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DE1112207B - Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einer Halbleiteranordnung

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Publication number
DE1112207B
DE1112207B DES61680A DES0061680A DE1112207B DE 1112207 B DE1112207 B DE 1112207B DE S61680 A DES61680 A DE S61680A DE S0061680 A DES0061680 A DE S0061680A DE 1112207 B DE1112207 B DE 1112207B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode material
sulfur
heated
oxygen
added
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES61680A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Hubert Patalong
Dr Phil Nat Norbert Schink
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES61680A priority Critical patent/DE1112207B/de
Publication of DE1112207B publication Critical patent/DE1112207B/de
Pending legal-status Critical Current

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Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S61680Vmc/21g
ANMELDETAG: 7. F E B RU AR 1959
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 3. AUGUST 1961
Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Transistoren, Photodioden u. dgl., bestehen meistens aus einem einkristallinen Grundkörper aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems, auf den Elektroden aufgebracht sind.
Bei verschiedenen Herstellungsverfahren derartiger Halbleiteranordnungen wird in den Grundkörper Elektrodenmaterial einlegiert, das ein Dotierungsmaterial enthält. Beispielsweise werden auf flache einkristalline Grundkörper aus p-Silizium Folien aus einer Gold-Antimon-Legierung (0,5 bis 1% Antimon) aufgelegt und durch Erwärmen einlegiert, wodurch z. B. die Emitterelektroden von npn-Transistoren hergestellt werden. Auch die Herstellung eines pn-Überganges in η-leitendem Halbleitermaterial ist möglich, wenn die Goldlegierung einen p-dotierenden Stoff, beispielsweise Indium oder Gallium, enthält.
Die auf solche Weise hergestellten pn-Übergänge zeigen trotz gleicher Dotierungskonzentration unterschiedliches Verhalten; beispielsweise hat der Verstärkungsfaktor solcher Transistoren unterschiedliche Werte. Eine Erklärung darüber ist darin zu suchen, daß die Gitterstruktur des rekristallisierten Halbleitermaterials gegenüber der vorher vorhandenen verändert ist. Man muß annehmen, daß während des Legierungsvorganges das aufgeschmolzene Halbleitermaterial beim Erkalten zwar wieder einkristallin rekristallisiert, daß aber geometrische Störungen durch eingebaute Fremdatome auftreten. Das Gitter ist durch den Einbau der meist einen größeren Atomradius besitzenden Dotierungsmaterialien aufgeweitet. Die Folge ist die Bildung von Rekombinationszentren und damit eine unkontrollierte Veränderung der Halbleitereigenschaften. Dies macht sich beispielsweise bei der Emitterelektrode besonders nachteilig bemerkbar, da die eingebrachten Ladungsträger durch die zusätzlichen Rekombinationszentren eine wesentlich geringere Lebensdauer als sonst haben. Durch das Verfahren nach der Erfindung soll dieser Nachteil vermieden werden. Sie betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus einkristallinem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, in das Elektrodenmaterial einlegiert wird, das ein Dotierungsmaterial aus der III. oder V. Gruppe des Periodischen Systems enthält, dessen Atomradius größer als der des Halbleitermaterials ist. Erfindungsgemäß wird dem Elektrodenmaterial mindestens ein Stoff zugesetzt, dessen Atomradius kleiner als der des Halbleitermaterials ist und der keine gegendotierende Wirkung zeigt. Das Dotierungsmaterial kann auch Verfahren zur Herstellung
eines dotierten Bereiches
in einer Halbleiteranordnung
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr.-Ing. Hubert Patalong, Pretzfeld,
und Dr. phil. nat. Norbert Schink, Erlangen,
sind als Erfinder genannt worden
einen hinsichtlich des Leitfähigkeitstyps neutralen Stoff enthalten, beispielsweise Gold. Als Zusatzstoff mit geringerem Atomradius kommen insbesondere Sauerstoff und Schwefel in Frage.
Die vorwiegend verwendeten Halbleitermaterialien Germanium und Silizium haben einen Atomradius von 1,22 bzw. 1,17 A. Die p-Leitung hervorrufenden Substanzen Indium (1,25), Gallium (1,50) und Aluminium (1,25) sowie die η-Leitung hervorrufenden Substanzen Antimon (1,41) und Wismut (1,52) besitzen zum Teil erheblich größere Atomradien. Auch die als bezüglich des Leitfähigkeitstyps neutrale Stoffe verwendeten Substanzen wie Gold (1,34), Silber (1,34) und Blei (1,54) tragen zur Aufweitung des Atomgitters und damit zur Bildung von Rekombinationszentren bei. Soweit die schädlichen Bestandteile aus dem Elektrodenmaterial entfernt werden dürfen, wird man sie natürlich entfernen, beispielsweise Kalzium (1,74). Teilweise ist dies aber nicht möglich, da die Stoffe wichtige Funktionen, z. B. als Dotierungsmaterial, erfüllen. Durch die Hinzunahme von Stoffen mit kleinerem Atomradius kann eine Kompensation der schädlichen Wirkungen herbeigeführt werden. Diese Stoffe dürfen natürlich keine gegendotierende Wirkung aufweisen. Sauerstoff (0,66) und Schwefel (1,04) haben sich dafür in jeder Hinsicht als sehr geeignet erwiesen.
Der Zusatz der genannten Stoffe zum Elektrodenmaterial kann auf verschiedene Weise erfolgen. Sauer-
109 650/325
stoff kann beispielsweise in der Weise eingebracht werden, daß ein Teil des Elektrodenmaterials in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre (Luft) erhitzt wird. Ferner kann z. B. nur ein Bestandteil eines aus einem bezüglich des Leitungstyps neutralen Grundmaterial 5 und dotierenden Substanzen bestehenden Dotierungsmaterials in Luft geröstet und dann mit den übrigen Bestandteilen zusammenlegiert werden.
Auf ähnliche Weise kann beim Zusatz von Schwefel verfahren werden. Ein Teil des Elektrodenmaterials wird in pulverförmigem Zustand mit pulverförmigem Schwefel gemischt und anschließend erhitzt. Auch hier kann nur ein Bestandteil des Elektrodenmaterials mit dem Schwefelzusatz versehen und anschließend mit den anderen Bestandteilen zusammenlegiert werden.
Es ist auch möglich, dem Elektrodenmaterial sowohl Sauerstoff als auch Schwefel zuzusetzen. Zweckmäßig wird dabei so verfahren, daß zunächst ein Teil des Elektrodenmaterials in Anwesenheit von Sauerstoff erhitzt, ein weiterer Teil mit Schwefel erhitzt und danach der geröstete und der geschwefelte Teil miteinander und eventuell mit einem dritten unbehandelten Teil des Elektrodenmaterials zusammenlegiert werden.

