DE102011012515A1 - Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden - Google Patents
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- 239000003446 ligand Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 88
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims abstract description 6
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005913 hydroamination reaction Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- -1 alkyl radical Chemical class 0.000 claims description 42
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 31
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 30
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 17
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 16
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- SHXWCVYOXRDMCX-UHFFFAOYSA-N 3,4-methylenedioxymethamphetamine Chemical compound CNC(C)CC1=CC=C2OCOC2=C1 SHXWCVYOXRDMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 241000283014 Dama Species 0.000 claims description 6
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- JNSGIVNNHKGGRU-JYRVWZFOSA-N diethoxyphosphinothioyl (2z)-2-(2-amino-1,3-thiazol-4-yl)-2-methoxyiminoacetate Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC(=O)C(=N/OC)\C1=CSC(N)=N1 JNSGIVNNHKGGRU-JYRVWZFOSA-N 0.000 claims description 6
- YNESATAKKCNGOF-UHFFFAOYSA-N lithium bis(trimethylsilyl)amide Chemical compound [Li+].C[Si](C)(C)[N-][Si](C)(C)C YNESATAKKCNGOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IUBQJLUDMLPAGT-UHFFFAOYSA-N potassium bis(trimethylsilyl)amide Chemical compound C[Si](C)(C)N([K])[Si](C)(C)C IUBQJLUDMLPAGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 claims description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 4
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 4
- XHGYRKVCLMGPDY-UHFFFAOYSA-N n,n'-bis(dimethylamino)ethanimidamide Chemical compound CN(C)NC(C)=NN(C)C XHGYRKVCLMGPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IGWYRSNASJCHQT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane Chemical compound C[C-](C)C IGWYRSNASJCHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N methanide Chemical compound [CH3-] LGRLWUINFJPLSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 claims description 2
- PAWNFHIIAQGQOY-UHFFFAOYSA-N propane Chemical compound C[CH-]C PAWNFHIIAQGQOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005425 toluyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 38
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 21
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000002451 electron ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 10
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfate Chemical compound COS(=O)(=O)OC VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010082 LiAlH Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 150000001723 carbon free-radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000005595 deprotonation Effects 0.000 description 2
- 238000010537 deprotonation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012458 free base Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N lithium hydride Chemical compound [LiH] SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- GCGJFTNLFYEMPM-UHFFFAOYSA-N n-(dimethylamino)-n'-methylethanimidamide Chemical compound CN=C(C)NN(C)C GCGJFTNLFYEMPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000628 photoluminescence spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- IFZHGQSUNAKKSN-UHFFFAOYSA-N 1,1-diethylhydrazine Chemical compound CCN(N)CC IFZHGQSUNAKKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine Chemical compound C1=NC=NC=N1 JIHQDMXYYFUGFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQVHTTABFLHMPA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-chlorophenoxy)-5-nitropyridine Chemical compound N1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1OC1=CC=C(Cl)C=C1 ZQVHTTABFLHMPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPLJXAOGGMKFFB-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethanimidamide Chemical compound CN(C)CC(N)=N NPLJXAOGGMKFFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-phenylpyridine-3-carboxamide Chemical compound ClC1=NC=CC=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 MPNXSZJPSVBLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-olate Chemical compound CC(C)(C)[O-] SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N Acetamidine Chemical compound CC(N)=N OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005976 Citrus sinensis Nutrition 0.000 description 1
- 240000002319 Citrus sinensis Species 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000801643 Homo sapiens Retinal-specific phospholipid-transporting ATPase ABCA4 Proteins 0.000 description 1
- 229910021577 Iron(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010934 O-alkylation reaction Methods 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- 102100033617 Retinal-specific phospholipid-transporting ATPase ABCA4 Human genes 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021551 Vanadium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RBYGDVHOECIAFC-UHFFFAOYSA-L acetonitrile;palladium(2+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].CC#N.CC#N RBYGDVHOECIAFC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- XGIUDIMNNMKGDE-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)azanide Chemical compound C[Si](C)(C)[N-][Si](C)(C)C XGIUDIMNNMKGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N chelidonic acid Natural products OC(=O)C1=CC(=O)C=C(C(O)=O)O1 PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- YDGSUPBDGKOGQT-UHFFFAOYSA-N lithium;dimethylazanide Chemical compound [Li+].C[N-]C YDGSUPBDGKOGQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- MIDZOHILFFUXMZ-UHFFFAOYSA-N n'-aminoethanimidamide Chemical compound CC(N)=NN MIDZOHILFFUXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFZKDTRCZMWOEI-UHFFFAOYSA-N n'-aminomethanimidamide Chemical compound NNC=N RFZKDTRCZMWOEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFOINIPCMDEJGK-UHFFFAOYSA-N n,n'-bis(dimethylamino)methanimidamide Chemical compound CN(C)NC=NN(C)C FFOINIPCMDEJGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWRUFBWWHJODKK-UHFFFAOYSA-K oxolane;trichlorovanadium Chemical compound Cl[V](Cl)Cl.C1CCOC1.C1CCOC1.C1CCOC1 WWRUFBWWHJODKK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000001303 quality assessment method Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000010414 supernatant solution Substances 0.000 description 1
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012982 x-ray structure analysis Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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Abstract
Die Erfindung betrifft neue Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden, insbesondere Metallkomplexe mit N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidinat-, N,N'-Bis(dimethylamino)-formamidinat- und N-Dimethylaminoacetamidinat-Liganden sowie ihre Herstellung und Verwendung. Die Metallkomplexe weisen einen fünfgliedrigen Chelatring auf. Die Metallkomplexe werden mit den Metallen aus den Hauptgruppen des PSE aber auch mit Nebengruppenelementen wie Tantal (Ta), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) oder (Zink), sowie mit Edelmetalle wie Palladium (Pd) gebildet. Die erfindungsgemäßen Komplexe finden Verwendung als Precursoren zur Herstellung von funktionellen Schichten mittels Gasphasen-Dünnschichtverfahren wie CVD, MO-CVD und ALD. Weiterhin können sie als Katalysatoren für die Olefin-Hydroaminierung und für die Olefin-Polymerisation eingesetzt werden.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft neue Metallkomplexe mit speziellen N-Amino-Amidinat-Liganden, insbesondere Metallkomplexe mit N-Dimethylamino-acetamidinat- und N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidinat- und mit N,N'Bis(dimethylamino)-formamidinat-Liganden. Desweiteren betrifft die Erfindung die Herstellung der Metallkomplexe sowie deren Verwendung. Als Metalle kommen solche aus der Gruppe 1 bis Gruppe 15 des Periodensystems der Elemente (PSE), insbesondere Metalle der Gruppe 13 wie Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In), aber auch der ersten Übergangsreihe wie Chrom (Cr), Eisen (Fe), Kobalt (Co) und Nickel (Ni) sowie der Edelmetalle wie beispielsweise Ruthenium (Ru), Palladium (Pd) oder Platin (Pt) zum Einsatz.
- Die erfindungsgemäßen Komplexe finden Verwendung als Precursoren zur Herstellung von funktionellen Schichten mittels Verfahren der Gasphasenabscheidung wie CVD (chemical vapor deposition), MO-CVD (metal organic chemical vapor deposition) und ALD (atomic layer deposition). Weiterhin finden die Komplexe Verwendung als Katalysatoren für die Olefin-Hydroaminierung und für die Olefin-Polymerisation.
- Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine Gasphasenreaktion (meist an oder in der Nähe der Substratoberfläche). Dabei werden die Reaktionsgase gleichzeitig in die Reaktionskammer mit dem zu beschichtenden Substrat geleitet. Die meist vorgeheizten Gase werden durch das beheizte Substrat thermisch aktiviert und reagieren miteinander. Dabei wird das erwünschte Material abgeschieden und chemisch gebunden (Chemisorption).
- Neben unzähligen CVD-Varianten, die sich in Arbeitsdruck und anderen Prozessparametern unterscheiden, existieren noch einige Beschichtungsverfahren die mehr oder weniger stark modifizierte CVD-Verfahren darstellen:
Bei der sog. Plasmapolymerisation bilden durch ein Plasma angeregte gasförmige Monomere eine hochvernetzte Schicht auf einem Substrat. - Die Atomlagenabscheidung (engl.: atomic layer deposition, ALD) ist ein stark verändertes CVD-Verfahren, bei der die Reaktion bzw. Sorption an der Oberfläche selbständig nach der vollständigen Belegung der Oberfläche stoppt. Diese selbstbegrenzende Reaktion wird in mehreren Zyklen (mit dazwischenliegenden Spülschritten) durchlaufen, so werden sehr gute Aspektverhältnisse (Längen/Dicken-Verhältnisse) und exakte Schichtdicken erreicht.
- Beispiele für bekannte metallorganische Precursoren, die in CVD-, MO-CVD- und ALD-Verfahren Verwendung finden, sind Metall-Organylverbindungen wie Trimethylindium (In(CH3)3), die Amidoverbindung Ti(NMe2)4 oder der Acetylacetonato-Komplex [Me2In(CF3-CO-CH-CO-CF3)].
- Die vorliegende Erfindung betrifft Metallkomplexe mit Aminoamidinat-Liganden aus der Gruppe der N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidinat-Liganden („bdma”), der (Dimethylamino)-acetamidinat-Liganden (”dama”) sowie der N-Mono(dimethylamino)-acetamidinat-Liganden (”mdma”) sowie der entsprechenden Serie der Formamidinate N,N'Bis(dimethylamino)-formamidinat-Liganden („bdmf”), der N-(Dimethylamino)formamidinat-Liganden (”damf”) sowie der N-Mono(dimethylamino)formamidinat-Liganden (”mdmf”). Bevorzugt sind die Metallkomplexe mit N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidinat-Liganden („bdma”).
- Wie im Folgenden noch weiter ausgeführt wird, basiert diese Ligandenklasse auf einem Amidinat-Gerüst des Typs R1-C(NR')2, wobei mindestens eines der beiden Stickstoffatome mit einer weiteren Aminogruppe substituiert ist. Vorzugsweise sind beide N-Atome mit einer weiteren Aminogruppe substituiert. Dies ist bei dem Liganden N,N'-Bis(dimethylamino)acetamidinat („bdma”) der Fall.
- Im koordinierten bzw. komplexierten Zustand sind die Liganden zweizähnig (bidentat), wobei zwei N-Atome an das Metall koordiniert sind und ein fünfgliedriger Ring der Abfolge M-N-N-C-N- gebildet wird. Die Liganden weisen in der Regel im koordinierten Zustand eine einfach negative Ladung auf (mono-anionische Struktur). Es können sowohl homoleptische als auch heteroleptische Metallkomplexe gebildet werden.
- Die protonierten Liganden der N-Monoaminoamidine sowie N,N'-Diaminoamidine sind aus der Literatur bekannt. So beschreiben G. S. Gol’din, et al., Zhurnal Organicheskoi Khimii, 1969, 5, 1404–1410, die Herstellung der N,N'-Diamino-amidine durch eine Reaktion von Acetimidoethylester mit einem Überschuss an 1,1-Dimethylhydrazin (asymmetrisch substituiert) in Anwesenheit von Ammoniumsalzen. Die analogen Monoaminoamidine werden durch die Reaktion von Acetimidoethylester mit einem Äquivalent 1,1-Dimethylhydrazin erhalten. Hierauf wird in der weiteren Beschreibung bei der Darstellung der Liganden eingegangen.
- Von F. A. Neugebauer (Angew. Chem. 1973, 85, 485–493) wurden N,N'-Diaminoamidin-Verbindungen mit Phenylresten an den terminalen N-Atomen des Typs PH2N-N=CH-NH-NPh2 beschrieben. Der Grundkörper des N-Dimethylaminoamidin konnte (als HCl-Salz) erstmals von Neunhoeffer et al. dargestellt werden (vgl. H. Neunhoeffer, H. Hennig, Chem. Ber. 1968, 101, 3947–3951).
- Die vorliegende Erfindung betrifft neue, hier erstmalig offenbarte Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden.
