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DE102013109031B4 - Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips Download PDF

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DE102013109031B4
DE102013109031B4 DE102013109031.1A DE102013109031A DE102013109031B4 DE 102013109031 B4 DE102013109031 B4 DE 102013109031B4 DE 102013109031 A DE102013109031 A DE 102013109031A DE 102013109031 B4 DE102013109031 B4 DE 102013109031B4
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Ion Stoll
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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den Schritten:
- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einem Pixelbereich (2), der mindestens zwei verschiedene Subpixelbereiche (3) aufweist,
- Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (18) auf die Strahlungsaustrittsfläche (9) zumindest eines Subpixelbereichs (3), wobei die elektrisch leitende Schicht (18) dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden,
- Abscheiden einer Konversionsschicht (19, 19') auf der elektrisch leitenden Schicht (18) durch einen Elektrophoreseprozess.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
  • Insbesondere wird bei dem Verfahren eine Konversionsschicht elektrophoretisch auf einem Halbleiterkörper abgeschieden. Ein Verfahren zur Aufbringung einer Konversionsschicht ist beispielsweise in der Druckschrift BELTON,C.R. et al.: New light from hybrid inorganic-organic emitters. In: J.Phys. D.: Appl. Phys., Vol. 41, Nr.9, 2008 , S.1-12 beschrieben.
  • In der nachveröffentlichten Druckschrift DE 10 2012 106 859 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen Displays angegeben.
  • In der Druckschrift DE 10 2011 111 980 A1 sind ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und eine Leuchtdiode angegeben.
  • Vorliegend soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem es möglich ist, eine Konversionsschicht auf vergleichsweise kleine Subpixelbereiche zur Erzeugung verschiedener Farben aufzubringen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungen des Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips wird ein Halbleiterkörper mit einem Pixelbereich bereitgestellt. Der Pixelbereich weist mindestens zwei verschiedene Subpixelbereiche auf. Bevorzugt sind die Subpixelbereiche elektrisch isoliert voneinander ausgebildet. Jeder Subpixelbereich weist bevorzugt eine aktive Schicht auf, die dazu geeignet ist, im Betrieb des Halbleiterkörpers elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden. Besonders bevorzugt weist der erste Wellenlängenbereich blaues Licht auf oder ist aus blauem Licht gebildet.
  • Die Subpixelbereiche weisen beispielsweise eine Seitenlänge von höchstens 150 Mikrometer auf. Die Subpixelbereiche können beispielsweise durch Gräben voneinander getrennt sein. Beispielsweise sind die Subpixelbereiche voneinander in einem Abstand angeordnet. Beispielsweise weist der Abstand zwischen zwei direkt benachbarten Subpixelbereichen einen Wert auf, der nicht größer ist als 10 Mikrometer.
  • Weiterhin wird auf die Strahlungsaustrittsfläche zumindest eines Subpixelbereiches eine elektrisch leitende Schicht aufgebracht. Die elektrisch leitende Schicht ist dazu geeignet, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden.
  • Besonders bevorzugt weist die elektrisch leitende Schicht ein Metall, eine Metalllegierung, ein Halbmetall oder ein Halbleitermaterial auf oder ist aus einem Metall, einem Halbmetall oder einem Halbleitermaterial gebildet. Beispielsweise weist die elektrisch leitende Schicht eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Cäsium, Beryllium, Calcium, Magnesium, Strontium, Barium, Scandium, Titan, Aluminium, Silizium, Gallium, Zinn, Zirkonium, Zinkoxid, Zinksulfid, Zinkselenid, Zinktellurid, Zinnoxid.
  • Die elektrisch leitende Schicht weist besonders bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 20 Mikrometer auf. Beispielsweise weist die elektrisch leitende Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 300 Nanometer auf. Besonders bevorzugt weist die elektrisch leitende Schicht eine Dicke zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer auf.
  • Bevorzugt weist die elektrische Schicht eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 1 Siemens/Meter auf. Die Leitfähigkeit der elektrisch leitenden Schicht kann auch durch eine Dotierung erhöht werden. Eine derartige elektrische Leitfähigkeit ermöglicht mit Vorteil einen ausreichenden Ladungstransport auch bei vergleichsweise dünnen elektrisch leitenden Schichten, die etwa eine Dicke zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 300 Nanometer oder zwischen einschließlich 20 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer aufweisen.
  • Die elektrisch leitende Schicht kann beispielsweise durch thermisches Aufdampfen oder Sputtern abgeschieden werden.
  • Auf der elektrisch leitenden Schicht wird durch einen Elektrophoreseprozess eine Konversionsschicht abgeschieden. Die Konversionsschicht ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Mit anderen Worten ist die Konversionsschicht wellenlängenkonvertierend ausgebildet.
  • Mit dem Begriff „wellenlängenkonvertierend“ ist vorliegend insbesondere gemeint, dass eingestrahlte elektromagnetische Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines anderen, bevorzugt längerwelligen, Wellenlängenbereichs umgewandelt wird. In der Regel absorbiert ein wellenlängenkonvertierendes Element elektromagnetische Strahlung eines eingestrahlten Wellenlängenbereiches, wandelt diese durch elektronische Vorgänge auf atomarer und/oder molekularer Ebene in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereiches um und sendet die umgewandelte elektromagnetische Strahlung wieder aus.
  • Die Konversionsschicht umfasst in der Regel Partikel eines Leuchtstoffs, die der Konversionsschicht die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften verleihen.
  • Für die Leuchtstoffpartikel ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone.
  • Besonders bevorzugt werden vergleichsweise kleine Leuchtstoffpartikel bei dem vorliegenden Verfahren verwendet, um die vergleichsweise kleinen Subpixelbereiche zu beschichten. Besonders bevorzugt übersteigt der Durchmesser der Leuchtstoffpartikel einen Wert von 5 Mikrometer nicht.
