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DE10260937A1 - Strahlungssemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Strahlungssemittierender Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

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DE10260937A1
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DE
Germany
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quantum
semiconductor body
buffer layer
areas
radiation
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DE10260937A
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English (en)
Inventor
Sandra Lahmann
Frank Hitzel
Andreas Prof.-Dr. Hangleiter
Uwe Dr. Rossow
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Technische Universitaet Braunschweig
Original Assignee
Technische Universitaet Braunschweig
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Publication date
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Priority to PCT/DE2003/004241 priority patent/WO2004057680A1/de
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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper, der eine Pufferschicht (1) mit einer Haupterstreckungsebene (2) und einer Oberfläche (3), die in lateraler Richtung in Normalbereiche (N) und Defektbereiche (D) unterteilt ist, wobei in den Defektbereichen (D) das darunterliegende Kristallgefüge (12) Defekte aufweist, enthält. Die Oberfläche (3) der Pufferschicht (1) ist in den Normalbereichen (N) parallel zur Haupterstreckungsebene (2) ausgebildet und in den Defektbereichen (D) in schräg zur Haupterstreckungsebene (2) angeordnete Facetten (4a, 4b) unterteilt. Auf die Oberfläche (3) der Pufferschicht ist mindestens ein Quantenfilm (5) mit einer Bandlücke, die in den Defektbereichen (D) größer ist als in den Normalberiechen (N), aufgebracht. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein Herstellungsverfahren für einen entsprechenden Halbleiterkörper.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, ein Herstellungsverfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 8 sowie ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement.
  • Gattungsgemäße Halbleiterkörper weisen oftmals eine sogenannte Heteroschichtstruktur aus unterschiedlichen, in der Regel verwandten Halbleitermaterialien auf. Zur Herstellung derartiger Halbleiterkörper dienen bevorzugt Epitaxieverfahren, bei denen die einzelnen Schichten des Halbleiterkörpers auf ein geeignetes Substrat nacheinander aufgewachsen werden. Im Hinblick auf eine hohe kristalline Qualität der Halbleiterschichten ist es hierbei wesentlich, daß das Kristallgitter des Substrats an das Kristallgitter der auf zuwachsenden Halbleiterschichten möglichst gut angepaßt ist bzw. die sogenannte Gitterfehlanpassung so gering wie möglich gehalten wird. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, daß als Substrat ein Halbleitervolumenkristall aus dem Material der darauf auf zuwachsenden Schicht verwendet wird.
  • Allerdings stehen bei gewissen Halbleitermaterialsystemen derartige Halbleitervolumenkristalle derzeit nicht zur Verfügung oder sind nur mit großem technischem Aufwand herstellbar, so daß sogenannte Fremdsubstrate aus einem anderen Halbleitermaterial herangezogen werden.
  • Bei manchen Halbleitermaterialsystemen, insbesondere Nitridverbindungshalbleitern, weisen die verwendbaren Fremdsubstrate eine vergleichsweise große Gitterfehlanpassung auf. Dies führt bei den hierauf aufgewachsenen Halbleiterschichten zu einer relativ großen Zahl von Defekten in Form von Fehlanpassungs-Versetzungen. Diese Defekte können als nichtstrahlende Rekombinationszentren wirken, an denen Ladungsträger strahlungslos rekombinieren. Bei strahlungserzeugenden Halbleiterkörpern führt dies zu einer unerwünschten Minderung der interne Quanteneffizienz.
  • Insbesondere Nitridverbindungshalbleiter wie GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN, die auf SiC- oder Saphirsubstrate aufgewachsen werden, weisen eine hohe Zahl von Defekten auf.
  • Zwar ist bekannt, daß experimentell mit InGaN-basierenden Quantenfilmen eine interne Quanteneffizienz von bis zu 50% erreicht wurde. Die Herstellung solcher Quantenfilme erfordert jedoch oftmals einen hohen apparativen Aufwand sowie eine speziell angepaßte Prozeßführung, die in der Regel nur empirisch aufgefunden werden kann. Hinzu kommt, daß bei Indium-freien Halbleiterkörpern auf der Basis von GaN bzw. AlGaN nur eine erheblich geringere Quantenausbeute bis zu etwa 1% erreicht wird.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper der genannten Art, insbesondere auf der Basis von Nitridverbindungshalbleitern, mit einer möglichst hohen internen Quanteneffizienz zu schaffen. Weiterhin soll ein Herstellungsverfahren hierfür angegeben werden.
