 1959-05-15 |
-
0
- US US3258752D patent/US3258752A/en not_active Expired - Lifetime
-
1959
- 1959-06-08 GB GB19492/59A patent/GB942674A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-06-01 DE DEJ18224A patent/DE1151960B/de active Pending
- 1960-06-07 SE SE5575/60A patent/SE300235B/xx unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1296671B (de) * | 1964-06-29 | 1969-06-04 | Ibm | Magnetischer Duennschichtspeicher |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB942674A (en) | 1963-11-27 |
US3258752A (en) | 1966-06-28 |
SE300235B (de) | 1968-04-22 |
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