  • Bei einem Elektrophoreseprozess werden die aufzubringenden Partikel, beispielsweise des Leuchtstoffs, mittels eines elektrischen Feldes beschleunigt, sodass eine Schicht dieser Partikel auf einer bereitgestellten Oberfläche abgeschieden wird. In der Regel wird die zu beschichtende Oberfläche in einem Elektrophoresebad bereitgestellt, das die Partikel enthält, die dazu vorgesehen sind, die Konversionsschicht zu bilden. Bei dem Elektrophoreseprozess werden die Partikel lediglich auf den Teilen der Oberfläche abgeschieden, die elektrisch leitend ausgebildet ist. Abhängig von der elektrischen Leitfähigkeit dieser Bereiche findet in der Regel eine unterschiedliche Abscheidung der Partikel statt.
  • Eine Idee der vorliegenden Erfindung ist es, eine elektrisch leitende Schicht auf die zu beschichtende Oberfläche aufzubringen und so immer eine gleiche Oberfläche für die elektrophoretische Abscheidung bereitzustellen.
  • Ein Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretischen Schicht ist beispielsweise in der Druckschrift DE 10 2012 105 691 A1 beschrieben.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens ist die elektrisch leitende Schicht im Wesentlichen chemisch inert gegenüber einem organischen Lösungsmittel des Elektrophoresebads. Mit dem Begriff „chemisch inert“ ist hierbei gemeint, dass die elektrisch leitende Schicht keine wesentliche chemische Reaktion mit dem organischen Lösungsmittel eingeht, wobei in der Realität eine geringfügige chemische Reaktion zwischen zwei Materialien in der Regel nicht vollständig ausgeschlossen werden kann.
  • Beispielsweise enthält das Elektrophoresebad als organisches Lösungsmittel einen der folgenden Stoffe: Alkohol, Keton, Aromat, Aldehyd.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Leuchtstoffpartikel der Konversionsschicht, die mittels Elektrophorese erzeugt wird, nach dem Elektrophoreseverfahren durch ein Bindemittel fixiert. Bei dem Bindemittel kann es sich beispielsweise um ein Silikon oder ein Epoxid oder eine Mischung dieser Materialien handeln. Es können auch andere geeignete Materialien oder Beschichtungen als Bindemittel verwendet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist jeder Subpixelbereich eine Strahlungsaustrittsfläche auf, die elektrisch leitend ausgebildet ist. Beispielsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche jedes Subpixelbereiches hierbei durch eine transparente elektrisch leitende Schicht gebildet. Die transparente elektrisch leitende Schicht ist besonders bevorzugt durch ein TCO-Material („TCO“ für transparentes leitendes Oxid) gebildet oder weist ein TCO-Material auf.
  • Transparente leitende Oxide sind in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können weiterhin auch p- sowie n-dotiert sein.
  • Auf die Strahlungsaustrittsfläche zumindest eines Subpixelbereiches wird nun eine elektrisch leitende Schicht aufgebracht, wobei die Strahlungsaustrittsfläche eines weiteren Subpixelbereiches frei ist von der elektrisch leitenden Schicht.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird bei der elektrophoretischen Abscheidung der Konversionsschicht der Subpixelbereich, auf den die Konversionsschicht aufgebracht wird, unabhängig von den anderen Subpixelbereichen bestromt. Auf diese Art und Weise kann die Konversionsschicht lokal nur auf dem gerade bestromten Subpixelbereich aufgebracht werden, während die übrigen nicht mit Strom beaufschlagten Subpixelbereiche frei bleiben von der Konversionsschicht.
  • Sind die Subpixelbereiche zum Zeitpunkt des Abscheidens der Konversionsschicht einzeln bestrombar und ist ihre Strahlungsaustrittsfläche elektrisch leitend ausgebildet, so ist der Halbleiterkörper besonders einfach mit einer Konversionsschicht und insbesondere verschiedene Subpixelbereiche besonders einfach mit verschiedenen Konversionsschichten zu versehen.
  • Sind die Strahlungsaustrittsflächen jedes Subpixelbereiches elektrisch leitend ausgebildet und ist es nicht oder nur schwierig möglich, die Subpixelbereiche einzeln mit Strom zu beaufschlagen, so wird gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens die elektrisch leitende Schicht vollflächig auf die Vorderseite des Halbleiterkörpers aufgebracht. Auf die elektrisch leitende Schicht wird dann eine Fotolackschicht in mindestens einem Subpixelbereich aufgebracht, während die elektrisch leitende Schicht in einem weiteren Subpixelbereich frei zugänglich ist. Anschließend wird der Elektrophoreseprozess durchgeführt und die Konversionsschicht in der Regel vollflächig abgeschieden. Hier zu wird die elektrisch leitende Schicht bevorzugt jeweils seitlich elektrisch kontaktiert. Da die Fotolackschicht eine elektrisch isolierende Oberfläche aufweist, werden die Leuchtstoffpartikel bei dem Elektrophoreseprozess lediglich auf den Bereichen der elektrisch leitenden Schicht abgeschieden, die frei zugänglich sind. Nach Beendigung des Elektrophoreseprozesses wird die Fotolackschicht wieder entfernt.
  • Anschließend ist es möglich, erneut eine Fotolackschicht aufzubringen und hierbei die elektrisch leitende Schicht eines anderen Subpixelbereiches freizulassen. In einem nachfolgenden Elektrophoreseprozess wird dann eine weitere Konversionsschicht auf der frei zugänglichen elektrischen Schicht abgeschieden. Die weitere Konversionsschicht ist hierbei bevorzugt dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines vom ersten und zweiten Wellenlängenbereich verschiedenen dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die Oberfläche der Subpixelbereiche des Halbleiterkörpers zunächst durch eine Passivierungsschicht gebildet ist. Die Passivierungsschicht ist beispielsweise elektrisch isolierend ausgebildet und dazu vorgesehen, den Halbleiterkörper vor äußeren Einflüssen zu schützen. Beispielsweise ist die Passivierungsschicht aus einem Oxid oder einem Nitrid gebildet oder weist eines dieser Materialien auf. In der Regel ist die Passivierungsschicht vollflächig auf eine Vorderseite des Halbleiterkörpers aufgebracht. Die Vorderseite des Halbleiterkörpers umfasst hierbei die Strahlungsaustrittsflächen der Subpixelbereiche.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird durch Entfernen der Passivierungsschicht, die auf dem Subpixelbereich aufgebracht ist, eine elektrisch leitende Strahlungsaustrittsfläche erzeugt.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die Passivierungsschicht auf der Vorderseite des Halbleiterkörpers und damit auf den Strahlungsaustrittsflächen der Subpixelbereiche verbleibt. Bei dieser Ausführungsform des Verfahrens wird die elektrisch leitende Schicht vollflächig auf die Vorderseite des Halbleiterkörpers aufgebracht. In einem nächsten Schritt wird eine Fotolackschicht auf die elektrisch leitende Schicht in mindestens einem Subpixelbereich aufgebracht, während die elektrisch leitende Schicht in einem weiteren Subpixelbereich frei zugänglich ist.
