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DE1043513B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Behandlung der Halbleiteroberflaeche und aufgesetzter Nadelelektrode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Behandlung der Halbleiteroberflaeche und aufgesetzter Nadelelektrode

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DE1043513B
DE1043513B DEN10355A DEN0010355A DE1043513B DE 1043513 B DE1043513 B DE 1043513B DE N10355 A DEN10355 A DE N10355A DE N0010355 A DEN0010355 A DE N0010355A DE 1043513 B DE1043513 B DE 1043513B
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Germany
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needle electrode
semiconductor
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electrode
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DEN10355A
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Inventor
James William Granville
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National Research Development Corp UK
Original Assignee
NAT RES DEV
National Research Development Corp UK
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Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterkristallanordnungen, und zwar auf solche der Spitzenbauart.
Sie wurden in Form von Gleichrichtern hergestellt, indem ein sogenanntes »bedeutsames« Metall auf die Oberfläche eines halbleitenden Kristallwerkstoffs legiert wurde. Beispielsweise kann durch das Auflegen einer Aluminiumpille auf die Oberfläche eines Siliziumstückes vom negativen oder η-Typus durch Erhitzen in einer trägen oder inerten Lufthülle das Aluminium mit dem Silizium verschmolzen und so eine gleichrichtende oder pn-Elektrode als Anschluß des Aluminiums an das Silizium hergestellt werden. Solche Elektroden sind manchmal als Legierungselektroden bekannt.
Der Ausdruck »bedeutsam« wird in dieser Beschreibung benutzt, um ein Metall oder beispielsweise eine Verunreinigung zu kennzeichnen, welches bzw. welche die Leitfähigkeit (p- oder η-Typus) des halbleitenden Kristall werkstoff s beeinflußt. Die Benutzung dieses Ausdrucks ist im Bereich der halbleitenden Kristallwerkstoffe weit verbreitet und ist beispielsweise in der britischen Patentschrift 700 236 behandelt.
Das Herstellen dieser Elektroden ist nicht ohne Schwierigkeiten durchführbar. Es ist beispielsweise nicht immer leicht, einen befriedigenden Anschluß an das Aluminium zum obenerwähnten Zeitpunkt herzustellen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von solchen Halbleiteranordnungen, z. B. Gleichrichtern und Transistoren, mit einem oder mehreren pn-Übergängen, bei denen eine Halbleiteroberfläche einer Behandlung unterworfen und gegen diese eine Nadelelektrode gedrückt wird. Bei der Behandlung der Halbleiteroberfläche wird eine dünne Isolierauflage auf der Halbleiteroberfläche aufgebracht, als Nadelelektrode wird eine solche gewählt, welche ein Verunreinigungsmaterial von demjenigen dem Halbleiter entgegengesetzten Leitungstyp enthält, und ein Formierungsimpuls wird über Nadelelektrode und Basiselektrode derart geschickt, daß dadurch die dünne Isolierauflage durchbrochen wird, woraufhin ein Strom solcher Stärke fließt, daß Nadelelektrode und Halbleiteroberfläche miteinander verschweißt werden, wodurch an der Nadelelektrode ein pn-Übergang erzeugt wird.
Herkömmlicherweise ist der Halbleiter Silizium, während die Isolierauflage aus einer Oxydlage besteht, die so stark ist, daß sie eine blaue Färbung aufweist. Für Silizium des η-Typus enthält der Nadelspitzenwerkstoff ein Element der Gruppe III des Periodischen Systems, beispielsweise Aluminiumbronze; für Silizium des p-Typus· enthält der Nadelspitzenwerkstoff ein Element von Gruppe V des Verfahren zur Herstellung
von Halbleiteranordnungen
mit Behandlung der Halbleiteroberfläche und aufgesetzter Nadelelektrode
Anmelder:
National Research Development Corporation, London
Vertreter: Dipl.-Ing. E. Schubert, Patentanwalt, Siegen (Westf.), Oranienstr. 14
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 18. März, 23. Juli 1954
und 25. Februar 1955
James William Granville,
Malvern, Worcestershire (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
Periodischen Systems, und zwar kann das beispielsweise Phosphorbronze sein.
