DE1093426B - Transistor-Tastschaltung - Google Patents
Transistor-TastschaltungInfo
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
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Description
DEUTSCHES
Es sind Tastschaltungen bekannt, deren Ausgangssignal im wesentlichen eine Nachbildung des Eingangs signals
ist, da dieses zu den Ausgangsklemmen zu bestimmten, durch das Tastsignal gegebenen Zeitpunkten
durchgelassen wird. Solche »Übertragungstastschaltungen« unterscheiden sich von den sogenannten »logischen
Tastschaltungen«, bei denen das Ausgangssignal ein völlig neues Signal ist, welches durch das Eingangssignal
gesteuert wird.
Bekannte Tastschaltungen der Übertragungstype haben den in vielen Fällen schwerwiegenden Nachteil,
daß das Ausgangssignal einem durch das Tastsignal gegebenen Sockel überlagert erscheint. Dieser sogenannte
»Sockeleffekt« ist in Fig. 1 dargestellt. In dieser
Figur ist α ein Signal, welches durch eine tastende Wellenform b getastet werden soll. Die durch eine bekannte
Übertragungstastschaltung gel ief er te Ausgangsspannung ist in Fig. 1 c dargestellt, in der die Schwingung
α den Rechteckimpulsen gemäß b überlagert erscheint,
also auf einen Sockel gesetzt ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfache
Transistor-Tastschaltung des Übertragungstyps zu entwickeln, bei der der Sockeleffekt im wesentlichen
vermieden ist und die Ausgangsspannung bei Tastung mit einer Wellenform nach Fig. Ib die Form nach
Fig. 1 d hat.
Die Erfindung besteht bei einer Transistor-Tastschaltung mit einem an der Basiselektrode durch eine
Tastspannung gesteuerten Transistor, dessen Kollektor- oder Emitterelektrode die zu tastende Eingangsspannung zugeführt wird, darin, daß von der mit der
Eingangsspannung gespeisten Elektrode die Ausgangsspannung abgeleitet wird, und daß Mittel vorgesehen
sind, die zur Sperrung des Übertragungsweges die Kollektor- und Emitterspannung auf einen zumindest
annähernd gleichen Wert klemmen. Bei angelegter Tastspannung kann daher die Transistorausgangselektrode
der Spannung der Transistorelektrode folgen, der das Eingangssignal zugeführt wird.
Bei einem Ausführungsbeispiel wird die Ausgangsspannung der Kollektor- oder Emitterelektrode entnommen,
die über einen Widerstand mit der Emitteroder Kollektorelektrode verbunden ist. In jedem Fall
kann die Elektrode (Emitter und Kollektor), welche nicht als Ausgangselektrode verwendet wird, direkt
oder über eine vorzugsweise einstellbare Potentialquelle mit Erde verbunden sein.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Fig. 2 bis 7 näher erläutert. Gleiche Schaltungselemente in
diesen Figuren sind mit gleichen Bezugszeichen versehen.
In Fig. 1 und 2 wird ein zu tastendes Signal, z. B. das in Fig. 1 a dargestellte Signal, von den Eingangsklemmen 1 über einen Kondensator 2 und einen Wider-
Transistor -Tastschaltung
Anmelder:
Marconi's Wireless Telegraph Company
Limited, London
Limited, London
Vertreter: Dr.-Ing. B. Johannesson, Patentanwalt,
Hannover, Göttinger Chaussee 76
Hannover, Göttinger Chaussee 76
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 26. September 1958 und 1. Juni 1959
Großbritannien vom 26. September 1958 und 1. Juni 1959
Bryan Leonard Hart, Croydon, Surrey
(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
stand 3 der Kollektorelektrode 4 eines PNP-Transistors 5 zugeführt. Die Klemme 1 ist über den Kondensator
2 und einen Widerstand 6 mit der Emitterelektrode 7 des gleichen Transistors verbunden. Die
Emitterelektrode 7 ist über eine Potentialquelle 8 (z. B.
eine Batterie), die einstellbar sein kann, mit Erde verbunden. Eine tastende Wellenform, ζ. B. die in Fig. Ib
dargestellte Wellenform wird von einer Klemme 9 über einen Widerstand 10 der Basiselektrode 11 des Transistors
zugeführt. Da der Transistor ein PNP-Typ sein soll, öffnen positiv gerichtete Impulse der tastenden
Wellenform die Tastschaltung. In diesem Fall gelangt von der Kollektorelektrode 4 eine getastete Ausgangsspannung
zur Klemme 12. Der Widerstand 10 kann ganz oder zum Teil durch den inneren Widerstand
der nicht dargestellten Quelle gebildet werden, die die tastende Wellenform bei 9 einspeist.
Die Wirkungsweise der soweit beschriebenen Schaltung nach Fig. 2 soll im folgenden beschrieben werden.
Bei geschlossener Tastschaltung ist das bei 9 zuge-
4-5 führte Potential negativ gegenüber dem am Emitter 7,
so daß im Transistor ein Basisstrom fließt, der von der Spannung an der Klemme 9, der Spannung der
Quelle 8 und dem Wert des Widerstandes 10 abhängt, jedoch ausreicht, um den Transistor in der als »well
bottomed« bezeichneten Betriebsweise zu betreiben, so daß das Kollektorpotential beinahe gleich dem Emitterpotential und effektiv mit diesem verklemmt ist, da
die Emitter-Kollektor-Impedanz klein ist. Setzt man einen großen Wert des Widerstandes 3 gegenüber der
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Emitter-Kollektor-Impedanz voraus, so ist das Ausgangssignal an der Klemme 12 bei gesperrter Tastschaltung
vernachlässigbar klein.
