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CN205405027U - 显示装置 - Google Patents

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CN205405027U
CN205405027U CN201620127549.1U CN201620127549U CN205405027U CN 205405027 U CN205405027 U CN 205405027U CN 201620127549 U CN201620127549 U CN 201620127549U CN 205405027 U CN205405027 U CN 205405027U
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CN
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electrode
transistor
display device
sub
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CN201620127549.1U
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Inventor
胜田忠义
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Japan Display Central Inc
Original Assignee
Japan Display Central Inc
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Publication date
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Abstract

本实用新型提供一种显示装置，不会使各像素的开口率减小地减小与扫描线关联的负载并减小与公共电极关联的负载。显示装置具有红子像素(SxR)和绿子像素(SxG)。子像素(SxR)中的俯视观察时的、基座电极(23)与驱动晶体管(Tr)的扫描线(GL)在Y轴方向上的距离，比子像素(SxG)中的俯视观察时的、基座电极(23)与驱动晶体管(Tr)的扫描线(GL)在Y轴方向上的距离长。另外，遮光膜(LS)与红像素区域(PA)在Y轴方向上的重叠宽度比遮光膜(LS)与绿像素区域(PA)在Y轴方向上的重叠宽度大。

Description

显示装置
技术领域
本实用新型涉及一种显示装置，例如涉及一种应用于具有设置于显示区域的多个像素的显示装置而有效的技术。
背景技术
存在以下一种显示装置：对设置于显示区域的多个像素经由多根扫描线供给扫描信号，经由多根信号线供给像素信号，而显示图像。在这种显示装置中，在显示区域周边的区域设置有栅极驱动器或源极驱动器等显示动作所需的控制装置。
多个像素由多根扫描线与多根信号线交叉而形成。各像素具有晶体管、像素电极以及公共公共电极。另外，显示装置具备具有遮光性的遮光膜。遮光膜与扫描线和信号线重叠。像素中未被遮光膜覆盖的部分的比例相当于开口率。另外，显示装置具有保持一对基板之间的距离的间隔件。
例如在日本特开2007-003779号公报(专利文献1)中记载了以下技术：在显示装置中，在红、绿和蓝的各像素中的绿像素中形成有柱状间隔件，具备设置于柱状间隔件附近区域的遮光部。另外，在国际公开第2008/081624号(专利文献2)中记载了以下技术：在显示装置中，在红、绿和蓝这三个像素中的红像素中形成有柱状间隔件结构，红像素的开口率小于绿像素和蓝像素中任一像素的开口率。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-003779号公报
专利文献2：国际公开第2008/081624号
实用新型内容
作为这种显示装置，有时对各像素设置有对像素电极与晶体管进行连接的基座电极。基座电极例如由金属形成，俯视观察时有时与扫描线重叠。
在这种情况下，越是远离栅极驱动器的像素，与扫描线关联的寄生电容或布线电阻越增加，与扫描线关联的负载越增加。另外，越是远离控制装置的像素，则与公共电极关联的寄生电容或布线电阻越增加，与公共电极关联的负载越增加。
上述的越是远离栅极驱动器的像素则与扫描线关联的负载越增加的趋势和越是远离控制装置的像素则与公共电极关联的负载越增加的趋势，随着像素的高精细化或显示区域的大型化变得明显。
并且，期望基座电极由遮光膜覆盖。因此，根据基座电极的配置不同，各像素的开口率有可能降低。
本实用新型是为了解决上述现有技术的问题点而完成的，目的在于提供一种显示装置，即使在使像素高精细化或使显示区域大型化的情况下，也能不使各像素的开口率降低地减小与扫描线关联的负载并减小与公共电极关联的负载。
以下，简单地说明本申请所公开的实用新型中代表性实用新型的概要。
作为本实用新型的一个方式的显示装置是具备供给与图像关联的第一信号的多根第一信号线以及供给与图像关联并与第一信号不同的第二信号的多根第二信号线的显示装置。该显示装置具备：第一像素区域和第二像素区域，其由多根第一信号线与多根第二信号线交叉而形成；第一晶体管，其设置于第一像素区域，由第一信号线和第二信号线进行驱动；以及第二晶体管，其设置于第二像素区域，由第一信号线和第二信号线进行驱动。另外，该显示装置具备：第一像素电极，其设置于第一像素区域；第二像素电极，其设置于第二像素区域；第一导电性布线，其将第一晶体管与第一像素电极电连接；以及第二导电性布线，其将第二晶体管与第二像素电极电连接。另外，该显示装置具备：第一导电性电极，其设置于第一导电性布线与第一晶体管之间；以及第二导电性电极，其设置于第二导电性布线与第二晶体管之间。另外，该显示装置具备：绝缘膜，其设置于第一像素电极及第二像素电极与第一晶体管及第二晶体管之间；以及遮光膜，其与第一信号线、第一导电性布线、第二导电性布线、第一导电性电极、第二导电性电极重叠。在绝缘膜上形成有第一开口部和第二开口部，第一导电性布线和第一导电性电极俯视观察时设置于第一开口部内，第二导电性布线和第二导电性电极俯视观察时设置于第二开口部内。多根第一信号线俯视观察时沿第一方向延伸。第一导电性电极俯视观察时在与第一方向交叉的第二方向上的第一侧与驱动第一晶体管的第一信号线相邻，第二导电性电极俯视观察时在第一侧与驱动第二晶体管的第一信号线相邻。俯视观察时的第一导电性电极与驱动第一晶体管的第一信号线在第二方向上的距离，比俯视观察时的第二导电性电极与驱动第二晶体管的第一信号线在第二方向上的距离长。遮光膜与第一像素区域在第二方向上的重叠宽度比遮光膜与第二像素区域在第二方向上的重叠宽度大。