  • Besonders bevorzugt wird eine vollflächig aufgebrachte elektrisch leitende Schicht während des Elektrophoreseprozesses seitlich elektrisch kontaktiert.
  • Wird ein Halbleiterkörper bereitgestellt, bei dem die Strahlungsaustrittsfläche jedes Subpixelbereichs durch eine Passivierungsschicht gebildet ist, so kann die Passivierungsschicht von der Strahlungsaustrittsfläche des Subpixelbereichs auch entfernt werden, so dass die Strahlungsaustrittsfläche elektrisch leitend ausgebildet wird, während die Passivierungsschicht auf der Strahlungsaustrittsfläche zumindest eines Subpixelbereiches erhalten bleibt. Auf die elektrisch leitende Strahlungsaustrittsfläche wird dann die elektrisch leitende Schicht aufgebracht, während die Strahlungsaustrittsflächen der Subpixelbereiche, die durch die Passivierung gebildet werden, frei bleiben von der elektrisch leitenden Schicht. Auf die elektrisch leitende Schicht wird dann mittels eines Elektrophoreseprozesses die Konversionsschicht aufgebracht.
  • Die Konversionsschicht wird hierbei nur auf die Bereiche aufgebracht, von denen zuvor die Passivierung entfernt wurde, die restliche Oberfläche bleibt frei von der Konversionsschicht, da diese nicht elektrisch leitend ausgebildet ist.
  • Bevorzugt werden bei dieser Ausführungsform des Verfahrens die in dem obigen Abschnitt beschriebenen Schritte zur Aufbringung einer weiteren Konversionsschicht auf einen weiteren Subpixelbereich wiederholt. Hierzu wird die Passivierungsschicht im Bereich der Strahlungsaustrittsfläche eines weiteren Subpixelbereichs entfernt und auf diesen freigelegten Bereich die elektrisch leitende Schicht aufgebracht. Auf die elektrisch leitende Schicht wird dann mittels eines weiteren Elektrophoreseprozesses die weitere Konversionsschicht aufgebracht. Die weitere Konversionsschicht ist hierbei dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines vom ersten und zweiten Wellenlängenbereich verschiedenen dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
  • Bevorzugt weist jeder Pixelbereich genau drei Subpixelbereiche auf. Beispielsweise ist einer der drei Subpixelbereiche dazu vorgesehen, grünes Licht auszusenden, während ein weiterer Subpixelbereich dazu vorgesehen ist, rotes Licht zu erzeugen und der dritte Subpixelbereich blaues Licht abstrahlen soll. Weist beispielsweise der erste Wellenlängenbereich blaues Licht auf, so ist ein Subpixelbereich hierbei besonders bevorzugt frei von einer Konversionsschicht. Ein weiterer Subpixelbereich weist bevorzugt eine Konversionsschicht auf, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten blauen Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, wobei der zweite Wellenlängenbereich bevorzugt grünes Licht aufweist oder aus grünem Licht besteht. Der dritte Subpixelbereich weist bevorzugt eine weitere Konversionsschicht auf, die dazu geeignet ist, blaue Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der besonders bevorzugt rotes Licht aufweist oder aus rotem Licht besteht.
  • Die Konversionsschicht ist besonders bevorzugt derart ausgebildet, dass sie Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs möglichst vollständig in Strahlung des zweiten beziehungsweise des dritten Wellenlängenbereichs umwandelt.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die elektrisch leitende Schicht nach dem Elektrophoreseprozess in den protischen Reaktionspartner eingebracht, sodass die elektrisch leitende Schicht zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner ausbildet. Dies bietet den Vorteil, dass eine zumindest teilweise in ein Salz umgewandelte elektrisch leitende Schicht für sichtbares Licht in der Regel besser durchlässig ist, als die elektrisch leitende Schicht selber. Ist die elektrisch leitende Schicht somit auf einer Strahlungsaustrittsfläche aufgebracht, so behindert sie die Lichtauskopplung aus der Strahlungsaustrittsfläche nach Umwandlung in ein Salz nur geringfügig. Weiterhin ist es auch möglich, das Salz aus dem fertigen Bauteil möglichst vollständig wieder auszuwaschen.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Salz zumindest teilweise aus dem Halbleiterchip herausgewaschen.
  • Hierbei wird das Salz besonders bevorzugt von der Oberfläche des Halbleiterkörpers entfernt.
  • Das Material M der elektrisch leitenden Schicht wird hierbei mit einem protischen Reaktionspartner der allgemeinen Formel ROH in der Regel wie folgt umgesetzt: M+ROH→M (OR) +H2
  • Weist die elektrisch leitende Schicht beispielsweise Aluminium auf, so bildet das Aluminium mit Wasser als protischen Reaktionspartner wie folgt ein Salz aus: 2Al+6H2O­→2AL (OH)3+2H2
  • Das Wasser als protischer Reaktionspartner kann hierbei als Flüssigkeit oder gasförmig als Wasserdampf vorliegen.