- Monoanionische N-Organo-Amino-Amidinat-Liganden und deren Metallkomplexe sind in der Literatur beschrieben (vgl. S. Bambirra et al., Organometallics, 2000, 19, 3197–3204). Diese Komplexe besitzen eine (CH2)n-Spacergruppe (n = 2, 3) zwischen dem Amidinat-Stickstoffatom und dem Amino-Stickstoffatom, die Aminogruppe ist also nicht direkt an den Amidinat-Stickstoff gebunden. Diese Metallkomplexe weisen eine sechsgliedrige Ringstruktur auf (wobei sowohl die Amidinatgruppe als auch die endständige Aminogruppe an das Zentralatom gebunden sind und einen sechsgliedrigen Ring bilden. Die Verbindungen kommen für katalytische Anwendungen zum Einsatz.
- Die
US 5,502,128 beschreibt N-Organo-Amidinatkomplexe mit Metallen der 4. Nebengruppe und deren Verwendung in Polymerisationsprozessen. Die Komplexe mit den N-Organo-Amidinatliganden des Typs RC(NR')2 weisen eine 4-gliedrige Struktur auf. N-Aminosubstituierte Amidinatkomplexe werden nicht beschrieben. - Aus der
sind mehrkernige N-Organo-Amidinatkomplexe von Cu(I) bekannt, die zur Herstellung von dünnen Kupferschichten mittels CVD Verwendung finden. N-Aminosubstituierte Amidinatkomplexe werden nicht beschrieben.WO 2007/124700 - Die bisher bekannten Metallkomplexe mit Amidinatliganden enthalten zwei organische Kohlenstoffradikale an den Amidinat-Stickstoffatomen. Dies führt in der Regel im koordinierten, metallierten Zustand zu einer viergliedrigen gespannten Chelatringstruktur. Ein typisches Beispiel ist der homoleptische Co(II)-Amidinatkomplex [Co(N,N'-diisopropylacetamidinat)2] (vgl. Gordon et al., J. Chem. Soc. Dalton Trans., 2008, 2592–2597) oder die Aluminiumamidinatkomplexe des Typs [(MeC(NCH(CH3)2)2)AlEt2] und [(EtC(NCH(CH3)2)2)AlMe2] (vgl. A. L. Brazeau et al., Inorg. Chem. 2006, Vol. 45, No. 5, 2276–2281).
- Ähnliche Komplexe werden von R. G. Gordon et al. beschrieben. So gelingt die Abscheidung von Cu-Nitrid aus einem Cu(I)-komplex mit N,N'-Di-sec-butylacetamidinat (Chem. Vap. Dep., 2006, 12, 435–441) sowie die Herstellung von dünnen Ruthenium-Filmen mittels ALD mit dem Precursor [Ru(II)(CO)2(N,N'-ditertbutylacetamidinat)2] (vgl Chem. Vap. Deposition, 2009, 15, 312–319).
- Bei den Metallkomplexen mit mindestens einem N-Amino-Amidinat-Liganden, die Gegenstand der vorliegenden Anmeldung sind, sind mindestens ein Aminylradikal -NR2 und höchstens zwei Aminylradikale statt der Kohlenstoffradikale über direkte N-N Bindung an die Amidinat-Stickstoffatome N bzw. N' gebunden. Diese besondere Bauart führt zu einer besonders privilegierten Fünfring-Chelatstruktur in den lagerfähigen Precursorkomplexen und zu thermischen Sollbruchstellen im Ligandgerüst (den N-N-Bindungen), die den Zerfall der Precursoren bereits bei vorteilhaft niedrigen Zersetzungstemperaturen einleiten.
- Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen (Prozessoren, Speicherchips, Sensorchips etc.) kommen zur Abscheidung von metallischen, oxidischen und nitridischen Schichten in der Regel CVD, MO-CVD und ALD-Verfahren zum Einsatz. Diese Verfahren haben inzwischen in der Halbleitertechnik und Mikroelektronik große Bedeutung erlangt.
- Dabei erfolgt eine Beschichtung des Substrates an der Grenzfläche zwischen Substrat und Gasphase durch Bedampfung und Erhitzung einer geeigneten Precursorverbindung über den Zersetzungspunkt, oft in Anwesenheit eines Reaktivgases (wie Wasserstoff, Ammoniak oder 1,1-Dimethylhydrazin). Beispielsweise werden nach solchen Verfahren Schichten aus GaN, InN, TaN, TiN oder Si3N4 erzeugt. Des Weiteren lassen sich metallische Schichten (beispielsweise Pd, Ru oder Co) abscheiden. Um für die Verwendung in CVD und ALD geeignet zu sein, sollten die geeigneten Liganden und Metallkomplexe einen molekularen Aufbau besitzen (idealerweise als Monomer vorliegen), eine geringe Molmasse besitzen, eine hohe Flüchtigkeit und einen niedrigen Zersetzungspunkt bei Temperaturen oberhalb der Lagertemperatur aufweisen.
- Weiterhin sollten sie thermisch bei Raumtemperatur stabil sein, so dass keine Zersetzung vor dem Abscheideprozess erfolgt. Darüber hinaus sollten die Verbindungen einen einheitlichen, reproduzierbaren Zerfallsmechanismus besitzen und geeignete Sollbruchstellen für die Fragmentierung im Molekül aufweisen. Letztlich soll mit einer definierten Precursorverbindung unter gleichen CVD-Bedingungen immer die gleiche Schicht mit konstanter Qualität abgeschieden werden können.
- Geeignete Liganden für solche Precusorverbindungen sollten das Metallzentrum sterisch gut abschirmen, elektronenreich sein und das Metallzentrum elektronisch absättigen, wodurch die Lewis-Acidität gesenkt wird und die Aggregation der Verbindungen zu wenig flüchtigen Koordinationspolymeren gehemmt ist. Darüber hinaus ist während der Abscheidung häufig eine Reduktion des Metallzentrums nötig. Liganden, die einen hohen Anteil an Hydrazin-Baueinheiten aufweisen, wie die erfindungsgemäßen Liganden, bringen Reduktionsäquivalente per se mit.
- Die bisher bekannten Metallkomplexe mit Amidinatliganden weisen Nachteile auf. So besitzen sie keinen einheitlichen, definierten Zerfallsweg, das Metallatom wird in der Regel nur unvollständig abgeschirmt und besitzt eine geringere Elektronendichte. Der Einsatz dieser Amidinatkomplexe insbesondere bei Dünnschicht-Abscheideverfahren kann daher zu Nachteilen in Hinblick auf Reproduzierbarkeit, Schichtqualität, Abscheiderate und Ausbeute führen.
- Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, verbesserte Metall-Amidinatkomplexe bereitzustellen. Diese neuen Amidinatkomplexe sollen für den Einsatz in Dünnschicht-Abscheideverfahren geeignet sein. Darüberhinaus sollen sie auch in Katalyseprozessen Verwendung finden können.
- Diese Aufgabe wird durch die neuen N-Amino-Amidinat-Komplexe gemäß den vorliegenden Ansprüchen gelöst.
- Die erfindungsgemäßen Metallkomplexe mit mindestens einem N-Amino-Amidinat-Liganden besitzen die allgemeine Formel 1: Formel 1 worin
M = ein Metall der 1. bis 15. Gruppe des Periodensystems der Elemente (PSE),
R1 Wasserstoff oder ein zyklischer, linearer oder verzweigter Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen, oder ein substituierter oder unsubstituierter Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen,
R2 und R3 unabhängig voneinander Wasserstoff, CH3 oder C2H5, R4 Wasserstoff, CH3, NH2, N(CH3)2 oder N(C2H5)2,
X ein monoanionischer Co-Ligand ausgewählt aus dem Hydridanion (H–), aus der Gruppe der Halogenide, aus der Gruppe der zyklischen, linearen oder verzweigten Alkanidreste mit bis zu 8 C-Atomen, aus der Gruppe der substituierten oder unsubstituierten Arenid- und Heteroarenid-Reste mit bis zu 10 C-Atomen, aus der Gruppe der Alkoxylat-Liganden, aus der Gruppe der Alkylthiolat- oder Alkylselenat-Liganden oder aus der Gruppe der sekundären Amidoliganden,
Y = ein dianionischer Co-Ligand ausgewählt aus der Oxogruppe [O]2– oder der Imidogruppe [NR5]2–, wobei R5 für einen zyklischen, verzweigten oder linearen Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen oder für einen substituierten oder unsubstituierten Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen steht,
L ein neutraler 2-Elektronen-Donorligand,
a eine ganze Zahl zwischen 1 und 4 und
n, m, p jeweils unabhängig voneinander 0, 1, 2, 3 oder 4
bedeuten. - Die Erfindung betrifft insbesondere Metallkomplexe mit mindestens einem N-Amino-Amidinat-Liganden aus der Gruppe der N,N'-Bis(Dimethylamino)-Acetamidinat-Liganden („bdma”), der N-(Dimethylamino)-Acetamidinat-Liganden (”dama”) sowie der Mono-(dimethylamino)-Acetamidinat-Liganden (”mdma”) sowie der entsprechenden Serie der Formamidinate N,N'-Bis(dimethylamino)-formamidinat-Liganden („bdmf”), der N-(Dimethylamino)formamidinat-Liganden (”damf”) sowie der Mono(dimethylamino)formamidinat-Liganden (”mdmf”). Bevorzugt sind die Metallkomplexe mit mindestens einem N,N'-Bis(dimethylamino)-Acetamidinat-Liganden („bdma”).
- In den erfindungsgemäßen Komplexen kann das Metallatom in den formalen Oxidationsstufen von +1 bis +6 vorliegen. Bevorzugte Oxidationsstufen sind +1, +2 sowie +3. Der N-Amino-Amidinat-Ligand trägt in den meisten Fällen eine negative Ladung und liegt damit in monoanionischer Form vor.
- Als Zentralatom M der Komplexe wird ein Metall der 1. bis 15. Gruppe des Periodensystems der Elemente (PSE) verwendet. Darin umfasst sind die Metalle des s-Blocks (1. und 2. Gruppe, also Alkali- und Erdalkalimetalle), die Metalle des p-Blocks (13. 14. und 15. Gruppe) sowie die Metalle des d-Blocks (Übergangsmetalle der 3. bis 12. Gruppe) des PSE. Diese Definition umfasst naturgemäß auch alle Metalle innerhalb der Perioden des PSE, d. h. auch die Edelmetalle.
- Bevorzugt werden Metalle bzw. Halbmetalle der 13., 14. und 15. Gruppe des Periodensystems der Elemente (PSE) eingesetzt. Besonders bevorzugt sind die Metalle Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In), Silizium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Arsen (As) und Antimon (Sb).
- Weiterhin können Übergangsmetalle der 3., 4., 5., 6., 7., 8., 9., 10., 11. und 12. Gruppe des PSE eingesetzt werden. Besonders bevorzugt sind hier die Metalle Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hafnium (Hf) sowie Chrom (Cr), Mangan (Mn), Eisen (Fe), Kobalt (Co) und Nickel (Ni), Zink (Zn) und Kupfer (Cu).
- Unter dem Begriff „Edelmetalle” werden die 8 Metalle Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh), Palladium (Pd), Osmium (Os), Iridium (Ir), Platin (Pt), Silber (Ag) und Gold (Au) zusammengefasst. Hieraus sind Ruthenium (Ru), Rhodium, (Rh), Palladium (Pd) und Platin (Pt) bevorzugt. Palladium-Komplexe sind besonders bevorzugt.
- Der Rest R1 steht für Wasserstoff oder für einen zyklischen, linearen oder verzweigten Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen oder für einen substituierten oder unsubstituierten Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen. Bevorzugte Alkylreste sind CH3 und C2H5, bevorzugte Arylreste sind Phenyl (C6H5), Toluyl, 2,6-Diisopropylphenyl und 2,4,6-Trimethylphenyl (Mesityl).
- Die Reste R2 und R3 stehen unabhängig voneinander für Wasserstoff, CH3 oder C2H5, der Rest R4 für Wasserstoff, CH3, NH2, N(CH3)2, oder N(C2H5)2.