另外，作为其它一个方式，该显示装置也可以具备多个第一像素、和第二像素。也可以是，第一像素具有第一像素区域、第一导电性电极、第一导电性布线、第一晶体管以及第一开口部，第二像素具有第二像素区域、第二导电性电极、第二导电性布线、第二晶体管以及第二开口部。也可以是，多个第一像素在第一方向上排列，第二像素与在多个第一像素的排列的端部配置的第一像素相邻，第二信号线介于相邻的两个第一像素之间，第二信号线介于与第二像素相邻的第一像素、与第二像素之间。
另外，作为其它一个方式，也可以是，对第一像素内包含的第一晶体管进行驱动的第一信号线包含第一延伸部，该第一延伸部相对于第一导电性电极配置在第一侧的相反侧，并沿第一方向延伸。另外，也可以是，对第二像素内包含的第二晶体管进行驱动的第一信号线包含第二延伸部，该第二延伸部相对于第二导电性电极配置在第一侧的相反侧，并沿第一方向延伸。也可以是，第二延伸部在第二方向上的宽度比第一延伸部在第二方向上的宽度窄，第一延伸部的第一侧的第一侧端部与第二延伸部的第一侧的第二侧端部相比形成于第一侧。
另外，作为其它一个方式，该显示装置也可以具备：第一基板；第二基板，其配置于与第一基板相对的位置；以及间隔件，其设置于第一基板与第二基板之间，保持第一基板与第二基板的距离。也可以是，多个第一像素和第二像素形成于第一基板，间隔件俯视观察时与介于相邻的两个第一像素之间的部分的第二信号线重叠。
另外，作为其它一个方式，也可以是，间隔件俯视观察时与同相邻的两个第一像素各自所包含的两个第一晶体管连接的第一信号线重叠。另外，也可以是，第二方向上的间隔件的中心相对于与相邻的两个第一像素各自所包含的两个第一晶体管连接的第一信号线，配置于第二方向上的第一侧。
另外，作为其它一个方式，也可以是，第一方向上的间隔件的长度比第二方向上的间隔件的宽度长。
另外，作为其它一个方式，也可以是，遮光膜包括：第一遮光部，其俯视观察时与间隔件、第一导电性布线以及第一导电性电极重叠；以及第二遮光部，其与第二像素内包含的第二导电性布线和第二导电性电极重叠。也可以是，第一遮光部的第一侧的第三侧端部相对于第二遮光部的第一侧的第四侧端部，延伸至第一侧，第一遮光部的第一侧的相反侧的第五侧端部相对于第二遮光部的第一侧的相反侧的第六侧端部，延伸至第一侧的相反侧。也可以是，第三侧端部与第四侧端部之间的第二方向上的距离比第五侧端部与第六侧端部之间的第二方向上的距离大。
另外，作为其它一个方式，也可以是，第一像素显示白色或蓝色，第二像素显示绿色。
另外，作为其它一个方式，也可以是，第二导电性布线在第二方向上的长度比第一导电性布线在第二方向上的长度短，或第二导电性电极在第二方向上的长度比第一导电性电极在第二方向上的长度短。
另外，作为其它一个方式，也可以是，该显示装置具备在第一像素电极与第二像素电极之间形成电场的公共电极。也可以是，公共电极与第一信号线重叠，公共电极兼作为用于检测物体的接触或接近的位置坐标检测电极。
附图说明
图1是表示第一实施方式的安装了显示装置的模块的一例的俯视图。
图2是表示第一实施方式的显示装置的剖视图。
图3是表示第一实施方式的显示装置的电路框图。
图4是表示第一实施方式的显示装置的电路图。
图5是表示第一实施方式的显示装置的像素结构的俯视图。
图6是表示第一实施方式的显示装置的像素结构的俯视图。
图7是表示第一实施方式的显示装置的像素结构的剖视图。
图8是表示比较例1的显示装置的像素结构的俯视图。
图9是表示比较例1的显示装置的像素结构的剖视图。
图10是表示比较例1的显示装置的等效电路的一部分的电路图。
图11是示意性地示出向扫描线供给扫描信号时的栅电极的电位的时间变化的曲线图。
图12是示意性地示出向信号线供给信号时的信号线和公共电极的电位的时间变化的曲线图。
图13是表示第一实施方式的第一变形例的显示装置的像素结构的俯视图。
图14是表示第一实施方式的第二变形例的显示装置的像素结构的俯视图。
图15是表示第一实施方式的第三变形例的显示装置的像素结构的俯视图。
图16是表示第二实施方式的安装了显示装置的模块的一例的俯视图。
图17是表示第二实施方式的显示装置的剖视图。
图18是示意性地示出向扫描线供给信号波形时的公共电极的电位的曲线图。
附图标记说明
1显示装置
2阵列基板
3对置基板
6液晶层
12、12A、12B栅极驱动器
13源极驱动器
14、14A、14B公共电极驱动器
19COG
21基板
21a上表面
22像素电极
23基座电极
24连接布线
31基板
31a下表面
32彩色滤光片
32B、32G、32R颜色区域
40位置坐标检测部
Ad显示区域
Ca、Cap、Cb、Cc1、Cg1、Cg2、Cgc电容
CH1、CH2沟道
COM公共电极
DST1～DST4距离
EP1、EP2侧端部
EX1、EX2延伸部
FLA、FLA1～FLA4边框区域
GE栅电极
GI栅极绝缘膜
GL扫描线
IF、IF1～IF4绝缘膜
LC液晶元件
LS遮光膜
LS1、LS2遮光部
OP1～OP5开口部
PA像素区域
PA1～PA3区域
PSL1、PSL2电源布线
Px像素
Rc1、Rg1电阻
SC半导体层
SEP1～SEP6侧端部
SL信号线
SP间隔件
Sx、SxB、SxF、SxG、SxN、SxR子像素
T柔性印刷基板
TDL检测电极
Tr、Tr1、Tr2晶体管
Trf1、Trf2、Trg1、Trg2期间
VCK垂直时钟脉冲
Vcom驱动信号
VR1电位
Vsig图像信号
VST垂直启动脉冲
WD1、WD2重叠宽度
WD3、WD4宽度
具体实施方式
以下，参照附图说明本实用新型的各实施方式。
此外，公开始终仅是一例，对于本领域技术人员来说能够容易地想得到具有实用新型宗旨的适当变更，该适当变更当然包含于本实用新型的范围。另外，在附图中，为了使说明更清楚，与实施方式相比，有时示意性地示出各部分的宽度、厚度、形状等，但是这始终仅是一例，并不限定本实用新型的解释。
另外，在本说明书和各图中，对于已经出现的图，对与前述要素相同的要素标注相同的附图标记，并适当地省略详细说明。
并且，在实施方式中使用的附图中，也有时根据附图而省略为了区分结构物而附加的阴影线(hatching)。
(第一实施方式)
首先，作为第一实施方式说明将显示装置应用于液晶显示装置的示例。
<模块>
图1是表示第一实施方式的安装了显示装置的模块的一例的俯视图。
如图1所示，显示装置1具有包含基板21的阵列基板2以及包含基板31的对置对置基板3。