  • Alternativ könnte beispielsweise auch Salzsäure als protischer Reaktionspartner für eine Aluminum-haltige elektrisch leitende Schicht verwendet werden. Die Salzbildung würde dann beispielsweise nach folgendem Schema ablaufen: A1+HCl→A1Cl3+H2
  • Weist die elektrisch leitende Schicht beispielsweise Natrium auf, so bildet das Natrium mit Wasser als protischen Reaktionspartner in der Regel wie folgt ein Salz aus: 2Na+4H2O→2Na (OH)2+2H2
  • Weist die elektrisch leitende Schicht beispielsweise Silizium auf, so bildet das Silizium mit Salzsäure als protischen Reaktionspartner in der Regel wie folgt ein Salz aus: Si+3HCl→HSiCl3+H2
  • Die chemische Reaktion zwischen dem Material der elektrisch leitenden Schicht und dem protischen Reaktionspartner kann in der Regel durch Zugabe von Basen oder Laugen vorteilhafterweise beschleunigt werden. Die chemische Reaktion zwischen dem Material der elektrisch leitenden Schicht und dem protischen Reaktionspartner kann weiterhin direkt in dem protischen Reaktionspartner stattfinden oder aber auch in einem aprotischen Lösungsmittel, dem der protische Reaktionspartner in einer entsprechenden Menge hinzugefügt ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens ist der protische Reaktionspartner in einer Flüssigkeit oder einem Gas enthalten oder liegt als Flüssigkeit oder als Gas vor.
  • Beispielsweise ist der protische Reaktionspartner Wasser, ein Alkohol, eine Carbonsäure, eine Mineralsäure, ein Amin, ein Amid oder eine Mischung mindestens zweier solcher Materialien.
  • Die elektrophoretisch aufgebrachte Konversionsschicht kann Poren aufweisen, durch die der protische Reaktionspartner in flüssiger oder gasförmiger Form, aber auch das Lösungsmittel zum Herauswaschen des Salzes zu der elektrisch leitenden Schicht beziehungsweise zu dem gebildeten Salz gelangen kann. Auf diese Art und Weise kann die chemische Reaktion zwischen dem protischen Reaktionspartner und der elektrisch leitenden Schicht erfolgen. Weiterhin kann auch das gebildete Salz in das Lösungsmittel zum Auswaschen hinein diffundieren.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
    • Die 1 und 2 zeigen jeweils eine schematische Schnittdarstellung eines Halbleiterkörpers gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel, wie sie bei einem hier beschriebenen Verfahren bereit gestellt werden können.
    • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 3 bis 9 wird ein Verfahren gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel erläutert.
    • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 10 und 11 wird ein Verfahren gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel erläutert.
    • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 12 bis 19 wird ein Verfahren gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel erläutert.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Der Halbleiterkörper 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 weist einen Pixelbereich 2 mit drei Subpixelbereichen 3 auf. Jeder Subpixelbereich 3 weist eine Halbleiterschichtenfolge 4 mit einer aktiven Schicht 5 auf, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu erzeugen. Vorliegend ist die aktive Schicht 5 dazu geeignet, sichtbares blaues Licht zu erzeugen. Jeweils zwei direkt benachbarte Subpixelbereiche 3 sind durch einen Graben 6 voneinander getrennt. Der Graben 6 durchtrennt hierbei die aktive Schicht 5 jeweils vollständig. Weiterhin durchtrennt der Graben 6 vorliegend auch die Halbleiterschichtenfolge 4 vollständig. Auf diese Art und Weise bildet die Halbleiterschichtenfolge 4 jedes Subpixelbereiches 3 einen Vorsprung aus.
  • Der Halbleiterkörper 1 umfasst weiterhin ein Trägerelement 7, auf dem der Pixelbereich 2 angeordnet ist. Zwischen dem Trägerelement 7 und der Halbleiterschichtenfolge 4 ist eine spiegelnde Schicht 8 angeordnet. Die spiegelnde Schicht 8 ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung, die in der aktiven Schicht 5 erzeugt wird, zu einer Strahlungsaustrittsfläche 9 des Subpixelbereiches 3 zu reflektieren. Weiterhin ist die spiegelnde Schicht 8 elektrisch leitend ausgebildet, sodass jeder Subpixelbereich 3 rückseitig über das Trägerelement 7 elektrisch kontaktiert werden kann. Bei dem Trägerelement 7 kann es sich beispielsweise um ein Aktivmatrixelement eines Displays handeln.
  • Auf den Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge 4 ist eine Passivierungsschicht 10 aufgebracht. Die Passivierungsschicht 10 bedeckt die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge 4 vorliegend vollständig. Weiterhin ist die Passivierungsschicht 10 auch in den Gräben 6 zwischen jeweils benachbarten Subpixelbereichen 3 ausgebildet. Die Passivierungsschicht 10 erstreckt sich ausgehend von der Strahlungsaustrittsfläche 9 auf der Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge 4 über den Graben 6 und die Seitenfläche des benachbarten Subpixelbereiches 3 bis zu dessen Strahlungsaustrittsfläche 9. Die der Strahlungsaustrittsfläche 9 zugewandte Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge 4 eines jeden Subpixelbereichs 3 ist jedoch frei von der Passivierungsschicht 10.
  • Auf einer Hauptfläche des Trägerelementes 7, die zu der Halbleiterschichtenfolge 4 weist, sind Bereiche 11 angeordnet, die elektrisch isolierend ausgebildet sind. Die elektrisch isolierenden Bereiche 11 erstrecken sich entlang der Hauptfläche zwischen zwei direkt benachbarten Subpixelbereichen 3, während sie jeweils im Bereich eines Subpixelbereichs 3 eine Aussparung 12 aufweisen, die mit einem elektrisch leitenden Material des Trägerelements 7 gefüllt ist. Die elektrisch isolierenden Bereiche 11 des Trägerelementes 7 bewirken im Zusammenspiel mit der Passivierungsschicht 10 auf den Seitenflächen der Subpixelbereiche 3 und in den Gräben 6, dass die Subpixelbereiche 3 jeweils elektrisch isoliert voneinander sind. Durch die Aussparungen 12 zwischen den elektrisch isolierenden Bereichen 11 sind die Subpixelbereiche 3 jeweils rückseitig elektrisch kontaktiert.