Die Oxydauflage auf der Siliziumoberfläche kann durch Elektrolyse in einer oxydierenden Lösung gebildet werden, beispielsweise in einer Wasserlösung von Kaliumhydroxyd, in einer angenäherterweise lnormalen Lösung von Salpetersäure oder einer 3°/oigen Losung von Oxalsäure.
Die Kennlinien oder Charakteristiken des Impulses, welcher durch die Isolierauflage hindurch übertragen wird, werden am besten durch Versuche oder Versuchsreihen bestimmt. Richtung und Größe sind jedoch nicht entscheidend, vorausgesetzt, daß die Isolierlage zerstört wird und die Nadelspitze befähigt ist, sich auf die Kristalloberfläche aufzuschweißen.
Ein Transistor wird hergestellt, indem eine zweite Nadelspitze ganz nahe bei der erstgenannten Nadelspitze angeordnet wird.
Die Erfindung soll nunmehr an Hand der sie beispielsweise wiedergebenden Zeichnung ausführlicher beschrieben werden, und zwar zeigt bzw. zeigen
Fig. 1 und 2 Aufrißdarstellungen von Halbleiterkristallgleichrichtern in verschiedenen Herstellungsstufen,
809 678/294
Fig. 3 eine Anordnung für das elektrolytische Siliziumblättchen IA und IB zu bilden beginnt; nach Oxydieren der Oberflächen zweier Halbleiterkristalle, etwa 2 Minuten ist er auf rund die Hälfte seines Anwährend fangswertes gefallen. Der Strom wird dann auf seinen
Fig. 4 eine beim Herstellungsverfahren für einen Ausgangswert von 3,5 mA/cm2 wieder eingeregelt und
Halbleiterkristallgleichrichter angewendete Schal- 5 fällt, bis er nach etwa 5 Minuten wieder auf die Hälfte
tungsanordnung wiedergibt. des Ausgangswertes abgesunken ist. Er wird erneut
Nach Fig. 1 ist ein Blättchen 1 aus Silizium des auf seinen Ursprungswert eingeregelt, und dieses positiven oder p-Typus von 0,05 Ohm-cm grundiert, Mal neigt er dazu, größer zu werden; er wird jedoch poliert und mit einem Reagenz, welches als CP 4 be- eingeregelt, um bei 3,5 mA/cm2 zu bleiben^ bis nach kannt ist, geätzt. Hierbei ist CP 4 eine Ätzflüssigkeit, io etwa 2 Minuten das Bestreben, anzuwachsen, aufhört die für Silizium und Germanium bei der Transistoren- und ein langsames Abfallen augenscheinlich wird, fertigung benutzt wird und in der USA.-Patentschrift Diese Bedingung wird 10 Minuten lang aufrecht-2 619 414 beschrieben ist. Eine Isolierlage 2, die in erhalten, wonach die Siliziumblättchen 1A und IB der Fig. 1 im Querschnitt dargestellt ist, wird dann aus dem Elektrolyten 8 herausgenommen, gewaschen als Oxydauflage auf eine Fläche 3 des Silizium- 15 und getrocknet werden. Blaue Oxydauflagen sind blättchens 1 in einer solchen Stärke gebildet, daß die dann auf ihren Oberflächen zu erkennen.
Auflage blaugefärbt ist. In den Figuren ist die Lagen- Im allgemeinen wird die Stromdichte beim Aufstärke aus Gründen der Verdeutlichung übertrieben bringen der Oxydauflagen unter anderem vom dargestellt. Leitungswiderstand des Siliziums abhängen. Versuche
Ein Basis- oder Ohmscher Kontakt 4 ist auf der 20 können durchgeführt werden, um die passende Stromanderen Fläche 5 des Siliziumblättchens 1 befestigt, dichte für die verschiedenen Siliziumproben oder während die Spitze einer Nadelelektrode 6, welche -muster festzustellen, auch kann der Vorgang altereinen Phosphorbronzedraht von 0,127 mm Durch- nativ für eine Zeit durchgeführt, dann das Siliziummesser aufweist, gegen die Auflage 2 auf dem SiIi- blättchen entfernt, gewaschen, getrocknet und geprüft ziumblättchen 1 gedrückt wird. 25 werden, und anschließend kann das Verfahren wieder
Bei Verwendung der Schaltungsanordnung von aufgenommen oder, wenn notwendig, fortgesetzt Fig. 4 ist ein geerdeter Impulsgenerator 7 mit der werden, bis eine Auflage von der richtigen Färbung Nadelelektrode 6 verbunden, während der Basis- erzielt ist. Beim Silizium des p-Typus mit einem kontakt 4 geerdet ist. Der Impulsgenerator 7 über- Leitungswiderstand von 0,05 Ohm · cm wurde ein trägt einen kurzdauernden Formierungsimpuls von 30 Strom von 5 mA/cm2 20 Minuten lang hindurchgroßer Amplitude auf die Auflage 2, welcher sie zer- geschickt, um eine brauchbare oder passende Oxydstört und die Nadelelektrode 6 auf die Fläche 3 des auflage zu erzeugen.
