DE10119858A1 - Spannungsregler - Google Patents
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- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 23
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 23
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 10
- 101100462365 Aspergillus niger (strain CBS 513.88 / FGSC A1513) otaA gene Proteins 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 101100462367 Aspergillus niger (strain CBS 513.88 / FGSC A1513) otaB gene Proteins 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
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Abstract
Es wird ein Spannungsregler beschrieben, dessen Ausgangsspannung von der Ansteuerung eines im Spannungsregler enthaltenen Transistors abhängt. Der beschriebene Spannungsregler zeichnet sich dadurch aus, daß er eine Stabilisierungsschaltung enthält, welche den durch den Transistor fließenden Strom verändern kann. Ein solcher Spannungsregler ist einfach entwerfbar und realisierbar, und ist bei minimalem Eigenenergiebedarf unter allen Umständen stabil.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1, d. h. einen Spannungsreg
ler, dessen Ausgangsspannung von der Ansteuerung eines im
Spannungsregler enthaltenen Transistors abhängt.
Ein Spannungsregler dieser Art ist in Fig. 5 dargestellt.
Die in der Fig. 5 gezeigte Anordnung enthält einen Gleich
spannungsregler und einen daran angeschlossenen Lastwider
stand Zout.
Der Spannungsregler enthält einen Differenzverstärker (einen
differentiellen Transkonduktanzverstärker) OTA1, einen NMOS-
Transistor MN1, einen ersten Widerstand Rfb, einen zweiten
Widerstand Re, einen dritten Widerstand Rs, einen ersten Kon
densator Cs1, einen zweiten Kondensator Cs2, und einen drit
ten Kondensator Cs3.
Der Spannungsregler erzeugt eine Ausgangsspannung Vout, wel
che am Sourceanschluß des Transistors MN1 abgegriffen wird,
und welche der Last Zout als Versorgungsspannung zugeführt
wird. Der Drainanschluß des Transistors MN1 wird mit einer
den Spannungsregler mit Energie versorgenden Versorgungs
spannung beaufschlagt, und der Gateanschluß ist mit dem Aus
gangsanschluß des Transkonduktanzverstärkers OTA1 verbunden.
Der Transkonduktanzverstärker OTA1 weist zwei Eingangs
anschlüsse auf, von welchen einem eine Eingangsspannung Vin
zugeführt wird, und von welchen dem anderen eine von der Aus
gangsspannung Vout abhängende (rückgekoppelte) Spannung zuge
führt wird; der Transkonduktanzverstärker OTA1 bildet die
Differenz zwischen diesen Spannungen und gibt das Ergebnis an
den Gateanschluß des Transistors MN1 aus. Die rückgekoppelte
Spannung wird an einem zwischen den Widerständen Rfb und Re
liegenden Knotenpunkt x2 abgegriffen; die Widerstände Rfb und
Re sind in Reihe geschaltet und zwischen dem Sourceanschluß
des Transistors MN1 und Masse angeordnet.
Fig. 6 zeigt das Kleinsignal-Ersatzschaltbild der in der
Fig. 5 gezeigten Anordnung.
Der beschriebene Spannungsregler ist ein Serienregler (Series
Voltage Regulator) mit einem NMOS-Transistor in Drain-Grund
schaltung als Treiberstufe. Es dürfte einleuchten und bedarf
keiner näheren Erläuterung, daß der gezeigte Spannungsregler
in der Lage ist, eine alleine von Vin und dem (durch die
Widerstände Rfb und Re bestimmten) Rückkoppelfaktor abhän
gende konstante Ausgangsspannung Vout zu erzeugen. Dies ist
jedoch insbesondere bei komplexen Lasten Zout, d. h. bei
Lasten mit induktiven und/oder kapazitiven Komponenten nicht
unter allen Umständen gewährleistet: das System kann in die
sem Fall instabil werden.
Die Stabilitätsprobleme würden nicht auftreten, wenn durch
eine geeignete Dimensionierung von Rfb und Re dafür gesorgt
werden würde, daß der durch den Transistor MN1 fließende
Strom Is1 auch bei großem Zout, also geringem Laststrom,
einen gewissen Minimalwert nicht unterschreitet, der Tran
sistor MN1 also eine gewisse Mindest-Steilheit (einen ge
wissen Mindest-Ausgangsleitwert) aufweist. Das Vorsehen eines
über den Transistor MN1 und die Widerstände Rfb und Re
fließenden großen (Quer)Stromes ist allerdings mit diversen
Nachteilen verbunden. Insbesondere hat ein solcher Spannungs
regler einen hohen Eigenenergiebedarf und muß der Transistor
MN1 größer ausgebildet werden als es bei einem geringen
Querstrom der Fall wäre. Zudem steht der notwendige Mindest-
Querstrom zur Sicherstellung der Stabilität nicht zum Treiben
der Last Zout zur Verfügung.