  • Weiterhin weisen die Subpixelbereiche 3 auf ihren Strahlungsaustrittsflächen 9 eine transparente elektrisch leitende Schicht 13 auf, über die die Subpixelbereiche 3 vorderseitig elektrisch kontaktiert sind. Die transparente elektrisch leitende Schicht 13 ist hierbei vollflächig über eine Vorderseite des Pixelbereichs 2 aufgebracht, die die Strahlungsaustrittsflächen 9 der Subpixelbereiche 3 umfasst. Die transparente elektrisch leitende Schicht 13 bedeckt bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Strahlungsaustrittsflächen 9 der Subpixelbereiche 3 sowie die Seitenflächen der Subpixelbereiche 3 vollständig.
  • Auf der transparenten leitenden Schicht 13 sind in den Gräben 6 zwischen den Subpixelbereichen 3 jeweils wiederum metallisch leitende Bahnen 14 aufgebracht, die zur äußeren Kontaktierung der Subpixelbereiche 3 dienen.
  • Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass in den Figuren zwar beispielhaft jeweils nur ein Pixelbereich 2 mit drei Subpixelbereichen 3 dargestellt ist, der Halbleiterkörper 1 jedoch in der Regel eine Vielzahl derartiger Pixelbereiche 2 aufweist. Die Pixelbereiche 2 sind hierbei besonders bevorzugt alle gleichartig ausgebildet.
  • Der Halbleiterkörper 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2 weist ebenfalls einen Pixelbereich 2 mit drei verschiedenen Subpixelbereichen 3 auf. Jeder Subpixelbereich 3 weist eine Halbleiterschichtenfolge 4 mit einer aktiven Schicht 5 auf, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs, bevorzugt blaues Licht, auszusenden. Die Subpixelbereiche 3 sind vorliegend wiederum durch Gräben 6 voneinander getrennt, wobei die Gräben 6 die aktive Schicht 5 und auch die Halbleiterschichtenfolge 4 vollständig durchdringen. Der Halbleiterkörper 1 umfasst wiederum ein Trägerelement 7, wie bereits oben beschrieben. Beispielsweise ist das Trägerelement 7 als Aktivmatrixelement ausgebildet. Ein derartiges Aktivmatrixelement weist beispielsweise Silizium auf oder ist aus Silizium gebildet.
  • Zwischen dem Trägerelement 7 und der aktiven Halbleiterschichtenfolge 4 ist wie bei dem Ausführungsbeispiel der 1 eine spiegelnde Schicht 8 aufgebracht, die elektrisch leitend ausgebildet ist.
  • Im Unterschied zu dem Halbleiterkörper 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 ist jedoch auf der Vorderseite des Halbleiterkörpers 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2 vollflächig eine Passivierungsschicht 10 ausgebildet. Die Passivierungsschicht 10 ist hierbei durch ein elektrisch isolierendes Material gebildet, wie beispielsweise ein Oxid oder ein Nitrid. Die Passivierungsschicht 10 bedeckt vorliegend die Strahlungsaustrittsfläche 9 jedes Subpixelbereiches 3, die Seitenflächen jedes Subpixelbereiches 3 sowie den Boden der Gräben 6 zwischen den Subpixelbereichen 3 vollständig.
  • Da die Strahlungsaustrittsflächen 9 der Subpixelbereiche 3 bei dem Halbleiterkörper 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 2 durch das elektrisch isolierende Material der Passivierungsschicht 10 gebildet sind, können diese Subpixelbereiche 3 nicht über ihre Strahlungsaustrittsfläche 9 elektrisch kontaktiert werden. Aus diesem Grund ist zwischen dem Trägerelement 7 und der spiegelnden Schicht 8 eine weitere metallische, elektrisch leitende Schicht 8' aufgebracht, die eine Durchkontaktierung 15 durch die aktive Schicht 5 aufweist. Die Durchkontaktierung 15 dient zur vorderseitigen elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 4. Die weitere metallische Schicht 8' und die Durchkontaktierung 15 sind von der spiegelnden Schicht 8, der aktiven Schicht 5 und dem Bereich der Halbleiterschichtenfolge 4, die dem Trägerelement 7 zugewandt ist, mittels einer elektrisch isolierenden Schicht 16 getrennt.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der 3 bis 9 wird ein Halbleiterkörper 1 bereitgestellt, wie er bereits anhand von 1 im Detail beschrieben wurde. Auf die Vorderseite des Halbleiterkörpers 1 wird vollflächig eine Fotolackschicht 17 aufgebracht (3). Durch Fotostrukturierung der Fotolackschicht 17 werden die Strahlungsaustrittsflächen 9 zweier Subpixelbereiche 3 freigelegt, während die Strahlungsaustrittsfläche 9 des dritten Subpixelbereiches 3 vollständig von der Fotolackschicht 17 bedeckt ist. Auch der Graben 6 zwischen den beiden freigelegten Subpixelbereichen 3 ist mit der Fotolackschicht 17 gefüllt (4).
  • In einem nächsten Schritt wird vollflächig über die Vorderseite des Halbleiterkörpers 1 eine elektrisch leitende Schicht 18 aufgebracht (5). Die elektrisch leitende Schicht 18 ist dazu geeignet, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden.
  • In einem nächsten Schritt, der schematisch in 6 dargestellt ist, wird die strukturierte Fotolackschicht 17 entfernt. Es befindet sich nun auf den frei zugänglichen Strahlungsaustrittsflächen 9 der Subpixelbereiche 3 eine elektrisch leitende Schicht 18. Die Strahlungsaustrittsfläche 9 des Subpixelbereiches 3, der mit der Fotolackschicht 17 bedeckt war, ist hingegen frei zugänglich. Auch die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolgen 4 und die Gräben 6 zwischen den Subpixelbereichen 3 sind frei von der elektrisch leitenden Schicht 18. Mit anderen Worten sind lediglich die Strahlungsaustrittsflächen 9 zweier Subpixelbereiche 3 mit der elektrisch leitenden Schicht 18 bedeckt, während die restliche Vorderseite des Pixelbereiches 2 frei ist von der elektrisch leitenden Schicht 18.