基板21包括显示区域Ad和边框区域FLA。显示区域Ad是作为基板21的主面的上表面21a(参照后述的图2)侧的区域，是设置有多个像素Px(参照后述的图4)的区域。即，显示区域Ad为显示图像的区域。边框区域FLA是作为基板21的主面的上表面21a(参照后述的图2)侧的区域，是与显示区域Ad相比位于基板21的外周侧的区域。即，边框区域FLA是不显示图像的区域。
在此，将在作为基板21的主面的上表面21a内相互交叉、优选正交的两个方向设为作为第一方向的X轴方向以及作为第二方向的Y轴方向。在图1示出的示例中，基板21俯视观察时具备分别在X轴方向上延伸的两个边以及分别在Y轴方向上延伸的两个边，具有矩形形状。因此，在图1示出的示例中，边框区域FLA是显示区域Ad周围的框状区域。
此外，在本申请的说明书中，“俯视观察”是指从与作为基板21的主面的上表面21a(参照后述的图2)垂直的方向观察的情况。另外，以下，有时将作为基板21的主面的上表面21a上简称为基板21上。
另外，本申请的说明书中的“X轴方向上的正侧”是指图中的表示X轴方向的箭头所延伸一侧，“X轴方向上的负侧”是指上述“正侧”的相反侧。Y轴方向上的正侧、负侧也相同。
并且，在本申请的说明书中，只要没有特别限定，则将对基板21层叠绝缘膜IF、晶体管Tr的方向设为“上”，将上的相反侧的方向设为“下”。
在基板21上搭载有COG(ChipOnGlass：玻璃载芯片)19。COG19是安装于基板21的IC(IntegratedCircuit：集成电路)芯片，是内置有显示动作所需的各电路的控制装置。
在基板21上设置有源极驱动器13。源极驱动器13也可以内置于COG19。
在基板21上设置有作为栅极驱动器12的栅极驱动器12A和12B。栅极驱动器12A和12B设置于边框区域FLA。
在此，将边框区域FLA中相对于显示区域Ad配置于Y轴方向上的负侧的区域设为边框区域FLA1，将边框区域FLA中相对于显示区域Ad配置于X轴方向上的负侧的区域设为边框区域FLA2。另外，将边框区域FLA中相对于显示区域Ad配置于Y轴方向上的正侧的区域设为边框区域FLA3，将边框区域FLA中相对于显示区域Ad配置于X轴方向上的正侧的区域设为边框区域FLA4。
此时，栅极驱动器12A设置于边框区域FLA2，栅极驱动器12B设置于边框区域FLA4。另外，栅极驱动器12A和12B隔着显示区域Ad而设置。如使用图3后述那样，在显示区域Ad以矩阵状(matrixstate)配置有很多由多个子像素Sx形成的像素Px。
<显示装置>
接着，参照图1和图2～图4详细说明本第一实施方式的显示装置的结构例。图2是表示第一实施方式的显示装置的剖视图。图3是表示第一实施方式的显示装置的电路框图。图4是表示第一实施方式的显示装置的电路图。
如图2所示，显示装置1(参照图1)具有阵列基板2、对置基板3以及液晶层6。对置基板3以阵列基板2的上表面与对置基板3的下表面相对的方式，与阵列基板2相对地配置。液晶层6设置于阵列基板2与对置基板3之间。
阵列基板2具有绝缘性的基板21。另外，对置基板3具有绝缘性的基板31。基板31具有上表面和上表面的相反侧的下表面，且以基板21的上表面与基板31的下表面相对的方式配置于与基板21相对的位置。另外，液晶层6被夹持在基板21的上表面与基板31的下表面之间。此外，如上所述，将基板21的上表面称为上表面21a。另外，将基板31的下表面称为下表面31a。
另外，如图3所示，阵列基板2在基板21上具有显示区域Ad、COG19、栅极驱动器12A和12B以及源极驱动器13。
如图3和图4所示，在显示区域Ad，子像素Sx排列成矩阵状(matrixstate)。另外，如图4所示，由多个颜色不同的子像素Sx形成一个像素Px。
此外，在本申请的说明书中，行是指具有在作为第一方向的X轴方向上排列的多个子像素Sx的像素行。另外，列是指具有在与行所排列的方向交叉、优选正交的作为第二方向的Y轴方向上排列的多个子像素Sx的像素列。
如图3所示，多根扫描线GL在显示区域Ad分别在X轴方向上延伸并且在Y轴方向上排列。多根信号线SL在显示区域Ad分别在Y轴方向上延伸并且在X轴方向上排列。因而，多根信号线SL俯视观察时分别与多根扫描线GL交叉。这样，在俯视观察时相互交叉的多根扫描线GL与多根信号线SL的交叉点配置有子像素Sx。
从阵列基板2的外部对COG19输入主时钟(masterclock)、水平同步信号以及垂直同步信号。COG19根据输入到COG19的主时钟、水平同步信号以及垂直同步信号，生成垂直启动脉冲(verticalstartpulse)VST和垂直时钟脉冲VCK，并供给至栅极驱动器12A和12B。
栅极驱动器12A和12B依次输出基于所输入的垂直启动脉冲VST和垂直时钟脉冲VCK的扫描信号并将其供给至扫描线GL，由此以行单位依次选择子像素Sx。扫描信号是与图像关联的第一信号，扫描线GL是供给扫描信号的第一信号线。
对源极驱动器13提供例如红、绿和蓝的图像信号Vsig。源极驱动器13对由栅极驱动器12A和12B选择的行的各子像素Sx，按每个像素或按多个像素，经由信号线SL供给像素信号。
如图4所示，俯视观察时在多根扫描线GL的每一根与多根信号线SL的每一根相交叉的交叉部形成有由作为场效应晶体管的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)形成的晶体管Tr。因而，在显示区域Ad在基板21上形成有多个晶体管Tr，这些多个晶体管Tr在X轴方向和Y轴方向上以矩阵状排列。即，在多个子像素Sx的每一个中设置有晶体管Tr。另外，在多个子像素Sx的每一个中除了设置有晶体管Tr以外，还设置有像素电极22。
晶体管Tr例如由作为n沟道型MOS(MetalOxideSemiconductor)的薄膜晶体管形成。晶体管Tr的栅电极与扫描线GL连接。晶体管Tr的源电极或漏电极中的一个与信号线SL连接或者是信号线SL。晶体管Tr的源电极或漏电极中的另一个与像素电极22连接。
如图2所示，阵列基板2具有基板21、公共电极COM、绝缘膜IF以及多个像素电极22。公共电极COM俯视观察时在显示区域Ad内部例如一体地设置于基板21的上表面21a。包括公共电极COM的表面而在基板21的上表面21a上形成有绝缘膜IF。在显示区域Ad在绝缘膜IF上形成有多个像素电极22。因而，绝缘膜IF将公共电极COM与像素电极22电绝缘。
如图4所示，俯视观察时在显示区域Ad内部，在X轴方向和Y轴方向上以矩阵状排列的多个子像素Sx各自的内部分别形成有多个像素电极22。因而，多个像素电极22在X轴方向和Y轴方向上以矩阵状排列。
