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DE1078238B - Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number
DE1078238B
DE1078238B DES60003A DES0060003A DE1078238B DE 1078238 B DE1078238 B DE 1078238B DE S60003 A DES60003 A DE S60003A DE S0060003 A DES0060003 A DE S0060003A DE 1078238 B DE1078238 B DE 1078238B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rectifier arrangement
arrangement according
junction
layer
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES60003A
Other languages
English (en)
Inventor
Rudolf Hahmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES60003A priority Critical patent/DE1078238B/de
Priority to FR804496A priority patent/FR1235004A/fr
Priority to GB3160459A priority patent/GB860453A/en
Priority to CH7837159A priority patent/CH373472A/de
Publication of DE1078238B publication Critical patent/DE1078238B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

DEUTSCHES
Bei einer Gleichrichteranordnung mit pn-übergang, welche z. B. auf der Basis eines Halbleiters aus Germanium oder Silizium oder einem anderen Halbleiter arbeitet, hat es sich als wichtig erwiesen, den pn-Übergang insbesondere bereits nach seiner Reinigung gegen äußere Einflüsse zu schützen.
So ist es beispielsweise bei Transistoren und Halbleiterdioden zur Verbesserung der Stabilisierung der Oberflächeneigenschaften bekanntgeworden, auf der Oberfläche eine Stabilisierungsschicht aus einer Schicht des Monoxydes des Halbleiters und einem Schutzfilm aus dem Dioxyd des Halbleiters vorzusehen, die naturgemäß durch je ein besonderes Bad mit einer entsprechenden Zwischenbehandlung bzw. jeweils anschließenden Behandlung erzeugt werden müssen, was offensichtlich sehr aufwendig ist. Es ist auch bekannt, dann nach dem Auf bringen dieser Stabilisierungsschicht die Halbleiteranordnung zusätzlich in eine Kunstharzhülle oder einen thermoplastischen Kunststoff einzuschließen und gegebenenfalls zwischen dem Dioxydfilm und der Schutzhülle noch eine Lackschicht vorzusehen.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Erkenntnis zugrunde, daß sich ein wirksamer Schutz des pn-Übergangs an einer Gleichrichteranordnung mit einem Halbleiter auf der Basis von Germanium, Silizium oder einem anderen Halbleiter, bei der der pn-übergang des Halbleiters zum Schutz gegen atmosphä.-rische Einflüsse durch eine Schicht aus einem Isolierlack abgedeckt ist, erfindungsgemäß dadurch erreichen läßt, daß der Isolierlack einen Füllstoff aus einen feinverteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen Isoliermaterial enthält.
Auf diese Weise wird erreicht, daß irgendwelche äußeren Einflüsse durch die Lackschicht hindurch nur zu dem pn-übergang gelangen könnten, nachdem sie ein entsprechendes Labyrinth in der Lackschicht durchlaufen haben, welches durch den Füllstoff bestimmt ist. Gleichzeitig bildet der eingelagerte Füllstoff auch eine gute elektrische Isolation und erhöht die mechanische Widerstandsfähigkeit. Er wird sich so in der Schicht mit seinen Teilchen übereinanderlagern, daß eine Ineinanderschachtelung vorliegt. Ein hergestellter Gleichrichter kann dann gegebenenfalls ohne ein besonderes Schutzgehäuse benutzt werden, obgleich er natürlich auch zusätzlich in ein besonderes Schutzgehäuse eingeschlossen werden kann. Auf jeden Fall ist das Gleichrichterelement bereits unmittelbar gegen äußere Einflüße geschützt, sobald es nach seiner Ätzung und seiner gegebenenfalls anschließenden vorgenommenen anodischen Oxydation an der Stelle seines pn-Überganges mit dem vorliegenden Schutzüberzug versehen worden ist. Als ein geeigneter Füllstoff faserigen Charakters kann in dem Isolierlack bei-Gleichrichteranordnung mit pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke
Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Rudolf Hahmann, Berlin-Haselhorst,
ist als Erfinder genannt worden
spielsweise Asbest benutzt werden, während sich als blätterförmiger Werkstoff vorzugsweise Glimmer entsprechend feiner Unterteilung eignet.
Das Aufbringen der Schutzschicht auf den pn-übergang kann in verschiedener Weise erfolgen. So^ kann hierfür ein Aufstreichen oder ein Aufspritzen des Lackes benutzt werden. Statt dessen kann der Lacküberzug auch durch einen Tauchprozeß des Gleichrichterelementes aufgebracht werden. Vorzugsweise bei Benutzung eines Tauch- bzw. Spritzprozesses wird es sich dabei empfehlen, diejenigen Stellen besonders abzudecken, die später für die Vornahme eines elektrischen Anschlusses an dem Gleichrichterelement benötigt werden. Hierfür können beispielsweise entsprechende Schablonen benutzt werden.
In Verbindung mit dieser im vorstehenden beschriebenen Erfindung kann es sich gegebenenfalls als zweckmäßig erweisen, auf dieser Lackschicht zusätzlich noch eine Schicht aus einem plastischen Werkstoff aufzubringen, um auf diese Weise Vorsorge zu treffen, daß bei einer wider Erwarten eintretenden Rissebildung in der Lackschicht trotzdem noch ein Schutz für den pn-übergang auch an diesen Stellen gewährleistet ist, indem diese Stellen dann durch den plastischen Werkstoff überdeckt bleiben bzw. dieser sich an diesen Stellen einlagert. Für diese Schutzschicht plastischen Charakters kann als Werkstoff beispielsweise Hochvakuumfett oder Siliconfett benutzt werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt in einem zur Veranschaulichung gewählten Maßstab die Zeichnung. In dieser ist ein Gleichrichterelement dargestellt, welches eine Molybdäntragplatte 1 aufweist. Diese ist mit dem Halbleiterkörper 2 aus schwach p-leitendem Silizium über eine Schicht 3 aus Aluminium verbunden, welche gleichzeitig die eine Elek-
909 767/323
trode bildet bzw. das Dotierungsmaterial für die Legierung des Halbleiterkörpers an der einen Oberfläche liefert. Auf dem Halbleiterkörper 2 ist eine Elektrode 4 aus Gold—Antimon aufgebracht, durch welche bei dem Legierungsprozeß mit dem Halbleiterkörper 2 in diesem der pn-übergang gebildet wird, der an der Randzone der Elektrode 4 an die Oberfläche des Halbleiterkörpers 2 heraustritt. 5 bezeichnet die aufgebrachte Schicht aus einem "Lack mit einem Füllstoff aus feinverteiltem blätterförmigern elektrischem Isoliermaterial in Form von Glimmer. Auf diese Lackschicht ist noch eine weitere Schutzschicht 6 aus Siliconfett aufgebracht.