Die Abhängigkeit der Stabilität des Spannungsreglers vom
Mindest-Querstrom läßt sich wie folgt erklären:
Die Anordnung nach Fig. 5 kann vereinfacht als Zweipolsystem verstanden werden. Das Stabilitätskriterium fordert hierbei, dass die beiden Pole mindestens um einen Faktor von n ≧ 10 aus einander liegen.
Die Anordnung nach Fig. 5 kann vereinfacht als Zweipolsystem verstanden werden. Das Stabilitätskriterium fordert hierbei, dass die beiden Pole mindestens um einen Faktor von n ≧ 10 aus einander liegen.
Der erste Pol fp1 ergibt sich vereinfacht nach Gleichung 1.1.
Es ist zu erkennen, daß der erste dominante Pol von der
Steilheit gm des Transkonduktanzverstärker OTA1 als auch von
der Stabilisierungkapazität Cm1 bestimmt wird. In der Praxis
ist der erste Pol invariant. er wird bestimmt durch die not
wendige Bandbreite der Anordnung.
Der zweite Pol wird vereinfacht bestimmt durch die Lastkapa
zität Cout am Ausgang Vout, die Lastimpedanz Zout, und den
Ausgangsleitwert gds des treibenden Transistor MN1. Die Glei
chung 1.2 gibt den mathematischen Zusammenhang zur Errechnung
des zweiten Pols wieder.
Mit der vorstehend erwähnten vereinfachten Dimensionierungs
vorschrift, wonach bei gegebener Last fp2 ≧ 10.fp1 gelten
soll, kann der notwendige Mindest-Querstrom und somit der
Widerstandswert Rmin (die Summe der Widerstände Re und Rfb)
errechnet werden.
Der zweite Pol fp2 hängt direkt proportional vom Ausgangs
leitwert des treibenden Transistors ab. Der Mindest-Ausgangs
leitwert des Transistors ist direkt proportional zum einge
stellten Mindest-Querstrom Iq = Is1 und somit letztendlich die
Mindest-Phasenreserve der Anordnung.
Diese Zusammenhänge sind, wie vorstehend bereits erläutert
wurde, nachteilig.
Man ist daher schon seit langem auf der Suche nach Alternati
ven zur Beeinflussung der Stabilität von Spannungswandlern,
die diese Nachteile nicht aufweisen.
Eine Möglichkeit hierfür besteht im Vorsehen von zusätzlichen
Elementen, durch welche sich auf die Übertragungsfunktion des
Systems, genauer gesagt auf die Lage der Pol- und Nullstellen
derselben Einfluß nehmen läßt um somit eine Mindest-Phasen
reserve zur Stabilisierung zu garantieren. Bei dem in der
Fig. 5 gezeigten Spannungsregler wurde von dieser Möglich
keit gebrauch gemacht. Die zusätzlichen Elemente umfassen den
Widerstand Rs und die Kondensatoren Cs1, Cs2, und Cs3. Von
den genannten Elementen sind
- - der Widerstand Rs und der Kondensator Cs1 in Reihe geschal tet und zwischen dem Ausgangsanschluß des Transkonduktanz verstärkers OTA1 und Masse angeordnet,
- - der Kondensator Cs2 zwischen dem Rückkoppelzweig und Masse angeordnet, und
- - der Kondensator Cs3 parallel zum Widerstand Rfb angeordnet.
Durch die genannten Elemente kann Einfluß auf die Lage der
Pol- und Nullstellen der Übertragungsfunktion und damit auch
auf das Stabilitätsverhalten des Systems genommen werden.
Allerdings ist es schwierig und aufwendig, und teilweise so
gar unmöglich, die genannten Elemente so zu dimensionieren,
daß der Spannungsregler über den gesamten Lastbereich stabil
arbeitet.
Es existiert eine Vielzahl von Veröffentlichungen, in welchen
diese und weitere Möglichkeiten zur Stabilisierung von
Spannungsreglern beschrieben sind. Es wird beispielsweise auf
- - Thomas M. Frederiksen: "A Monolithic High-Power Series Voltage Regulator", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Dezember 1968, Seite 380 ff.,
- - Gabriel A. Rincon-Mora et al.: "A Low-Voltage, Low Quiescent Current, Low Drop-Out Regulator", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 33, No. 1., January 1998, Seiten 36 ff., und
- - Gerrit W. den Besten et al.: "Embedded 5 V-to-3.3 V Voltage Regulator for Supplying Digital IC's in 3.3 V CMOS Tech nology", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol 33, No. 7, July 1998, Seite 956 ff.
und die darin genannten weiteren Fundstellen verwiesen.
Unter den bekannten Möglichkeiten zur Stabilisierung von
Spannungsreglern befindet sich keine, die einfach entwerfbar
und realisierbar ist und bei geringem Eigenenergiebedarf eine
unter allen Umständen zuverlässige Stabilisierung gewährlei
sten kann.