  • Diese Aufgabe wird durch einen Halbleiterkörper mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 sowie ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 8 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Der Erfindung liegt der Gedanke zugrunde, einen Halbleiterkörper mit mindestens einem Quantenfilm zu bilden, wobei die Oberfläche, auf die der Quantenfilm aufgebracht ist, in Abhängigkeit der Defekte im Kristallgefüge derart strukturiert ist, daß der Quantenfilm in der Umgebung von Defekten eine höhere effektive Bandlücke aufweist als in einer defektfreien Umgebung. Dies kann gezielt durch die Einstellung der Prozeßparameter bei der Epitaxie erreicht werden.
  • Im Betrieb sammeln sich die in den Halbleiterkörper injizierten Ladungsträger vermehrt in den Minima der Bandlücke und damit in defektfreien Bereichen, so daß vorteilhafterweise eine Strahlungserzeugung in der unmittelbaren Nähe von Defekten, die als nichtstrahlende Rekombinationszentren die interne Quanteneffizienz mindern können, vermieden wird. Insgesamt wird damit die interne Quanteneffizienz deutlich erhöht.
  • Erfindungsgemäß ist ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper vorgesehen, der eine Pufferschicht mit einer Haupterstreckungsebene enthält. Die Oberfläche der Pufferschicht ist dabei in lateraler Richtung in Normalbereiche und Defektbereiche unterteilt, wobei in den Defektbereichen das darunterliegenden Kristallgefüge Defekte aufweist. In den Normalbereichen ist die Oberfläche der Pufferschicht parallel zur Haupterstreckungsebene ausgebildet, während sie in den Defektbereichen Facetten aufweist, die schräg zur Haupterstreckungsebene angeordnet sind. Auf die Oberfläche der Pufferschicht ist mindestens ein Quantenfilm, vorzugsweise eine Mehrzahl von Quantenfilmen aufgebracht, dessen bzw. deren Bandlücke in den Defektbereichen größer ist als in den Normalbereichen der Oberfläche. Hierdurch wird vorteilhafterweise eine deutliche Erhöhung der internen Quanteneffizienz erreicht.
  • Unter Defekten sind bei der Erfindung vor allem Versetzungslinien zu verstehen, die entlang der Wachstumsrichtung der jeweiligen Schicht verlaufen. Den zugehörigen Defektbereich stellt insbesondere die durch die schrägstehenden Facetten gekennzeichnete Oberfläche der Pufferschicht dar.
  • Bevorzugt sind die Quantenfilme so ausgebildet, daß sie in den Defektbereichen eine geringere Dicke als in den Normalbereichen aufweisen. Mit abnehmender Dicke steigt in den Quantenfilmen die effektive Bandlücke, so daß damit die effektive Bandlücke in den Defektbereichen gegenüber den Normalbereichen erhöht wird.
  • Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist die Pufferschicht aus zwei oder mehr Einzelschichten zusammengesetzt. Vorzugsweise ist eine planare Basisschicht mit Hauptflächen, die im wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene sind, vorgesehen, an die sich der weitere Teil der Pufferschicht mit der beschriebenen, in Normal- und Defektbereiche unterteilten Oberfläche anschließt. Mittels der planaren Basisschicht wird zunächst eine möglichst gleichmäßige, ebene und definierte Oberfläche für die Abscheidung weiterer Schichten ausgebildet.
  • Die Erfindung eignet sich insbesondere für Halbleiterkörper auf der Basis von Nitridverbindungshalbleitern. So wurde insbesondere für GaInN/GaN-Quantenfilmstrukturen eine deutliche Steigerung der internen Quanteneffizienz erreicht.
