DE818380C - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern geringer Eigenkapazitaet bzw. Groesse - Google Patents

Description

• Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern geringer Eigenkapazität bzw. Größe Die Trockengleichrichter besitzen, um Kurzschlüsse zwischen der Trägerelektrode und dem Rand der Gegenelektrode zu vermeiden, eine Halbleiterschicht, die etwas die Fläche der Gegenelektrode überragt. Die die Gegenelektrode überragende Randzone der Halbleiterschicht vergrößert bei Hinterwandgleichrichtern, wie z. B. Kupferoxydulgleichrichtern, nicht nur die Eigenkapazität des Gleichrichters, sondern auch den Rückstrom. Bei großflächigen Gleichrichtern steht die Fläche der Randzone in einem sehr kleinen Verhältnis zu der Fläche der Gegenelektrode, so daß die Vergrößerung der Eigenkapazität und des Rückstroms praktisch unbedeutend ist. Anders ist es aber bei Trockengleichrichtern kleiner Abmessungen, insbesondere Kleinflächengleichrichtern, wie sie z. B. für Meßzwecke, Detektoren usw. verwendet werden. Hier hat das Verhältnis der Randzone zu der Fläche der Gegenelektrode einen großen Betrag, der um so größer wird, je kleiner die Fläche der Gegenelektrode ist. Infolgedessen ist bei den Kleinflächengleichrichtern die Vergrößerung der Eigenkapazität gegenüber der theoretisch durch die Flächen der Gegenelektrode und der Trägerelektrode gegebenen Kapazität relativ groß. Auch macht sich die Vergrößerung des Rückstroms besonders bemerkbar.
• Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, die sich durch erhebliche Verminderung der Eigenkapazität und des Rückstroms auszeichnen. Erfindungsgemäß wird an nach bekannten Verfahren hergestellten Gleichrichterscheiben nach ihrer völligen Fertigstellung die Außenseite der Gegenelektrode in gewünschter Flächengröße mit säurebeständigem Lack abgedeckt. Alsdann werden die Gegenelektrode und die Halb- Leiterschicht an den nicht abgedeckten Flächen mit geeigneten Säuren abgeätzt. Die auf diese Weise übrig bleibende Gleichrichterzelle besitzt keine Randzone, da die Halbleiterschicht nicht die Gegenelektrode überragt. Infolge des Fortfalls der Randzone besitzt die Gleichrichterzelle eine Eigenkapazität lediglich von der Größe, wie sie durch die Flächen der Gegenelektrode gegenüber der Trägerelektrode bedingt ist. Insbesondere lassen sich durch das Verfahren gemäß der Erfindung Kleinflächengleichrichter mit kleinstmöglicher Eigenkapazität herstellen. Infolge des Fortfalls der Randzone wird auch an den Kleinflächengleichrichtern der Rückstrom stark vermindert.
• Da an den Gleichrichterscheiben die Lackabdeckungen in beliebiger Größe durchgeführt werden können, gestattet das Verfahren gemäß der Erfindung auch in einfacher Weise, Gleichrichterzellen mit besonders kleinen Flächen in der Art von Punktgleichrichtern, wie es in anderer Weise nicht zu erreichen ist, herzustellen. Solche Kleinstgleichrichter zeichnen sich in einer bisher noch nicht erreichten Weise durch größte Verringerung der Eigenkapazität und des Rückstroms aus.
• Für die Fabrikation der Kleinflächengleichrichter ist es vorteilhaft, aus einer Gleichrichterscheibe eine Vielzahl von Gleichrichterzellen herzustellen. Dies geschieht in der Weise, daß auf der Gleichrichterscheibe mehrere Teilflächen oder Punkte in der gewünschten Größe mit Lackabdeckungen versehen werden. Alsdann erfolgt das Abätzen der nicht abgedeckten Flächen. Nachdem an der Trägerelektrode die Gleichrichterzellen übriggeblieben sind, werden diese aus der gemeinsamen Trägerelektrode ausgestanzt oder auf andere Weise ausgeschnitten. An den ausgestanzten Gleichrichterzelen Xnuß der Rand der Trägerelektrode den Rand der Hälbleiterschicht bzw. der Gegenelektrode überragen, da sonst beim Ausstanzen bzw. Ausschneiden die Halbleiterschicht etwa durch Spannungen im Grundmaterial der Trägerelektrode oder auch direkt beschädigt werden kann. Der überragende Rand der Trägerelektrode hat jedoch keinen Einfluß auf die Größe der Eigenkapazität und des Rückstroins. Es ist bereits bekannt, bei der Herstellung von Trockengleichrichtern Lackabdeckungen anzuwenden und die durch Lack freigelassenen Stellen durch Abätzen zu entfernen. Das bekannte Herstellungsverfahren wurde vor Jahren angewendet, um eine geeignete Massenfabrikation von Kleinflächengleichrichtern durchzuführen. Im Gegensatz zu dem Verfahren der Erfindung erfolgte die Lackabdeckung während der Herstellung der Gleichrichterscheibe, indem nach dem Aufbringen der Halbleiterschicht auf die Trägerelektrode die Halbleiterschicht mit der Lackschicht versehen wurde. Alsdann wurde die von der Lackschicht freigelassene Halbleiterschicht abgeätzt. Danach erfolgte das Aufbringen der Gegenelektrode. Hierbei mußte der Rand der Gegenelektrode gegenüber dem Rand der Halbleiterschicht zurückstehen, damit keine Kurzschlüsse zwischen dem Rand der Gegenelektrode und der Trägerelektrode entstehen. Die nach dem bekannten Verfahren hergestellten Kleinflächengleichrichter haben infolge des Vorhandenseins der durch die Halbleiterschicht gebildeten Randzone eine vergrößerte Eigenkapazität und einen erhöhten Rückstrom.

Claims (2)

1. PATENTANSPRÜCHE: " i. Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit verminderter Eigenkapazität, insbesondere Kleinflächengleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, daß an nach bekannten Verfahren hergestellten Gleichrichterscheiben nach ihrer Herstellung die Außenseite der Gegenelektrode in gewünschter Flächengröße mit säurebeständigem Lack abgedeckt und danach die Gegenelektrode und die Halbleiterschicht an den nicht abgedeckten Flächen abgeätzt werden.
2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß auf ein und derselben Gleichrichterscheibe mehrere Teilflächen mit Lackabdeckungen versehen und nach Abäfzen der nicht abgedeckten Flächen die verbleibenden Gleichrichterzellen aus der gemeinsamen Trägerelektrode ausgestanzt oder ausgeschnitten werden.