Siliziumblättchens 1 schweißt. Das Ergebnis dieses Andere Elektrolyten können verwendet werden,
Vorganges ist ein Halbleiterkristallgleichrichter, wie beispielsweise lnormale Salpetersäure oder eine wäß-
er in Fig. 2 veranschaulicht ist. 35 rige Lösung von Kaliumhydroxyd.
Beim vorliegenden Beispiel betrug die Impulsdauer Eine andere Lösung für das Aufbringen der Oxyd-
5 ms (Millisekunden) und die Amplitude 50 Volt, auflage besteht darin, das Silizium in Luft von
übertragen in Vorwärtsrichtung. Die Nadelelektrode 6, 1000° C mehrere Stunden lang zu brennen, wobei da-
welche ein wenig gegenüber dem Drahtdurchmesser für zu sorgen ist, daß eine Verunreinigung des SiIi-
verjüngt war, war nicht so scharf wie die Spitzen von 40 ziums mit unerwünschten Schmutzteilen vermieden
Detektornadeln, welche im allgemeinen bei der Tran- wird,
sistorenherstellung verwendet werden. Im allgemeinen ist jedes Verfahren für das Auf-
Eine Spannungs-Stromstärke-Kennlinie für den tragen der Oxydauflagen, welches eine Lage passender Kristallgleichrichter ist in Fig. 5 dargestellt. Stärke hervorbringt, als geeignet anzusehen. Die AufWenn das Blättchen 1 Silizium des η-Typus auf- 45 lage darf nicht so dünn sein, daß sie vom alleinigen weist, ist das ausgeführte Verfahren im wesentlichen Druck der Nadelspitze zerstört wird. Andererseits das gleiche wie beim Silizium des p-Typus, aus- soll sie nicht so dick sein, daß die Amplitude des genommen, daß die Nadelelektrode 6 beispielsweise Impulses, welcher übertragen wird, um sie zu zeraus Aluminiumbronze mit 7°/o Aluminium besteht. stören, zu groß wird und daß übermäßige Ströme Ein anderer Werkstoff für die Nadelelektrode 6 ist 50 fließen, wodurch die Elektrode beschädigt, wenn nicht indiumüberzogenes Kupfer. überhaupt zerstört wird. In diesem zweiten Falle
Das Anfertigen des Siliziumblättchens 1 vor dem würde die Elektrode das Aussehen eines Anschlusses
Oxydieren entspricht dem üblichen Verfahren der oder einer Verbindung erhalten, welcher bzw. welche
Herstellung des Siliziums für Transistoren. Andere eine schwere Überlastung erlitten hat.
Verfahren für das Ätzen der Siliziumflächen 3 und 5 55 Nach den Erfahrungen wächst die optimale Auf-
vor dem Oxydieren bzw. vor dem Anschluß des Basis- lagenstärke ebenso an, wie der spezifische Widerstand
kontaktes 4 können ebenso angewendet werden wie des Siliziums ansteigt; bei Silizium von 0,05 Ohm·cm
beim Herstellen von Transistorensilizium. war die Auflage lichtblau, bei Silizium von 12 Ohm · cm
Ein bevorzugtes Verfahren für das Aufbringen tiefblau bzw. tiefblau mit gelben Bereichen oder
einer Oxydauflage aus Silizium soll nunmehr an 60 Flecken, während sie bei Silizium von 20 bis
Hand von Fig. 3 beschrieben werden. 50 Ohm · cm tiefblau war und gelbe und rote Flecken
Der Einfachheit halber werden zwei Silizium- aufwies.