Die gilt nicht nur für den vorstehend beschriebenen Series
Voltage Regulator, sondern auch für die sogenannten Low Drop
Output Regulators (LDO-Regler), welche als treibenden Tran
sistor einen PMOS-Transistor in Source-Grundschaltung auf
weisen.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
den Spannungsregler gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1 derart weiterzubilden, daß dieser bei minimalem Eigenener
giebedarf eine unter allen Umständen zuverlässige Stabilisierung
gewährleisten kann, und zudem einfach entwerfbar und
realisierbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den in Patentan
spruch 1 beanspruchten Spannungsregler gelöst.
Der erfindungsgemäße Spannungsregler zeichnet sich dadurch
aus, daß er eine Stabilisierungsschaltung enthält, welche den
durch den Transistor fließenden Strom verändern kann.
Die Stabilisierungsschaltung kann dafür sorgen, daß der durch
den Transistor fließende Strom in Phasen, und zwar nur in
Phasen, in welchen dieser zu klein wäre, um einen stabilen
Betrieb des Spannungsreglers zu gewährleisten, erhöht wird.
Dadurch entfällt die Notwendigkeit, den Transistor dauerhaft
von einem hohen Querstrom durchfließen zu lassen. Der
Spannungsregler kann so aufgebaut werden, daß der Querstrom,
der den Transistor durchfließt, in Phasen, in welchen er
durch die Stabilisierungsschaltung nicht erhöht wird, sehr
gering ist, wodurch der den Transistor durchfließende Strom
bei großen Lasten nur unwesentlich größer ist als der von der
Last gezogene Strom.
Dies hat den positiven Effekt, daß der Transistor in alleini
ger Abhängigkeit von der maximalen Last dimensioniert werden
kann, also nicht aus Gründen der Stabilität des Spannungsreg
lers größer ausgebildet werden muß. Darüber hinaus hat der
erfindungsgemäße Spannungsregler einen geringeren Eigenener
giebedarf, denn das Fließen des zusätzlichen Querstromes wird
ja nur in bestimmten Phasen veranlaßt.
Die Stabilisierungsschaltung ist darüber hinaus einfach ent
werfbar und realisierbar und problemlos an die jeweiligen
Gegebenheiten anpaßbar. Sie kann darüber hinaus im wesentli
chen unverändert bei allen Arten von Spannungsreglern eingesetzt
werden, deren Ausgangsspannung von der Ansteuerung
eines Transistors abhängt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteran
sprüchen, der folgenden Beschreibung und den Figuren entnehm
bar.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie
len unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Es zei
gen
Fig. 1 einen Series Voltage Regulator mit einer im folgenden
näher beschriebenen Stabilisierungsschaltung,
Fig. 2 einen Low Drop Output Regulator mit der im folgenden
näher beschriebenen Stabilisierungsschaltung,
Fig. 3 die zeitlichen Verläufe ausgewählter Ströme und Span
nungen in der in der Fig. 1 gezeigten Anordnung,
Fig. 4 einen Series Voltage Regulator mit einer modifizier
ten Stabilisierungsschaltung,
Fig. 5 einen herkömmlichen Series-Voltage Regulator, und
Fig. 6 ein vereinfachtes Kleinsignal-Ersatzschaltbild der in
der Fig. 5 gezeigten Anordnung.
Die im folgenden beschriebenen Spannungsregler sind Gleich
spannungsregler. Es sei jedoch bereits an dieser Stelle dar
auf hingewiesen, daß sich die Besonderheiten der im folgenden
beschriebenen Spannungsregler auch bei Spannungsreglern für
zeitlich variierende Spannungen einsetzen lassen.
In Fig. 1 ist eine Anordnung gezeigt, welche einen besonders
stabilisierten Spannungsregler und einen daran angeschlosse
nen Lastimpedanz Zout umfaßt.
Der Spannungsregler ist ein Series-Voltage Regulator, der wie
der in der Fig. 5 gezeigte und eingangs unter Bezugnahme
darauf beschriebene Spannungsregler einen Differenzverstärker
(einen differentiellen Transkonduktanzverstärker) OTA1, einen
NMOS-Transistor MN1, einen ersten Widerstand Rfb und einen
zweiten Widerstand Re enthält, welche auch wie bei dem in der
Fig. 5 gezeigten Spannungsregler verschaltet sind und koope
rieren. Der in der Fig. 1 gezeigte Spannungsregler enthält
darüber hinaus eine Stabilisierungsschaltung, welche jedoch
völlig anders aufgebaut ist und arbeitet als die zur Stabili
sierung dienenden Elemente Rs, Cs1, Cs2 und Cs3 des Span
nungsreglers gemäß Fig. 5.
Die Stabilisierungsschaltung besteht aus einem zweiten Diffe
renzverstärker (einem zweiten differentiellen Transkonduk
tanzverstärker) OTA2, NMOS-Transistoren MN2, MN3, MN4, MN5,
und MN6, und einem PMOS-Transistor MP3.
Vom Transistor MN2 ist der Drainanschluß mit einer den Span
nungsregler mit Energie versorgenden Versorgungsspannung be
aufschlagt, ist der Gateanschluß mit dem Ausgangsanschluß des
ersten Transkonduktanzverstärkers OTA1 verbunden, und ist der
Sourceanschluß mit einem Knotenpunkt x3 verbunden.