在图2示出的示例中，公共电极COM形成于基板21与像素电极22之间。另外，公共电极COM设置成俯视观察时与多个像素电极22各自重叠，且与扫描线GL重叠。而且，对多个像素电极22各自与公共电极COM之间施加电压，在多个像素电极22各自与公共电极COM之间、即多个子像素Sx各自上形成电场。由此，液晶层6中的液晶进行取向而在显示区域Ad显示图像。此时，在公共电极COM与像素电极22之间形成电容Cap，电容Cap作为保持电容而发挥功能。
此外，公共电极COM也可以与像素电极22相比形成于液晶层6侧。并且，公共电极COM也可以形成于基板31。另外，在图2示出的示例中，公共电极COM与像素电极22的配置成为俯视观察时公共电极COM与像素电极22重叠的、作为横电场模式的FFS(FringeFieldSwitching：边缘场切换)模式下的配置。但是，公共电极COM与像素电极22的配置也可以是俯视观察时公共电极COM与像素电极22不重叠的、作为横电场模式的IPS(InPlaneSwitching：平面转换)模式下的配置。或者，公共电极COM与像素电极22的配置也可以是作为纵电场模式的TN(TwistedNematic：扭曲向列)模式或VA(VerticalAlignment：垂直对准)模式等下的配置。
液晶层6根据电场状态调制通过该液晶层6的光，例如使用与上述FFS模式或IPS模式等横电场模式对应的液晶层。此外，也可以在图2示出的液晶层6与阵列基板2之间以及液晶层6与对置基板3之间分别设置有取向膜。
栅极驱动器12A和12B经由扫描线GL向子像素Sx的晶体管Tr的栅极供给扫描信号，由此将在显示区域Ad以矩阵状配置的子像素Sx中的一行(一水平线)作为显示驱动的对象而依次选择。源极驱动器13经由信号线SL向由栅极驱动器12A和12B依次选择的一水平线内包含的各子像素Sx供给像素信号。像素信号是与图像关联并与扫描信号不同的第二信号，信号线SL是供给像素信号的第二信号线。而且，在这些子像素Sx中，根据供给的像素信号，进行一水平线的显示动作。
如图2所示，对置基板3具有基板31和彩色滤光片32。彩色滤光片32形成于基板31的下表面。
作为彩色滤光片32，例如着色为R(红)、G(绿)和B(蓝)这三种颜色的彩色滤光片沿X轴方向排列。由此，如图4所示，形成与红、绿和蓝这三种颜色的颜色区域32R、32G和32B各自分别对应的多个子像素Sx，通过与一组颜色区域32R、32G和32B各自分别对应的多个子像素Sx，形成一个像素Px。红、绿和蓝这各色的子像素Sx显示红、绿和蓝的各色。
作为彩色滤光片32的颜色组合，也可以是包含除了红、绿和蓝以外的其它颜色的多个颜色的组合。另外，一个像素Px也可以包含未设置彩色滤光片32的子像素Sx、即显示白色的W(白)的子像素Sx。或者，也可以通过COA(ColorfilterOnArray：彩色滤光片阵列)技术，将彩色滤光片设置于阵列基板2。
此外，可以在阵列基板2的下方设置偏振片(省略图示)，也可以在对置基板3的上方设置偏振片(省略图示)。
<像素的结构>
接着，参照图5～图7详细说明像素的结构。图5和图6是表示第一实施方式的显示装置的像素结构的俯视图。图7是表示第一实施方式的显示装置的像素结构的剖视图。图6详细示出图5示出的4个的子像素Sx中一个子像素Sx的结构。图7是沿图5的A-A线的剖视图。
如上所述，像素Px包含显示红、绿和蓝这三种颜色的各色的三个子像素Sx。或者，如上所述，像素Px也可以包含显示红、绿、蓝和白这四种颜色的各色的四个子像素Sx。各色的子像素Sx形成于基板21即阵列基板2。此外，在后文中详细说明子像素Sx内部的各电极的配置。
如图5～图7所示，多个子像素Sx各自具有像素区域PA、像素电极22、基座电极23、连接布线24、晶体管Tr以及开口部OP2。晶体管Tr包括作为栅电极GE的扫描线GL、作为栅极绝缘膜GI的绝缘膜IF1、半导体层SC、作为源电极和漏电极中的一个的信号线SL以及作为源电极和漏电极中的另一个的基座电极23。
在图5示出的示例中，作为红子像素Sx的子像素SxR和作为蓝子像素Sx的子像素SxB各自为第一像素。红子像素SxR和蓝子像素SxB各自具有作为第一像素区域的像素区域PA、作为第一像素电极的像素电极22、作为第一导电性电极的基座电极23、作为第一导电性布线的连接布线24、作为第一晶体管的晶体管Tr以及作为第一开口部的开口部OP2。
在图5示出的示例中，作为绿子像素Sx的子像素SxG为第二像素。绿子像素SxG具有作为第二像素区域的像素区域PA、作为第二像素电极的像素电极22、作为第二导电性电极的基座电极23、作为第二导电性布线的连接布线24、作为第二晶体管的晶体管Tr(参照图6)以及作为第二开口部的开口部OP2(参照图6)。
此外，虽然在图5中省略图示，但是在除了设置红、绿和蓝的子像素Sx以外还设置白子像素Sx的情况下，白子像素Sx除了彩色滤光片不同这一情况以外，能够与红子像素SxR和蓝子像素SxB同样地设置。即，白子像素Sx也与红子像素SxR和蓝子像素SxB同样地是第一像素。此外，白子像素的彩色滤光片可以不形成，也可以是白色或透明的彩色滤光片。
在图5中，示出沿X轴方向排列的、红子像素SxR和蓝子像素SxB。另外，绿子像素SxG与配置于红子像素SxR和蓝子像素SxB的排列端部的蓝子像素SxB相邻。信号线SL介于相邻的红子像素SxR与蓝子像素SxB之间。另外，信号线SL介于与绿子像素SxG相邻的蓝子像素SxB与红子像素SxR之间。
此外，如图6所示，在本申请的说明书中，某一子像素Sx内包含的像素区域PA包括区域PA1、区域PA2、区域PA3。区域PA1是由相邻的两根扫描线GL和相邻两根信号线SL划分的区域。区域PA2是配置有对用于在区域PA1显示图像的晶体管Tr进行驱动的扫描线GL的区域，并且是与区域PA1相邻的区域。区域PA3是配置有与用于在区域PA1显示图像的晶体管Tr内包含的半导体层SC连接的信号线SL的区域，并且是与区域PA1和PA2相邻的区域。
因而，在本申请的说明书中，像素区域PA中扫描线GL侧是指该像素区域PA内包含的区域PA1中与对用于在该区域PA1显示图像的晶体管Tr进行驱动的扫描线GL相邻部分、以及该像素区域PA中的区域PA2。另外，像素区域PA中信号线SL侧是指该像素区域PA内包含的区域PA1中与对用于在该区域PA1显示图像的晶体管Tr进行驱动的信号线SL相邻部分、以及该像素区域PA中的区域PA3。
在各子像素Sx中，晶体管Tr设置于像素区域PA，由扫描线GL和信号线SL驱动。在各子像素Sx中，像素电极22设置于像素区域PA。在各子像素Sx中，连接布线24对晶体管Tr与像素电极22进行电连接。在各子像素Sx中，基座电极23设置于连接布线24与晶体管Tr之间。绝缘膜IF设置于各子像素Sx中的像素电极22与各子像素Sx中的晶体管Tr之间。
