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DE1073111B - Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper

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DE1073111B
DE1073111B DENDAT1073111D DE1073111DA DE1073111B DE 1073111 B DE1073111 B DE 1073111B DE NDAT1073111 D DENDAT1073111 D DE NDAT1073111D DE 1073111D A DE1073111D A DE 1073111DA DE 1073111 B DE1073111 B DE 1073111B
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DE
Germany
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surface layer
electrodes
impurities
semiconductor body
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1073111D
Other languages
English (en)
Inventor
Pretzfeld Dr rer nat Adolf Herlet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of DE1073111B publication Critical patent/DE1073111B/de
Pending legal-status Critical Current

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Description

DEUTSCHES
kl. 21g 11/02
INTERNAT. KL. H 01 1
PATENTAMT
S 41859 Vnic/21g
ANMELDETAG: 8. DEZEMBER 1954
B EKANNTMACHUNG
DEK ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHHIFT: 14.JANUAR 1960
Für die Arbeitsweise eines Transistors ist es wesentlich, daß die gegenseitigen Abstände sämtlicher Elektroden möglichst klein sind, insbesondere daß die beiden gleichrichtenden Elektroden, von denen die eine als Emitter und die andere als Kollektor bezeichnet wird, auf möglichst großen Teilen ihrer Oberflächen einander hinreichend nahe sind. Man hat deshalb die gleichrichtenden Elektroden auf einander gegenüberliegenden Flachseiten des Transistors angebracht und die Basiselektrode als Ring um die kleiner gehaltene Emitterelektrode gelegt. Bei der praktischen Ausführung eines derartigen Flächentransistors bleiben an den äußeren Rändern des scheibenförmigen Halbleiterkörpers aus herstellungstechnischen Gründen verhältnismäßig große Oberflächenteile frei, an denen eine Vernichtung' der vom Emitter injizierten Ladungsträger stattfindet, ein Vorgang, den man als Oberflächenrekombination bezeichnet. Dadurch wird die Verstärkerwirkung des Transistors herabgesetzt, da der durch Rekombination verlorengehende Anteil der Steuerleistung zusätzlich aufgebracht werden muß.
Nach einem früheren Vorschlag kann bei einer Halbleiteranordnung, bestehend aus einer Basiselektrode und mindestens einer mit der Basiszone in Kontakt befindlichen gleichrichtenden Elektrode, die Oberflächenrekombination dadurch verringert werden, daß auf die Oberfläche der Basiszone ein Oberflächenbelag hoher Leitfähigkeit mit einem geringen Flächenleitvermögen aufgebracht ist, der unter anderem mit der Basiselektrode kristallographisch homogen sein kann. Mit der Herstellung einer besonderen Bauart einer solchen Halbleiteranordnung befaßt sich die Erfindung.
Demgemäß betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Flächentransistors mit einem einkristallinen Halbleiterkörper, der an den freien Stellen zwischen den Elektroden eine Oberflächenschicht mit erhöhter Störstellenkonzentration aufweist. Erfindungsgemäß wird vor dem Einlegieren der Elektroden eine Oberflächenschicht des Halbleiterkörpers, welche diesen vollständig umschließt, durch Eindiffusion mit Störstellen der bereits vorhandenen Art angereichert und nach dem Einlegieren der Kollektorelektrode eine diese rings umgebende Isolierzone durch Entfernung, vorzugsweise durch Wegätzen, eines ihr unmittelbar benachbarten Teiles der höher dotierten Oberflächenschicht geschaffen. Die höher dotierte Schicht kann insbesondere alle freien Oberflächenteile des Halbleiterkörpers bedecken bis auf eine die Kollektorelektrode unmittelbar umgebende Isolierzone. Der Übergang von dem niedrigdotierten Körperinneren zu der hochdotierten Oberflächenschicht bildet gewissermaßen eine Sperre für die vom Emitter ausgesandten Ladungsträger, so daß diese überhaupt nicht bis an Verfahren zur Herstellung
eines Flächentransistors
mit einer Oberflächenschicht
erhöhter Störstellenkonzentration
an den freien Stellen zwischen den
Elektroden an einem einkristallinen
Halbleiterkörper
Anmelder:
Siemens-Schuckeftwerke Aktiengesellschaft, Berlin und Erlangen, ' Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dr. rer, nat. Adolf Herlet, Pretzfeld, ist als Erfinder genannt worden