Vom Transistor MP3 ist der Sourceanschluß mit dem Knotenpunkt
x3 verbunden, ist der Gateanschluß mit dem Ausgangsanschluß
des zweiten Transkonduktanzverstärkers OTA2 verbunden, und
ist der Drainanschluß mit dem Sourceanschluß des Transistors
MN4 verbunden.
Der Transkonduktanzverstärker OTA2 weist zwei Eingangsan
schlüsse auf, von welchem einem die sich am Knotenpunkt x3
einstellenden Spannung zugeführt wird, und von welchen dem
anderen die Spannung Vout zugeführt wird; der Transkonduk
tanzverstärker OTA2 bildet die Differenz zwischen diesen
Spannungen und gibt diese an den Gateanschluß des Transistors
MP3 aus.
Der (sourceseitig auf Masse liegende) Transistor MN4 ist mit
dem Transistor MN5 zu einem Stromspiegel verschaltet, wobei
ein den Transistor MN4 durchfließender Strom Irep bewirkt,
daß der Transistor MN3 von einem Strom Irep' durchflossen
wird.
Der Drainanschluß des (sourceseitig ebenfalls auf Masse lie
genden) Transistors MN3 ist mit einem Knotenpunkt x1 verbun
den. Mit diesem Knotenpunkt x1 sind ferner eine einen Strom
Iref ausgebende Referenzstromquelle sowie der Drainanschluß
des Transistors MN5 verbunden.
Der (sourceseitig auf Masse liegende) Transistor MN5 ist mit
dem Transistor MN6 zu einem Stromspiegel verschaltet, wobei
ein den Transistor MN5 durchfließender Strom Ic bewirkt, daß
der Transistor MN6 von einem Strom Ic' durchflossen wird.
Der Drainanschluß des (sourceseitig ebenfalls auf Masse lie
genden) Transistors MN6 ist mit dem Drainanschluß des Tran
sistors MN1 verbunden; dieser Transistor MN6 stellt für den
Transistor MN1 eine zusätzliche Last dar, durch welche bei
gleichbleibender Ansteuerung des Transistors MN1 die Größe
des durch den Transistor MN1 fließenden Stromes Is1 veränder
bar ist.
Der Transistor MN1 wird von einem Strom durchflossen, der der
Summe der Ströme Ic', Iq, und Iout entspricht, wobei Ic' der
über den Transistor MN6 fließende Strom ist, Iq der über den
Spannungsteiler Rfb, Re fließende Strom ist, und Iout der die
Last Zout durchfließende Strom ist.
Der Transkonduktanzverstärker OTA2 und der Transistor MP3
sorgen dafür, daß sich am Sourceanschluß des Transistors MN2
(am Knotenpunkt x3) das selbe Potential einstellt wie am
Sourceanschluß des Transistors MN1. D. h., daß sich auch am
Knotenpunkt x3 das Potential Vout einstellt. Vereinfacht läßt
sich die Anordnung von Transkonduktanzverstärker OTA2 und
Transistor MP3 als Spannungsfolger auffassen der eine Replika
der Ausgangsspannung Vout am Knoten x3 erzeugt. Die Tran
sistoren MN1 und MN2 befinden sich somit spannungsmäßig im
gleichen Arbeitspunkt, was der Verbesserung des Gleichlaufs
beider Transistoren zueinander dient.
Deshalb, und weil der Transistor MN2 durch das selbe Signal
wie der Transistor MN1 gateseitig angesteuert wird, wird der
Transistor MN2 von einem Strom durchflossen, der in einem
bestimmten Verhältnis zu dem den Transistor MN1 durchfließen
den Strom steht. Der Transistor ist vorzugsweise sehr viel
schwächer ausgebildet als der Transistor MN1, so daß der den
Transistor MN2 durchfließende Strom Irep sehr viel kleiner
ist als der den Transistor MN1 durchfließende Strom Ic' + Iq
+Iout. Der Transistor MN2 stellt somit einen Replikastrom
Irep zum Transistor MN1 durchfließende Strom Ic' + Iq + Iout her.
Der den Transistor MN2 durchfließende Strom Irep fließt auch
durch den Transistor MP3 und den Transistor MN4. Das Fließen
des Stromes Irep durch den Transistor MN4 bewirkt, daß der
Transistor MN3 durch einen in einem bestimmten Verhältnis zum
Strom Irep stehenden Strom Irep' durchflossen wird.
Wenn der Strom Irep' größer als oder gleich groß wie der
Strom Iref ist, wird der Knotenpunkt x1 auf Massepotential
gezogen, wodurch der vom Knoten x1 zum Sourceanschluß des
Transistors MN5 fließende Strom Ic und damit auch der gespie
gelte Strom Ic' zu 0 werden und durch den Transistor MN1 kein
zusätzlicher Querstrom fließt. Dies ist der Fall wenn die
Lastimpedanz Zout klein genug, d. h. der Laststrom Iout groß
genug ist.