如图7所示，阵列基板2包括基板21。在基板21的上表面21a上形成有扫描线GL。扫描线GL是向各子像素Sx供给用于驱动晶体管Tr(参照图6)的扫描信号的第一信号线。扫描线GL由钼(Mo)或铝(Al)等金属形成。
在基板21的上表面21a上以覆盖扫描线GL的方式形成有绝缘膜IF1。绝缘膜IF1例如由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)等无机系绝缘材料形成，是作为栅极绝缘膜GI的绝缘膜。
在绝缘膜IF1上形成有半导体层SC。半导体层SC例如是低温多晶硅、非晶硅。另外，也可以利用以IZO(IndiumZincOxide：氧化铟锌)、IGZO(IndiumGalliumZincOxide：氧化铟镓锌)等锌系氧化物为代表的透明氧化物半导体。
在绝缘膜IF1上以覆盖半导体层SC的方式形成有绝缘膜IF2。绝缘膜IF2与绝缘膜IF1同样地，例如由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)等无机系绝缘材料形成。
如图5～图7所示，在绝缘膜IF2上形成有贯通绝缘膜IF2而到达半导体层SC的开口部OP1和开口部OP2。此外，在图7中省略图示开口部OP1。
在开口部OP2的内部和绝缘膜IF2上形成基座电极23，基座电极23经由开口部OP2与半导体层SC电连接。基座电极23由铝(Al)等金属形成。
此外，虽然在图7中省略图示，但是在开口部OP1的内部和绝缘膜IF2上，与开口部OP2的内部和绝缘膜IF2上的基座电极23同样地，形成有信号线SL，信号线SL经由开口部OP1与半导体层SC电连接。信号线SL是向各像素供给用于显示图像的像素信号的第二信号线。信号线SL由铝(Al)等金属形成。
这样，半导体层SC、信号线SL以及扫描线GL在与基板21的上表面21a垂直的方向上形成于不同层。另外，信号线SL和基座电极23在与基板21的上表面21a垂直的方向上形成于同一层。
扫描线GL与半导体层SC的一部分立体交叉并作为晶体管Tr的栅电极GE而发挥功能。在本第一实施方式中，半导体层SC中相互分离的两个部分与扫描线GL立体交叉，晶体管Tr是具备作为n沟道的沟道CH1和作为n沟道的沟道CH2的双栅极晶体管。即，晶体管Tr由具备沟道CH1的晶体管Tr1以及具备沟道CH2的晶体管Tr2构成。
因而，沟道CH1与沟道CH2分别在Y轴方向上延伸，在X轴方向上相互隔开间隔而配置，并且串联地连接。通过这种结构，晶体管Tr能够使沟道CH1与沟道CH2的间隔变窄。因此，在本第一实施方式中，能够使相互相邻的两个信号线SL之间变窄，减小像素间距，使显示于显示装置的图像高精细化。
信号线SL经由开口部OP1与半导体层SC连接，例如作为晶体管Tr的源电极而发挥功能。另外，基座电极23经由开口部OP2与半导体层SC连接，例如作为晶体管Tr的漏电极而发挥功能。或者，例如在信号线SL作为晶体管Tr的漏电极而发挥功能的情况下，基座电极23作为晶体管Tr的源电极而发挥功能。
在图7示出的示例中，半导体层SC在与基板21的上表面21a垂直的方向上，配置于与基座电极23形成于同一层的信号线SL(省略图示)与扫描线GL之间，晶体管Tr具有底栅极结构。但是，也可以是，扫描线GL在与基板21的上表面21a垂直的方向上，配置于与基座电极23形成于同一层的信号线SL(省略图示)与半导体层SC之间，晶体管Tr具有顶栅极结构。
在绝缘膜IF2上以覆盖信号线SL和基座电极23的方式形成有绝缘膜IF3。绝缘膜IF3例如由丙烯酸树脂等有机系绝缘材料形成。
在绝缘膜IF3上形成有公共电极COM。公共电极COM是由ITO(IndiumTinOxide：氧化铟锡)等透明导电材料即透明导电氧化物形成的透明电极。
在位于基座电极23上方的部分的公共电极COM上形成有贯通公共电极COM而到达绝缘膜IF3的开口部OP3。在露出于开口部OP3的部分的绝缘膜IF3上形成有贯通绝缘膜IF3而到达基座电极23的开口部OP4。
在开口部OP4的内部和绝缘膜IF3上以覆盖公共电极COM的方式形成有绝缘膜IF4。绝缘膜IF4与绝缘膜IF1同样地，例如由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)等无机系绝缘材料形成。由绝缘膜IF1、IF2、IF3和IF4形成图2示出的绝缘膜IF。
在位于开口部OP4内的部分的绝缘膜IF4上，形成有贯通绝缘膜IF4而到达位于开口部OP4内的部分的基座电极23的开口部OP5。在开口部OP5内部和绝缘膜IF4上形成有连接布线24和像素电极22。连接布线24和像素电极22是由ITO等透明导电材料形成的透明电极。连接布线24和像素电极22一体地形成。因而，连接布线24与像素电极22电连接。
连接布线24经由开口部OP5与基座电极23电连接。即，在各子像素Sx中，连接布线24和基座电极23俯视观察时设置于开口部OP5内。
此外，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中形成于绝缘膜IF4的开口部OP5为第一开口部，在绿子像素SxG中形成于绝缘膜IF4的开口部OP5为第二开口部。
另外，绝缘膜IF4形成为覆盖公共电极COM，像素电极22形成于绝缘膜IF4上。通过这种结构，公共电极COM形成于基板21与像素电极22之间。
在绝缘膜IF4上以覆盖像素电极22的方式层叠(形成)有由例如聚酰亚胺形成的取向膜(省略图示)。对该取向膜沿固定方向实施了摩擦处理。
如图7所示，对置基板3包括基板31。在作为基板31的一主面的下表面31a形成有彩色滤光片32。彩色滤光片32例如包括着色为红、绿和蓝这三种颜色的颜色区域。
在基板31的下表面31a形成有遮光膜LS。遮光膜LS例如由树脂或金属形成，具有遮光性，还称为黑矩阵。遮光膜LS形成于与扫描线GL和信号线SL相对的位置。遮光膜LS俯视观察时与各子像素Sx中的扫描线GL、信号线SL、连接布线24以及基座电极23重叠。另一方面，子像素Sx中、未被遮光膜LS覆盖的部分的面积所占的比例相当于开口率。此外，遮光膜LS的形状并不限定于矩阵形状。
为了防止由于由金属形成的扫描线GL、信号线SL和基座电极23引起的反射，遮光膜LS以包覆扫描线GL、信号线SL以及基座电极23的方式设置。即，遮光膜LS以扫描线GL、信号线SL以及基座电极23配置于形成有遮光膜LS的区域内的方式设置。
当遮光膜LS的宽度过于细时，遮光膜LS无法完全对扫描线GL、信号线SL以及基座电极23进行遮光，遮光膜LS无法防止由扫描线GL、信号线SL以及基座电极23引起的反射。另外，当遮光膜LS的宽度过于粗时，开口率降低，所显示的图像亮度降低。因此，在考虑制造工序中基于扫描线GL、信号线SL、基座电极23以及遮光膜LS的平面形状精度的容限(margin)之后，通过配置具有用于防止由扫描线GL、信号线SL以及基座电极23引起的反射所需的最小宽度的遮光膜LS，来最大限度地增大开口率。