- Der Rest X steht für einen monoanionischen Co-Liganden ausgewählt aus dem Hydridanion (H–), oder aus der Gruppe der Halogenide (F–, Cl–, Br– oder I–), oder aus der Gruppe der zyklischen, linearen oder verzweigten Alkanidreste (d. h. carbanionischen Reste) mit bis zu 8 C-Atomen (wie beispielsweise Methanid (CH3 –), Ethanid (C2H5 –), Isopropanid (iso-C3H7 –) oder tert.Butanid (tert-C4H9 –)), oder aus der Gruppe der substituierten oder unsubstituierten Arenid- und Heteroarenid-Reste mit bis zu 10 C-Atomen (wie beispielsweise das Phenylanion (C6H5 –), oder das ortho-, meta-, para-Toluylanion [C6H4(CH3)]–, Thiophen-2-yl-Anion (C4H3S–)) oder aus der Gruppe der Alkoxylat-Liganden, wie beispielsweise Methylat (MeO–), Ethylat (EtO–) oder tert.Butylat (tert-BuO–)), oder aus der Gruppe der Alkylthiolat- und Alkylselenat-Liganden (wie beispielsweise MeS–, MeSe–, (tert-Bu)S– oder (tert-Bu)Se–)) oder aus der Gruppe der sekundären Amidoliganden (wie beispielsweise Dimethylamid (NMe2 –), Diethylamid (NEt2 –), Methylethylamid (NMeEt–) oder N-Pyrrolidid [NC4H8]–).
- Bevorzugt steht der Rest X für das Hydridanion (H–), Chlorid (Cl–), Bromid (Br–), Methylid (CH3 –), Ethylid (C2H5 –), Dimethylamid (NMe2 –) und Diethylamid (NEt2 –).
- Der Rest Y steht für einen dianionischen Co-Ligand, wie beispielsweise die Oxogruppe [O]2– oder die Imidogruppe [NR5]2– wobei R5 für einen zyklischen, verzweigten oder linearen Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen oder für einen substituierten oder unsubstituierten Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen steht. Bevorzugt ist die Imidogruppe [NtBu]2–.
- Der Rest L steht für einen neutralen 2-Elektronen-Donorliganden. Als neutraler 2-Elektronendonorligand L werden alle neutralen Elektronenpaar-Donormoleküle bezeichnet, Beispiele sind Pyridin, Dioxan, NH3, THF, CO sowie Alkylphosphine (wie PMe3 oder PCy3) oder Arylphosphine wie PPh3. Bevorzugt sind die Liganden Pyridin, CO und NH3.
- In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung können die erfindungsgemäßen Komplexe der Formel 1 als ligandenverbrückte Dimere vorliegen. Dabei kann die Brückenbildung über die Gruppen X (also beispielsweise über Halogen- und/oder Wasserstoffbrücken) erfolgen. In der Regel wird dadurch eine koordinative Absättigung des Metallatoms erreicht. Ein Beispiel für diese Komplexklasse ist der dimere Al-Komplex [Al(bdma)H(μ-H)]2, bei dem hydridische Wasserstoffbrücken vorliegen. Diese Metallkomplexe sind dadurch gekennzeichnet, dass sie eine dimere Struktur mit verbrückenden Ligandfunktionen X, Y oder L aufweisen.
- In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann das N-Aminoacetamidin oder das N-Aminoformamidin auch in der protonierten Neutralform an das Metallatom koordiniert sein. In diesem Fall wird die Metall-Lewis-Säure direkt mit den neutralen Chelatliganden umgesetzt. Diese Komplexe weisen die folgende allgemeine Formel 2 auf.
- In Formel 2 ist das Wasserstoffatom mobil. In derartigen Komplexen der protonierten (neutralen) N-Amino-Amidin-Liganden können sich folglich zwei Tautomere A und B bilden, wobei entweder A oder B den höheren Anteil im Gleichgewicht haben kann.
- Ferner bedeuten in Formel 2
M = ein Metall der 1. bis 15. Gruppe des Periodensystems der Elemente (PSE),
R1 Wasserstoff oder ein zyklischer, linearer oder verzweigter Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen, oder ein substituierter oder unsubstituierter Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen,
R2 und R3 unabhängig voneinander Wasserstoff, CH3 oder C2H5,
R4 Wasserstoff, CH3, NH2, N(CH3)2 oder N(C2H5)2,
X ein monoanionischer Co-Ligand ausgewählt aus dem Hydridanion (H–), aus der Gruppe der Halogenide, aus der Gruppe der zyklischen, linearen oder verzweigten Alkanidreste mit bis zu 8 C-Atomen, aus der Gruppe der substituierten oder unsubstituierten Arenid- und Heteroarenid-Reste mit bis zu 10 C-Atomen, aus der Gruppe der Alkoxylat-Liganden, aus der Gruppe der Alkylthiolat- oder Alkylselenat-Liganden oder aus der Gruppe der sekundären Amidoliganden,
Y ein dianionischer Co-Ligand ausgewählt aus der Oxogruppe [O]2– oder der Imidogruppe [NR5]2–, wobei R5 für einen zyklischen, verzweigten oder linearen Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen oder für einen substituierten oder unsubstituierten Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen steht,
L ein neutraler 2-Elektronen-Donorligand,
a eine ganze Zahl zwischen 1 und 4 und
n, m, p jeweils unabhängig voneinander 0, 1, 2, 3 oder 4. - In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist als Neutralligand das N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidin („Hbdma”) an das Metall gebunden (Formel 3).
- Diese Ausführungsform der erfindungsgemäßen Komplexe wird insbesondere bei den Metallen der 5. und 11. Gruppe des PSE beobachtet. Beispiele für die Komplexe der Formel 3 sind die Verbindungen Ta(NtBu)Cl3(Hbdma) (vgl. Beispiel 12), Nb(NtBu)Cl3(Hbdma) sowie [CuCl(Hbdma)].
- In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Komplexe sind monoanionische N-Amino-Amidinat-Liganden der Anzahl c und neutrale N-Amino-Amidin-Liganden der Anzahl b gleichzeitig in einem Komplex und an einem Koordinationszentrum kombiniert (Formel 4).
- Die Indizes b und c in Formel 4 stellen unabhängig voneinander ganze Zahlen 1, 2 oder 3 dar. Die restlichen Gruppen X, Y und L sowie die Indizes n, m und p sind definiert wie in Formel 1.
- In dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise der mono-anionische Bdma-Ligand sowie auch der Neutralligand N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidin („H-bdma”) an dasselbe Metallatom koordiniert sein. Metallkomplexe mit diesen Ligandenkombinationen weisen besondere Vorteile hinsichtlich der sterischen Abschirmung auf.
- Überraschenderweise hat sich gezeigt, dass die Einführung von mindestens einer weiteren Aminogruppe an den beiden N-Atomen des Amidinatliganden zu vorteilhaften Eigenschaften bei den Metallkomplexen führt, die diesen Liganden enthalten. Bei den erfindungsgemäßen N-Amino-Amidinat-Komplexen läßt sich die sterisch besser abschirmende und weniger unter Ringspannung leidende Fünfring-Chelatstruktur zur Stabilisierung der Lagerform dieser Precursoren (im Grundzustand) besonders vorteilhaft kombinieren mit dem leichteren Zerfall, der Dissoziation der N-N-Bindung im thermisch angeregten Zustand.
- Insbesondere hat sich gezeigt, dass durch der Ersatz der Alkylreste an den Stickstoffatomen der klassischen literaturbekannten N-Organo-Amidinatliganden durch mindestens einen N-Amino-Substituenten (-NR2R3) zu einer Erhöhung der Elektronendichte des Liganden führt. Gleichzeitig gelingt der Einbau einer Hydrazineinheit und damit von Reduktionsäquivalenten, die sich vorteilhaft bei der reduktiven Zerlegung des Moleküls auswirken. Weiterhin ist mit der schwachen N-N-Einfachbindung im Liganden eine Sollbruchstelle eingeführt. Ist der Ligand an das Metallatom koordiniert, kann die leichte thermische Dissoziation der N-N Bindung des Chelatringes eine schnellere Fragmentierung des gesamten Metallkomplexes bewirken. Dieser Sachverhalt wird durch Literaturangaben gestützt. Nach K. B. Wiberg (J. Phys. Chem. 1992, 96, 5800–5803) liegt die Dissoziationsenergie der N-N Bindung in Hydrazin (H2N-NH2) bei 63.9 kcal/mol, während die Dissoziationsenergie der N-C Bindung in Methylamin (H2N-CH3) etwa 82.9 kcal/mol beträgt, also um ca. 30% höher liegt. Es werden neue und leichte Fragmentierungswege eröffnet, die bei literaturbekannten N-Organo-amidinat-Komplexen aufgrund der starken N-C-Bindung nicht existieren. Hinweise auf den Zersetzungsweg über die leichte N-N-Bindungsspaltung in den erfindungsgemäßen Komplexe liefern die Massenspektren, denen zufolge Stickstoffradikalkationen mit m/z = 44 (entsprechend N(CH3)2 +) gefunden werden. Durch diese neuen Zerfallswege kommt es zu weniger unerwünschtem Einbau von Kohlenstoff in die abgeschiedenen metallischen und/oder keramischen Schichten des Typs MxNy als bei Verwendung der herkömmlichen N-Organo-Amidinat-Komplexe. Beim Einsatz der erfindungsgemäßen Metallkomplexe in der Gasphasen-Dünnschichtepitaxie wird es in vielen Fällen möglich, auf die Verwendung von weiteren reduzierenden Reaktivgasen wie Wasserstoff, Ammoniak und Hydrazin im CVD-Abscheideprozess zu verzichten. Dies führt zu Schichten hoher Reinheit, die in reproduzierbarer Qualität abgeschieden werden können.
- Nachfolgend wird zunächst auf die allgemeine Herstellung der Amidinatliganden eingegangen. Es werden im Folgenden die vier wichtigsten Ligandentypen beschrieben, wobei jeweils die mono-anionische Form der Liganden dargestellt ist, in der diese häufig in den erfindungsgemäßen Metallkomplexe gebunden sind. a) N,N'-Bis-(dimethylamino)-acetamidinat („bdma”, Formel 5) b) Mono-(dimethylamino)-acetamidinat (”mdma”, Formel 6) c) N-Dimethylamino-N'-methyl-acetamidinat (”dama”, Formel 7) d) N,N'-Bis-(dimethylamino)-formamidinat („bdmf”, Formel 8)
- Die jeweiligen Neutralliganden besitzen ein zusätzliches Proton am freien Elektronenpaar des zweibindigen N-Atoms.
- Die Verbindungsklasse, der das ungeladene Ligandenmolekül „Hbdma” angehört, wird in der Literatur auch als Hydrazidin oder Dihydroformazan bezeichnet. Der in dieser Anmeldung gewählte Name N,N'-Bis(dimethylamino)acetamidin soll die Analogie zu den Amidinen zeigen. Dieser Neutralligand wird in der vorliegenden mit der Bezeichnung „Hbdma” abgekürzt. Entsprechend liegt der monoanionische Ligand als N,N'-Bis(dimethylamino)acetamidinat vor und wird mit der Abkürzung „Bdma” bezeichnet.
- Die Herstellung des Liganden Bis(dimethylamino)acetamidinat erfolgt in einer Abwandlung der literaturbekannten Methode von Gol’din (G. S. Gol’din, et al., Zhurnal Organicheskoi Khimii, 1969, 5, 1404–1410). Die Synthese von Gol’din stellt im Prinzip einen Drei-Stufen-Prozess dar, wobei einen Reaktion von Ethanol mit Acetonitril zum Acetimidoethylesterhydrochlorid erfolgt, eine Deprotonierung des Acetimidoethylesterhydrochlorid zur freien Base Acetimidoethylester durchgeführt wird und anschließend die Umsetzung der freien Base Acetimidoethylester mit 1,1-Diorganohydrazin zum gewünschten Hydrazidin erfolgt.
- In einer Variation der Synthese von Gol’din wird bei der Herstellung von H-Bdma nach dem Verfahren der vorliegenden Anmeldung das erhaltene HCl-Salz des Acetimidoethylester nicht deprotoniert und isoliert, sondern direkt (in Anwesenheit einer Base wie beispielsweise Triethylamin) mit zwei Äquivalenten 1,1-Dialkylhydrazin umgesetzt, was in einem Zwei-Stufen-Prozess resultiert.
- Das Verfahren der vorliegenden Anmeldung besteht aus den Stufen (a) Reaktion von Ethanol mit Acetonitril in Anwesenheit von trockenem, gasförmigem Chlorwasserstoff zum Acetimidoethylesterhydrochlorid und (b) Umsetzung des Acetimidoethylesterhydrochlorids mit 1,1-Dialkylhydrazin in Triethylamin.
