DE1078238B - Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
DEUTSCHES
Bei einer Gleichrichteranordnung mit pn-übergang, welche z. B. auf der Basis eines Halbleiters aus Germanium
oder Silizium oder einem anderen Halbleiter arbeitet, hat es sich als wichtig erwiesen, den pn-Übergang
insbesondere bereits nach seiner Reinigung gegen äußere Einflüsse zu schützen.
So ist es beispielsweise bei Transistoren und Halbleiterdioden zur Verbesserung der Stabilisierung der
Oberflächeneigenschaften bekanntgeworden, auf der Oberfläche eine Stabilisierungsschicht aus einer
Schicht des Monoxydes des Halbleiters und einem Schutzfilm aus dem Dioxyd des Halbleiters vorzusehen,
die naturgemäß durch je ein besonderes Bad mit
einer entsprechenden Zwischenbehandlung bzw. jeweils anschließenden Behandlung erzeugt werden
müssen, was offensichtlich sehr aufwendig ist. Es ist auch bekannt, dann nach dem Auf bringen dieser Stabilisierungsschicht
die Halbleiteranordnung zusätzlich in eine Kunstharzhülle oder einen thermoplastischen
Kunststoff einzuschließen und gegebenenfalls zwischen dem Dioxydfilm und der Schutzhülle noch eine Lackschicht
vorzusehen.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Erkenntnis zugrunde, daß sich ein wirksamer Schutz des pn-Übergangs
an einer Gleichrichteranordnung mit einem Halbleiter auf der Basis von Germanium, Silizium
oder einem anderen Halbleiter, bei der der pn-übergang des Halbleiters zum Schutz gegen atmosphä.-rische
Einflüsse durch eine Schicht aus einem Isolierlack abgedeckt ist, erfindungsgemäß dadurch erreichen
läßt, daß der Isolierlack einen Füllstoff aus einen feinverteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen
Isoliermaterial enthält.
Auf diese Weise wird erreicht, daß irgendwelche äußeren Einflüsse durch die Lackschicht hindurch nur
zu dem pn-übergang gelangen könnten, nachdem sie ein entsprechendes Labyrinth in der Lackschicht
durchlaufen haben, welches durch den Füllstoff bestimmt ist. Gleichzeitig bildet der eingelagerte Füllstoff
auch eine gute elektrische Isolation und erhöht die mechanische Widerstandsfähigkeit. Er wird sich so
in der Schicht mit seinen Teilchen übereinanderlagern, daß eine Ineinanderschachtelung vorliegt. Ein hergestellter
Gleichrichter kann dann gegebenenfalls ohne ein besonderes Schutzgehäuse benutzt werden, obgleich
er natürlich auch zusätzlich in ein besonderes Schutzgehäuse eingeschlossen werden kann. Auf jeden Fall
ist das Gleichrichterelement bereits unmittelbar gegen äußere Einflüße geschützt, sobald es nach seiner
Ätzung und seiner gegebenenfalls anschließenden vorgenommenen anodischen Oxydation an der Stelle
seines pn-Überganges mit dem vorliegenden Schutzüberzug versehen worden ist. Als ein geeigneter Füllstoff
faserigen Charakters kann in dem Isolierlack bei-Gleichrichteranordnung
mit pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Rudolf Hahmann, Berlin-Haselhorst,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
spielsweise Asbest benutzt werden, während sich als blätterförmiger Werkstoff vorzugsweise Glimmer entsprechend
feiner Unterteilung eignet.
Das Aufbringen der Schutzschicht auf den pn-übergang kann in verschiedener Weise erfolgen. So^ kann
hierfür ein Aufstreichen oder ein Aufspritzen des Lackes benutzt werden. Statt dessen kann der Lacküberzug
auch durch einen Tauchprozeß des Gleichrichterelementes aufgebracht werden. Vorzugsweise
bei Benutzung eines Tauch- bzw. Spritzprozesses wird es sich dabei empfehlen, diejenigen Stellen besonders
abzudecken, die später für die Vornahme eines elektrischen Anschlusses an dem Gleichrichterelement
benötigt werden. Hierfür können beispielsweise entsprechende Schablonen benutzt werden.