  • In einem nächsten Schritt wird mittels eines Elektrophoreseprozesses eine Konversionsschicht 19 auf der elektrisch leitenden Schicht 18 eines Subpixelbereiches 3 abgeschieden (7). Die Konversionsschicht 19 ist hierbei dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches umzuwandeln. Der zweite Wellenlängenbereich ist hierbei aus grünem Licht gebildet. Die Konversionsschicht 19 ist derart ausgebildet, dass sie die elektromagnetische Strahlung, die von der Strahlungsaustrittsfläche 9 des Subpixelbereichs 3 ausgesandt wird, möglichst vollständig in grünes Licht umwandelt.
  • Bei der elektrophoretischen Abscheidung der Konversionsschicht 19 wird hierbei lediglich der Subpixelbereich 3, auf den die Konversionsschicht 19 aufgebracht werden soll, mit Strom beaufschlagt. Dadurch lagern sich lediglich auf diesem Subpixelbereich 3 Leuchtstoffpartikel bei dem Elektrophoreseprozess an.
  • In einem nächsten Schritt wird dann eine weitere Konversionsschicht 19' auf den weiteren Subpixelbereich 3 aufgebracht, dessen Strahlungsaustrittsfläche 9 mit einer elektrisch leitenden Schicht 18 bedeckt ist (8). Die weitere Konversionsschicht 19' ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten und dem zweiten Wellenlängenbereich verschieden ist. Besonders bevorzugt ist die weitere Konversionsschicht 19' dazu geeignet, blaues Licht, das in der aktiven Schicht erzeugt wird, möglichst vollständig in rotes Licht umzuwandeln.
  • In einem nächsten Schritt wird nun das Material der elektrisch leitenden Schicht herausgelöst, indem zumindest die elektrisch leitende Schicht in den protischen Reaktionspartner eingebracht wird, sodass die elektrisch leitende Schicht zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner ausbildet. In einem weiteren Schritt wird das gebildete Salz aus dem Halbleiterchip ausgewaschen (9). Insbesondere wird das Salz von einer Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 durch Auswaschen entfernt.
  • Bei dem Verfahren gemäß der 3 bis 9 ist ein Halbleiterkörper 1 verwendet, dessen Subpixelbereiche 3 einzeln mit Strom beaufschlagt werden können. Es ist daher möglich, einzelne Subpixelbereiche 3 bei dem Elektrophoreseprozess mit Strom zu beaufschlagen und so nur auf den mit Strom beaufschlagten Subpixelbereichen 3 die Konversionsschicht 19, 19' abzuscheiden. Ist es nicht möglich oder nicht gewünscht, die Subpixelbereiche 3 einzeln mit Strom zu beaufschlagen, so wird vor dem elektrophoretischen Abscheiden der Konversionsschicht 19, 19' jeweils der Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers 1 mit einer Fotolackschicht 17 bedeckt, der nicht mit der Konversionsschicht 19, 19' versehen werden soll. Lediglich der zu beschichtende Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers 1 bleibt frei zugänglich während des Elektrophoreseprozesses.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 10 und 11 wird in einem ersten Schritt ein Halbleiterkörper 1 bereitgestellt, wie er bereits anhand von 2 im Detail beschrieben wurde (10). In einem nächsten Schritt wird die Passivierungsschicht 10 mittels eines fotolithografischen Verfahrens von der Strahlungsaustrittsfläche 9 der Subpixelbereiche 3 entfernt. Auf diese Art und Weise werden die Strahlungsaustrittsflächen 9 der Subpixelbereiche 3 elektrisch leitend ausgebildet (11). Sind die Subpixelbereiche 3 einzeln bestrombar, so werden nun, wie bereits anhand der 3 bis 9 im Detail beschrieben, zwei verschiedene Konversionsschichten 19, 19' auf die elektrisch leitenden Strahlungsaustrittsflächen 9 zweier Subpixelbereiche 3 aufgebracht, während die Strahlungsaustrittsfläche 9 eines Subpixelbereiches 3 frei bleibt von den Konversionsschichten 19, 19' (nicht dargestellt).
  • Ist es nicht möglich, die Subpixelbereiche 3 einzeln mit Strom zu beaufschlagen, so werden nacheinander selektiv nur die zu beschichtenden Subpixelbereiche freigelegt und entsprechend dem Verfahren gemäß der 3 bis 9 jeweils mit einer Konversionsschicht 19, 19' versehen (nicht dargestellt).
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 12 bis 19 wird ebenfalls ein Halbleiterkörper 1 bereitgestellt, wie er bereits anhand der 2 im Detail beschrieben wurde (siehe 12). Allerdings soll bei diesem Halbleiterkörper 1 im Gegensatz zu dem Verfahren gemäß der 10 und 11 die Passivierungsschicht 10 auf dem Halbleiterkörper 1 vollständig erhalten bleiben.
  • In einem ersten Schritt wird auf die Vorderseite des Halbleiterkörpers 1, die die Strahlungsaustrittsflächen 9 der Subpixelbereiche 3 umfasst, vollflächig eine elektrisch leitende Schicht 18 aufgebracht, die dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden (13).
  • Dann wird eine strukturierte Fotolackschicht 17' auf die elektrisch leitende Schicht 18 aufgebracht. Die Fotolackschicht 17' bedeckt zwei Subpixelbereiche 3, während die elektrisch leitende Schicht 18 in einem weiteren Subpixelbereich 3 frei zugänglich ist (14).
  • Dann wird mittels eines Elektrophoreseprozesses in dem Bereich, in dem die elektrisch leitende Schicht 18 frei zugänglich ist, eine Konversionsschicht 19 abgeschieden (15). Für den Elektrophoreseprozess wird die elektrisch leitende Schicht 18 jeweils seitlich des Halbleiterkörpers 1 elektrisch kontaktiert (nicht dargestellt).