  • Im Rahmen der Erfindung kann der Halbleiterkörper selbstverständlich auch noch weitere Schichten, wie beispielsweise eine p-leitende und eine n-leitende Schicht zur Bildung eines pn-Übergangs, in den die Quantenfilme eingebettet sind, Wellenleiterschichten, Mantelschichten, Kontaktschichten und/oder weitere Pufferschichten aufweisen.
  • Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers ist im Rahmen der Erfindung vorgesehen, in einem ersten Schritt ein Aufwachssubstrat bereitzustellen, auf das in einem zweiten Schritt die Pufferschicht epitaktisch aufgewachsen wird. Dabei werden die Prozeßparameter wie beispielsweise Druck, Temperatur, Mischungsverhältnis der Ausgangsmaterialien, Trägergaszusammensetzung und -flußrate sowie Gesamtflußrate so gewählt, daß Defekte im Kristallgefüge zur Ausbildung der Facetten führen und die Pufferschicht ansonsten mit einer planaren Oberfläche aufwächst. In einem dritten Schritt werden die Quantenfilme aufgewachsen, wobei in diesem Schritt die Prozeßparameter wie beispielsweise Druck, Temperatur, Mischungsverhältnis der Ausgangsmaterialien, Trägergaszusammensetzung und -flußrate sowie Gesamtflußrate so gewählt werden, daß die effektive Bandlücke der Quantenfilme in den Defektbereichen größer als in den Normalbereichen ist.
  • Als Aufwachssubstrate eignen sich bei Nitridverbindungshalbleitern beispielsweise SiC- oder Saphirsubstrate. Selbstverständlich können im Rahmen der Erfindung auch andere Substrate verwendet werden, die gegebenenfalls mehrschichtig gebildet sein können und/oder ihrerseits wiederum Epitaxieschichten aufweisen. Zum Beispiel können auch Siliziumsubstrate oder GaN-Substrate, etwa in Form sogenannter "GaN-Templates" mit reduzierter Defektdichte, als Aufwachssubstrat verwendet werden.
  • Vorzugsweise wird in dem zweiten Schritt zunächst eine Basisschicht aufgewachsen. Damit kann vorteilhafterweise eine planare Schicht, deren Hauptflächen parallel zur Haupterstreckungsebene der Pufferschicht angeordnet sind, ausgebildet werden, die als wohldefinierte Grundlage für das weitere Epitaxieverfahren dient.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens wird nach dem Aufwachsen der Basisschicht zur Ausbildung der Facetten in den Defektbereichen die Temperatur reduziert. Eine Absenkung der Temperatur ist in der Regel ohne weiteres möglich, so daß die Ausbildung der Facetten auf diese Art und Weise keinen besonderen technischen Aufwand mit sich bringt.
  • Wie bereits beschrieben ist es bei der Erfindung vorteilhaft, die Quantenfilme so aufzuwachsen, daß deren Dicke in den Defektbereichen kleiner als in den Normalbereichen ist. Insbesondere sollen die Quantenfilme so gebildet werden, daß ihre Dicke auf den schräg zur Haupterstreckungsebene angeordneten Facetten kleiner ist als auf den zur Haupterstreckungsebene parallelen Oberflächenbereichen.
  • Vorzugsweise wird hierzu das Verhältnis der Wachstumsrate senkrecht zur Oberfläche zur Wachstumsrate parallel zur Oberfläche erhöht, bis die Quantenfilme mit den beschriebenen unterschiedlichen Dicken aufwachsen. Im allgemeinen wird dieses Wachstumsratenverhältnis mit sinkender Aufwachstemperatur größer.
  • Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung werden daher die Quantenfilme bei einer ähnlichen oder auch derselben reduzierten Temperatur wie die Pufferschicht nach Ausbildung der Basisschicht aufgewachsen.
  • Im Rahmen der Erfindung sind weiterhin strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente mit mindestens einem erfindungsgemäßen Halbleiterkörper vorgesehen. Derartige Halbleiterbauelemente können insbesondere als Lichtemissiondiode, beispielsweise als Leuchtdiode oder Laserdiode, ausgebildet sein.