通常，人的眼睛与红色区域和蓝色区域的亮度相比更容易识别绿色区域的亮度。因而，为了提高所显示的图像整体的亮度以及为了使白平衡优化，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中，与绿子像素SxG相比，加大遮光膜LS的宽度而降低开口率。因此，如后文中所述，遮光膜LS与红像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度大，遮光膜LS与蓝像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度大。
此外，在红、绿和蓝中，人眼睛具有最想识别蓝色的趋势，因此也可以将蓝色的子像素SxB设为第二像素。
如图5和图7所示，在基板31的下表面31a以覆盖遮光膜LS和彩色滤光片32的方式形成有间隔件SP。
间隔件SP设置于基板21与基板31之间、即阵列基板2与对置基板3之间，形成于一侧基板，保持基板21与基板31的距离、即阵列基板2与对置基板3的距离，将液晶层6保持为固定厚度。间隔件SP例如由抗蚀剂等透明树脂材料形成。而且，在基板31的下表面31a以覆盖遮光膜LS、彩色滤光片32以及间隔件SP的方式形成有由例如聚酰亚胺形成的取向膜(省略图示)。
阵列基板2与对置基板3、即基板21与基板31经由间隔件SP以相互相对的方式配置、即相对配置。另外，省略图示，但是在阵列基板2的外周部与对置基板3的外周部之间设置有密封材料。而且，在相对配置的阵列基板2与对置基板3之间填充有液晶层6。
间隔件SP可以不设置于全部子像素Sx，例如也可以每六个沿扫描线GL的延伸方向即X轴方向排列的子像素Sx，而设置一个间隔件SP。
在图5示出的示例中，间隔件SP俯视观察时与蓝子像素SxB和与该蓝子像素SxB相邻的红子像素SxR重叠。即间隔件SP俯视观察时与介于相邻的两个作为第一像素的蓝子像素SxB与红子像素SxR之间的部分的信号线SL重叠。
遮光膜LS设置成形成区域覆盖间隔件SP。即，遮光膜LS设置成间隔件SP配置于形成有遮光膜LS的区域内。
位于间隔件SP周边的部分的液晶层6与从间隔件SP远离部分的液晶层6相比，液晶分子的取向方向容易混乱，所显示的图像有可能产生不良。这是由例如间隔件SP与在绝缘膜IF4上以覆盖像素电极22的方式形成的取向膜(省略图示)进行接触等引起的。因此，期望将位于间隔件SP周边的部分的遮光膜LS的宽度设为比从间隔件SP远离的部分的遮光膜LS的宽度大。
间隔件SP俯视观察时与连接于相邻的两个作为第一像素的红子像素SxR和蓝子像素SxB各自所包含的两个晶体管Tr的扫描线GL重叠。Y轴方向上的间隔件SP的中心相对于该扫描线GL，配置于Y轴方向上的负侧。由此，能够以间隔件SP配置于形成有遮光膜LS的区域内的方式，容易地配置间隔件SP。
液晶层6根据电场状态，调制通过该液晶层6的光。作为液晶层6使用与FFS模式或IPS模式等横电场模式对应的液晶。或者，作为液晶层6，例如也可以使用与TN模式、VA模式或ECB(ElectricallyControlledBirefringence：电控双折射)模式等各种模式对应的液晶。
通过这种结构，在子像素Sx中，当晶体管Tr成为导通(ON)状态时，在公共电极COM与像素电极22之间产生电场，液晶层6的液晶分子的取向发生变化。由此，液晶层6的透光率发生变化而在FFS模式下显示图像。另外，公共电极COM与像素电极22隔着绝缘膜IF4相对的区域形成辅助电容，在晶体管Tr成为截止(OFF)状态时将公共电极COM与像素电极22之间的电场保持规定时间。
<基座电极与扫描线在俯视观察时的重叠>
在此，参照图5和图7说明基座电极23与扫描线GL在俯视观察时的重叠。
在作为红子像素Sx的子像素SxR中，基座电极23俯视观察时相对于驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向(第二方向)上的负侧(第一侧)与该扫描线GL相邻。即，在子像素SxR中，基座电极23在Y轴方向上的中心与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的中心相比配置于Y轴方向上的负侧。
另外，在作为绿子像素Sx的子像素SxG和作为蓝子像素Sx的子像素SxB中，基座电极23的结构也相同。
在本第一实施方式中，红子像素SxR和蓝子像素SxB中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离DST1，比绿子像素SxG中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离DST2长。另外，遮光膜LS与红像素区域PA和蓝像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度WD1比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度WD2大。
由此，即使在为了提高图像亮度以及为了使白平衡优化，而与绿子像素SxG相比，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中加粗遮光膜LS而降低开口率的情况下，在子像素SxR和子像素SxB中，也能够降低扫描线GL与公共电极COM之间的电容。
此外，在本申请的说明书中，在各子像素Sx中，俯视观察时的基座电极23与扫描线GL在Y轴方向上的距离是指例如Y轴方向上的、基座电极23与扫描线GL的中心之间的距离。
另外，在本申请的说明书中，在各子像素Sx中，遮光膜LS与像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度是指，设置于区域PA2(参照图6)的扫描线GL在Y轴方向上的正侧的侧端部与在区域PA1(参照图6)形成于遮光膜LS的开口部在Y轴方向上的正侧的侧端部在Y轴方向上的距离。
在图5示出的示例中，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中，基座电极23在Y轴方向上的正侧的侧端部EP1与扫描线GL在Y轴方向上的负侧的侧端部EP2相比，配置于Y轴方向上的负侧。即，在子像素SxR和子像素SxB中，基座电极23俯视观察时不与扫描线GL重叠，从扫描线GL分离。
在这种情况下，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中，能够进一步提高降低扫描线GL与公共电极COM之间的电容的效果。