- Als Lösungsmittel werden Amine wie beispielsweise Triethylamin verwendet; die Umsetzung erfolgt bei Temperaturen im Bereich von 60 bis 100°C. Nach Beendigung der Reaktion werden die Komponenten durch fraktionierte Destillation getrennt. Das modifizierte Verfahren ist breit anwendbar; es können auch die Amidinate mit anderen Substituenten hergestellt werden. Dabei kommen z. B. 1,1-Dimethylhydrazin oder 1,1-Diethylhydrazin zum Einsatz.
- Die Herstellung des Neutralliganden Mono(dimethylamino)-acetamidin (”H-mdma”) erfolgt in weitgehend analoger Weise zur Vorschrift von Gol’din. Die Reaktion von Acetimidoethylester-hydrochlorid mit einem Äquivalent 1,1-Dimethylhydrazin und Triethylamin wird in chlorierten Lösungsmitteln wie Dichlormethan durchgeführt.
- Die Herstellung des Neutralliganden N-Dimethylamino-N'-methylacetamidin („H-dama”) erfolgt nach einer Literaturvorschrift von R. F. Smith et al., Journal of Heterocyclic Chemistry 1981, 18, 319–325. Die Herstellung basiert auf einer In-situ O-Alkylierung von N-Methylacetamid mit Dimethylsulfat, anschließend Umsetzung mit einem Äquivalent 1,1-Dimethylhydrazin: Gleichung 2
- Die Herstellung der erfindungsgemäßen Amidinatkomplexe kann nach verschiedenen Synthesewegen erfolgen. Während die Neutralliganden unter Luft hergestellt werden können, muss die Herstellung der Metallkomplexe unter Schutzgas (Argon, Stickstoff) erfolgen.
- Die Herstellung des erfindungsgemäßen Formamidinatliganden N,N'-Bis(dimethylamino)formamidin ”H-bdmf” erfolgt nach einer Literaturvorschrift von Ch. Grundmann, A. Kreutzberger, J. Am. Chem. Soc. 1957, 79 (11), 2839–2843 durch Umsetzung von 1,3,5-Triazin mit 1,1-Dimethylhydrazin.
- Die Herstellung der erfindungsgemäßen Amidinatkomplexe kann nach verschiedenen Synthesewegen erfolgen. Während die Neutralliganden unter Luft hergestellt werden können, muss die Herstellung der Metallkomplexe unter Schutzgas (Argon, Stickstoff) erfolgen.
-
- Eine weitere Herstellroute führt über eine Salzeliminierung nach vorheriger Deprotonierung des Neutralliganden. Dabei wird zunächst das Li- oder K-Salz des Liganden erzeugt (mit nBuLi, Lithiumhexamethyldisilazid, LiHMDS oder Kaliumhexamethyldisilazid, KHMDS) und anschließend mit der Metallverbindung unter Schutzgas umgesetzt. (vgl. die Herstellung des Komplexes (Bdma)GaCl2 in Beispiel 4 sowie Gleichung 4: Gleichung 4
- Die Herstellung der erfindungsgemäßen Amidinatkomplexe erfolgt in der Regel in einer „Eintopfreaktion”, wobei die Metallausgangsverbindung vorgelegt und der Amidin/Amidinat-Ligand zugegeben wird. Die Reaktion kann in Abhängigkeit vom Typ der Ausgangsverbindung in einem sehr breiten Temperaturbereich von –78°C (Kühlung mit Trockeneis) bis zu 100°C durchgeführt werden. Die Reaktionszeiten liegen typischerweise im Bereich von 30 min bis zu 48 Stunden. Als Lösungsmittel kommen aliphatische Lösungsmittel (wie beispielsweise Pentan, Hexan, Heptan), aromatische Lösungsmittel (Benzol, Toluol), chlorierte Lösungsmittel (Dichlormethan, Chloroform), etherische Lösungsmittel (Diethylether, Tetrahydrofuran) oder Alkohole (Methanol, Ethanol, Isopropanol) zum Einsatz. Die Abtrennung des erfindungsgemäßen Metallkomplexes kann durch Kristallisation, Sublimation, Einengen und/oder Ausfällen erfolgen.
- Dabei kommen die dem Fachmann bekannten Abtrennverfahren zur Anwendung (e. g. Filtration, Zentrifugieren etc). Weitere Details können den nachfolgenden Beispielen entnommen werden.
- EXPERIMENTELLER TEIL/BEISPIELE
- Abkürzungen
-
-
- nBu:
- n-Butyl, -CH2CH2CH2CH3
- tBu:
- tert-Butyl, -C(CH3)3
- Et:
- Ethyl, -CH2CH3
- Me:
- Methyl, -CH3
- Hbdma:
- N,N'-Bis(dimethylamino)acetamidin
- Hdama:
- N-Dimethylamino-N'-methylacetamidin
- Hmdma:
- N-Monodimethylaminoacetamidin
- HMDS:
- Hexamethyldisilazid, N(SiMe3)2–
- MHz:
- Megahertz, 106 s–1
- ppm:
- parts per million, Einheit der chemischen Verschiebung in der NMR-Spektroskopie
- THF:
- Tetrahydrofuran
- TMS:
- Trimethylsilyl, -SiMe3
- TMSCl:
- Trimethylsilylchlorid
- Für die Multiplizitäten in den NMR-Spektren gilt:
- s:
- Singulett
- bs:
- breites Singulett
- d:
- Duplett
- t:
- Triplett
- m:
- Multiplett
- Intensitäten in den IR-Spektren werden wie folgt abgekürzt:
- w:
- schwach
- m:
- mittelstark
- s:
- stark
- vs:
- sehr stark
- Allgemeine Vorbemerkungen
- Die Synthesen der Neutralliganden benötigen keine Schutzgastechnik, auch die Chemikalien werden ohne Vortrocknung oder Aufreinigung verwendet. Jedoch ist wegen des Toxizitätspotentials des Hydrazinderivates unbedingt ein Kontakt jeglicher Art zu vermeiden.
- Die Herstellung der Lithium- und Kaliumsalze der Liganden sowie die Synthese der erfindungsgemäßen Metallkomplexe muss unter Sauerstoff- und Feuchtigkeitsausschluss gehandhabt werden; des weiteren müssen wegen der Verwendung pyrophorer Substanzen getrocknete, wasserfreie Lösungsmittel eingesetzt werden. Lösungsmittel werden über geeigneten Trocknungsmitteln getrocknet und unter Stickstoffatmosphäre gelagert.
- Die verwendeten Chemikalien sind kommerziell erhältlich: tButylamin (Merck-Schuchardt), nButyllithium in hexanischer Lösung (CheMetall), Dimethylamin (Merck-Schuchardt), N,N-Dimethylhydrazin (Aldrich), Dimethylsulfat (Sigma-Aldrich), Eisen(II)chlorid (Aldrich), Galliumtrichlorid (Strem), Hafniumtetrachlorid (Aldrich), Hexamethyldisilazan (Fluka), Lithiumaluminiumhydrid (Aldrich), Lithiumhydrid (Aldrich), Lithiumdimethylamid, LiN(CH3)2 (Aldrich), Magnesiumsulfat (wasserfrei, Sigma-Aldrich), N-Methylacetamid (Fluka), Natriumhydroxid (Sigma-Aldrich), Palladiumdichlorid (ABCR), Pyridin (Grüssing), Tantalpentachlorid (H. C. Starck), Titantetrakisdimethylamid (ChemPur), Triethylamin (Sigma-Aldrich), Trimethylsilylchlorid (Acros), Vanadium(III)chlorid (Merck).
- Folgende Ausgangsverbindungen werden nach den angegebenen Literaturvorschriften synthetisiert oder sind über diese zugänglich:
Lithiumhexamethyldisilazid, LiN(Si(CH3)3)2: U. Wannagat, H. Niederprum, Chem. Ber. 1961, 94, 1540–1547.
Kaliumhexamethyldisilazid, KN(Si(CH3)3)2: C. Sreekumar, K. P. Darst, W. C. Still, 3. Org. Chem. 1980, 45, 4260–4262.
Palladiumdichloridbisacetonitril, [PdCl2(CH3CN)2]: M. A. Andres, T. C. T. Chang, C. W. F. Cheng, L. V. Kapustay, K. P. Kelly, M. J. Zweifel, Organometallics 1984, 3, 1479–1484.
Tantal-tert-butylimidotrichlorobispyridin, [Ta(NtBu)Cl3py2]: J. Sundermeyer, J. Putterlik, M. Foth, J. S. Field, N. Ramesar, Chem. Ber. 1994, 127, 1201–1212.
Trimethylammoniumchlorid, Me3N-HCl: W. H. Hunter, G. D. Byrkit, Journal of the American Chemical Society 1932, 54, 1948–1957.
Trimethylgallium, Ga(CH3)3: V. I. Bregadze, L. M. Golubinskaya, B. I. Kozyrkin, Journal of Cluster Science 2002, 13, 631–636.
Trimethylindium, In(CH3)3: V. I. Bregadze, L. M. Golubinskaya, B. I. Kozyrkin, Journal of Cluster Science 2002, 13, 631–636.
Vanadiumtrichloridtristetrahydrofuran, [VCl3(THF)3]: A. Gansäuer, B. Rinker, Polyhedron 2002, 7017–7026. - Für NMR-Spektren wurden Geräte der Typen AVANCE 300 A, AVANCE 300 B und DRX 500 der Firma BRUKER verwendet, massenspektrometrische Untersuchungen erfolgten an einem Gerät des Typs MAT95 der Firma FINNIGAN, Elementaranalysen wurden an Geräten der Firma HERAEUS vom Typ CHN-Rapid durchgeführt. Für die Aufnahme der IR-Spektren diente ein Gerät der Firma BRUKER (Gerätetyp ALPHA).
- Darstellung der Neutral-Liganden
-
- a) Hbdma: In 150 mL Triethylamin werden 51 g (65.4 mL, 0.85 mol, 2.33 Äquivalente) N,N-Dimethylhydrazin vorgelegt und bei Raumtemperatur unter kräftigem Rühren portionsweise mit 45 g (0.36 mol, 1.00 Äquivalent) Acetimidoethylesterhydrochlorid versetzt, woraufhin eine Gasentwicklung zu beobachten ist. Nach zweistündigem Rühren wird die farblose Suspension auf 90°C erhitzt und vier Stunden bei dieser Temperatur gerührt. Nach Filtration über einen Büchner-Trichter werden die flüchtigen Bestandteile bei Normaldruck abdestilliert. Das zurückbleibende Öl wird bei Unterdruck destilliert (88°C/88 mbar). Das Produkt wird als farblose Flüssigkeit erhalten. Ausbeute: 39.4 g (0.27 mol, 75%). 1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 2.04 (s, 6H, NMe2), 2.05 (s, 3H, MeC), 2.46 (s, 6H, NMe2), 6.54 (bs, 1H, NH). HR-EI-MS: berechnet für C6H16N4: 144.1375 m/z, gefunden: 144.1371 m/z. IR: ca. 3250 (vw), 2978 (w), 2946 (w), 2853 (w), 2817 (w), 2771 (w), 1625 (vs), 1398 (m), 1159 (m), 1016 (m), 962 (m), 908 (m).
- b) Hmdma: 7.50 g (60.69 mmol, 1.00 Äquivalent) Acetimidoethylester-hydrochlorid werden in 150 mL Dichlormethan gelöst und bei 0°C tropfenweise mit einer Mischung aus 4.00 g (66.56 mmol, 1.10 Äquivalente) N,N-Dimethylhydrazin und 6.76 g (66.56 mmol, 1.10 Äquivalente) Triethylamin versetzt. Die Reaktionsmischung wird langsam über Nacht unter Rühren auf Raumtemperatur erwärmt und anschließend die flüchtigen Bestandteile bei Normaldruck abdestilliert. Der verbleibende gelbliche Feststoff wird in ein Zwei-Phasen-Gemisch aus 50 mL Dichlormethan und 50 mL einer Lösung von 4.00 g NaOH in H2O gegeben und zwei Stunden lang intensiv gerührt. Die organische Phase wird abgetrennt und die wässrige Phase dreimal mit je 10 mL Dichlormethan extrahiert. Die vereinigten organischen Phasen werden über MgSO4 getrocknet und anschließend das Lösungsmittel am Rotationsverdampfer entfernt. Der zurückbleibende Feststoff wird aus heißem Hexan umkristallisiert und das Produkt wird nach Trocknen im Feinvakuum bei Raumtemperatur als faserige Kristalle erhalten. Ausbeute: 4.23 g (41.88 mmol, 69%). Schmelzpunkt: 73°C (Literaturwert: 68–73°C).