  • Weitere Merkmale, Vorzüge und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus den nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 5.
  • Es zeigen
  • 1 eine schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers,
  • 2 eine schematische Aufsicht des ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers,
  • 3 eine schematische perspektivische Aufsicht eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers,
  • 4a,b,c eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens anhand von drei Zwischenschritten,
  • 5 eine schematische graphische Darstellung der internen Quanteneffizienz in Abhängigkeit von der Temperatur bei einem dritten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers und
  • 6 eine 5 entsprechende Darstellung für einen Halbleiterkörper nach dem Stand der Technik.
  • Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Das in 1 im Schnitt gezeigte erste Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterkörpers weist eine Pufferschicht 1 auf, der eine zur Schichtebene parallele Haupterstreckungsebene 2 zugeordnet ist.
  • Die Pufferschicht ist in lateraler Richtung in Normalbereiche N und Defektbereiche D unterteilt. In den Normalbereichen N ist die Oberfläche 3 der Pufferschicht 1 parallel zur Haupterstreckungsebene 2 ausgebildet. In den Defektbereichen D hingegen ist die Oberfläche 3 der Pufferschicht in mehrere Facetten 4 aufgeteilt, die jeweils schräg zu der Haupterstreckungsebene 2 angeordnet sind. Die Ausbildung der Facetten 4 ist dabei durch Defekte 12 wie beispielsweise in Wachstumsrichtung verlaufende Versetzungslinien im Kristallgefüge, die insbesondere beim Aufwachsen auf ein Substrat (nicht dargestellt) mit hoher Gitterfehlanpassung entstehen können, verursacht.
  • Eine derartige Strukturierung der Pufferschicht wird vorzugsweise durch eine entsprechende Wahl der Aufwachsraten bei der Herstellung des Halbleiterkörpers bewirkt. Grundsätzlich hängen beim epitaktischen Wachstum die Aufwachsraten von den Prozeßparametern ab. Bei der Gasphasenepitaxie sind hierfür beispielsweise Druck, Temperatur, Flußraten und Mengenverhältnis der Prozeßgase, Art und Flußrate des Trägergases sowie die Gesamtflußrate maßgeblich. Je nach Einstellung dieser Parameter tritt verstärkt vertikales, auch als "dreidimensional" bezeichnetes Wachstum in Richtung der Oberflächennormale oder laterales, auch als "zweidimensional" bezeichnetes Wachstum auf.
  • Entsprechend der Art des Wachstums bilden sich Flächen mit der jeweils geringsten Wachstumsrate, wobei vertikales Wachstum zu Oberflächen mit schrägen Facetten und laterales Wachstum zu geschlossenen, ebenen Oberflächen führt.
  • Defekte im Kristallgefüge wie beispielsweise Versetzungen führen insbesondere bei dreidimensionalem Wachstum an dem Ort, an dem die Defekte die Oberfläche durchstoßen, zu einer verringerten Anlagerung von Atomen des abzuscheidenden Materials, so daß sich dadurch in der Umgebung der Defekte eine durch schräge Facetten gekennzeichnete Oberfläche herausbildet.
  • Auf diese Weise wird eine Oberfläche mit schräg zur Haupterstreckungsrichtung angeordneten Facetten in den Defektbereichen mit Defekten im darunterliegenden Kristallgefüge ausgebildet, während die defektärmeren oder defektfreien Normalbereiche eine ebene Oberfläche parallel zur Haupterstreckungsebene aufweisen.
  • Auf die Pufferschicht ist eine Mehrzahl von Quantenfilmen aufgebracht, die im Betrieb der Strahlungserzeugung dienen. Die Quantenfilme sind so gebildet, daß ihre effektive Bandlücke im Bereich der Defektbereiche größer ist als in den Normalbereichen.
  • Vorzugsweise sind dazu die Quantenfilme so geformt, daß ihre Dicke in den Defektbereichen geringer ist als in den Normalbereichen. Aufgrund der Quantisierung der Energiezustände in den Quantenfilmen wächst die effektive Bandlücke mit abnehmender Dicke der Quantenfilme.