考虑间隔件SP在X轴方向上的长度比间隔件SP在Y轴方向上的长度短的情况、即间隔件SP俯视观察时具有纵长形状的情况。在这种情况下，由遮光膜LS中以形成区域覆盖信号线SL的方式设置的部分覆盖间隔件SP，但是在形成有以形成区域覆盖信号线SL的方式设置的部分的遮光膜LS的区域内难以配置间隔件SP。因此，优选间隔件SP在X轴方向上的长度比间隔件SP在Y轴方向上的长度长，间隔件SP俯视观察时具有横长形状。
在这种情况下，间隔件SP俯视观察时与介于相邻两个子像素Sx之间的部分的信号线SL重叠。另外，在俯视观察时与间隔件SP重叠的子像素Sx中，扩大了与像素区域PA中相邻于扫描线GL的部分重叠的遮光膜LS在Y轴方向上的宽度，因此容易将基座电极23配置于像素区域PA中的扫描线GL侧、即Y轴方向上的负侧。
在图5示出的示例中，在绿子像素SxG中，与红子像素SxR不同，基座电极23在Y轴方向上的正侧的侧端部EP1与扫描线GL在Y轴方向上的负侧的侧端部EP2相比，配置于Y轴方向上的正侧。即，在子像素SxG中，基座电极23俯视观察时与扫描线GL重叠。
此外，绿子像素SxG也可以与红子像素SxR同样地，基座电极23在Y轴方向上的正侧的侧端部EP1与扫描线GL在Y轴方向上的负侧的侧端部EP2相比，配置于Y轴方向上的负侧。即，基座电极23俯视观察时也可以不与扫描线GL重叠。
<与扫描线和公共电极关联的负载>
接着，与比较例1的显示装置进行对比而说明与扫描线GL和公共电极COM关联的负载。在比较例1的显示装置中，基座电极23和连接布线24的配置与第一实施方式的显示装置中的基座电极23和连接布线24的配置不同。
图8是表示比较例1的显示装置的像素结构的俯视图。图9是表示比较例1的显示装置的像素结构的剖视图。图9是沿图8的C-C线的剖视图。此外，沿图5的B-B线的剖视图也是除了遮光膜LS的配置以外与图9的剖视图相同。
在比较例1的显示装置中，在红、绿和蓝中任一颜色的子像素Sx中，基座电极23和扫描线GL俯视观察时均重叠。
在比较例1的显示装置中，也与第一实施方式的显示装置同样地，在红、绿和蓝中任一颜色的子像素Sx中，基座电极23俯视观察时均相对于驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的负侧与该扫描线GL相邻。即，基座电极23在Y轴方向上的中心与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的中心相比，配置于Y轴方向上的负侧。
另外，比较例1的显示装置也与第一实施方式的显示装置同样地，遮光膜LS与红像素区域PA和蓝像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度WD1比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度WD2大。这是由于，为了提高图像亮度和为了使白平衡优化，与绿子像素SxG相比，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中，加粗遮光膜LS并降低开口率。
另一方面，在比较例1的显示装置中，与第一实施方式的显示装置不同，在红、绿和蓝中任一颜色的子像素Sx中，基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离DST101相互相等。
换言之，如上所述，遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度WD2比遮光膜LS与红像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度WD1窄。因而，红子像素SxR和蓝子像素SxB的基座电极23的侧端部EP1与绿子像素SxG的基座电极23的侧端部EP1相比，未配置于Y轴方向上的负侧。
因此，在任一颜色的子像素Sx中均使基座电极23与扫描线GL在Y轴方向上的距离DST101相等的情况下，在任一颜色的子像素Sx中，基座电极23的侧端部EP1与扫描线GL的侧端部EP2相比，有可能配置于Y轴方向上的正侧。即，在红、绿和蓝中任一颜色的子像素Sx中，基座电极23俯视观察时与扫描线GL较大重叠，有可能增加扫描线GL的寄生电容。
图10是表示比较例1的显示装置的等效电路的一部分的电路图。在图10中，示出一根扫描线GL、与该一根扫描线GL交叉的多根信号线SL、在多根信号线SL与一根扫描线GL的交叉部分别设置的多个晶体管Tr以及具有多个晶体管Tr的每一个的子像素Sx。
如图10所示，将扫描线GL与信号线SL之间的电容设为电容Cg1，将扫描线GL即晶体管Tr的栅电极与像素电极22之间的电容设为电容Cg2，将作为扫描线GL的布线电阻的电阻设为电阻Rg1。另外，将公共电极COM与信号线SL之间的电容设为电容Cc1，将扫描线GL即晶体管Tr的栅电极与公共电极COM之间的电容设为电容Cgc，将作为公共电极COM的布线电阻的电阻设为电阻Rc1。
另外，将子像素Sx中至少设置于距栅极驱动器12A和12B中的任一个近的位置上的子像素Sx设为子像素SxN。另一方面，将子像素Sx中设置于距栅极驱动器12A和12B中的任一个远的位置上的子像素Sx设为子像素SxF。此时，子像素SxF中的公共电极COM与子像素SxN中的公共电极COM相比，距COG19远。
图11是示意性地示出向扫描线供给扫描信号时的栅电极的电位的时间变化的曲线图。图12是示意性地示出向信号线供给信号时的信号线和公共电极的电位的时间变化的曲线图。
在从栅极驱动器12A或12B(参照图10)向扫描线GL供给的扫描信号的电位上升或下降时，如图11所示，各子像素Sx中的栅电极的电位上升或下降。而且，当图10示出的电容Cg1、电容Cg2、电容Cgc或电阻Rg1增加时，与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻增加，在向扫描线GL供给的扫描信号的电位上升时各子像素Sx中的栅电极的电位上升发生延迟的期间Trg1变长。或者，在向扫描线GL供给的扫描信号的电位下降时各子像素Sx中的栅电极的电位下降发生延迟的期间Trf1变长。
子像素SxF中的期间Trg1比子像素SxN中的期间Trg1长，子像素SxF中的期间Trf1比子像素SxN中的期间Trf1长。即，越是距栅极驱动器12A和12B中的任一个远的子像素Sx，则与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻越容易增加。因此，经由扫描线GL向晶体管Tr的栅电极供给信号的时机(timing)与期望时机相比延迟，或者经由扫描线GL向晶体管Tr的栅电极供给的信号的强度与期望信号强度相比变小。即，越是距栅极驱动器12A和12B中的任一个远的子像素Sx，则与扫描线GL关联的负载越增加，经由扫描线GL向晶体管Tr的栅电极供给的信号的电位越容易从期望电位发生变动。