In Verbindung mit dieser im vorstehenden beschriebenen Erfindung kann es sich gegebenenfalls als
zweckmäßig erweisen, auf dieser Lackschicht zusätzlich noch eine Schicht aus einem plastischen Werkstoff aufzubringen,
um auf diese Weise Vorsorge zu treffen, daß bei einer wider Erwarten eintretenden Rissebildung
in der Lackschicht trotzdem noch ein Schutz für den pn-übergang auch an diesen Stellen gewährleistet
ist, indem diese Stellen dann durch den plastischen Werkstoff überdeckt bleiben bzw. dieser sich an
diesen Stellen einlagert. Für diese Schutzschicht plastischen Charakters kann als Werkstoff beispielsweise
Hochvakuumfett oder Siliconfett benutzt werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt in einem zur Veranschaulichung gewählten Maßstab die
Zeichnung. In dieser ist ein Gleichrichterelement dargestellt, welches eine Molybdäntragplatte 1 aufweist.
Diese ist mit dem Halbleiterkörper 2 aus schwach p-leitendem Silizium über eine Schicht 3 aus Aluminium
verbunden, welche gleichzeitig die eine Elek-
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trode bildet bzw. das Dotierungsmaterial für die Legierung des Halbleiterkörpers an der einen Oberfläche
liefert. Auf dem Halbleiterkörper 2 ist eine Elektrode 4 aus Gold—Antimon aufgebracht, durch
welche bei dem Legierungsprozeß mit dem Halbleiterkörper 2 in diesem der pn-übergang gebildet wird, der
an der Randzone der Elektrode 4 an die Oberfläche des Halbleiterkörpers 2 heraustritt. 5 bezeichnet die
aufgebrachte Schicht aus einem "Lack mit einem Füllstoff aus feinverteiltem blätterförmigern elektrischem
Isoliermaterial in Form von Glimmer. Auf diese Lackschicht ist noch eine weitere Schutzschicht 6 aus Siliconfett
aufgebracht.
Claims (8)
1. Gleichrichteranordnung mit pn-übergang und einem Halbleiter auf der Basis von Germanium,
Silizium oder einem anderen Halbleiter, bei der der pn-übergang des Halbleiters zum Schutz
gegen atmosphärische Einflüsse durch eine Schicht aus einem Isolierlack abgedeckt ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolierlack einen Füllstoff aus einem feinverteilten faserigen oder blätterförmigen
elektrischen Isoliermaterial enthält.
2. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der faserige Füllstoff
aus Asbest besteht.
3. Gleichriohteranordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der blätterförmige Füllstoff aus Glimmer besteht.
4. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß
auf die Isolierlackschicht eine zusätzliche Isolierschicht aus einer Substanz plastischen Charakters
aufgetragen ist.
5. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Substanz Hochvakuumfett
oder Siliconfett benutzt ist.
6. Verfahren zur Herstellung einer Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Lackschicht aufgestrichen bzw. aufgespritzt wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Lacküberzug durch einen Tauchprozeß aufgebracht wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer Gleichrichteranordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch
gekennzeichnet, daß beim Tauch-bzw. Spritzprozeß die später für einen elektrischen Anschluß
benötigten Stellen besonders abgedeckt werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 037 016.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 037 016.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1246886B (de) * | 1960-07-30 | 1967-08-10 | Elektronik M B H | Verfahren zur Stabilisierung und Verbesserung der Sperreigenschaften von Halbleiterbauelementen |
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---|---|---|---|---|
DE1037016B (de) * | 1956-12-06 | 1958-08-21 | Rca Corp | Halbleitereinrichtung, wie Transistor, Legierungsdiode od. dgl. und Verfahren zu deren Herstellung |
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1958
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1959
- 1959-09-07 FR FR804496A patent/FR1235004A/fr not_active Expired
- 1959-09-16 GB GB3160459A patent/GB860453A/en not_active Expired
- 1959-09-18 CH CH7837159A patent/CH373472A/de unknown
Patent Citations (1)
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---|---|---|---|---|
DE1037016B (de) * | 1956-12-06 | 1958-08-21 | Rca Corp | Halbleitereinrichtung, wie Transistor, Legierungsdiode od. dgl. und Verfahren zu deren Herstellung |
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Also Published As
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FR1235004A (fr) | 1960-07-01 |
GB860453A (en) | 1961-02-08 |
CH373472A (de) | 1963-11-30 |
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