  • In einem nächsten Schritt wird die Fotolackschicht 17' wieder entfernt (16). Auf der Strahlungsaustrittsfläche 9 eines der Subpixelbereiche 3 ist nun eine Konversionsschicht 19 angeordnet, während die anderen Subpixelbereiche 3 frei sind von der Konversionsschicht 19 (16).
  • Nun wird wiederum eine strukturierte Fotolackschicht 17' aufgebracht, die die bereits aufgebrachte Konversionsschicht 19 sowie einen der direkt benachbarten Subpixelbereiche 3 abdeckt. Lediglich ein Subpixelbereich 3 ist frei zugänglich (16).
  • Dann wird erneut ein Elektrophoreseprozess durchgeführt, um auf der elektrisch leitenden Schicht 18 über der Strahlungsaustrittsfläche 9 des frei zugänglichen Subpixelbereiches 3 eine weitere Konversionsschicht 19' abzuscheiden (18).
  • In einem weiteren Schritt wird zunächst die Fotolackschicht 17' entfernt und daraufhin der Halbleiterkörper 1 in einem protischen Reaktionspartner eingebracht, sodass auch die elektrisch leitende Schicht 18 in ein Salz umgewandelt und anschließend ausgewaschen wird (19).

Claims (17)

  1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den Schritten: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einem Pixelbereich (2), der mindestens zwei verschiedene Subpixelbereiche (3) aufweist, - Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (18) auf die Strahlungsaustrittsfläche (9) zumindest eines Subpixelbereichs (3), wobei die elektrisch leitende Schicht (18) dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden, - Abscheiden einer Konversionsschicht (19, 19') auf der elektrisch leitenden Schicht (18) durch einen Elektrophoreseprozess.
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Subpixelbereiche (3) elektrisch isoliert voneinander ausgebildet sind und jeder Subpixelbereich (3) eine aktive Schicht (5) aufweist, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden.
  3. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem - eine Strahlungsaustrittsfläche (9) jedes Subpixelbereiches (3) elektrisch leitend ausgebildet ist, und - der Subpixelbereich (3), auf den die Konversionsschicht (19, 19') aufgebracht wird, bei dem Elektrophoreseprozess unabhängig von dem anderen Subpixelbereich (3) bestromt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem - eine Strahlungsaustrittsfläche (9) jedes Subpixelbereiches (3) elektrisch leitend ausgebildet ist, - die elektrisch leitende Schicht (18) vollflächig auf die Vorderseite des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, - eine Fotolackschicht (17, 17') auf die elektrisch leitende Schicht (18) in mindestens einem Subpixelbereich (3) aufgebracht wird, während die elektrisch leitende Schicht (18) in einem weiteren Subpixelbereich (3) frei zugänglich ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 4, bei dem die elektrisch leitende Strahlungsaustrittfläche (9) der Subpixelbereiche (3) durch eine transparente elektrisch leitende Schicht (13) gebildet ist, die ein TCO-Material aufweist.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 4, bei dem die elektrisch leitende Strahlungsaustrittsfläche (9) durch Entfernen einer Passivierungsschicht (10), die auf dem Subpixelbereich (3) aufgebracht ist, erzeugt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem - eine Strahlungsaustrittsfläche (9) jedes Subpixelbereichs (3) durch eine Passivierungsschicht (10) gebildet ist, - die elektrisch leitende Schicht (18) vollflächig auf die Vorderseite des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, - eine Fotolackschicht (17, 17') auf die elektrisch leitende Schicht (18) in mindestens einem Subpixelbereich (3) aufgebracht wird, während die elektrisch leitende Schicht (18) in einem weiteren Subpixelbereich (3) frei zugänglich ist.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei dem die elektrisch leitende Schicht (18) seitlich während des Elektrophoreseprozesses elektrisch kontaktiert wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem - eine Strahlungsaustrittsfläche (9) jedes Subpixelbereichs (3) durch eine Passivierungsschicht (10) gebildet ist, - bei dem die Passivierungsschicht (10) im Bereich der Strahlungsaustrittsfläche (9) mindestens eines Subpixelbereichs (3) entfernt wird, so dass die Strahlungsaustrittsfläche (9) des Subpixelbereichs (3) elektrisch leitend ausgebildet wird, während die Passivierungsschicht (10) in zumindest einem Subpixelbereich (3) erhalten bleibt.
  10. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - die Passivierungsschicht (10) in einem weiteren Subpixelbereich (3) entfernt wird, so dass die Strahlungsaustrittsfläche (9) des Subpixelbereichs (3) elektrisch leitend ausgebildet wird, - Aufbringen der elektrisch leitenden Schicht (18) auf die Strahlungsaustrittsfläche (9) dieses Subpixelbereichs (3), - Abscheiden einer weiteren Konversionsschicht (19, 19') auf der elektrisch leitenden Schicht (18) durch einen Elektrophoreseprozess.
  11. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem ein Pixelbereich (2) jeweils genau drei Subpixelbereiche (3) aufweist, wobei - ein erster Subpixelbereich (3) frei bleibt von einer Konversionsschicht (19, 19'), - ein zweiter Subpixelbereich (3) mit der Konversionsschicht (19, 19') versehen wird, die dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, und - ein dritter Subpixelbereich (3) mit einer weiteren Konversionsschicht (19, 19') versehen wird, die dazu geeignet ist, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines vom ersten und zweiten Wellenlängenbereich verschiedenen dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
  12. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem der erste Wellenlängenbereich blaues Licht, der zweite Wellenlängenbereich grünes Licht und der dritte Wellenlängenbereich rotes Licht aufweist.
  13. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem zumindest die elektrisch leitende Schicht (18) in den protischen Reaktionspartner eingebracht wird, so dass die elektrisch leitende Schicht (18) zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner ausbildet.
  14. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem das Salz aus dem Halbleiterchip zumindest teilweise herausgewaschen wird.