Bei geöffneter Tastschaltung ist die an der Klemme 9
zugeführte Spannung gegenüber der Emitterspannung positiv und die Vorspannung zwischen Emitter- und
Basiselektrode nimmt einen solchen Wert an, daß der Transistor gesperrt ist und kein Kollektorstrom (außer
dem Leckstrom) fließen kann. Dementsprechend ist die Kollektorelektrode nicht länger mit der Emitterelektrode
verklemmt, da die Kollektor-Emitter-Impedanz nunmehr sehr groß ist. Setzt man voraus, daß die
Spannung an der Klemme 9 größer ist als die maximale über die Klemme 1 zugeführte Signalspannung,
so wird die Signal spannung zur Ausgangsklemme durchgelassen. Somit ist ein Sockeleffekt vermieden,
wenn man, wie in Praxis möglich, den geringfügigen Sockeleffekt vernachlässigt, der durch den Transistorleckstrom
durch den Widerstand 6 hervorgerufen wird, weil in der Abwesenheit eines Eingangssignals an der
Klemme 1 die Ausgangsklemme 12 auf dem Potential liegt, das durch die Quelle 8 gegeben ist, ob die Tastschaltung
offen ist oder gesperrt.
Die Potentialquelle 8 ist nicht wesentlich für die Erfindung, so daß die Emitterelektrode 7 auch direkt
geerdet sein kann. Bei vorhandener Potentialquelle muß ihr innerer Widerstand sehr klein sein im Verhältnis
zum Wert des Widerstandes 3, damit die Schaltung zufriedenstellend arbeitet.
In Fig. 3 ist eine Abänderung der Schaltung nach Fig. 2 dargestellt, die sich von der Schaltung nach
Fig. 2 nur darin unterscheidet, daß Kollektor- und Emitterelektroden ausgetauscht sind.
In Fig. 4 und 5 sind Varianten der Fig. 2 und 3 dargestellt, die sich von diesen nur durch die andere
Lage des Widerstandes 3 unterscheiden. In den Fig. 6 und 7 sind Varianten der Fig. 4 und 5 dargestellt, die
sich von diesen Figuren nur dadurch unterscheiden, daß die Lage der Schaltungselemente 2 und 3 in den
Schaltungen ausgetauscht sind.
In allen dargestellten Ausführungsformen kann die Potentialquelle 8 weggelassen werden, deren Zweck
darin besteht, den Gleichstrompegel der getasteten Ausgangssignale einzustellen.
Bei der Beschreibung der Fig. 2 bis 7 wurde vorausgesetzt, daß der Transistor vom PNP-Typ war. Es
ist selbstverständlich ohne weiteres möglich, auch einen NPN-Transistor zu verwenden. In diesem Falle
muß die Basiselektrode des Transistors gegenüber der Emitterelektrode natürlich eine negative Spannung
annehmen, um die Tastschaltung zu öffnen anstatt wie bei einem PNP-Transistor diese Elektrode positiv
gegenüber der Emitterelektrode zu machen.
Claims (4)
1. Transistor-Tastschaltung mit einem an der Basiselektrode durch eine Tastspannung gesteuerten
Transistor, dessen Kollektor- oder Emitterelektrode die zu tastende Eingangsspannung zugeführt
wird, dadurch gekennzeichnet, daß von der mit der Eingangsspannung gespeisten Elektrode die
Ausgangsspannuug abgeleitet wird und daß Mittel vorgesehen sind, die zur Sperrung des Ubertragungsweges
die Kollektor- und Emitterspannung auf einen zumindest annähernd gleichen Wert klemmen.
2. Transistor-Tastschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektor-Emitter-Strecke
von einem Widerstand (6) überbrückt ist.
3. Transistor-Tastschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsklemme
(12) an den Verbindungspunkt der Kollektor-Emitter-Strecke mit einem Widerstand (3) angeschlossen
ist und daß diese Serienschaltung von einem Widerstand (6) überbrückt ist.
4. Transistor-Tastschaltung nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektoroder
Emitterelektrode direkt oder über eine Spannungsquelle (8) mit Erde (Masse) verbunden ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 712 497;
Radio and Television News, April 1958, S. 39.
Deutsche Patentschrift Nr. 712 497;
Radio and Television News, April 1958, S. 39.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 009 649/298 11.60
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB3083458A GB861263A (en) | 1958-09-26 | 1958-09-26 | Improvements in or relating to transistor gating circuit arrangements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1093426B true DE1093426B (de) | 1960-11-24 |
Family
ID=10313872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEM42841A Pending DE1093426B (de) | 1958-09-26 | 1959-09-23 | Transistor-Tastschaltung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1093426B (de) |
GB (1) | GB861263A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2509684A1 (de) * | 1975-03-06 | 1976-09-09 | Wersi Electronic Gmbh & Co Kg | Elektronisches tastenmusikinstrument, insbesondere orgel |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3225303A (en) * | 1962-05-31 | 1965-12-21 | Honeywell Inc | Modulating and demodulating apparatus |
DE2127545C3 (de) * | 1970-06-09 | 1979-05-23 | Sony Corp., Tokio | Transistor-Gate-Schaltung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE712497C (de) * | 1936-06-11 | 1941-10-20 | Eberhard V Collas Dipl Ing | Anordnung zur Amplitudenmodulation von sehr hohen Frequenzen |
-
1958
- 1958-09-26 GB GB3083458A patent/GB861263A/en not_active Expired
-
1959
- 1959-09-23 DE DEM42841A patent/DE1093426B/de active Pending
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DE2509684A1 (de) * | 1975-03-06 | 1976-09-09 | Wersi Electronic Gmbh & Co Kg | Elektronisches tastenmusikinstrument, insbesondere orgel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB861263A (en) | 1961-02-15 |
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