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CN207183274U - 阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN207183274U
CN207183274U CN201721318496.2U CN201721318496U CN207183274U CN 207183274 U CN207183274 U CN 207183274U CN 201721318496 U CN201721318496 U CN 201721318496U CN 207183274 U CN207183274 U CN 207183274U
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testing
line
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龙春平
李会
吴新银
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，所述阵列基板具有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；所述阵列基板还包括位于所述显示区的多条信号线、位于所述非显示区且与所述多条信号线分别对应的多条测试信号线和多个测试控制晶体管；每条所述信号线通过与其对应的测试控制晶体管连接于与其对应的测试信号线；其中所述多个测试控制晶体管的沟道宽长比在10到200之间。

Description

阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
显示装置已被大量地用作于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等消费电子产品的显示屏幕。显示装置一般包括有源矩阵阵列基板，其中各个有源元件调节光束强度以显示出影像。阵列基板包括多条栅线、多条数据线以及电性连接至对应的栅线及数据线的多个像素单元；在阵列基板的四周区域布置栅线、数据线、公共电极线和其它信号线的引出线，引出到键合盘与控制电路芯片连接。在阵列基板与彩膜基板进行对盒工艺之前，一般需要对阵列基板进行测试，发现可能的制造缺陷例如断路、短路、点缺陷等，以便进行修复。在完成对盒工艺之后也需要对液晶显示装置进行测试，可以对液晶屏进行分级，以及检测对盒工艺发生的不良。
在阵列基板的周边非显示区域设计有测试信号线以及控制晶体管，连接至各种信号线例如数据线等。由于大尺寸高分辨率显示屏的普及应用，数据线越来越多，也越来越长，图1所示是传统测试电路，测试信号线分别为并排设置的第一测试信号线3、第二测试信号线2、第三测试信号线1；并排设置的信号线包括第一数据线9、第二数据线10、第三数据线11，它们的末端部分形成测试控制晶体管的漏极；第一测试控制晶体管的第一源极15连接第一源极连接线12，通过第一测试信号线3上方的过孔6连接第一测试信号线3；第二测试控制晶体管的第二源极16连接第二源极连接线13，通过第二测试信号线2上方的过孔5连接第二测试信号线2；第三测试控制晶体管的第三源极17连接第三源极连接线14，通过第三测试信号线1上方的过孔4连接第三测试信号线1。
其中，每个所述控制晶体管具有和像素区域开关晶体管类似的尺寸，而面板的每个信号线的RC负载都远远大于像素单元的RC负载，使得测试信号线给数据线的充电和放电时间也越来越长，导致测试时间变长，生产能力下降和制造成本上升。
实用新型内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，包含多个测试控制晶体管，晶体管沟道具有10到200之间的宽长比，增大了晶体管的充电电流，缩短了测试时间，提高了生产能力和降低了生产成本。
本申请实施例提供了一种阵列基板，具有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；所述阵列基板包括位于所述显示区且并排设置的多条信号线、位于所述非显示区的多条测试信号线和多个测试控制晶体管；每条信号线通过与其对应的测试控制晶体管连接于与其对应的测试信号线；所述多条测试信号线并排设置；其中所述多个测试控制晶体管的沟道宽长比在10到200之间。
可选地，每个所述测试控制晶体管的源极和漏极为叉指，该叉指包含多个互相平行的指状电极以及连接指状电极的部分；半导体薄膜，位于所述源极叉指与所述漏极叉指之间形成沟道。
可选地，每个所述测试控制晶体管的源极连接至所述多条测试信号线的一条测试信号线，所述多个测试控制晶体管的每一个晶体管的漏极连接至所述多条信号线的一条信号线。
进一步地，所述多个测试控制晶体管的每一个晶体管的源极，通过过孔连接至所述多条测试信号线的一条测试信号线。
可选地，所述多个测试控制晶体管并排设置由一条、或三条、或六条、或六条以内的栅线控制，其中所述栅线具有缕空部。
进一步地，所述多个测试控制晶体管的所述控制栅线与所述多条测试信号线并排设置；其中所述多条测试信号线互相平行，且平行于所述多个测试控制晶体管的所述控制栅线。
可选地，并排设置的所述多条测试信号线至少包含三条平行的测试信号线，其中所述测试信号线的间距在2到20微米之间，所述测试信号线的间宽度2到20微米之间。
进一步地，所述多个测试控制晶体管的叉指源极和漏极包含至少两条指状电极，其中所述指状电极的间距在2到20微米之间，所述指状电极的宽度在2到20微米之间，指状电极的长度在10到200微米。