  • Eine weitere Möglichkeit zu Modifizierung der effektiven Bandlücke besteht beispielsweise darin, die Zusammensetzung der Quantenfilme in lateraler Richtung entsprechend der Zugehörigkeit zu Normal- oder Defektbereichen zu variieren. Dies kann durch unterschiedliche Aufwachsraten für die verwendeten Materialien auf die ebenen Oberflächen in den Normalbereichen einerseits und die schrägstehenden Facetten in den Defektbereichen andererseits erreicht werden. Bei Nitridverbindungshalbleitern auf InAlGaN-Basis können so in den Normalbereichen Indium-reichere und in den Defektbereichen Indium-ärmere Regionen der Quantenschichten entstehen. Dies resultiert ebenfalls in einer Erhöhung der effektiven Bandlücke in den Defektbereichen gegenüber den Normalbereichen.
  • Weiterhin kann die effektive Bandlücke durch Verspannungen in den Quantenfilmen beeinflußt werden. Derartige Verspannungen entstehen unter anderem beim epitaktischen Aufwachsen von Schichten mit unterschiedlicher Gitterkonstante. Aufgrund des piezoelektrischen Effekts können solche Verspannungen zu elektrischen Feldern führen, die die effektive Bandlücke verändern. Entsprechend können die verschiedenen Aufwachsbedingungen in den Normalbereichen und in den Defektbereichen unterschiedliche Verspannungen hervorrufen, die in der Folge eine geringere effektive Bandlücke der Quantenfilme in den Normalbereichen gegenüber den Defektbereichen bewirken. Dabei ist es nicht zwingend erforderlich, daß sich zugleich Dicke oder Zusammensetzung der Quantenfilme in den Normalbereichen von der Dicke oder Zusammensetzung in den Defektbereichen unterscheiden.
  • Durch die Verringerung der effektiven Bandlücke in den Normalbereichen gegenüber den Defektbereichen stellen die Normalbereiche für die im Betrieb in den Halbleiterkörper injizierten Ladungsträger Potentialminima dar, in denen sich die Ladungsträger bevorzugt sammeln. Dadurch wird eine Strahlungserzeugung in der Nähe von Defekten, die als nichtstrahlende Rekombinationszentren wirken und so die interne Quanteneffizienz reduzieren können, verringert und in der Folge die interne Quanteneffizienz insgesamt erhöht.
  • In 2 ist eine Aufsicht auf den Halbleiterkörper des ersten Ausführungsbeispiels gezeigt. Die in den Defektbereichen D aneinanderstoßenden Facetten 4 bilden pyramidenförmige Vertiefungen. Bei Halbleiterkörpern auf der Basis von Nitridverbindungshalbleitern entstehen dabei wie dargestellt in der Regel hexagonale Vertiefungen (Pits). Die zugehörigen Defekte werden aufgrund der V-Form der Vertiefungen im Schnitt (vgl. 1) auch als "V-Defekte" bezeichnet.
  • Bei der Erfindung weisen die Quantenfilme innerhalb dieser Vertiefungen – vorzugsweise aufgrund einer reduzierten Dicke der Quantenfilme – eine höhere effektive Bandlücke als in den angrenzenden planaren Bereichen auf. Die im Betrieb injizierten Ladungsträger sammeln sich bevorzugt in Bereichen niedrigerer Energie außerhalb der Vertiefungen bzw. der Defektbereiche.
  • In 3 ist eine schematische dreidimensionale Ansicht der Pufferschicht dargestellt, die mittels eines Rasterkraftmikroskops erzeugt wurde. Die Darstellung ist nicht maßstabsgetreu und insbesondere in z-Richtung zur Verdeutlichung stark übertrieben.
  • Aufgrund einer höheren Zahl an Defekten im Vergleich zu dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Oberfläche nicht nur einzelne hexagonale Vertiefungen, sondern auch furchenartig verlaufende Strukturen auf, die den Defekten und ihrem Verlauf zugeordnet sind. An der xz-Schnittfläche 8 und der yz-Schnittfläche 9 sind V-förmige Einschnitte 10 entsprechend der Schnittansicht in 1 zu erkennen.