blättchen 1A und 1B verwendet und in ein Elektrolyt- Der für die Nadelelektrode gebrauchte Werkstoff
bad 8 gehalten, welches aus einer 3 °/oigen Lösung von ist in bezug auf den Halbleiterwerkstoff und seinen
Oxalsäure besteht. Eine veränderliche Wechselstrom- 65 Typus wichtig. Für Silizium des p-Typus wird eine
quelle 9 wird zwischen die Blättchen 1A und 1B ge- Nadelelektrode, welche als bedeutsame Verunreini-
schaltet und der Strom eingeregelt, bis er angenähert gung ein Element der Gruppe V des Periodischen
3,5 mA/cm2 (Milliampere/Quadratzentimeter) beträgt. Systems enthält, geeignet sein, beispielsweise ein
Dieser Strom beginnt dann abzusinken oder ab- Phosphorbronzedraht, welcher eine phosphorhaltige,
zufallen, sobald sich eine Oxydauflage auf den 70 eine sogenannte Geberverunreinigung im Silizium ent-
5 6
hält. Andere Beispiele für bedeutsame Verunreini- Der spezifische Widerstand des verwendeten gungen von Gruppe V sind Arsenik, Antimon und Kristallwerkstoffs beeinflußt auch die erzeugten Kenn-Wismut. Sie werden vorzugsweise in der Form von linien oder Charakteristiken des Kristallgleichrichters. Kupferlegierungen oder, im Falle von Wismut, welches Im Falle des Siliziums vom p-Typus mit einem sich nicht leicht legiert, allenfalls mit Kupfer in 5 spezifischen Widerstand von 0,05 Ohm · cm (Phosphor-Form einer Mischung verwendet. Für Silizium des bronze-Nadelspitze) hat sich eine Kennlinie nach η-Typus ist eine Nadelelektrode geeignet, welche als Fig. 5 ergeben. Die umgekehrte Durchschlagspannung bedeutsame Verunreinigung ein Element der Gruppe III ist eine Funktion des spezifischen Widerstandes des des Periodischen Systems enthält, beispielsweise ein Siliziums.
Duraluminiumdraht, welcher Aluminium als söge- io Ausführungs- oder Leistungsangaben sind:
nannte Empfängerverunreinigung im Silizium enthält. (1) Flußwiderstand 18 Ohm
Andere Beispiele bedeutsamer Verunreinigungen der (V,} Durchschlagspannung in
Gruppe III sind Indium, Gallium und Thallium. Sie s Sperrichtung 6 7 Volt
werden vorzugsweise in Form von Kupferlegierungen (3) Sperrwiderstand im
verwendet öderem Falle des Thalliums welches sich i5 Durchschlagbereich 58 Ohm
nicht leicht legiert, allenfalls mit Kupfer in Form (4) Sperrwiderstand beim
einer Mischung. Beginn .. 3 Megohm
Der Druck, mit welchem der die Nadelelektrode ö
bildende Draht gegen die Oxydauflage gedrückt wird, Im allgemeinen werden diese vier obigen Leistungsist nicht entscheidend. Er beträgt für einen Draht von 20 daten ebenfalls anwachsen, wenn der spezifische 0,127 bis 0,254 mm Durchmesser einige 10 g und muß, Widerstand des Siliziums wächst. Dabei kann (2) bis während der formierende Impuls hindurchgeht, auf- 20VoIt, bis dahin bleibt die gleiche Kennlinienform rechterhalten bleiben. Der maximale Druckwert muß noch erhalten, gewählt oder ausgeführt werden. Bei natürlich begrenzt sein, so daß die Nadelelektrode die Werten über 20 Volt werden die Knicke der Kennlinie Oxydauflage nicht durchdringt oder in sie eindringt, 25 runder und die Zweige oder Gefälle (1) und (3) höher; ohne daß der formende Impuls für das Zerstören der ein Wert von 264 Volt wurde angewendet oder ausAuflage übertragen wird. Aus diesem Grunde wird geführt, und zwar dann ohne ungebührliche oder überauch ein gewisses Abstumpfen der Spitze der Nadel- mäßige Ausrundung, wenn Silizium mit einem Leitelektrode im Vergleich zur normalen Spitzenschärfe, widerstand von 30 Ohm ■ cm benutzt worden war. Die wie sie im allgemeinen bei der Herstellung von 30 entsprechenden Werte für (1), (3) und (4) waren 135, Spitzenkontaktdioden üblich ist, bevorzugt. 1700 Ohm bzw. 170 Megohm.