Claims (12)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einer Halbleiteranordnung mit einem Grundkörper aus einkristallinem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, in den Elektrodenmaterial einlegiert wird, das ein Dotierungsmaterial aus der III. oder V. Gruppe des Periodischen Systems enthält, dessen Atomradius größer als der des Halbleitermaterials ist, dadurch gekenn zeichnet, daß dem Elektrodenmaterial mindestens ein Stoff zugesetzt wird, dessen Atomradius kleiner als der des Halbleitermaterials ist und der keine gegendotierende Wirkung zeigt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial einen hinsichtlich des Leitfähigkeitstyps neutralen Stoff enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial Gold enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Elektrodenmaterial Sauerstoff zugesetzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil des Elektrodenmaterials in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erhitzt wird.
O.Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Elektrodenmaterials oxydiert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst ein Bestandteil des Elektrodenmaterials in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erhitzt und dann mit den anderen Bestandteilen zusammengeschmolzen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Elektrodenmaterial Schwefel zugesetzt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil des Elektrodenmaterials zusammen mit Schwefel erhitzt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil des Elektrodenmaterials in pulverförmigem Zustand mit pulverförmigem Schwefel gemischt und anschließend erhitzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein Bestandteil des Elektrodenmaterials zusammen mit Schwefel erhitzt und anschließend mit den anderen Bestandteilen des Elektrodenmaterials legiert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Elektrodenmaterial sowohl Sauerstoff als auch Schwefel zugesetzt werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1037 015;
USA.-Patentschriften Nr. 2 600 997, 2 809165;
Gmelin, Handbuch der Anorg. Chemie, 8. Auflage, Germanium, Ergänzungsband, 1958, S. 366.
© 109 650/325 7.61
DES61680A 1959-02-07 1959-02-07 Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereiches in einer Halbleiteranordnung Pending DE1112207B (de)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2600997A (en) * 1945-07-13 1952-06-17 Purdue Research Foundation Alloys and rectifiers made thereof
US2809165A (en) * 1956-03-15 1957-10-08 Rca Corp Semi-conductor materials
DE1037015B (de) * 1956-05-21 1958-08-21 Ibm Deutschland Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2600997A (en) * 1945-07-13 1952-06-17 Purdue Research Foundation Alloys and rectifiers made thereof
US2809165A (en) * 1956-03-15 1957-10-08 Rca Corp Semi-conductor materials
DE1037015B (de) * 1956-05-21 1958-08-21 Ibm Deutschland Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl.

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