- c) Hdama: 8.80 g (120.40 mmol, 1.00 Äquivalent) N-Methylacetamid werden mit 15.18 g (120.40 mmol, 1.00 Äquivalente) Dimethylsulfat versetzt und die Mischung zwei Stunden lang auf 60°C erhitzt. Nach Abkühlen auf Raumtemperatur wird das Reaktionsgemisch mit dreimal 20 mL Diethylether gewaschen und die Etherreste kurz durch Anlegen von Feinvakuum entfernt. Das verbleibende Öl wird in 50 mL Methanol gelöst und bei 0°C mit einer Mischung aus 7.96 g (132.44 mmol, 1.10 Äquivalente) N,N-Dimethylhydrazin und 13.38 g (132.44 mmol, 1.10 Äquivalente) Triethylamin versetzt. Das Reaktionsgemisch wird unter Rühren über Nacht langsam auf Raumtemperatur erwärmt, anschließend wird die Lösung zu einem Zwei-Phasen-Gemisch aus 50 mL Dichlormethan und 50 mL einer Lösung von 6 g NaOH in 50 mL Wasser gegeben. Nach Trennung der Phasen wird die wässrige Phase viermal mit 25 mL Dichlormethan extrahiert. Nach Trocknen über MgSO4, Destillation bei Normaldruck und anschließender Destillation bei 65°C/50 mbar werden 9.00 g (78.26 mmol, 65%) des Produktes als farblose Flüssigkeit erhalten. 1H-NMR (CDCl3, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.79 (s, 3H, MeC), 2.24 (s, 6H, NMe2), 2.76 (s, 3H, NMe), 5.89 (s, 1H, NH). 13C-NMR (CDCl3, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 17.0 (MeC), 29.2 (NMe), 46.5 (NMe2), 159.2 (MeC).
- Darstellung der erfindungsgemäßen Metallkomplexe
- In den nachfolgenden Beispielen beschreiben die Beispiele 1 bis 16 Komplexe mit dem Liganden bdma bzw. H-bdma, Beispiele 17 und 18 beschreiben Komplexe mit dem Liganden mdma und das Beispiel 19 beschreibt einen Komplex mit dem Liganden dama.
- Beispiel 1
- Darstellung von [Li-bdma]
- 5.00 g (29.88 mmol, 1.00 Äquivalente) LiHMDS werden in 40 mL Hexan gelöst. Hierzu werden bei Raumtemperatur 5.17 g (35.85 mmol, 1.20 Äquivalente) Hbdma gegeben, wobei sich die Lösung schwach erwärmt und eine Phasentrennung (flüssig-flüssig) zu beobachten ist. Das Reaktionsgemisch wird über Nacht gerührt, während der sich langsam ein farbloser Feststoff bildet. Die überstehende Lösung wird dekantiert und der Feststoff zweimal mit jeweils 20 mL Hexan gewaschen. Nach Trocknen im Feinvakuum werden 4.22 g (28.09 mmol, 94%) eines farblosen Feststoffes erhalten. Ausbeute: 2.57 g (17.1 mmol, 94%).
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 2.24 (s, 3H, CCH3), 2.47 (s, 12H, N(CH3)2), 2.53 (s, 12H, N(CH3)2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 17.3 (MeC), 48.2 (NMe2), 50.3 (NMe2), 170.1 (MeC).
Elementaranalyse: C6H15LiN4:
berechnet: C: 47.99%, H: 10.07%, N: 37.31%.
gefunden: C: 47.46%, H: 9.68%, N: 36.35%.
IR: 2969 (w), 2934 (w), 2840 (w), 2803 (w), 2758 (w), 1521 (vs), 1430 (m), 1395 (m), 1171 (m), 1058 (m), 1008 (m), 954 (s), 658 (s), 561 (s), 423 (m). - Beispiel 2
- Darstellung von [K-bdma]
- 5.00 g (25.06 mmol, 1.00 Äquivalent) KHMDS werden in 50 mL Toluol gelöst und bei Raumtemperatur tropfenweise mit 4.01 g (27.80 mmol, 1.11 Äquivalente) Hbdma versetzt. Während der Zugabe beginnt ein farbloser Feststoff auszufallen, der nach Rühren über Nacht bei Raumtemperatur über eine G4-Fritte abfiltriert wird. Nach Waschen mit wenigen Portionen Hexan und Trocknen im Feinvakuum werden 4.16 g (22.80 mmol, 91%) eines farblosen Feststoffes erhalten.
Elementaranalyse: C6H15KN4:
berechnet: C: 39.53%, H: 8.29%, N: 30.73%.
gefunden: C: 39.25%, H: 8.25%, N: 30.22%.
IR: 2962 (w), 2924 (w), 2829 (w), 2792 (m), 2748 (m), 1511 (vs), 1426 (m), 1371 (m), 1159 (m), 947 (s), 631 (m), 455 (m). - BEISPIEL 3
- Darstellung von [Ga(bdma)H2]
- 1.95 g (245.28 mmol, 13.10 Äquivalente) LiH werden in 30 mL Et2O suspendiert und die graue Suspension auf –78°C gekühlt. Zu dieser Suspension wird tropfenweise eine auf –78°C gekühlte Lösung von 2.70 g (15.33 mmol, 0.82 Äquivalente) GaCl3 in 15 mL Et2O gegeben und die resultierende Suspension im Eisbad langsam unter Rühren über Nacht auf Raumtemperatur erwärmt. Die Suspension wird anschließend über eine G4-Fritte (ohne Celite) in einen auf –78°C vorgekühlten Kolben filtriert und bei –78°C tropfenweise mit einer auf –78°C gekühlten Lösung von 0.83 g (4.71 mmol, 0.25 Äquivalente) GaCl3 in 10 mL Et2O versetzt. Die Suspension wird langsam auf ca. –25°C erwärmt, anschließend über eine G4-Fritte (ohne Celite) in einen auf –78°C vorgekühlten Tropftrichter filtriert und die klare Lösung bei –78°C zu einer auf –78°C gekühlten Lösung von 2.70 g (18.70 mmol, 1.00 Äquivalent) Hbdma in 20 mL Et2O getropft. Die sich bildende Suspension wird über Nacht unter Rühren langsam auf Raumtemperatur erwärmt, während dieser Zeit löst sich der gebildete farblose Feststoff langsam unter Gasentwicklung (H2). Die erhaltene farblose Lösung wird über Celite filtriert und das Lösungsmittel im Feinvakuum bei 0°C entfernt. Die zurückbleibende farblose Flüssigkeit wird bei 0.5 mbar und 50°C destilliert, wodurch 2.10 g (9.81 mmol, 52%) des Produktes als niedrigviskose Flüssigkeit erhalten werden.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 2.00 (s, 3H, MeC), 2.30 (s, 12H, NMe2), 5.30 (bs, 2H, GaH2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 15.6 (MeC), 49.7 (NMeMe), 51.0 (NMeMe), 167.2 (MeC).
HR-EI-MS: berechnet für C6H17GaN4: 214.0709 m/z, gefunden: 214.0715 m/z.
IR: 2978 (m), 2944 (m), 2850 (m), 2811 (m), 2767 (m), 1866 (s), 1550 (vs), 1405 (vs), 957 (s), 744 (vs), 651 (vs). - Aufgrund der geringen Anteile an Kohlenstoff kann bei der Verwendung dieses Precursors zur Abscheidung von GaN-Schichten in CVD Verfahren der Einbau von C-Verunreinigungen (beispielsweise in Form von Carbiden) minimiert werden.
- BEISPIEL 4
- Darstellung von [Al(bdma)Me2]
- 1 mL einer AlMe3-Lösung in Toluol (1.43 mol/L; 1.43 mmol, 1.00 Äquivalent) wird in 30 mL Hexan gegeben, die Lösung auf –78°C gekühlt und langsam mit 222 mg (1.54 mmol, 1.08 Äquivalente) Hbdma versetzt. Nach der Zugabe wird das Kältebad entfernt und das Reaktionsgemisch zwölf Stunden bei Raumtemperatur gerührt. Nach Entfernen des Lösungsmittels und Sublimieren des zurückbleibenden Feststoffes im Feinvakuum wird 246 mg (1.23 mmol, 86%) eines farblosen Feststoffes erhalten. Schmelzpunkt: 41°C.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = –0.41 (s, 6H, AlMe2), 2.01 (s, 3H, MeC), 2.17 (s, 6H, NMe2), 2.36 (s, 6H, NMe2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = –8.7 (AlMe2), 15.9 (MeC), 48.1 (NMe2), 49.5 (NMe2), 168.7 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C8H21N4Al: 200.1582 m/z, gef.: 200.1587 m/z.
Elementaranalyse: C8H21AlN4:
berechnet: C: 47.98%, H: 10.57%, N: 27.98%.
gefunden: C: 47.69%, H: 10.57%, N: 27.68%.
IR: 2980 (w), 2944 (w), 2885 (w), 2850 (w), 2814 (w), 2772 (w), 1549 (m), 1403 (m), 1190 (m), 952 (m), 663 (s), 630 (m), 592 (m), 557 (m). - BEISPIEL 5
- Darstellung von [Ga(bdma)(NMe2)2]
- Zu einer Suspension von 1.15 g (22.55 mmol, 3.00 Äquivalente) LiNMe2 in 20 mL Et2O wird bei –78°C eine Lösung von 1.32 g (7.50 mmol, 1.00 Äquivalente) GaCl3 in 10 mL Et2O gegeben. Nach beendeter Zugabe wird das Kältebad entfernt und die farblose Suspension 30 min bei Raumtemperatur gerührt. Anschließend werden 1.08 g (7.50 mmol, 1.00 Äquivalente) Hbdma gelöst in 10 mL Et2O bei Raumtemperatur hinzugegeben. Die Suspension wird über Nacht bei Raumtemperatur gerührt und anschließend zentrifugiert. Das klare Zentrifugat wird im Feinvakuum vom Lösungsmittel befreit und bei 1 mbar/110°C umkondensiert. Es werden 1.22 g (4.05 mmol, 54% bezogen auf GaCl3) eines niedrig schmelzenden farblosen Feststoffes erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 2.07 (s, 3H, MeC), 2.27 (s, 6H, NNMe2), 2.35 (s, 6H, NNMe2), 2.81 (s, 12H, Ga(NMe2)2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 17.0 (MeC), 43.2 (Ga(NMe2)2), 48.5 (NNMe2), 48.9 (NNMe2), 168.3 (MeC).
HR-EI-MS: berechnet für C10H27GaN6: 300.1553 m/z, gefunden: 300.1545 m/z.
IR: 2944 (w), 2853 (w), 2810 (m), 2762 (s), 1552 (s), 1399 (s), 1178 (s), 965 (vs), 952 (vs), 631 (s), 545 (s). - BEISPIEL 6
- Darstellung von [Ga(bdma)Cl2]
- 205 mg (1.16 mmol, 1.00 Äquivalent) GaCl3 werden in einem Schlenkkolben eingewogen und anschließend bei –196°C ca. 10 mL Et2O einkondensiert. Nach Erwärmen auf Raumtemperatur wird eine Suspension von 174 mg (1.16 mmol, 1.00 Äquivalent) Libdma in Et2O langsam hinzugegeben. Die farblose Suspension wird anschließend über Nacht gerührt, das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt und das Produkt aus dem verbliebenen Feststoff heraussublimiert. Es werden 309 mg (1.09 mmol, 94%) eines farblosen Feststoffes erhalten.