Es muß jedoch auch dafür gesorgt werden, daß die Eine nützliche und neuartige Anwendung dieser
Verwendung stampfer Nadelspitzen irregulärer Form Kristallgleichrichter erfolgt in bestimmten Schaltungs-
vermieden wird, weil dabei die Gefahr besteht, daß anordnungen des Rechner-Typus. Es ist bemerkens-
der Impuls einen Bogen durch die Oxydauflage an 35 wert, daß diese Gleichrichter darlegen, was als elek-
einem Teil der Nadel schlagen kann, welcher nicht ironischer Spielraum vermöge oder Kraft eines
Kontaktberührung mit der Auflage hat, so daß ein Bereichs hohen Widerstandsgefälles zwischen ihren
Anschluß oder Abzweig nicht erzeugt werden wird. Bereichen niedrigen Widerstandsgefälles bezeichnet
Ein sich verjüngender Kontaktbereich mit einem oder umrissen werden kann. In der Reihe einiger
runden oder abgerundeten Ende zeigt die besten Er- 40 gebräuchlicher Halbleiterkristalldioden können zwei
gebnisse. von ihnen durch einen dieser Halbleiterkristallgleich-
Die Schaltungsanordnungen für das Übertragen des richter ersetzt werden, während zur gleichen Zeit formierenden Impulses können so sein, wie sie im all- durch einen passenden Aufbau eine und möglichergemeinen beim Formieren der Kontakte von Tran- weise zwei Vorspannungsbatterien wegfallen können, sistoren gemacht werden. Die Amplitude des Impulses 45 In der Schaltungsanordnung, welche in der Druckhängt vom spezifischen Widerstand des Halbleiter- schrift »A Method of Designing Transistor Trigger werkstoffs ab und wird am besten durch Versuche mit Circuits« von Williams und Chaplin, Proc. einem gegebenen Werkstoff bestimmt. Die Amplitude I. E. E., Bd. 100, Teil III, Nr. 66, Juli 1953, Fig. 10, und die Polarität des Impulses sind jedoch nicht ent- beschrieben ist, könnten die Dioden D3 und D4 beischeidend, vorausgesetzt, daß die Spannung ausreicht, 50 spielsweise durch einen Kristallgleichrichter der oben um durch die Isolierhaut zu schlagen und eine starke beschriebenen Bauart ersetzt werden; wobei dieser oder feste Verschweißung der Nadelspitze auf dem einen Bereich hohen Widerstandes haben würde, Kristall zu bewirken. Für Silizium von geringem welcher von + 2 bis — 5 Volt reicht und angemessen spezifischem Widerstand wird jedoch der Impuls in vorgespannt ist, um diese besonderen Werte innerhalb Flußrichtung des Kontaktes hindurchgeschickt; bei 55 der Grenzen zustande zu bringen. Im Falle der Dioden spezifischen Widerständen von mehr als beispielsweise D 2 und D1 der gleichen Figur kann ein Gleichrichter 5 Ohm-cm ist jede der beiden Impulsrichtungen ge- angeordnet sein, welcher keinerlei Vorspannung beeignet oder zulässig. nötigt.
Im allgemeinen muß die Stromdichte angemessen Eine andere Verwendungsmöglichkeit für die sein, um das Silizium und die Nadelspitze zu ver- 60 blaue Siliziumdiode besteht, wie es zuweilen bekannt schweißen, so daß eine Legierung zwischen ihnen statt- ist, im Einbau von Gleichstromverstärkern, welche findet zwecks Schaffung eines pn-Überganges. Der Transistoren an Stelle der herkömmlichen therm-Strom ist begrenzt durch den Streuwiderstand im ionischen Röhren verwenden; hier kann sie benutzt Kristall, und es muß die Amplitude des Impulses werden, um Neon-Entladungsröhren zu ersetzen, deshalb um so größer sein, je höher der spezifische 65 welche als Zwischenstufenkoppler benutzt werden.