  15. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die elektrisch leitende Schicht (18) eines der folgenden Materialien aufweist: Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Cäsium, Beryllium, Calcium, Magnesium, Strontium, Barium, Scandium, Titan, Aluminium, Silizium, Gallium, Zinn, Zirkonium, Zinkoxid, Zinksulfid, Zinkselenid, Zinktellurid, Zinnoxid.
  16. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht Poren aufweist.
  17. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die abgeschiedene Konversionsschicht (19, 19') Poren aufweist, und der protische Reaktionspartner in flüssiger oder gasförmiger Form auf die elektrisch leitende Schicht (18) über die Poren der Konversionsschicht (19, 19') eingebracht wird, so dass die elektrisch leitende Schicht (18) zumindest teilweise ein Salz mit dem protischen Reaktionspartner ausbildet.
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DE102013109031.1A DE102013109031B4 (de) 2013-08-21 2013-08-21 Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
PCT/EP2014/067098 WO2015024801A1 (de) 2013-08-21 2014-08-08 Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
KR1020167006646A KR102315576B1 (ko) 2013-08-21 2014-08-08 광전 반도체 칩을 제조하기 위한 방법
CN201480046508.3A CN105474415B (zh) 2013-08-21 2014-08-08 用于制造光电子半导体芯片的方法
US14/912,382 US9985011B2 (en) 2013-08-21 2014-08-08 Method for producing an optoelectronic semiconductor chip
CN201810082618.5A CN108155182B (zh) 2013-08-21 2014-08-08 用于制造光电子半导体芯片的方法
JP2016535408A JP6212642B2 (ja) 2013-08-21 2014-08-08 オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法
US15/462,710 US9876001B2 (en) 2013-08-21 2017-03-17 Method for producing an optoelectronic semiconductor chip

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014112769A1 (de) 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102015103055A1 (de) 2014-12-04 2016-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102015107588B4 (de) 2015-05-13 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE102015107586B4 (de) 2015-05-13 2023-10-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE102015111574A1 (de) 2015-07-16 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
KR102415331B1 (ko) * 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
DE102016105989A1 (de) 2016-04-01 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Modul
DE102016116460A1 (de) 2016-09-02 2018-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102016220915A1 (de) 2016-10-25 2018-04-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US10923635B2 (en) 2016-12-30 2021-02-16 Lumileds Llc Phosphor deposition system for LEDs
DE102017107939A1 (de) * 2017-04-12 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102017113741A1 (de) 2017-06-21 2018-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102017119872A1 (de) * 2017-08-30 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102588293B1 (ko) * 2017-12-14 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자, 마이크로 디스플레이 장치
US11749790B2 (en) * 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
DE102018111417A1 (de) 2018-05-14 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, optoelektronisches bauteil, verfahren zur herstellung einer vielzahl von konversionselementen, verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils
DE102018120730A1 (de) 2018-08-24 2020-02-27 Osram Oled Gmbh Display und Herstellungsverfahren für ein Display
DE102019109909A1 (de) 2019-04-15 2020-10-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
CN116868261A (zh) * 2021-02-26 2023-10-10 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
FR3152644A1 (fr) * 2023-09-04 2025-03-07 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Procédé de fabrication d’un dispositif optoélectronique à conversion de couleur, comportant une étape de polarisation d’une couche électret de manière localisée au moyen des électrodes supérieures des diodes

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011111980A1 (de) 2011-08-29 2013-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
DE102012105691A1 (de) 2012-06-28 2014-01-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Schicht, strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und optisches Element
DE102012106859A1 (de) 2012-07-27 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
DE102012108704A1 (de) 2012-09-17 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60143152D1 (de) * 2000-06-29 2010-11-11 Koninkl Philips Electronics Nv Optoelektrisches element
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6841802B2 (en) * 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US6924233B1 (en) * 2004-03-19 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Phosphor deposition methods
US8563339B2 (en) 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
US7847302B2 (en) 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
JP4835333B2 (ja) * 2006-09-05 2011-12-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
US7504272B2 (en) * 2006-11-06 2009-03-17 Stanley Electric Co., Ltd. Method for producing color-converting light-emitting device using electrophoresis
JP2011501466A (ja) * 2007-10-26 2011-01-06 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド １つまたは複数の発光体を有する照明デバイス、およびその製作方法
KR100973238B1 (ko) * 2008-03-26 2010-07-30 서울반도체 주식회사 형광체 코팅방법 및 장치 그리고 형광체 코팅층을 포함하는ｌｅｄ
US7932529B2 (en) 2008-08-28 2011-04-26 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
JP2012514335A (ja) * 2008-12-24 2012-06-21 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 両方の側の波長変換器及びそれを使用する光生成デバイスの作製方法
CN101839401A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 晶元光电股份有限公司 阵列式发光元件及其显示装置
JP2010263189A (ja) 2009-04-07 2010-11-18 Sharp Corp 窒化物半導体発光ダイオード
US8273589B2 (en) * 2010-03-19 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
DE102010053362B4 (de) * 2010-12-03 2021-09-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement
US20120205695A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-16 Tzu-Han Lin Light-emitting diode device
JP5962102B2 (ja) 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101634369B1 (ko) * 2011-12-27 2016-06-28 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN102945915B (zh) * 2012-10-22 2015-01-21 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led荧光粉涂覆工艺

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011111980A1 (de) 2011-08-29 2013-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode
DE102012105691A1 (de) 2012-06-28 2014-01-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Schicht, strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und optisches Element
DE102012106859A1 (de) 2012-07-27 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
DE102012108704A1 (de) 2012-09-17 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BELTON,C.R. et al.: New light from hybrid inorganic-organic emitters. In: J.Phys. D.: Appl. Phys., Vol. 41, Nr.9, 2008 , S.1-12

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160045085A (ko) 2016-04-26
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US9985011B2 (en) 2018-05-29
CN105474415A (zh) 2016-04-06
CN108155182A (zh) 2018-06-12

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