Wenn andererseits der Strom Irep' kleiner als der Strom Iref
ist, fließt vom Knoten x1 ein der Differenz von Irep' und
Iref entsprechender Strom Ic durch den Transistor MN5. Das
Fließen des Stromes Ic durch den Transistor MN5 bewirkt, daß
der Transistor MN6 durch einen in einem bestimmten Verhältnis
zum Strom Ic stehenden Strom Ic' durchflossen wird. Dadurch
wird der Transistor MN1 durch einen zusätzlichen Querstrom
Ic' durchflossen. Dies ist der Fall wenn die Lastimpedanz
Zout groß, d. h. der Laststrom Iout klein ist.
Durch die Stabilisierungsschaltung kann also erreicht werden,
daß der Transistor MN1 von einem zusätzlichen Querstrom Ic'
durchflossen wird, wenn die Summe der Ströme Iout und Iq
klein ist, und daß der Transistor MN1 von keinem zusätzlichen
Querstrom Ic' durchflossen wird, wenn die Summe der Ströme
Iout und Iq groß ist, genauer gesagt groß genug ist, um einen
stabilen Betrieb des Spannungsreglers zu gewährleisten.
Darüber hinaus enthält der Spannungsregler gemäß Fig. 1 noch
Kondensatoren Cm1 und Cm2, über welche die Ausgangsanschlüsse
der Transkonduktanzverstärker OTA1 und OTA2 mit Masse verbun
den sind, und welche zur Frequenzkompensation der Transkon
duktanzverstärker OTA1 und OTA2 dienen.
Im wesentlichen die selbe Stabilisierungsschaltung kann bei
einem sogenannten Low Drop Output Regulator zum Einsatz kom
men. Ein Low Drop Output Regulator mit einer Stabilisierungs
schaltung, welche der vorstehend beschriebenen Stabilisie
rungsschaltung entspricht, ist in Fig. 2 dargestellt.
Die in der Fig. 2 dargestellte Anordnung unterscheidet sich
von der in der Fig. 1 dargestellten Anordnung nur dadurch,
- - daß anstelle des NMOS-Treibertransistors MN1 in Drain- Grundschaltung ein PMOS-Treibertransistor MP1 in Source- Grundschaltung verwendet wird, und
- - daß die Frequenzkompensation des ersten Transkonduktanzver stärkers OTA1 durch eine zwischen dem Ausgangsanschluß des Transkonduktanzverstärkers OTA1 und dem Ausgangsanschluß des Spannungsreglers (dem Drainanschluß des Transistors MP1) angeordnete Reihenschaltung eines Kondensators Cm1 und eines Widerstandes Rm1 erfolgt (Stichwort: Millerkompen sation bzw. Polsplitting).
Die Funktion der in den Fig. 1 und 2 gezeigten Anordnungen
und deren Dimensionierung werden im folgenden nochmals de
taillierter beschrieben.
Die Ausgangsspannung Vout des Spannungsreglers ergibt sich
unter Vernachlässigung von Nichtidealitäten zu:
Bei sich ändernder Last verändert sich die Ausgangsspannung
Vout. Der Transkonduktanzverstärker OTA1 (auch Fehlerverstär
ker genannt) regelt die Gate-Source-Spannung des Transistors
MN1 (MP1) nach, bis sich am Ausgang die Spannung erneut auf
den Nominalwert eingestellt hat.
Wenn der Laststrom Iout oberhalb einer unteren Schwelle
Ioutmin liegt, ist der Strom Ic' gleich 0, und gilt für die
Summe der Ströme am im folgenden als Knoten Vout bezeichneten
Abgriffspunkt von Vout:
Der durch den Transistor MN2 fließende Strom ergibt sich un
ter Vernachlässigung von Nichtidealitäten (Mismatch etc.)
als:
wobei W die Breite des im jeweiligen Index genannten Tran
sistors, L die Länge des im jeweiligen Index genannten
Transistors, und β die Prozesskonstante des im jeweiligen
Index genannten Transistors und Transistortyps bezeichnen.
Zur Vereinfachung wird davon ausgegangen, dass die Prozeß
konstante für Transistoren gleichen Typs identisch sind und
somit, wenn nicht erforderlich, nachfolgend nicht genannt
werden.
Der Strom Is1 ist minimal, wenn Iout und Ic' gleich 0 sind
und beträgt
Der sich bei Is1 = Is1min einstellende Strom Irep beträgt
(siehe Gleichungen 1.5 und 1.6)
Nimmt der Laststrom Iout ausgehend von einem Maximalwert ab,
so sinkt der Strom Is1 im Transistor MN1 (MP1) und somit auch
der Strom im Transistor MN2. Wenn der Strom Irep' kleiner als
Iref wird, steigt das Potential am Knoten x1. Wird die sich
am Knoten x1 einstellende Spannung V(x1) größer als Vthn
(Schwellspannung des Transistors MN5), so fließt durch den
Transistor MN5 ein Strom Ic, und durch den Transistor MN6 ein
Strom Ic'. In diesem Moment setzt sich der Strom im Knoten
Vout wie folgt zusammen.