  • In 4 ist schematisch ein erfindungsgemäßes Herstellungsverfahren anhand von drei Zwischenschritten gezeigt. Zunächst wird als Teil der Pufferschicht 1 eine planare Basisschicht 6 auf ein Aufwachssubstrat (nicht dargestellt) aufgewachsen, 4a. Die Hauptflächen 7a, 7b der Basisschicht 6 sind parallel zu einer zugeordneten Haupterstreckungsebene 2. Dabei können Defekte 12, insbesondere Versetzungen, entstehen, die in Form von Versetzungslinien entlang der Wachstumsrichtung der Basisschicht verlaufen.
  • In nächsten Schritt, 4b, werden die Prozeßparameter so modifiziert, daß die Oberfläche 3 der Pufferschicht 1 in der Umgebung der Defekte, also den Defektbereichen D, schräg zur Haupterstreckungsebene 2 angeordnete Facetten 4 bildet. Dazu wird vorzugsweise die Wachstumsrate für dreidimensionales Wachstum gegenüber der Wachstumsrate für zweidimensionales Wachstum erhöht. Dies kann zum Beispiel durch eine Reduzierung der Temperatur erfolgen. Unmittelbar am Ort der durchstoßenden Versetzungen 12 kommt es zu einer verringerten Anlagerung von Atomen des abzuscheidenden Materials für die Pufferschicht, so daß sich in der Umgebung dieser Versetzungen 12, den Defektbereichen, eine durch schräge Facetten 4 gekennzeichnete Oberfläche herausbildet.
  • Nachfolgend werden auf diese korrugierte Pufferschicht 1 die Quantenfilme 5 derart aufgewachsen, daß die effektive Bandlücke wie bereits beschrieben in den Normalbereichen N geringer als in den Defektbereichen D ist, 4c. Letzteres kann beispielsweise dadurch erreicht werden, daß die Quantenfilme bei einer ähnlichen reduzierten Temperatur wie die Pufferschicht im zweiten Schritt aufgewachsen werden.
  • In 5 ist schematisch die Temperaturabhängigkeit der interne Quanteneffizienz bei einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel dargestellt. Aufgetragen ist die interne Quanteneffizienz q in Abhängigkeit der Temperatur T des Halbleiterkörpers für verschiedene optische Pumpleistungen.
  • Die Messungen wurden an einem Halbleiterkörper mit einer Mehrzahl von GaInN- und GaN-Quantenfilmen in Form einer GaInN/GaN-Struktur-MQW-Struktur (Multiple Quantum Well Structure) durchgeführt. Die Emissionswellenlänge betrug 410 nm.
  • Aus dem Verlauf der Temperaturabhängigkeit kann für tiefe Temperaturen ein asymptotischer Maximalwert bestimmt werden, der einer Quanteneffizienz von 100% entspricht. Dies ermöglicht eine Normierung der Abszisse.
  • Die untere Kurve 11a wurde bei einer optischen Pumpleistung von 1 mW, die mittlere Kurve 11b bei 5mW und die obere Kurve 11c bei 17 mW Pumpleistung gemessen. Wie die oberen Kurve 11c zeigt, beträgt bei dem erfindungsgemäße Ausführungsbeispiel die interne Quanteneffizienz bei Raumtemperatur 46%.
  • In 6 ist zum Vergleich ein entsprechender Temperaturverlauf der Quanteneffizienz q bei einem Halbleiterkörper nach dem Stand der Technik dargestellt. Die Struktur der Quantenfilme entspricht dem 5 zugrundeliegenden Ausführungsbeispiel, die Leistungsaufnahmen und sonstigen Meßparameter sind gleich.
  • Gegenüber dem in 5 gezeigten Temperaturverlauf ist bei dem Halbleiterkörper nach dem Stand der Technik mit steigender Temperatur eine wesentlich stärkere Abnahme der internen Quanteneffizienz zu erkennen. Bei Raumtemperatur beträgt die interne Quanteneffizienz maximal 4,8%. Die Erfindung ermöglicht somit eine deutliche Steigerung der internen Quanteneffizienz um nahezu eine Größenordnung.