本申请实施例还提供了一种显示面板，包括前述任一技术方案所述的阵列基板。
本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述技术方案所述的阵列基板。
本申请实施例采用一种全新的测试控制晶体管设计方案，测试控制晶体管的沟道具有10至200之间的宽长比，有利于使得测试信号快速加载在数据线上。从而增大了晶体管的充电电流，缩短了测试时间，提高了生产能力和降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一实施例，而非对本实用新型的限制。
图1为现有的一种阵列基板示意图；
图2为本实用新型一实施例提供的一种阵列基板示意图。
附图标记：
1.第三测试信号线；2.第二测试信号线；3.第一测试信号线；4.第一过孔；5.第二过孔；6.第三过孔；7.栅线；8.栅线缕空部；9.第一数据线；10.第二数据线；11.第三数据线；12.第一源极连接线；13.第二源极连接线；14.第三源极连接线；15.第一叉指源极；16.第二叉指源极；17.第三叉指源极；18.第一叉指漏极；19.第二叉指漏极；20.第三叉指漏极；21.有源区；22.第一测试晶体管23.第二测试晶体管24.第三测试晶体管
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开的实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
本申请实施例的阵列基板包括附图未画出的显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；本领域技术人员应该清楚，阵列基板的显示区包括多个像素单元、多条栅线、多条数据线，还可以包括多条公共电极线、公共电极以及多条其它信号线，前述对阵列基板组成元素的介绍是示意性地，非限定性的，现有技术中的阵列基板其他组成结构和变形都在本申请保护范围之内；阵列基板的显示区包括的多条信号线并排设置，信号线可以是平行设置的栅线，或者是平行设置的数据线。
其中围绕所述显示区设置的非显示区包括多条测试信号线和多个测试控制晶体管，每条所述信号线通过与其对应的测试控制晶体管连接于与其对应的测试信号线；其中所述多个测试控制晶体管的沟道宽长比在10到200之间。有利于使得测试信号快速加载在数据线上。从而增大了晶体管的充电电流，缩短了测试时间，提高了生产能力和降低了生产成本。
以下将依据图2对本申请实施例进行详细介绍，，如图2所示，以信号线为数据线的情形为例，并排设置的信号线包括为第一数据线9、第二数据线10、第三数据线11；测试信号线分别为第一测试信号线3、第二测试信号线2、第三测试信号线1；其中第一测试信号线3、第二测试信号线2和第三测试信号线1并排设置。
如图2所示，三个测试控制晶体管的源极和漏极呈现叉指，该叉指包含多个互相平行的指状电极；其中第一叉指源极15、第二叉指源极16和第三叉指源极17包含5条平行设置的金属线，可选的，该5条金属线具有相同的线宽、长度和间距，也可以依据具体产品的设计方案，这些金属线具有不同的线宽、长度和间距；其线宽可以在2到20微米之间，长度可以在10到200微米之间，间距可以在2到20微米之间；第一叉指漏极18、第二叉指漏极19和第三叉指漏极20包含5条平行设置的金属线，该5条金属线具有相同的线宽、长度和间距，其线宽可以在2到20微米之间，长度可以在10到200微米之间，间距可以在2到20微米之间。各个测试控制晶体管的沟道宽长比大于10，而小于200。
本实用新型实施例相邻的叉指源极和叉指漏极之间的间距是4微米，每条叉指源极和每条叉指漏极的长度均超过10微米；使得上述各个测试控制晶体管沟道宽度相同，均超过50微米，晶体管沟道长度也相同，均为4微米；也可以依据具体产品的设计方案，各个测试控制晶体管具有不同的沟道宽度和长度。
其中，构成有源区21的半导体薄膜可以是非晶硅、多晶硅、氧化物半导体薄膜，如图2所示，该半导体薄膜位于所述源极叉指与所述漏极叉指之间形成晶体管沟道。
其中，第一叉指源极15、第一叉指漏极18、栅线7和有源区21的一部分构成的测试控制晶体管连接第一数据线9，且通过第一源极连接线12连接第一测试信号线3；第二叉指源极16、第二叉指漏极19、栅线7和有源区21的一部分构成的测试控制晶体管连接第二数据线10，且通过第二源极连接线13连接第二测试信号线2；第二叉指源极16、第二叉指漏极19、栅线7和有源区21的一部分构成的测试控制晶体管连接第二数据线10，且通过第二源极连接线13连接第二测试信号线2；第三叉指源极17、第三叉指漏极20、栅线7和有源区21的一部分构成的测试控制晶体管连接第三数据线11，且通过第三源极连接线14连接第三测试信号线1。
如图2所示，上述各个测试控制晶体管并排设置，用于连接并排设置的对应的数据线；上述各个测试控制晶体管的栅极位于同一条栅线7的不同部分，由一条栅线7提供栅极控制信号；栅线7在相邻的测试控制晶体管之间具有镂空部，其镂空部的宽度略小于相邻的测试控制晶体管的间距，镂空部的长度略小于栅线7的宽度，且位于的测试控制晶体管之间，例如位于第一数据线9和第三源极连接线14之间；镂空部减少了构成栅线7的金属面积，有利于降低工艺过程由于天线效应造成的等离子体损伤。