Aus den Gleichungen 1.3 bis 1.11 ergibt sich
Daraus ergeben sich nun die Bedingungen für den Strom Ic':
Mit den Gleichung 1.14a und 1.14b kann nun unter Berücksich
tigung der zur Stabilität notwendigen Steilheit des Tran
sistors MN1 (MP1) die Schaltung dimensioniert werden.
Zunächst wird beschrieben, wie sich der notwendige Strom Ic'
aus der Forderung nach der Stabilität und somit einer Min
destphasenreserve ermitteln läßt. Dabei wird davon ausgegan
gen, daß der Transkonduktanzverstärker OTA1 eine vereinfachte
Übertragungsfunktion mit einem dominanten Pol besitzt. Para
sitäre Pole und Nullstellen werden nicht berücksichtigt.
Die Laplace-Übertragungsfunktion im Frequenzbereich des
Transkonduktanzverstärkers ist dann
und deren Polfrequenz beträgt
wobei gmOTA1 die Steilheit des Transkonduktanzverstärkers OTA1
bezeichnet.
Für die weiteren Betrachtungen wird vorerst die Frequenz
gangskompensationsschaltung, bestehend aus Cm1 und Rm1 ver
nachlässigt. Für den Transkonduktanzverstärker OTA1 und die
Ausgangsstufe kann man folgende Festlegungen treffen:
wobei
- - R1 den Ausgangswiderstand des Transkonduktanzverstärkers OTA1,
- - gdsp den Ausgangsleitwert eines P-Kanal MOS-Transistors,
- - gdsn den Ausgangsleitwert eines N-Kanal MOS-Transistors,
- - C1 die Summe der Lastkapazitäten am Knoten X4 (Ausgang OTA1),
- - CgsMP1 die Gate-Source-Kapazität des Transistors MP1,
- - CgdMP1 die Gate-Drain-Kapazität des Transistors MP1,
- - Av11 die Gleichspannungsverstärkung der Ausgangsstufe (z. B. Transistor MP1),
- - R2 den Ausgangswiderstand der Treiberanordnung,
- - gdsMP1 den Ausgangsleitwert des Transistors MP1,
- - Rout den rein resistiven Lastwiderstand am Knoten Vout,
- - Rmin die minimalste Summenresitivität aus Rfb und Re als Hilfsgröße zur Dimensionierung,
- - C2 die transformierte Lastkapazität zur Berechnung des zweiten Pols fp2', und
- - gmMP1 die Steilheit des Ausgangstransistors MP1
bezeichnen.
Für Serien-Shunt-Feedback-Konfiguration wie die in den
Fig. 1 und 2 gezeigten Spannungsregler kann man unter Vernach
lässigung der Frequenzgangskompensation zwei Pole angeben:
Aus der allgemeinen Stabilitätstheorie ist bekannt, daß, um
eine ausreichend große Phasenreserve zu garantieren,
fp2' << fp1' sein muß. Geht nun der Laststrom Iout gegen 0
(geht R1 gegen unendlich), so wandert der Pol fp2' auf den
Pol fp1' zu. Die Phasenreserve nimmt ab, das System wird
instabil.
Unter Berücksichtigung der Frequenzgangskompensation ergeben
sich die Pole wie folgt:
Aus den Gleichungen 1.22 und 1.23 kann man nun die Gesamt
übertragungsfunktion in der Frequenzebene als System zweiter
Ordnung darstellen.
Unter der Annahme, daß f1c << f2c, und der Überlegung, daß bei
einer Frequenz von fu der Betrag der Gain |Avtot(s)| = 1 ist
ergibt sich:
Unter der Annahme das die Lastkapazität, der maximale Last
strom, und minimale Laststrom bekannt ist, kann man nun ent
weder die Kompensationskapazität Cm1 und/oder den minimalen
Querstrom Is1 im Transistor MP1/MN1 berechnen. Um Stabilität
zu garantieren, sollte folgende Festlegung gelten:
Somit ergeben sich (unter Berücksichtigung der Gleichung
1.25) für Rmin bzw. für Cm1 folgende Zusammenhänge:
Mit der Gleichungen 1.29, 1.14 und 1.15 kann nun die Schal
tung entsprechend dimensioniert werden. Für die Transkonduk
tanz gmOTA1 des OTA1 muß zu Beginn der Dimensionierung eine
Struktur und ein Wert festgelegt werden. Das kann aus einer
Vorgabe für die Bandbreite des OTA nach Gleichung 1.16 ge
schehen. Für die Verstärkung des treibenden Transistors kann
man die Annahme treffen, das der minimale Strom Iq als Is1
fließt. Somit erhält die Schaltung entsprechend Reserve in
der Stabilität.
Wie aus den vorstehenden Gleichungen ersichtlich ist, wurden
diese teilweise für den in Fig. 2 gezeigten Low Drop Output
Voltage Regulator erstellt. Die damit hergeleiteten Zusammen
hänge können unter Berücksichtigung der folgenden Formeln auf
den in Fig. 1 gezeigten Series Voltage Regulator übertragen
werden.
