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CN103345095A - 一种tft-lcd阵列基板及显示装置 - Google Patents

一种tft-lcd阵列基板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种TFT-LCD阵列基板，包括：基板（1）以及设置于基板（1）上的栅极绝缘层（3）、像素电极（6）以及钝化层（5）；钝化层（5）覆盖栅极绝缘层（3），像素电极（6）设置在钝化层（5）上方；在栅极绝缘层（3）与基板（1）之间至少部份地设置有公共电极线（2），在栅极绝缘层（3）与钝化层之间设置有数据线（4），且数据线（4）位于所述公共电极线（2）正上方，公共电极线（2）可完全遮挡所述数据线（4）。本发明实施例还公开了相应的显示装置。实施本发明，可以防止漏光，以避免由于漏光带来的串扰。

Description

一种TFT-LCD阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及薄膜晶体场效应管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）技术，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板及显示装置。
背景技术
传统TFT-LCD的液晶面板的制作工艺，均是单独制造传阵列基板（Array）和彩膜基板（Color Filter，CF），然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位成盒（Cell）。
发明人发现，在阵列基板和彩膜基板进行对位成盒时，由于对位精度的限制，极易出现对位偏差或玻璃弯曲形变，而对位偏差又会导致漏光、透过率降低以及串扰（V-Crosstalk）严重等不良。特别是对于大尺寸面板(一般在32 寸以上)中的玻璃容易发生弯曲形变，出现漏光的现象。
如图1所示，是现有的一种TFT-LCD阵列基板的结构示意图，从中可以看出，该TFT-LCD阵列基板包括：基板1以及设置于基板1上的栅极绝缘层3、像素电极6以及钝化层5；其中，钝化层5覆盖在栅极绝缘层3上，像素电极6设置在钝化层5上方，在栅极绝缘层3与基板1之间设置有公共电极线2，在栅极绝缘层3与钝化层5之间设置有数据线4，其中，数据线4位于公共电极线2上方，且错开设置，两者之间存在空隙。一般在阵列基板和彩膜基板出现偏差的情形时，发生漏光的地方常出现在公共电极线2和数据线4之间的空隙，故，如何降低或避免TFT-LCD阵列基板出现漏光是一个需要解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种TFT-LCD阵列基板及显示装置，可以降低TFT-LCD阵列基板的漏光，提高产品良率。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供一种TFT-LCD阵列基板，其包括：
基板以及设置于基板上的薄膜晶体管、像素电极以及钝化层；薄膜晶体管至少包括一栅极绝缘层，钝化层覆盖栅极绝缘层，像素电极设置在钝化层上方；
在栅极绝缘层与基板之间至少部份地设置有公共电极线，在栅极绝缘层与钝化层之间设置有数据线，且数据线位于公共电极线正上方，且公共电极线对应区域面积大于数据线对应区域面积，公共电极线可完全遮挡数据线。
其中，栅极绝缘层为两层，在两层栅极绝缘层之间进一步设置有色阻层。
其中，色阻层为单层色阻层，其为红色色阻层、绿色色阻层或蓝色色阻层中之一种。
其中，色阻层为复合层色阻层，其可以为红色色阻层、绿色色阻层或蓝色色阻层中任两种组合而成。
其中，在栅极绝缘层和数据线之间进一步设置有非晶硅层。
其中，非晶硅层采用低温非晶硅材料。
其中，薄膜晶体管进一步包括设置于基板与栅极绝缘层之间的栅极、设置于栅极绝缘层与钝化层之间的有源层、源极和漏极。
其中，数据线与源极之间电连接。
相应地，本发明实施例的另一方面还提供一种显示装置，其采用前述的TFT-LCD阵列基板。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
在本发明实施例的TFT-LCD阵列基板中，其中数据线位于公共电极线正上方，且公共电极线对应区域面积大于数据线对应区域面积，公共电极线可完全遮挡数据线，从而使公共电极线与数据线之间不会存在间隙，可以防止漏光，从而可避免由于漏光带来的串扰；
同时，在TFT-LCD阵列基板中设置有色阻层，从而增大了公共电极线与数据线之间的距离，从而使两者之间的电容大幅减少，从而达到降低数据线上的负载，避免像素显示不良。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是现有一种TFT-LCD阵列基板的的结构示意图；
图2是根据本发明一种TFT-LCD阵列基板的一个实施例的结构示意图；
图3是根据本发明一种TFT-LCD阵列基板的另一个实施例的结构示意图；
图4是根据本发明一种TFT-LCD阵列基板的再一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面参考附图对本发明的优选实施例进行描述。
如图2所示，是根据本发明一种TFT-LCD阵列基板的一个实施例的结构示意图；在该实施例中，该TFT-LCD阵列基板包括：