Widerstand ist. Die Oxydauflage dient dazu, den Es ist zu erwähnen, daß Siliziumkristallgleich-Stromimpuls zurückzuhalten, bis eine genügend große richter, welche eine Blauoxydauflage wie oben bespannung aufgebaut ist; deshalb muß die Oydauflage schrieben aufweisen, automatisch oder von selbst um so dicker sein, je höher der spezifische Widerstand gegen atmosphärische Verunreinigungen durch die des Siliziums ist. 70 Auflage geschützt sind.
Es ist auch zu vermerken, daß Kristallröhren, welche aus Silizium des η-Typus hergestellt sind, für einen unendlichen Zeitraum beständig sind, wohingegen die aus Silizium vom p-Typus eine verhältnismäßig kurze Lebensdauer besitzen, und zwar eine solche in der Größenordnung von Stunden.
Ein Transistor kann hergestellt werden, indem zwei Gleichrichter ganz dicht beieinander auf einem gemeinsamen Siliziumkörper angeordnet werden. Vorzugsweise besteht das Verfahren aus dem Über- u> decken eines dünnen Siliziumkeils mit einer Oxydauflage und aus dem Aufdrücken und gleichzeitigen Anformen zweier Nadelspitzen an die Oberfläche des Keils, und zwar an gegenüberliegenden Punkten und aufeinander durch die dünne Abmessung des Keils hindurch ausgerichtet. Eine Basis- oder Ohmsche Elektrode auf dem Siliziumkörper wird auf der Grundfläche des Keils hergestellt.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, z. B. Gleichrichtern oder Transi stören, mit einem oder mehreren pn-Übergängen, bei denen eine Halbleiteroberfläche einer Behandlung unterworfen und gegen diese eine Nadelelektrode gedrückt wird, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Behandlung der Halbleiteroberfläche eine dünne Isolierauflage auf der Halbleiteroberfläche aufgebracht wird, daß als Nadel elektrode eine solche gewählt wird, welche ein Verunreinigungsmaterial von demjenigen dem Halbleiter entgegengesetzten Leitungstyp enthält, und daß ein Formierungsimpuls über Nadelelektrode und Basiselektrode derart geschickt wird, daß dadurch die dünne Isolierauflage durchbrochen wird, woraufhin ein Strom solcher Stärke fließt, daß Nadelelektrode und Halbleiteroberfläche miteinander verschweißt werden, wodurch an der Nadelelektrode ein pn-übergang erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter Silizium verwendet wird und die Isolierauflage durch Oxydieren der Siliziumoberfläche, und zwar bis zum Sichtbarwerden einer -blauen Lage auf der Oberfläche, erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Silizium vom negativen Leitfähigkeitstypus und in der Spitze der Nadelelektrode als Verunreinigungsmaterial ein Element der Gruppe III des Periodischen Systems verwendet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß an der Spitze der Nadelelektrode Aluminiumbronze oder indiumüberzogenes Kupfer verwendet wird.
5. Verfahren nach jedem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die blaue Oxydauflage auf der Halbleiteroberfläche durch das Hindurchleiten eines Wechselstroms durch ein Elektrolytbad, welches aus einer Oxallösung besteht, aufgebaut wird und eine der Elektroden vom Siliziumkörper gebildet wird.
6. Verfahren nach jedem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß Silizium mit einem spezifischen Widerstand von weniger als 5 Ohm -cm verwendet und der formierende Impuls in Flußrichtung angelegt wird.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Nadelelektrode gleichzeitig mit und dicht bei der ersten Nadelelektrode angeordnet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Schweizerische Patentschriften Nr. 262415,
779;
USA.-Patentschrift Nr. 2 469 569;
Das Elektron, Bd. 5, 1951/52, Heft 13/14, S. 438.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© «DJ 678/294 11.5Ä
DEN10355A 1954-03-18 1955-03-16 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Behandlung der Halbleiteroberflaeche und aufgesetzter Nadelelektrode Pending DE1043513B (de)

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DE (1) DE1043513B (de)
FR (1) FR1125496A (de)
GB (1) GB769702A (de)

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Also Published As

Publication number Publication date
FR1125496A (fr) 1956-10-31
BE536485A (de)
GB769702A (en) 1957-03-13

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