Unter den gleichen Annahmen wie für die LDO-Konfiguration er
gibt sich für den Series-Voltage Regulator ein Rmin':
Mit den Gleichungen 1.35 und 1.29 kann nun für die in den
Fig. 1 und 2 dargestellten Anordnungen der minimale Quer
strom bestimmt werden, der durch den Ausgangstransistor MN1
bzw. MP1 fließen muß, um bei einer gegebenen Lastkapazität
eine Stabilität zu gewährleisten. Hier sei nochmals darauf
hingewiesen, dass der Widerstand Rmin (Rmin') als Hilfsgröße
zur Dimensionierung dient. Der Strom durch einen angenommen
Widerstand Rmin (Rmin') kann nun entsprechend zwischen dem
Strom Iq durch Spannungsteiler Rfb und Re und dem Strom Ic'
aufgeteilt werden. Die Schaltung ist somit vollständig di
mensionierbar.
Um die rechnerischen Ergebnisse zu überprüfen, kann aus dem
in der Fig. 6 dargestellten Kleinsignal-Ersatzschaltbild die
Übertragungsfunktion in der Frequenzebene der geschlossenen
Regelschleife abgeleitet werden.
Zeigt die Übertragungsfunktion eine Überhöhung im Frequenz
bereich zur erwarteten DC-Gain, so ist von einer Instabilität
bzw. mindestens von einem Ringing (Überschwingen) auszugehen.
Mit den oben genannten Gleichungen kann die Schaltung ent
sprechend dimensioniert werden.
Fig. 3 zeigt beispielhaft Strom- und Spannungsverläufe in
einem ordnungsgemäß dimensionierten Spannungsregler mit einer
Stabilisierungsschaltung der vorstehend beschriebenen Art.
In Fig. 4 ist eine Stabilisierungsschaltung dargestellt, bei
welcher für das Einschalten und das Ausschalten des zusätzli
chen Querstromes Ic' eine Hysterese vorgesehen ist.
Die in der Fig. 4 gezeigte Anordnung entspricht weitest
gehend der in der Fig. 1 gezeigten Anordnung; mit den glei
chen Bezugszeichen bezeichnete Elemente sind identische oder
einander entsprechende Elemente.
Die in der Fig. 4 gezeigte Stabilisierungsschaltung enthält
zusätzlich NMOS-Transistoren MN7 und MN8 sowie eine einen
Referenzstrom Iref2 liefernde Stromquelle.
Die Transistoren MN7 und MN8 sind zu einem Stromspiegel ver
schaltet, wobei der Drainanschluß des Transistors MN7 und die
Gateanschlüsse der Transistoren MN7 und MN8 mit dem Knoten x1
verbunden sind, der Drainanschluß der Transistors MN8 mit dem
Drainanschluß des Transistors MN4, den Gateanschlüssen der
Transistoren MN3 und MN4 und der den Referenzstrom Iref2
liefernden Stromquelle verbunden ist, und die Sourcean
schlüsse der Transistoren MN7 und MN8 mit Masse verbunden
sind.
Durch die zusätzlichen Maßnahmen wird erreicht, daß der
Schwellenwert, der von Irep unterschritten werden muß, damit
der zusätzliche Querstrom Ic' fließt, kleiner ist als der
Schwellenwert, der von Irep überschritten werden muß, damit
kein zusätzliche Querstrom Ic' mehr fließt.
Die Hysterese wird charakterisiert durch:
Die beschriebenen Stabilisierungsschaltungen können auf
mannigfaltige Art und Weise modifiziert werden.
Beispielsweise kann vorgesehen werden, daß die Größe des zu
sätzlichen Querstromes Ic' so eingestellt wird, daß der den
Transistor MN1 bzw. MP1 durchfließende Strom jeweils gerade
groß genug ist, d. h. nicht wesentlich größer ist, als es er
forderlich ist, um einen stabilen Betrieb des Spannungsreg
lers zu gewährleisten.
Es könnte auch vorgesehen werden, die Größe des zusätzlichen
Querstromes Ic' in mehreren Stufen zu veränderbar zu machen.
Ferner könnte vorgesehen werden, daß der durch den Transistor
fließende Querstrom standardmäßig groß gemacht wird, und daß
die Stabilisierungsschaltung dafür sorgt, daß der Querstrom
verringert wird, wenn die Größe des durch den Transistor
fließenden Stromes (oder ein von der Größe dieses Stromes
abhängender Strom) einen bestimmten Schwellenwert überschrei
tet.
Unabhängig hiervon kann vorgesehen werden, daß die Verände
rung des den Transistors MN1 bzw. MP1 durchfließenden Stromes
durch eine Umkonfigurierung der Anordnung erfolgt, beispiels
weise durch Öffnen, Schließen oder Umschalten von Schaltern,
über welche der Transistor mit als Lastelemente wirkenden
Bauteilen oder Stromsenken verbunden werden kann.