die Oberfläche gelangen können. Ein solcher Transistor kann auch so aufgefaßt werden, daß seine Basiselektrode über fast die gesamte von Emitter und Kollektor nicht bedeckte Halbleiteroberfläche ausgebreitet ist.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung in starker Vergrößerung schematisch dargestellt. Der Grundkörper des Transistors sei eine η-leitende Schicht aus einkristallinem Germanium, Silizium oder einem anderen geeigneten Halbleitermaterial. Seine Störstellenkonzentration im Inneren möge 1014 bis 1015 Fremdatome pro cm3 betragen. Auf den beiden Flachseiten der Scheibe befinden sich die gleichrichtenden Elektroden, welche beispielsweise durch Einlegieren von Aluminium hergestellt sein können, wobei hier die durch anders gerichtete Schraffur gekennzeichneten p-leitenden Gebiete, beispielsweise mit einer Dotierungskonzentration von 1O17 bis 1018 cm—3, entstanden sind, und zwar auf der oberen Flachseite der Emitter E und auf der unteren Flachseite der etwas größere Kollektor C. Damit bei der Winzigkeit des Objekts kein Kurzschluß zwischen verschiedenen Elektroden entsteht, werden diese so klein gemacht, daß außen um sie herum ein verhältnismäßig breiter Rand unlegiert bleibt. Um den Emitter E herum ist mit einem gewissen Abstand die Basiselektrode B aus Antimon oder einem anderen Element der V. Gruppe des Periodischen Systems in Form eines Ringes auflegiert, unter welchem sich somit ein höher
909 709/37«
dotierter η-leitender Bereich befindet, der durch enge Schraffur hervorgehoben ist. Auch unter den übrigen Teilen der Oberfläche befindet sich ein mit Donatorstörstellen angereicherter Bereich, z. B. mit einer Störstellenkonzentration von 1017 bis 1018 cm.—3, der lediglich von der Kollektorelektrode C durch einen rings um diese herumlaufenden Graben D isoliert ist.
Eine weitere Verbesserung wird dadurch erreicht, daß auch wesentliche Teile des Körperinneren, welche außerhalb des sich zwischen Emitter und Kollektor erstreckenden Gebietes liegen, unter Wahrung des Leitfähigkeitstypus höher dotiert sind als letzteres. Dadurch wird auch die Volumenrekombination in dem entsprechenden Verhältnis herabgesetzt. Eine noch weitere Herabsetzung der letzteren kann dadurch erreicht werden, daß auch das sich zwischen Emitter und Kollektor erstreckende Gebiet zum Teil höher dotiert wird, z. B. derart, daß die Störstellenkonzentration in der Richtung vom Emitter zum Kollektor abnimmt. Hierbei verbleibt lediglich eine an die Kollektorelektrode unmittelbar anschließende schmale Gebietszone in hochohmigem Zustand.
Ein Transistor, wie in der Zeichnung dargestellt, kann in der Weise hergestellt werden, daß zunächst der gesamte Oberflächenbereich eines an sich hochohmigen Grundkörpers durch Eindiffusion von Störatomen mit Störstellen des bereits vorhandenen Charakters angereichert wird. Danach werden die Elektrodenbereiche in an sich bekannter Weise einlegiert. Dabei ist es notwendig, daß das durch Einlegieren der Kollektorelektrode entstehende hochdotierte Gebiet, welches im Beispiel p-leitend ist, tiefer in das Körperinnere hineinreicht als der vorher durch Eindiffusion erzeugte hochdotierte Oberflächenbereich, der im Beispiel η-leitend ist. Statt dessen kann man gegebenenfalls vor dem Einlegieren der Kollektorelektrode an deren künftiger Stelle die niederohmige Oberflächenschicht durch Schmirgeln, Ätzen od. dgl. abtragen.
Nach dem Aufbringen der Kollektorelektrode wird eine diese rings umgebende Isolierzone vorzugsweise durch Wegätzen eines ihr unmittelbar benachbarten
to Teiles der höher dotierten Oberflächenschicht geschaffen, wie an sich bekannt.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH:
    Verfahren zur Herstellung eines Flächentransistors mit einem einkristallinen Halbleiterkörper, der an den freien Stellen zwischen den Elektroden eine Oberflächenschicht mit erhöhter Störstellenkonzentration aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Einlegieren der Elektroden eine Oberflächenschicht des Halbleiterkörpers, welche diesen vollständig umschließt, durch Eindiffusion mit Störstellen der bereits vorhandenen Art angereichert wird und daß nach dem Einlegieren der Kollektorelektrode eine diese rings umgebende Isolierzone durch Entfernung, vorzugsweise durch Wegätzen, eines ihr unmittelbar benachbarten Teiles der höher dotierten Oberflächenschicht geschaffen wird.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    Bell System Techn. Journal, Bd. 33, 1954, Heft 3, S. 517 bis 533, insbesondere S. 523.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    © 909 709/378 1.60
DENDAT1073111D 1954-12-02 Verfahren zur Herstellung eines Flachentransistors mit einer Oberflachenschicht erhöhter Storstellenkonzentration an den freien Stellen zwischen den Elektroden an einem einkristallmen Halbleiterkörper Pending DE1073111B (de)

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DE2929006X 1954-12-02
DES0041859 1954-12-08

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DE1073111B true DE1073111B (de) 1960-01-14