为了实现不同的测试方式，也可以使用三条或者其它条数的栅线依次控制测试控制晶体管；例如第一数据线9连接的第一测试控制晶体管由第一测试控制栅线控制，第二数据线10连接的第二测试控制晶体管由第二测试控制栅线控制，第三数据线11连接的第三测试控制晶体管由第三测试控制栅线控制。且第一测试控制晶体管、第二测试控制晶体管、第三测试控制晶体管的源极都连接到同一条测试信号线。其中第一测试控制栅线、第二测试控制栅线和第三测试控制栅线可以是平行并排设置，施加不同时序的控制信号线。
如图2所示，第一数据线9、第二数据线10、第三数据线11，和第三测试信号线1、第二测试信号线2、第一测试信号线3，分别一一对应三个测试控制晶体管；其中三个晶体管源极分别一一对应连接第一测试信号线3、第二测试信号线2、第三测试信号线1，三个晶体管漏极分别一一对应连接第一数据线9、第二数据线10、第三数据线11。
其中第一测试控制晶体管包含第一叉指源极15和第一叉指漏极18，第一源极15与第一源极连接线12连接，第一源极连接线12通过绝缘层第一过孔4与第一测试信号线3连接；第二测试控制晶体管包含第二叉指源极16和第二叉指漏极19，第二源极16与第二源极连接线13连接，第二源极连接线13通过绝缘层第二过孔5与第二测试信号线2连接；第三测试控制晶体管包含第三叉指源极17和第三叉指漏极20，第二测试控制晶体管包含第三叉指源极17和第三叉指漏极20，第三源极17与第三源极连接线14连接，第三源极连接线14通过绝缘层第三过孔6与第三测试信号线1连接；
为了更清楚地理解本实用新型实施例，需要说明的是：上述构成第一叉指源极15、第二叉指源极16和第三叉指源极17的数条金属线，和上述构成第一叉指漏极18、第二叉指漏极19和第三叉指漏极20的数条金属线，就是前述测试控制晶体管的叉指电极，分别为叉指源极和叉指漏极。
如图2所示，第一测试控制晶体管包含第一叉指源极15和第一叉指漏极18；第二测试控制晶体管包含第二叉指源极16和第二叉指漏极19；第三测试控制晶体管包含第三叉指源极17和第三叉指漏极20；如前所述，第一测试控制晶体管、第二测试控制晶体管和第三测试控制晶体管的控制栅极均是栅线7的一部分，栅线7与第一测试信号线3、第二测试信号线2和第三测试信号线1并排设置；第一测试信号线3、第二测试信号线2和第三测试信号线1互相平行，并且平行于各个测试控制晶体管的控制栅线7；其中第一测试信号线3、第二测试信号线2和第三测试信号线1的间距和宽度在2到20微米之间；上述紧凑设计使得第一测试信号线3、第二测试信号线2、第三测试信号线1和各个测试控制晶体管的控制栅线7平行并排设置，并且如前所述测试信号线的间距和线宽有利于在高分辨率面板上实现窄边框。
本申请实施例还提供了一种显示面板，其包括前述任一技术方案所描述的阵列基板。
本申请实施例还提供了一种显示装置，其包括前述任一技术方案所描述的阵列基板。
上述显示面板和显示装置使用了本实用新型的测试开关晶体管，，使得晶体管沟道的宽长比在10到200之间，从而增大了晶体管的充电电流，缩短了测试时间，提高了生产能力和降低了生产成本。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；所述阵列基板还包括位于所述显示区的多条信号线、位于所述非显示区且与所述多条信号线分别对应的多条测试信号线和多个测试控制晶体管；每条所述信号线通过与其对应的测试控制晶体管连接于与其对应的测试信号线；其中每个所述测试控制晶体管的沟道宽长比在10到200之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述测试控制晶体管的源极和漏极包括叉指，该叉指包含多个指状电极以及连接多个指状电极的部分；所述测试控制晶体管还包括半导体薄膜，位于所述源极叉指与所述漏极叉指之间形成沟道。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述叉指电极包含至少两条指状电极，不同所述指状电极间的间距在2到20微米之间，所述指状电极的宽度在2到20微米之间，所述指状电极的长度在10到200微米之间。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述测试控制晶体管的源极连接至所述多条测试信号线中的一条测试信号线，每个所述测试控制晶体管的漏极连接至所述多条信号线中的一条信号线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述多个测试控制晶体管的每一个晶体管的源极，通过过孔连接至所述多条测试信号线的一条测试信号线。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个测试控制晶体管并排设置且由至少一条栅线控制，其中所述栅线在相邻测试控制晶体管之间具有缕空部。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述多个测试控制晶体管的所述控制栅线与所述多条测试信号线并排设置；其中所述多条测试信号线互相平行，且平行于所述多个测试控制晶体管的所述控制栅线。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，并排设置的所述多条测试信号线至少包含三条平行的测试信号线，所属每条测试信号线至少连接所述一个测试控制晶体管，且相邻测试控制晶体管连接不同的测试信号线；其中所述测试信号线的间距在2到20微米之间，所述测试信号线的宽度2到20微米之间。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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