- BEISPIEL 7
- Darstellung von [In(bdma)Me2]
- 200 mg (1.25 mmol, 1.00 Äquivalent) InMe3 werden bei Raumtemperatur in 10 mL Toluol gelöst und bei Raumtemperatur mit 180 mg (1.25 mmol, 1.00 Äquivalent) Hbdma versetzt. Nach anfänglicher Gasentwicklung und Rühren der Lösung über Nacht bei Raumtemperatur wird das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt. Der zurückbleibende Feststoff wird im Feinvakuum sublimiert, um 292 mg (1.01 mmol, 81%) eines farblosen Feststoffes zu erhalten. Schmelzpunkt: 47°C.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = –0.02 (s, 6H, InMe2), 2.14 (s, 3H, MeC), 2.20 (bs, 12H, NMe2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = –6.4 (InMe2), 17.4 (MeC), 49.4 (NMe2), 50.8 (NMe2), 167.8 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C8H21N4In: 288.0805 m/z, gef.: 288.0811 m/z.
Elementaranalyse: C8H21InN4:
berechnet: C: 33.35%, H: 7.35%, N: 19.45%.
gefunden: C: 33.20%, H: 7.24%, N: 19.47%.
IR: 2979 (w), 2939 (m), 2880 (w), 2841 (w), 2802 (w), 2755 (m), 1537 (s), 1392 (s), 949 (s), 507 (vs). - Dieser In-Komplex ist leicht flüchtig und sublimiert unzersetzt bei 0.1 mbar und 80°C.
zeigt die Röntgenstrukturanalyse der Verbindung. - BEISPIEL 8
- Darstellung von [Ti(bdma)(NMe2)3]
- 221 mg (0.98 mmol, 1.00 Äquivalent) Ti(NMe2)4 werden in 5 ml Toluol gelöst und bei 0°C mit 284 mg (1.97 mmol, 2.00 Äquivalente) Hbdma versetzt. Die klare gelbe Lösung wird anschließend über Nacht bei 60°C gerührt und nach Abkühlen auf Raumtemperatur und Entfernen des Lösungsmittels im Feinvakuum werden 294 mg (0.91 mmol, 93%) eines intensivgelben Öls erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 2.25 (s, 3H, MeC), 2.74 (bs, 12H, N-NMe2), 3.12 (s, 18H, Ti-NMe2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 15.0 (MeC), 46.0 (Ti-NMe2), 47.3 (bs, N-NMe2).
1H-NMR (C6D5CD3, 500,1 MHz, 232 K): δ (in ppm) = 2.38 (s, 3H, MeC), 2.57 (s, 6H, N-NMe2), 2.97 (s, 6H, N-NMe2), 3.12 (s, 18H, Ti-NMe2).
13C-NMR (C6D5CD3, 125.8 MHz, 232 K): δ (in ppm) = 15.1 (MeC), 45.4 (N-NMe2), 46.0 (Ti-NMe2), 48.7 (N-NMe2), 163.1 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C12H33N7Ti: 323.2278 m/z, gef.: 323.2272 m/z.
IR: 2965 (w), 2939 (w), 2839 (m), 2807 (m), 2761 (m), 1580 (m), 1359 (m), 1316 (s), 1242 (m), 1052 (m), 944 (vs), 583 (s), 559 (s), 448 (m). - BEISPIEL 9
- Darstellung von [Hf(bdma)2Cl2]
- 261 mg (0.81 mmol, 1.00 Äquivalente) HfCl4 und 245 mg (1.63 mmol, 2.00 Äquivalente) Libdma werden gemeinsam in einem Schlenkkolben vorgelegt und bei Raumtemperatur mit 30 mL THF versetzt. Die entstehende Suspension wird vier Stunden auf Siedetemperatur erhitzt und nach Abkühlen auf Raumtemperatur das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt. Der zurückbleibende Feststoff wird mit 30 mL Dichlormethan versetzt und über Nacht gerührt. Anschließend wird die farblose Suspension mit 30 mL Hexan versetzt und über eine G4-Fritte filtriert. Nach Trocknen des Feststoffes im Feinvakuum werden 301 mg (0.56 mmol, 69%) eines farblosen Feststoffes erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.67 (s, 6H, MeC), 2.12 (s, 6H, NMeMe)), 2.51 (s, 6H, NMeMe), 2.87 (s, 6H, NMeMe), 3.19 (s, 6 H, NMeMe).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 16.0 (MeC), 44.4 (NMeMe), 45.7 (NMeMe), 51.7 (NMeMe), 52.0 (NMeMe), 163.9 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C12H30Cl2HfN8: 536.1436 m/z, gef.: 536.1442 m/z.
IR: 2957 (w), 2912 (m), 2867 (w), 1574 (s), 1380 (s), 1342 (vs), 939 (vs), 854 (s), 823 (s), 618 (s), 504 (s), 441 (s), 408 (s). - BEISPIEL 10
- Darstellung von [Ta(bdma)Cl4]
- 2.27 g (3.17 mmol, 1.00 Äquivalent) [TaCl5]2 werden in 50 mL Toluol suspendiert, in der Hitze gelöst und unter Rühren langsam auf Raumtemperatur abgekühlt. In einem separaten Schlenkkolben werden 1.05 g (7.01 mmol, 1.10 Äquivalente) Libdma in 5 mL Toluol aufgeschlämmt und mit 2 mL (1.70 g, 15.65 mmol, 2.50 Äquivalente) TMSCl versetzt. Die resultierende Suspension wird kurz (ca. 5 min) zur Siedehitze erhitzt, nach Abkühlen zu der auf 0°C gekühlten TaCl5-Suspension getropft und die sich bildende blutorangefarbene Suspension auf 70°C erwärmt. Nach zwölf Stunden wird die Suspension über Celite filtriert, wobei das Produkt auszukristallisieren beginnt. Nach Einengen der orangefarbenen Lösung auf die Hälfte des Volumens und Kaltstellen bei –23°C werden 1.84 g (3.95 mmol, 62%) eines gelben Feststoffes erhalten.
1H-NMR (CDCl3, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 2.33 (s, 3H, MeC), 3.25 (s, 6H, NMe2), 3.50 (s, 6H, NMe2).
13C-NMR (CDCl3, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 13.6 (MeC), 48.9 (NMe2), 54.2 (NMe2), 160.1 (MeC).
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.25 (s, 3H, MeC), 2.62 (s, 6H, NMe2), 3.02 (s, 6H, NMe2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 12.7 (MeC), 47.9 (NMe2), 53.9 (NMe2), 160.1 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C6H15Cl4N4Ta: 463.9531 m/z, gef.: 463.9523 m/z.
Elementaranalyse: C6H15Cl4N4Ta:
berechnet: C: 15.47%, H: 3.24%, N: 12.02%.
gefunden: C: 15.38%, H: 3.16%, N: 12.38%.
IR: 2936 (w), 1607 (m), 1453 (m), 1379 (vs), 1341 (vs), 953 (s), 851 (s), 606 (s), 520 (m), 444 (m). - Beispiel 11
- Darstellung von [Si(bdma)Cl3]
- 752 mg (4.43 mmol, 1.00 Äquivalent) SiCl4 werden in 20 mL Dichlormethan gegeben und bei Raumtemperatur mit einer Mischung aus 460 mg (4.54 mmol, 1.02 Äquivalente) Triethylamin und 650 mg (4.51 mmol, 1.02 Äquivalente) Hbdma versetzt. Die klare Lösung wird drei Stunden bei Raumtemperatur gerührt und anschließend mit 20 mL Hexan versetzt. Die resultierende Suspension wird über Celite filtriert und anschließend das Lösungsmittel der klaren Lösung im Feinvakuum entfernt. Der zurück bleibende Feststoff wird in 20 mL warmen Hexan (ca. 40°C) gelöst und erneut über Celite filtriert. Nach Entfernen des Lösungsmittels im Feinvakuum werden 350 mg (1.27 mmol, 28%) eines farblosen Feststoffes erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.58 (s, 3H, MeC), 2.54 (s, 12H, NMe2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 8.9 (MeC), 46.4 (NMe2), 175.6 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C6H15Cl3N4Si: 276.0132 m/z, gef.: 276.0128 m/z.
Elementaranalyse: C6H15Cl3N4Si:
berechnet: C: 25.95%, H: 5.45%, N: 20.18%.
gefunden: C: 26.02%, H: 5.62%, N: 20.87%.
IR: 2989 (w), 2957 (w), 2869 (w), 2835 (w), 2789 (w), 1607 (m), 1442 (m), 1388 (m), 1023 (m), 965 (m), 928 (m), 878 (m), 845 (m), 609 (s), 568 (s), 536 (vs), 446 (s), 419 (vs). - Die Verbindung ist ein farbloser, leicht flüchtiger Feststoff, der bei 0,1 mbar und 80°C unzersetzt sublimiert. Sie kann als Precursor zur Herstellung von Siliziumnitrid-Schichten mittels CVD-Verfahren eingesetzt werden.
- BEISPIEL 12
- Darstellung von [Ta(NtBu)Cl3(H-bdma)]
- 873 mg (1.67 mmol, 1.00 Äquivalent) [Ta(NtBu)Cl3py2] werden in 50 mL Toluol suspendiert. Zu der gelben Suspension werden bei Raumtemperatur 483 mg (3.35 mmol, 2.00 Äquivalente) Hbdma gegeben. Nach kurzer Zeit bildet sich eine blassgelbe klare Lösung, und nach Rühren über Nacht wird das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt. Der blassgelbe Rückstand wird in 25 mL Dichlormethan gelöst und die farblose Lösung durch einen Spritzenfilter geklärt. Nach Einengen auf ca. 10 mL Volumen werden unter Rühren 50 mL Pentan hinzugegeben, der farblose ausfallende Feststoff abzentrifugiert und im Feinvakuum getrocknet. Es werden 713 mg (1.42 mmol, 85%) eines farblosen feinkristallinen Feststoffes erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.45 (s, 3H, MeC), 1.62 (s, 9H, NtBu), 2.67 (s, 6H, NMe2), 2.96 (s, 6H, NMe2), 5.84 (s, 1H, NH).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 15.6 (MeC), 32.4 (NCMe3), 46.8 (NMe2), 52.6 (NMe2), 66.7 (NCMe3), 167.7 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C10H24Cl2N5Ta: 465.0889 m/z, gef.: 465.0885 m/z.
Elementaranalyse: C10H26Cl3N5Ta:
berechnet: C: 23.89%, H: 5.01%, N: 13.93%.
gefunden: C: 23.63%, H: 5.36%, N: 13.76%.
IR: 3241 (m), 3093 (w), 2973 (w), 2920 (w), 2885 (w), 1575 (s), 1442 (m), 1263 (vs), 874 (s), 552 (m), 498 (m). - BEISPIEL 13
- Darstellung von [V(bdma)3]
- 359 mg (0.96 mmol, 1.00 Äquivalent) [VCl3(THF)3] werden in 5 mL THF suspendiert und zu der violetten Suspension wird eine Lösung von 525 mg (2.88 mmol, 3.00 Äquivalente) Kbdma in 5 mL THF getropft. Nach zwölfstündigem Rühren bei Raumtemperatur wird das ausgefallene KCl abzentrifugiert, die überstehende violette Lösung abdekantiert und das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt. Der verbleibende Festkörper wird mit 40 mL Hexan versetzt und die entstehende Suspension über Celite filtriert. Nach Einengen des Lösungsmittelvolumens auf ca. 10 mL und Lagerung über Nacht bei –23°C werden 354 mg (2.22 mmol, 77%) eines intensiv violetten kristallinen Feststoffes erhalten.
HR-EI-MS: ber. für C18H45N12V: 480,3330 m/z, gef.: 480.3336 m/z
Elementaranalyse: C18H45N12V:
berechnet: C: 44.99%, H: 9.44%, N: 34.98%.
gefunden: C: 44.56%, H: 9.32%, N: 34.57%.