基板1以及设置于该基板1上的薄膜晶体管、像素电极6以及钝化层5；该薄膜晶体管至少包括一栅极绝缘层3，钝化层5覆盖在栅极绝缘层3上，像素电极6设置在钝化层5上方； 
其中，在栅极绝缘层3与基板1之间至少部份地设置有公共电极线2，在所栅极绝缘层3与钝化层之间设置有数据线4，且数据线4位于公共电极线2正上方，且公共电极线2对应区域面积大于数据线4对应区域面积，该公共电极线2可完全遮挡数据线4。
可以理解的是，该图2只是示出了TFT-LCD阵列基板局部的剖面图，其所包括的薄膜晶体管除栅极绝缘层3之外的部件未在该图中示出。在一个实施例中，该薄膜晶体管还包括：设置于基板1与栅极绝缘层3之间的栅极、设置于栅极绝缘层3与钝化层5之间的有源层、源极和漏极。其中，图中数据线4与源极之间电连接。
如图3所示，是根据本发明一种TFT-LCD阵列基板的另一个实施例的结构示意图；该实施例与图2中的实施例的主要区别在于，在本实施例中，栅极绝缘层3为两层结构，在两层栅极绝缘层3之间进一步设置有色阻层（color filter层）7。可以理解的是，该色阻层7可以是单层色阻层，例如其可以是红色色阻层（R色）、绿色色阻层（G色）或蓝色色阻层（B色）中之一种。或者，在其他的例子中，其可以是复合层色阻层，其可以是红色色阻层、绿色色阻层或蓝色色阻层中任两种组合而成，例如，其可以是红色色阻层与绿色色阻层组合而成，或者是绿色色阻层与蓝色色阻层组合而成，或者是红色色阻层与蓝色色阻层组合而成。由于色阻层7介电常数较小，厚度较厚，从而增大了公共电极线2与数据线4之间的距离，从而使两者之间的电容大幅减少，从而可以降低数据线4上的负载，避免像素显示不良，进而降低面板的功耗。
在本实施例中，其他层的结构与图2中对应的结构原理相同，在此不进行详述，请参考前述对图2的描述。
如图4所示，是根据本发明一种TFT-LCD阵列基板的再一个实施例的结构示意图；该实施例与图3中的实施例的主要区别在于，在数据线4与栅极绝缘层3之间进一步设置有非晶硅层8，在生产时，为了避免破坏色阻层7（在高温下会导致性能下降或丧失），该非晶硅层8采用低温非晶硅材料。
本发明相应地提供了一种显示装置（TFT-LCD），其采用了结合图2至图4所描述的TFT-LCD阵列基板。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
在本发明实施例的TFT-LCD阵列基板中，其中数据线位于公共电极线正上方，且公共电极线对应区域面积大于数据线对应区域面积，公共电极线可完全遮挡数据线，从而使公共电极线与数据线之间不会存在间隙，可以防止漏光，从而可避免由于漏光带来的串扰；
同时，在TFT-LCD阵列基板中设置有色阻层，从而增大了公共电极线与数据线之间的距离，从而使两者之间的电容大幅减少，从而达到降低数据线上的负载，避免像素显示不良。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括：
基板（1）以及设置于所述基板（1）上的薄膜晶体管、像素电极（6）以及钝化层（5）；所述薄膜晶体管至少包括一栅极绝缘层（3），所述钝化层（5）覆盖于所述栅极绝缘层（3）上，所述像素电极（6）设置在所述钝化层（5）上方；
在所述栅极绝缘层（3）与基板（1）之间至少部份地设置有公共电极线（2），在所述栅极绝缘层（3）与所述钝化层之间设置有数据线（4），且所述数据线（4）位于所述公共电极线（2）正上方，且所述公共电极线（2）对应区域面积大于所述数据线（4）对应区域面积，所述公共电极线（2）可完全遮挡所述数据线（4）。
2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述包括其特征在于，所述栅极绝缘层（3）为两层，在所述两层栅极绝缘层（3）之间进一步设置有色阻层（7）。
3.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述色阻层（7）为单层色阻层，其为红色色阻层、绿色色阻层或蓝色色阻层中之一种。
4.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述色阻层（7）为复合层色阻层，其可以为红色色阻层、绿色色阻层或蓝色色阻层中任两种组合而成。
5.如权利要求1至4任一项所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管进一步包括设置于所述基板（1）与所述栅极绝缘层（3）之间的栅极、设置于所述栅极绝缘层（3）与所述钝化层（5）之间的有源层、源极和漏极。
6.如权利要求5所述的所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述数据线（4）与所述源极之间电连接。
7.如权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述栅极绝缘层（3）与所述数据线（4）之间进一步设置有非晶硅层（8）。
8.如权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述非晶硅层（8）采用低温非晶硅材料。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的TFT-LCD阵列基板。
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