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DE1094886B - Halbleiteranordnung mit Kollektorelektrode, insbesondere Transistor fuer hohe Frequenzen und grosse Verlustleistung - Google Patents

Halbleiteranordnung mit Kollektorelektrode, insbesondere Transistor fuer hohe Frequenzen und grosse Verlustleistung

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Publication number
DE1094886B
DE1094886B DES59587A DES0059587A DE1094886B DE 1094886 B DE1094886 B DE 1094886B DE S59587 A DES59587 A DE S59587A DE S0059587 A DES0059587 A DE S0059587A DE 1094886 B DE1094886 B DE 1094886B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
collector
emitter
base
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES59587A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Adolf Goetzberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL242556D priority Critical patent/NL242556A/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES59587A priority patent/DE1094886B/de
Priority to FR802552A priority patent/FR1232180A/fr
Priority to CH7712859A priority patent/CH384720A/de
Priority to GB29348/59A priority patent/GB876332A/en
Publication of DE1094886B publication Critical patent/DE1094886B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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DES59587A 1958-08-27 1958-08-27 Halbleiteranordnung mit Kollektorelektrode, insbesondere Transistor fuer hohe Frequenzen und grosse Verlustleistung Pending DE1094886B (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
NL242556D NL242556A (it) 1958-08-27
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FR802552A FR1232180A (fr) 1958-08-27 1959-08-11 Transistor pour hautes fréquences et puissance de dissipation élevée
CH7712859A CH384720A (de) 1958-08-27 1959-08-19 Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
GB29348/59A GB876332A (en) 1958-08-27 1959-08-27 Improvements in or relating to semi-conductor devices and methods of producing such devices

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Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1094886B true DE1094886B (de) 1960-12-15

Family

ID=7493419

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Application Number Title Priority Date Filing Date
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Country Status (5)

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CH (1) CH384720A (it)
DE (1) DE1094886B (it)
FR (1) FR1232180A (it)
GB (1) GB876332A (it)
NL (1) NL242556A (it)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212215C2 (de) * 1961-07-12 1974-03-28 Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1052661A (it) * 1963-01-30 1900-01-01
US3697829A (en) * 1968-12-30 1972-10-10 Gen Electric Semiconductor devices with improved voltage breakdown characteristics
JPS58170044A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Fujitsu Ltd 半導体素子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1035780B (de) * 1955-08-29 1958-08-07 Ibm Deutschland Transistor mit eigenleitender Zone
DE1035787B (de) * 1954-08-05 1958-08-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren UEbergaengen, z. B.Flaechen-Transistoren

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1035787B (de) * 1954-08-05 1958-08-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehreren UEbergaengen, z. B.Flaechen-Transistoren
DE1035780B (de) * 1955-08-29 1958-08-07 Ibm Deutschland Transistor mit eigenleitender Zone

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212215C2 (de) * 1961-07-12 1974-03-28 Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen
DE1212215B (de) * 1961-07-12 1974-03-28 Halbleiterbauelement mit einem plattenfoermigen halbleiterkoerper mit pn-uebergangsflaechen

Also Published As

Publication number Publication date
CH384720A (de) 1965-02-26
NL242556A (it)
FR1232180A (fr) 1960-10-06
GB876332A (en) 1961-08-30

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