IR: 2973 (w), 2940 (m), 2852 (m), 2816 (m), 2777 (w), 1576 (m), 1368 (vs), 1314 (vs), 1016 (m), 942 (s), 635 (m), 534 (m), 454 (w). - BEISPIEL 14
- Darstellung von [Ni(bdma)2]
- 330 mg (1.50 mmol, 1.00 Äquivalent) [NiCl2(DME)] werden in 20 mL Toluol suspendiert und mit einer Suspension von 451 mg (3.00 mmol, 2.00 Äquivalente) Libdma in 50 mL Toluol versetzt. Die sich langsam braun färbende Suspension wird vier Stunden lang auf 60°C erhitzt. Nach Abkühlen auf Raumtemperatur wird das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt, der zurückbleibende Feststoff mit 80 mL Hexan versetzt und die sich bildende Suspension 30 min lang bei Raumtemperatur gerührt. Die rotbraune Suspension wird anschließend über Celite filtriert und der Filterkuchen mit kleinen Mengen Hexan extrahiert, bis das Filtrat vollkommen farblos ist. Nach Entfernen des Lösungsmittels im Feinvakuum und Sublimieren des Rückstandes werden 428 mg (1.24 mmol, 83%) des Produktes als grüner Feststoff erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 0.08 (bs, 10H), 4.48 (bs, 20H).
1H-NMR (C6D5CD3, 500.1 MHz, 223 K): δ (in ppm) = 1.87 (s, 6H, MeC), 2.41 (s, 12H, NMe2), 2.70 (s, 12H, NMe2).
13C-NMR (C5D5CD3, 125.7 MHz, 223 K): δ (in ppm) = 15.7 (MeC), 46.2 (NMe2), 49.3 (NMe2), 170.0 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C12H30N8Ni: 344.1947 m/z, gef.: 344,1964 m/z.
Elementaranalyse: C12H30N8Ni:
berechnet: C: 41.76%, H: 8.76%, N: 32.47%.
gefunden: C: 41.24%, H: 8.33%, N: 32.10%.
IR: 3039 (w), 2980 (w), 2904 (m), 2848 (m), 2772 (m), 1566 (vs), 1445 (m), 1380 (vs), 1340 (vs), 1220 (m), 1173 (m), 1094 (m), 950 (vs), 904 (s), 866 (m), 838 (m), 616 (s), 570 (s), 535 (m), 455 (m), 431 (s). - BEISPIEL 15
- Darstellung von [Pd(bdma)2]
- 90 mg (0.35 mmol, 1.00 eq.) [PdCl2(MeCN)2] werden in 10 mL THF gelöst und auf 0°C gekühlt. Bei dieser Temperatur wird eine Lösung aus 133 mg (0.73 mmol, 2.00 eq.) Kbdma in 10 mL THF hinzu getropft. Das auf Raumtemperatur erwärmte Reaktionsgemisch wird für 18 Stunden gerührt und anschließend zentrifugiert. Aus der klaren Lösung wird das THF im Vakuum entfernt, so dass das Produkt als gelbes Pulver erhalten wird. Es werden 103 mg (0.26 mmol; 76%) [Pd(bdma)2] gewonnen.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.98 (s, 6H, CCH3), 2.54 (s, 12H, NNCH3), 2.82 (s, 12H, PdNCH3).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 15.0 (CCH3), 45.8 (PdNCH3), 51.9 (NNCH3), 169.9 (NCCH3).
HR-EI-MS: ber. für C12H30N8Pd: 392.1628 m/z, gef.: 392.1621 m/z.
Elementaranalyse: C12H30N8Pd:
berechnet: C: 36.68%, H: 7.69%, N: 28.52%.
gefunden: C: 37.04%, H: 7.58%, N: 23.25%. - Beispiel 16
- Darstellung von [Al(bdma)H(μ-H)]2
- 107 mg (2.82 mmol, 0.75 Äquivalente) LiAlH4 werden in 5 mL Et2O gelöst und zu einer auf –78°C gekühlten Lösung von 126 mg (0.94 mmol, 0.25 Äquivalente) AlCl3 in 5 mL Et2O gegeben. Die Lösung wird solange gerührt, bis das Kältebad eine Temperatur von –40°C erreicht hat, wobei eine merkliche Trübung zu beobachten ist (LiCl). Anschließend wird die Suspension wieder auf –78°C gekühlt und mit 543 mg (3.76 mmol, 1.00 Äquivalente) Hbdma in 10 mL Et2O versetzt. Nach Kältebadentnahme wird über Nacht bei Raumtemperatur gerührt. Die farblose Suspension wird anschließend über Celite filtriert, der Filterkuchen zweimal mit 5 mL Et2O extrahiert, das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt und der verbleibende farblose Feststoff sublimiert. Es werden 595 mg (3.46 mmol, 92%) des Produktes als feinkristalliner farbloser Feststoff erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.99 (s, 3H, MeC), 2.26 (s, 6H, NMe2), 2.40 (s, 6H, NMe2), 4.54 (s, 2H, AlH2).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 15.7 (MeC), 49.2 (NMe2), 49.7 (NMe2), 169.2 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C6H17AlN4: 172.1269 m/z, gef.: 172.1270 m/z.
Elementaranalyse: C6H17AlN4:
berechnet: C: 41.85%, H: 9.95%, N: 32.53%.
gefunden: C: 41.53%, H: 9.56%, N: 32.10%.
IR: 2975 (w), 2934 (w), 2855 (w), 2818 (w), 2777 (w), 1831 (s), 1565 (s), 1390 (vs), 1343 (s), 950 (s), 840 (s), 679 (s), 636 (s), 553 (s), 524 (s). - BEISPIEL 17
- Darstellung von (Al(mdma)2H]
- 43 mg (1.13 mmol, 1.00 Äquivalent) LiAlH4 werden in 10 mL Et2O gelöst und bei –78°C portionsweise mit 108 mg (1.13 mmol, 1.00 Äquivalent) Me3N·HCl versetzt. Die farblose Suspension wird unter Rühren langsam auf –20°C erwärmt und bei dieser Temperatur gerührt, bis die Gasentwicklung (H2) beendet ist. Anschließend wird die farblose Suspension wieder auf –78°C gekühlt und eine Lösung von 229 mg (2.26 mmol, 2.00 Äquivalente) Hmdma in 10 mL Et2O langsam hinzugegeben. Die erhaltene Suspension wird über Nacht gerührt und dabei langsam auf Raumtemperatur erwärmt. Die farblose Suspension wird anschließend im Feinvakuum vom Lösungsmittel befreit, der verbleibende Feststoff mit 20 mL Benzol zwei Stunden lang bei Raumtemperatur gerührt und das Reaktionsgemisch anschließend über Celite filtriert. Nach Einengen des Lösungsmittelvolumens auf ca. 7 mL, Überschichten mit 14 mL Hexan und Entnehmen des Lösungsmittelgemisches wird nach Trocknen des zurückbleibenden Feststoffes im Feinvakuum 90 mg (0.39 mmol, 34%) ein kristalliner Feststoffes erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.70 (s, 6H, MeC), 2.22 (s, 6H, NMeMe), 2.51 (s, 6H, NMeMe), 3.36 (bs, 2H, NH).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 20.4 (MeC), 47.2 (NMeMe), 50.0 (NMeMe), 166.1 (MeC).
Elementaranalyse: C8H21AlN6:
berechnet C: 42.09%, H: 9.27%, N: 36.82%.
gefunden: C: 41.79%, H: 9.44%, N: 36.79%.
IR: 3338 (m), 3007 (w), 2987 (w), 2973 (m), 2922 (m), 1773 (m), 1584 (s), 1424 (vs), 1408 (vs), 977 (s), 620 (m), 584 (vs), 428 (vs). - BEISPIEL 18
- Darstellung von [Ga(mdma)2H]
- 336 mg (1.91 mmol, 1.25 Äquivalente) GaCl3 werden in 10 mL Et2O gelöst und bei –78°C zu einer Suspension von 236 mg (29.68 mmol, 19.43 Äquivalente) LiH getropft. Die Suspension wird unter Rühren langsam über Nacht auf Raumtemperatur erwärmt und anschließend (ohne Celite) über eine G4-Fritte in einen auf –78°C vorgekühlten Kolben filtriert, wobei der verbliebene Filterkuchen zweimal mit 5 mL, auf –78°C vorgekühlten, Et2O extrahiert wird. Die klare LiGaH4-Lösung wird bei –78°C portionsweise mit 144 mg (1.51 mmol, 1.00 Äquivalent) Me3N·HCl versetzt und die erhaltene Suspension unter langsamen Erwärmen so lange gerührt, bis die Gasentwicklung (H2) beendet ist. Anschließend wird erneut auf –78°C gekühlt und langsam eine Lösung von 306 mg (3.02 mmol, 2.00 Äquivalente) Hmdma in 15 mL Et2O hinzugegeben. Nach beendeter Zugabe wird das Kältebad entnommen und die farblose Suspension über Nacht bei Raumtemperatur gerührt. Die farblose Suspension wird anschließend im Feinvakuum getrocknet und der verbleibende Feststoff mit 25 mL Benzol versetzt. Die Suspension wird über Celite filtriert, der Filterkuchen dreimal mit 5 mL Benzol extrahiert und das Lösungsmittel im Feinvakuum entfernt. Der verbleibende Feststoff wird mit 5 mL Hexan aufgeschlämmt und nach Dekantieren und Trocknen des verbleibenden Feststoffes werden 170 mg (0.63 mmol, 42%) eines feinen, farblosen Feststoffes erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 1.75 (s, 6H, MeC), 2.30 (s, 12H, NMe2), 3.58 (bs, 2H, NH), 4.97 (bs, 1H, GaH).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = 20.7 (MeC), 48.3 (NMe2), 164.7 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C8H21GaN6: 270.1084 m/z, gef.: 270.1083 m/z. IR: 3328 (m), 2961 (m), 2911 (m), 2879 (m), 1867 (s), 1580 (vs), 1413 (vs), 985 (s), 587 (s), 540 (s), 503 (s). - BEISPIEL 19
- Darstellung von [Ga(dama)Me2]
- 1.34 g (11.65 mmol, 1.00 Äquivalent) GaMe3 werden bei 77 K in einen Schlenkkolben einkondensiert und mit 10 mL Hexan versetzt. Nach Erwärmen auf –78°C werden 1.33 g (11.56 mmol, 0.99 Äquivalente) Hdama hinzugegeben. Der sich zu Beginn bildende farblose Feststoff löst sich beim Erwärmen auf Raumtemperatur langsam unter Gasentwicklung auf. Das Lösungsmittel wird bei Normaldruck abdestilliert, die verbleibende ölige Flüssigkeit wird unter vermindertem Druck (15 mbar, 73°C) destilliert. Es werden 1.40 g (6.54 mmol, 56%) einer farblosen Flüssigkeit erhalten.
1H-NMR (C6D6, 300.1 MHz, 300 K): δ (in ppm) = –0.21 (s, 6H, GaMe2), 1.68 (s, 3H, MeC), 2.21 (s, 6H, NMe2), 2.57 (s, 3H, NMe).
13C-NMR (C6D6, 75.5 MHz, 300 K): δ (in ppm) = –8.9 (GaMe2), 15.5 (MeC), 32.0 (NMe), 49.1 (NMe2), 166.1 (MeC).
HR-EI-MS: ber. für C7H18GaN3: 213.0757 m/z, gef.: 213.0766 m/z.
IR: 3003 (w), 2927 (m), 2888 (m), 2810 (w), 1552 (vs), 1422 (s), 1398 (s), 1192 (m), 942 (m), 569 (s), 536 (s). - Beispiel 20
- Durchführung von CVD Experimenten
- Die Abscheidung von Schichten unterschiedlicher reproduzierbarer Gehalte an Metall und Stickstoff erfolgt an einem kommerziellen Aixtron AIX-200 Reaktor mit Wasserstoff, Ammoniak oder Stickstoff als Trägergas.
- Während des Prozesses wird der Druck im Reaktor konstant bei 50 bis 150 mbar, bevorzugt bei 80 bis 120 mbar und ganz besonders bevorzugt bei 100 mbar eingestellt. Der Gasfluss beträgt 400 bis 700 sccm, vorzugsweise 500 bis 600 sccm. Die Temperatur im Edelstahl-Bubbler, der die flüchtige erfindungsgemäße Verbindung enthält wird im Fall der bdma-Aluminium- und -Galliumhydride konstant bei 30°C gehalten. Die Vorratsbehältertemperatur ist im Falle der bdma-Metallalkyle auf 50 bis 70°C und im Falle der bdma-Metallamide und bdma-Metallhalogenide auf 70 bis 100°C temperiert. Abgeschieden werden auf (100) orientierten p-dotierten Siliziumwafern, die mit einem natürlichen Film einer SiO2-Oberfläche belegt sind oder auf einer (0001) Oberfläche von Saphir bei Substrattemperaturen zwischen 200 und 800°C, bevorzugt zwischen 400 bis 600°C. Bei konstanter einstellbarer Wachstumsgeschwindigkeit von 0.4 bis 40.0 nm/min können amorphe, polykristalline oder aber epitaktische Schichten mit Schichtdicken von 5 nm bis zu 15 μm gewonnen werden. Beispielhaft sei die Abscheidung qualitativ hochwertiger Schichten von Galliumnitrid (GaN) aus dem precursor (bdma)GaH2 auf Saphir genannt.