  • Die Erläuterung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele und Figuren ist nicht als Beschränkung der Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, zu verstehen.

Claims (17)

  1. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper, enthaltend eine Pufferschicht (1) mit einer Haupterstreckungsebene (2) und einer Oberfläche (3), die in lateraler Richtung in Normalbereiche (N) und Defektbereiche (D) unterteilt ist, wobei in den Defektbereichen (D) das darunterliegenden Kristallgefüge (12) Defekte aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche (3) in den Normalbereichen (N) parallel zur Haupterstreckungsebene (2) ausgebildet und in den Defektbereichen (D) in schräg zur Haupterstreckungsebene (2) angeordnete Facetten (4a,4b) unterteilt ist, und auf die Oberfläche (3) der Pufferschicht mindestens ein Quantenfilm (5) aufgebracht ist mit einer Bandlücke, die in den Defektbereichen (D) größer ist als in den Normalbereichen (N) der Oberfläche (3).
  2. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Pufferschicht eine Mehrzahl von Quantenfilmen (5) aufgebracht ist, deren Bandlücke jeweils in den Defektbereichen (D) größer ist als in den Normalbereichen (N) der Oberfläche (3).
  3. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Quantenfilms (5) bzw. der Quantenfilme (5) in den Defektbereichen (D), insbesondere auf den Facetten (4), geringer als in den Normalbereichen (N) ist.
  4. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht (1) eine Basisschicht (6) mit Hauptflächen (7a,7b), die parallel zur Haupterstreckungsebene (2) sind, enthält.
  5. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht (1) und/oder der Quantenfilm (5) bzw. die Quantenfilme (5) einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.
  6. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Nitridverbindungshalbleiter Nitridverbindungen der dritten und/oder fünften Hauptgruppe, insbesondere GaN, InN, AlN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN enthält.
  7. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper eine p-leitende und ein n-leitende Schicht aufweist und der Quantenfilm (5) bzw. die Quantenfilme (5) zwischen der n-leitenden und der p-leitenden Schicht angeordnet sind.
  8. Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper, enthaltend eine Pufferschicht (1) mit einer Haupterstreckungsebene (2) und einer Oberfläche (3), die in lateraler Richtung in Normalbereiche (N) und Defektbereiche (D) unterteilt ist, wobei in den Defektbereichen (D) das darunterliegende Kristallgefüge Defekte (12) aufweist, und die Oberfläche (3) in den Normalbereichen (N) parallel zur Haupterstreckungsebene (2) ausgebildet und in den Defektbereichen (D) in schräg zur Haupterstreckungsebene (2) angeordnete Facetten (4a,4b) unterteilt ist, und wobei auf die Oberfläche (3) der Pufferschicht (4a,4b) ein Quantenfilm (5) oder mehrere Quantenfilme (5) aufgebracht sind, hergestellt wird mit den Schritten a) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats b) Epitaktisches Aufwachsen der Pufferschicht (1), wobei die Prozeßparameter, insbesondere Druck, Temperatur, Mischungsverhältnis der Ausgangsmaterialien, Trägergaszusammensetzung und -flußrate und/oder die Gesamtflußrate so gewählt werden, daß Defekte (12) im Kristallgefüge zur Ausbildung der Facetten (4a,4b) führen, c) Epitaktisches Aufwachsen des Quantenfilms (5) bzw. der Quantenfilme (5), wobei die Prozeßparameter, insbesondere Druck, Temperatur, Mischungsverhältnis der Ausgangsmaterialien, Trägergaszusammensetzung und -flußrate und/oder die Gesamtflußrate so gewählt sind, daß die effekive Bandlücke des Quantenfilms (5) bzw. der Quantenfilme (5) in den Defektbereichen (D) größer ist als in den Normalbereichen (N) .