Die Stabilisierungsschaltungen der beschriebenen Spannungs
regler sind unabhängig von den Einzelheiten der praktischen
Realisierung einfach entwerfbar und realisierbar, und können
bei minimalem Eigenenergiebedarf der Spannungsregler eine un
ter allen Umständen zuverlässige Stabilisierung gewährlei
sten.
Cx Kondensatoren
Ix Ströme
MNx NMOS-Transustoren
MPx PMOS-Transistoren
OTAx Transkonduktanzverstärker
Rx Widerstände
Vx Spannungen
Zout Lastwiderstand
Ix Ströme
MNx NMOS-Transustoren
MPx PMOS-Transistoren
OTAx Transkonduktanzverstärker
Rx Widerstände
Vx Spannungen
Zout Lastwiderstand
Claims (15)
1. Spannungsregler, dessen Ausgangsspannung (Vout) von der
Ansteuerung eines im Spannungsregler enthaltenen Transistors
(MN1, MP1) abhängt,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Spannungsregler eine Stabilisierungsschaltung ent
hält, welche den durch den Transistor (MN1, MP1) fließenden
Strom (Is1) verändern kann.
2. Spannungsregler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Veränderung des durch den Transistor (MN1, MP1)
fließenden Stromes (Is1) dadurch erfolgt, daß die vom Tran
sistor getriebene Last verändert wird.
3. Spannungsregler nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Veränderung der vom Transistor (MN1, MP1) getriebenen
Last durch eine Umkonfigurierung des Spannungsreglers er
folgt.
4. Spannungsregler nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Umkonfigurierung durch Öffnen, Schließen oder eines
Schalters erfolgt, über welche der Transistor (MN1, MP1) mit
einem als Lastelement wirkenden Bauteil oder einer Stromsenke
verbunden werden kann.
5. Spannungsregler nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Veränderung des durch den Transistor (MN1, MP1)
fließenden Stromes (Is1) durch eine Veränderung der An
steuerung eines Bauelementes erfolgt, das in einem den
Transistor enthaltenden Schaltungszweig angeordnet ist.
6. Spannungsregler nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Veränderung des durch den Transistor (MN1, MP1)
fließenden Stromes (Is1) dadurch erfolgt, daß die Ansteuerung
eines zum Transistor in Reihe geschalteten zweiten Tran
sistors (MN6) verändert wird.
7. Spannungsregler nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß der zweite Transistor (MN6) mit einem dritten Transistor
(MN5) zu einem Stromspiegel verschaltet ist, und daß der
durch den zweiten Transistor fließende Strom von dem durch
den dritten Transistor fließenden Strom abhängt.
8. Spannungsregler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stabilisierungsschaltung eine Veränderung des durch
den ersten Transistor (MN1, MP1) fließenden Stromes (Is1)
veranlaßt, wenn und so lange der den Transistor durch
fließende Strom eine Größe aufweist, bei welcher kein sta
biler Betrieb des Spannungsreglers gewährleistet werden kann.
9. Spannungsregler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stabilisierungsschaltung den durch den ersten Tran
sistor (MN1, MP1) fließenden Strom (Is1) nicht verändert,
wenn und so lange der den Transistor durchfließende Strom
eine Größe aufweist, bei welcher ein stabiler Betrieb des
Spannungsreglers gewährleistet ist.
10. Spannungsregler nach Anspruch 8 oder 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stabilisierungsschaltung einen Strom (Irep) erzeugt,
dessen Größe ein Maß für den den ersten Transistor (MN1, MP1)
durchfließenden Strom ist, und den durch den ersten Tran
sistor fließenden Strom verändert, wenn der generierte Strom
(Irep) oder ein davon abhängender Strom (Irep') kleiner als
ein Referenzstrom (Iref) ist.
11. Spannungsregler nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Generierung des Stromes durch einen vierten Tran
sistor (MN2, MP2) erfolgt, der wie der erste Transistor (MN1,
MP1) angesteuert wird.
12. Spannungsregler nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der vierte Transistor (MN2, MP2) kleiner dimensioniert
ist als der erste Transistor (MN1, MP1).
13. Spannungsregler nach einem der Ansprüche 11 oder 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stabilisierungsschaltung dafür sorgt, daß der vierte
Transistor (MN2, MP2) im selben Arbeitspunkt betrieben wird
wie der erste Transistor (MN1, MP1).
14. Spannungsregler nach einem der Ansprüche 10 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß in Reihe zum vierten Transistor (MN2, MP2) ein fünfter
Transistor (MN4) geschaltet ist, wobei dieser fünfte Tran
sistor mit einem sechsten Transistor (MN3) zu einem zweiten
Stromspiegel verschaltet ist, wobei dem Sourceanschluß des
sechsten Transistors der Referenzstrom (Iref) zugeführt wird,
und wobei der Sourceanschluß des sechsten Transistors mit dem
primären Transistor (MN5) des ersten Stromspiegels (MN5, MN6)
verbunden ist.
15. Spannungsregler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Veränderung des durch den Transistor (MN1, MP1)
fließenden Stromes (Is1) über eine Hystereseschleife erfolgt.
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