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Gleichrichteranordnung mit pn-übergang und einem Halbleiter auf der Basis von Germanium, Silizium oder einem anderen Halbleiter, bei der der pn-übergang des Halbleiters zum Schutz gegen atmosphärische Einflüsse durch eine Schicht aus einem Isolierlack abgedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierlack einen Füllstoff aus einem feinverteilten faserigen oder blätterförmigen elektrischen Isoliermaterial enthält.
2. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der faserige Füllstoff aus Asbest besteht.
3. Gleichriohteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der blätterförmige Füllstoff aus Glimmer besteht.
4. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Isolierlackschicht eine zusätzliche Isolierschicht aus einer Substanz plastischen Charakters aufgetragen ist.
5. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Substanz Hochvakuumfett oder Siliconfett benutzt ist.
6. Verfahren zur Herstellung einer Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lackschicht aufgestrichen bzw. aufgespritzt wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Lacküberzug durch einen Tauchprozeß aufgebracht wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer Gleichrichteranordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß beim Tauch-bzw. Spritzprozeß die später für einen elektrischen Anschluß benötigten Stellen besonders abgedeckt werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 037 016.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 909 767/323 3.60
DES60003A 1958-09-26 1958-09-26 Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE1078238B (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES60003A DE1078238B (de) 1958-09-26 1958-09-26 Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung
FR804496A FR1235004A (fr) 1958-09-26 1959-09-07 Dispositif redresseur à jonction p-n
GB3160459A GB860453A (en) 1958-09-26 1959-09-16 Improvements in or relating to p-n-junction rectifiers
CH7837159A CH373472A (de) 1958-09-26 1959-09-18 Gleichrichteranordnung mit p-n-Übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES60003A DE1078238B (de) 1958-09-26 1958-09-26 Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1078238B true DE1078238B (de) 1960-03-24

Family

ID=7493767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES60003A Pending DE1078238B (de) 1958-09-26 1958-09-26 Gleichrichteranordnung mit pn-UEbergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH373472A (de)
DE (1) DE1078238B (de)
FR (1) FR1235004A (de)
GB (1) GB860453A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1246886B (de) * 1960-07-30 1967-08-10 Elektronik M B H Verfahren zur Stabilisierung und Verbesserung der Sperreigenschaften von Halbleiterbauelementen

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1037016B (de) * 1956-12-06 1958-08-21 Rca Corp Halbleitereinrichtung, wie Transistor, Legierungsdiode od. dgl. und Verfahren zu deren Herstellung

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DE1246886B (de) * 1960-07-30 1967-08-10 Elektronik M B H Verfahren zur Stabilisierung und Verbesserung der Sperreigenschaften von Halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
FR1235004A (fr) 1960-07-01
GB860453A (en) 1961-02-08
CH373472A (de) 1963-11-30

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