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in Schritt b) zunächst eine Basisschicht (6) und nachfolgend ein weiterer Teil der Pufferschicht (1) aufgewachsen wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufwachsen der Basissschicht (2) zur Ausbildung der Facetten (4) in der Oberfläche (3) der Pufferschicht (1) die Temperatur reduziert wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß in Schritt c) der Quantenfilm (5) bzw. die Quantenfilme (5) bei einer gegenüber der Aufwachstemperatur der Basisschicht (6) reduzierten Temperatur aufgewachsen werden.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß daß in Schritt c) das Verhältnis der Wachstumsrate senkrecht zur Haupterstreckungsebene zur Wachstumsrate parallel zur Haupterstreckungsebene so weit erhöht wird, daß die Dicke des Quantenfilms (5) bzw. der Quantenfilme (5) in den Defektbereichen (D) geringer ist als in den Normalbereichen (N).
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht (1) und/oder der Quantenfilm bzw. die Quantenfilme (5a, 5b, 5c) einen Nitridverbindungshalbleiter enthalten.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Nitridverbindungshalbleiter Nitridverbindungen der dritten und/oder fünften Hauptgruppe, insbesondere GaN, InN, AlN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN enthält.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufwachssubstrat ein SiC-Substrat, ein Saphirsubstrat, ein Siliziumsubstrat oder ein GaN-Substrat, beispielsweise ein GaN-Template, ist.
  16. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, daß es einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 6 oder einen nach einem der Ansprüche 1 bis 14 hergestellten Halbleiterkörper enthält.
  17. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Lichtemissionsdiode, insbesondere eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode ist.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005056604A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US7355210B2 (en) 2004-03-24 2008-04-08 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting element
US7385226B2 (en) 2004-03-24 2008-06-10 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102011012925A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013103601A1 (de) * 2013-04-10 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9461202B2 (en) 2005-06-21 2016-10-04 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
US10529895B2 (en) 2005-02-21 2020-01-07 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7446345B2 (en) 2005-04-29 2008-11-04 Cree, Inc. Light emitting devices with active layers that extend into opened pits
JP5018037B2 (ja) * 2005-12-28 2012-09-05 三菱化学株式会社 ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法
RU2494498C2 (ru) * 2011-02-24 2013-09-27 Юрий Георгиевич Шретер Светоизлучающее полупроводниковое устройство
JP2016063175A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220169A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
WO2002065556A1 (en) * 2001-02-15 2002-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and production therefor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2327145A (en) * 1997-07-10 1999-01-13 Sharp Kk Graded layers in an optoelectronic semiconductor device
EP1071143A4 (de) * 1997-12-08 2004-06-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd LICHTEMITTIERENDE VORRICHTUNG AUF GaN BASIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GaN KRISTALLS
US6566231B2 (en) * 2000-02-24 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing high performance semiconductor device with reduced lattice defects in the active region
JP3909811B2 (ja) * 2001-06-12 2007-04-25 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220169A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
WO2002065556A1 (en) * 2001-02-15 2002-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and production therefor

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I.-H. Kim et al.: Formation of V-shaped pits in InGaN/GaN multiquantum wells and bulk InGaN films, in: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 73, No. 12 (1998), S. 1634-1636
I.-H. Kim et al.: Formation of V-shaped pits in InGaN/GaN multiquantum wells and bulk InGaN films,in: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, Vol. 73, No. 12 (1998), S. 1634-1636 *
Y. Chen et al.: Pit formation in GalnN quantum wells, in: Applied Physics Letters, ISSN 0003- 6951, Vol. 72, No. 6 (1998), S. 710-712 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7355210B2 (en) 2004-03-24 2008-04-08 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting element
US7385226B2 (en) 2004-03-24 2008-06-10 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102005013580B4 (de) * 2004-03-24 2018-10-04 Epistar Corp. Licht emittierendes Element
US10529895B2 (en) 2005-02-21 2020-01-07 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device
US9461202B2 (en) 2005-06-21 2016-10-04 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
DE102005056604A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102011012925A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013103601A1 (de) * 2013-04-10 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9620673B2 (en) 2013-04-10 2017-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

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