- Die Dicke der Schichten wird mit einem Scanning Electron Microscope (SEM); die Analyse der elementaren Zusammensetzung erfolgt mittels energiedispersiver X-Ray Analyse (EDX), die Qualitätsbeurteilung mittels Photolumineszenz-Spektroskopie (PL); kristalline Phasen werden mit XRD Methoden untersucht.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- V. I. Bregadze, L. M. Golubinskaya, B. I. Kozyrkin, Journal of Cluster Science 2002, 13, 631–636 [0071]
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Claims (20)
- Metallkomplexe mit mindestens einem N-Amino-Amidinat-Liganden, dadurch gekennzeichnet, dass diese Metallkomplexe gemäß der allgemeinen Formel 1 Formel 1 aufgebaut sind, worin M ein Metall der 1. bis 15. Gruppe des Periodensystems der Elemente (PSE), R1 Wasserstoff oder ein zyklischer, linearer oder verzweigter Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen, oder ein substituierter oder unsubstituierter Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen, R2 und R3 unabhängig voneinander Wasserstoff, CH3 oder C2H5, R4 Wasserstoff, CH3, NH2, N(CH3)2 oder N(C2H5)2, X ein monoanionischer Co-Ligand ausgewählt aus dem Hydridanion (H–), aus der Gruppe der Halogenide, aus der Gruppe der zyklischen, linearen oder verzweigten Alkylidreste mit bis zu 8 C-Atomen, aus der Gruppe der substituierten oder unsubstituierten Arenid- und Heteroarenid-Reste mit bis zu 10 C-Atomen, aus der Gruppe der Alkoxylat-Liganden, aus der Gruppe der Alkylthiolat- oder Alkylselenat-Liganden oder aus der Gruppe der sekundären Amidoliganden, Y ein dianionischer Co-Ligand ausgewählt aus der Oxogruppe [O]2– oder der Imidogruppe [NR5]2–, wobei R5 für einen zyklischen, verzweigten oder linearen Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen oder für einen substituierten oder unsubstituierten Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen steht, L ein neutraler 2-Elektronen-Donorligand, a eine ganze Zahl zwischen 1 und 4 und n, m, p jeweils unabhängig voneinander 0, 1, 2, 3 oder 4 bedeuten.
- Metallkomplexe gemäß Anspruch 1, worin R1 CH3, C2H5, C6H5, Toluyl, 2,6-Diisopropylphenyl oder 2,4,6-Trimethylphenyl (Mesityl), R2 und R3 unabhängig voneinander Wasserstoff, CH3 oder C2H5, R4 Wasserstoff, CH3, NH2, N(CH3)2, oder N(C2H5)2 X Methanid (CH3 –), Ethanid (C2H5 –), Isopropanid (iso-C3H7 –) tert.Butanid (tert-C4H9 –)) das Phenylanion (C6H5 –), das ortho-, meta-, para-Toluylanion [C6H4(CH3)]–, das Thiophen-2-yl-Anion (C4H3S–), Methylat (MeO–), Ethylat (EtO–), tert.Butylat (tert-BuO–)), MeS–, MeSe–, (tert-Bu)S–, (tert-Bu)Se–), Dimethylamid (NMe2 –), Diethylamid (NEt2 –), Methylethylamid (NMeEt–) oder N-Pyrrolidid [NC4H8]–, Y die Imidogruppe [NtBu]2– bedeuten.
- Metallkomplexe gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Rest X für das Hydridanion (H–), Chlorid (Cl–), Bromid (Br–), Methylid (CH3 –), Ethylid (C2H5 –), Dimethylamid (NMe2 –) oder für Diethylamid (NEt2 –) steht.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei als neutraler 2-Elektronen-Donorligand L Pyridin, Dioxan, NH3, THF, CO, Alkylphosphine wie PMe3 oder PCy3 oder Arylphosphine wie PPh3 zum Einsatz kommen.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen fünfgliedrigen Chelatring aufweisen.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei ein Metall aus der Gruppe Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In), Silizium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Arsen (As) und Antimon (Sb), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hafnium (Hf), Chrom (Cr), Mangan (Mn), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Kupfer (Cu) oder Zink (Zn) eingesetzt wird.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei ein Edelmetall aus der Gruppe Ruthenium (Ru), Rhodium, (Rh), Palladium (Pd) und Platin (Pt) eingesetzt wird.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei mindestens einer der Liganden ein N-Amino-Amidinat-Ligand aus der Gruppe N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidinat („bdma”), N-Mono(dimethylamino)-acetamidinat (”dama”), Mono-(dimethylamino)-Acetamidinat (”mdma”) oder N,N'-Bis(dimethylamino)-Formamidinat („bdmf”) ist.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei mindestens einer der N-Amino-Amidinat-Liganden ein N,N'-Bis(dimethylamino)-Acetamidinat („bdma”) ist.
- Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine dimere Struktur mit verbrückenden Ligandfunktionen X, Y oder L aufweisen.
- Metallkomplexe mit mindestens einem neutralen N-Amino-Amidin-Liganden, dadurch gekennzeichnet, dass diese Metallkomplexe gemäß der allgemeinen Formel 2 Formel 2 aufgebaut sind, worin M ein Metall der 1. bis 15. Gruppe des Periodensystems der Elemente (PSE), R1 Wasserstoff oder ein zyklischer, linearer oder verzweigter Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen, oder ein substituierter oder unsubstituierter Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen, R2 und R3 unabhängig voneinander Wasserstoff, CH3 oder C2H5, R4 Wasserstoff, CH3, NH2, N(CH3)2 oder N(C2H5)2, X ein monoanionischer Co-Ligand ausgewählt aus dem Hydridanion (H–), aus der Gruppe der Halogenide, aus der Gruppe der zyklischen, linearen oder verzweigten Alkylidreste mit bis zu 8 C-Atomen, aus der Gruppe der substituierten oder unsubstituierten Arenid- und Heteroarenid-Reste mit bis zu 10 C-Atomen, aus der Gruppe der Alkoxylat-Liganden, aus der Gruppe der Alkylthiolat- oder Alkylselenat-Liganden oder aus der Gruppe der sekundären Amidoliganden, Y ein dianionischer Co-Ligand ausgewählt aus der Oxogruppe [O]2– oder der Imidogruppe [NR5]2–, wobei R5 für einen zyklischen, verzweigten oder linearen Alkylrest mit bis zu 8 C-Atomen oder für einen substituierten oder unsubstituierten Arylrest mit bis zu 20 C-Atomen steht, L ein neutraler 2-Elektronen-Donorligand, a eine ganze Zahl zwischen 1 und 4 und n, m, p jeweils unabhängig voneinander 0, 1, 2, 3 oder 4 bedeuten.
- Metallkomplexe gemäß Anspruch 11, worin der neutrale N-Amino-Amidin-Ligand N,N'-Bis(dimethylamino)-acetamidin („H-bdma”) ist und worin M ein Übergangsmetall der 5. oder 11. Gruppe des PSE ist.
- Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden gemäß Formel 4, Formel 4 wobei die monoanionischen N-Amino-Amidinat-Liganden der Anzahl c und die neutralen N-Amino-Amidin-Liganden der Anzahl b in einem Komplex und an einem Koordinationszentrum kombiniert sind, und wobei die Indizes b und c unabhängig voneinander die ganzen Zahlen 1, 2 oder 3 darstellen und die restlichen Gruppen X, Y und L sowie die Indizes n, m und p wie in Anspruch 1 definiert sind.
- Verfahren zur Herstellung der Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei eine geeignete Metall-Ausgangsverbindung mit einem neutralen N-Aminoamidin-Liganden in einem organischen Lösungsmittel in einer Alkan- oder Amin-Eliminierung umgesetzt wird.
- Verfahren zur Herstellung der Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der neutrale N-Aminoamidin-Ligand zunächst mit Hilfe einer Base deprotoniert wird und anschließend mit einer geeigneten Metall-Ausgangsverbindung in einem organischen Lösungsmittel in einer Salzeliminierung hergestellt wird.
- Verfahren gemäß den Ansprüchen 14 oder 15, wobei als Lösungsmittel aliphatische Kohlenwasserstoffe (wie beispielsweise Pentan, Hexan, Heptan), aromatische Lösungsmittel (wie beispielsweise Benzol, Toluol), chlorierte Lösungsmittel (wie beispielsweise Dichlormethan, Chloroform), etherische Lösungsmittel (wie beispielsweise Diethylether, Tetrahydrofuran) oder Alkohole (wie beispielsweise Methanol, Ethanol oder Isopropanol) zum Einsatz kommen.
- Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei als organische Base nBu-Lithium oder Lithiumhexamethyldisilazid (LiHMDS) oder Kaliumhexamethyldisilazid (KHMDS) eingesetzt wird.
- Verwendung der Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13 als Precursoren in Dünnschichtverfahren.
- Verwendung der Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13 als Precursoren für CVD-Verfahren (Chemical vapor deposition), MO-CVD-Verfahren (Metallo-organic vapor deposition) oder ALD-Verfahren (Atomic layer deposition).
- Verwendung der Metallkomplexe gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14 als Katalysatoren für die Olefin-Hydroaminierung und für die Olefin-Polymerisation.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011012515A DE102011012515A1 (de) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden |
| TW101104935A TWI607012B (zh) | 2011-02-25 | 2012-02-15 | 具有n-胺基脒根配位基之金屬錯合物 |
| KR1020137025298A KR101950671B1 (ko) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | N-아미노아미디네이트 리간드들을 갖는 금속 착물 |
| JP2013554862A JP5964865B2 (ja) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | N−アミノアミジナート配位子を有する金属錯体 |
| PCT/EP2012/052878 WO2012113761A1 (en) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | Metal complexes with n-aminoamidinate ligands |
| RU2013143202/04A RU2013143202A (ru) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | Комплексы металлов с n-аминоамидинатными лигандами |
| US14/000,962 US9353139B2 (en) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | Metal complexes with N-Aminoamidinate ligands |
| CN201280008653.3A CN103380139B (zh) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | 具有n-氨基脒基配体的金属络合物 |
| EP12706519.1A EP2681229B1 (de) | 2011-02-25 | 2012-02-20 | Metallkomplexe mit n-aminoamidinatliganden |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011012515A DE102011012515A1 (de) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102011012515A1 true DE102011012515A1 (de) | 2012-08-30 |
Family
ID=45774174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102011012515A Ceased DE102011012515A1 (de) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9353139B2 (de) |
| EP (1) | EP2681229B1 (de) |
| JP (1) | JP5964865B2 (de) |
| KR (1) | KR101950671B1 (de) |
| CN (1) | CN103380139B (de) |
| DE (1) | DE102011012515A1 (de) |
| RU (1) | RU2013143202A (de) |
| TW (1) | TWI607012B (de) |
| WO (1) | WO2012113761A1 (de) |
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| US10047435B2 (en) | 2014-04-16 | 2018-08-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dual selective deposition |
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- 2012-02-20 CN CN201280008653.3A patent/CN103380139B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-20 KR KR1020137025298A patent/KR101950671B1/ko active Active
- 2012-02-20 JP JP2013554862A patent/JP5964865B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-20 RU RU2013143202/04A patent/RU2013143202A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-02-20 US US14/000,962 patent/US9353139B2/en active Active
- 2012-02-20 WO PCT/EP2012/052878 patent/WO2012113761A1/en not_active Ceased
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| CN103380139A (zh) | 2013-10-30 |
| WO2012113761A1 (en) | 2012-08-30 |
| TW201247687A (en) | 2012-12-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
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| R003 | Refusal decision now final |