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FR (1) FR1135760A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1133038B (de) * 1960-05-10 1962-07-12 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper undvier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE1141723B (de) * 1960-06-10 1962-12-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem n-leitenden Siliziumkristall, insbesondere eines Flaechentransistors vom pnp-Typ
DE1299075B (de) * 1965-12-24 1969-07-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3062690A (en) * 1955-08-05 1962-11-06 Hoffman Electronics Corp Semi-conductor device and method of making the same
BE562490A (de) * 1956-03-05 1900-01-01
US2980830A (en) * 1956-08-22 1961-04-18 Shockley William Junction transistor
DE1080696B (de) * 1956-12-10 1960-04-28 Stanislas Teszner Transistor, insbesondere Unipolartransistor, mit einem ebenen Halbleiterkoerper und halbleitenden, zylindrischen Zaehnen auf dessen Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung
US2985550A (en) * 1957-01-04 1961-05-23 Texas Instruments Inc Production of high temperature alloyed semiconductors
US3187241A (en) * 1957-03-27 1965-06-01 Rca Corp Transistor with emitter at bottom of groove extending crosswise the base
US2967985A (en) * 1957-04-11 1961-01-10 Shockley Transistor structure
NL235051A (de) * 1958-01-16
US2967344A (en) * 1958-02-14 1961-01-10 Rca Corp Semiconductor devices
US2985805A (en) * 1958-03-05 1961-05-23 Rca Corp Semiconductor devices
US3111590A (en) * 1958-06-05 1963-11-19 Clevite Corp Transistor structure controlled by an avalanche barrier
US3044909A (en) * 1958-10-23 1962-07-17 Shockley William Semiconductive wafer and method of making the same
US3083441A (en) * 1959-04-13 1963-04-02 Texas Instruments Inc Method for fabricating transistors
GB871161A (en) * 1959-05-13 1961-06-21 Ass Elect Ind Improvements relating to the production of junction transistors
BE624904A (de) * 1961-11-17
GB1050417A (de) * 1963-07-09
US3283223A (en) * 1963-12-27 1966-11-01 Ibm Transistor and method of fabrication to minimize surface recombination effects
US3420719A (en) * 1965-05-27 1969-01-07 Ibm Method of making semiconductors by laser induced diffusion
US3514346A (en) * 1965-08-02 1970-05-26 Gen Electric Semiconductive devices having asymmetrically conductive junction
DE1514562B2 (de) * 1965-09-07 1972-12-07 Semikron Gesellschaft fur Gleich richterbau und Elektronik mbH, 8500 Nurn berg Anordnung zur herstellung eines halbleiter-bauelementes
US3432732A (en) * 1966-03-31 1969-03-11 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductive electromechanical transducers
US3479234A (en) * 1967-05-01 1969-11-18 Gen Electric Method of producing field effect transistors
DE1803883A1 (de) * 1968-10-18 1970-05-27 Siemens Ag Durch mindestens zwei abstimmbare Kapazitaetsdioden gesteuerte elektrische Anordnung
US3571674A (en) * 1969-01-10 1971-03-23 Fairchild Camera Instr Co Fast switching pnp transistor
US3936319A (en) * 1973-10-30 1976-02-03 General Electric Company Solar cell
JPS5176081A (ja) * 1974-12-26 1976-07-01 Sanyo Electric Co Yokogatatoranjisutanoseizohoho
JPS5914899B2 (ja) * 1975-09-09 1984-04-06 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US4125855A (en) * 1977-03-28 1978-11-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Integrated semiconductor crosspoint arrangement
DE2926785C2 (de) * 1979-07-03 1985-12-12 HIGRATHERM electric GmbH, 7100 Heilbronn Bipolarer Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
JPS59210668A (ja) * 1983-05-16 1984-11-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS60110158A (ja) * 1983-11-21 1985-06-15 Nec Corp 半導体装置
EP0365166B1 (de) * 1988-10-02 1994-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Gegenstand aus Kristall und Verfahren zu seiner Herstellung
US7071784B2 (en) * 2002-11-29 2006-07-04 Linear Technology Corporation High linearity digital variable gain amplifier

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2666814A (en) * 1949-04-27 1954-01-19 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translating device
BE500302A (de) * 1949-11-30
US2728034A (en) * 1950-09-08 1955-12-20 Rca Corp Semi-conductor devices with opposite conductivity zones
BE506280A (de) * 1950-10-10
NL113882C (de) * 1952-06-13
US2764642A (en) * 1952-10-31 1956-09-25 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor signal translating devices
US2705767A (en) * 1952-11-18 1955-04-05 Gen Electric P-n junction transistor
NL94129C (de) * 1952-12-29
BE525387A (de) * 1952-12-29 1900-01-01
NL85504C (de) * 1953-05-01
US2792539A (en) * 1953-07-07 1957-05-14 Sprague Electric Co Transistor construction
US2820154A (en) * 1954-11-15 1958-01-14 Rca Corp Semiconductor devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1133038B (de) * 1960-05-10 1962-07-12 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper undvier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps
DE1141723B (de) * 1960-06-10 1962-12-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem n-leitenden Siliziumkristall, insbesondere eines Flaechentransistors vom pnp-Typ
DE1299075B (de) * 1965-12-24 1969-07-10 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors

Also Published As

Publication number Publication date
US2929006A (en) 1960-03-15
FR1135760A (fr) 1957-05-03
US2837704A (en) 1958-06-03

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