在显示装置中，像素的高精细化或显示区域的大型化在不断发展，但是期望每单位时间在显示区域内重新显示图像的帧频与像素的高精细化或显示区域的大型化无关地为固定。因此，随着像素的高精细化或显示区域的大型化，以分别包含由一水平线即一根扫描线GL驱动的晶体管Tr的多个子像素Sx来显示图像的时间缩短，由与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻等负载带来的影响变得明显。
即，随着像素的高精细化或显示区域的大型化，越是距栅极驱动器12A和12B远的子像素Sx，则与扫描线GL关联的负载增加的趋势以及经由扫描线GL向晶体管Tr的栅电极供给的信号的电位容易从期望电位发生变动的趋势越明显。因而，无法使像素容易地高精细化或无法使显示区域容易地大型化。
另一方面，如图12所示，在向信号线SL供给的信号即电位上升或下降时，经由电容Cc1与信号线SL结合的公共电极COM的电位随着信号线SL的电位变化而变动。
当图10示出的电容Cc1、电容Cgc或电阻Rc1增加时，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻增加。而且，在信号线SL的电位上升时，在公共电极COM的电位暂时上升并变动之后，恢复至信号线SL的电位上升之前的时间点的公共电极COM的电位的情况会发生延迟。即，在紧临接下来信号线SL的电位下降之前的时间点，公共电极COM比应恢复的电位仅高出电位VR1。
另外，在信号线SL的电位下降时，在公共电极COM的电位暂时下降并变动之后，恢复至信号线SL的电位下降之前的时间点的公共电极COM的电位的情况会发生延迟。即，在紧临接下来信号线SL的电位上升之前的时间点，公共电极COM比应恢复的电位仅低出电位VR1。
另外，越是距COG19等控制装置远的像素，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻越增加，与公共电极COM关联的负载越增加，公共电极COM的电位越容易受到向信号线SL供给的信号的影响而变动。因此，在显示区域通过像素进行显示的图像的画质变差。
与该公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻等负载也随着像素的高精细化或显示区域的大型化而增加。因而，伴随着信号线SL的电位变化而引起的、从公共电极COM的电位变动的恢复发生延迟的现象，也随着像素的高精细化或显示区域的大型化而变得明显。
即，随着像素的高精细化或显示区域的大型化，越是距COG19等控制装置远的像素，则与公共电极COM关联的负载增加的趋势和受到向信号线SL供给的信号波形的影响而公共电极COM的电位发生变动的趋势越明显。
在此，如图9所示，将扫描线GL与基座电极23之间的电容设为电容Ca，将公共电极COM与像素电极22之间的电容设为电容Cb。此时，扫描线GL与公共电极COM之间的电容Cgc是由串联连接的电容Ca和电容Cb形成的电容，因此用以下式(1)表示。
Cgc＝(Ca×Cb)/(Ca+Cb)(1)
因而，如上述式(1)所示，随着电容Ca增加而电容Cgc增加。
在比较例1的显示装置中，在红、绿和蓝中任一颜色的子像素Sx中，基座电极23与扫描线GL俯视观察时均重叠。因此，电容Ca变大，用上述式(1)表示的电容Cgc变大。
因而，与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻增加，图11示出的期间Trg1或期间Trf1容易变长。另外，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻增加，图12示出的从公共电极COM的电位变动的恢复容易延迟。
并且，期望基座电极23由遮光膜LS覆盖。因此，根据基座电极23的配置不同，各子像素Sx的开口率有可能降低。
<本实施方式的主要特征和效果>
另一方面，在本第一实施方式中，红子像素SxR中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离，比绿子像素SxG中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离长。另外，遮光膜LS与红像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度大。
另外，在本第一实施方式中，蓝子像素SxB中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离，比绿子像素SxG中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离长。另外，遮光膜LS与蓝像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度大。
由此，至少在红子像素SxR和蓝子像素SxB中，能够降低扫描线GL与公共电极COM之间的电容，上述式(1)示出的电容Cgc减小。因此，与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻减小，在向扫描线GL供给的扫描信号的电位上升时栅电极的电位上升发生延迟的期间Trg1或向扫描线GL供给的扫描信号的电位下降时栅电极的电位下降发生延迟的期间Trf1变短。因而，容易使像素高精细化，容易使显示区域大型化。
另外，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻减小，在随着信号线SL的电位变化而公共电极COM的电位发生变动之后，恢复至信号线SL的电位变化之前的公共电极COM的电位为止的期间缩短。在该情况下，也容易使像素高精细化，容易使显示区域大型化。
另外，在本第一实施方式中，与比较例1相比，不需要扩大遮光膜LS的宽度。因此，在本第一实施方式中，与比较例1相比，开口率不会降低，所显示的图像的亮度不会降低。即，在本第一实施方式中，即使在使像素高精细化或使显示区域大型化的情况下，也能够不会使各子像素Sx的开口率降低地减小与扫描线GL关联的负载，减小与公共电极COM关联的负载。
<本实施方式的第一变形例>
接着，说明本第一实施方式的第一变形例。图13是表示第一实施方式的第一变形例的显示装置的像素结构的俯视图。
在本第一变形例中，去除配置于绿像素区域PA的部分的扫描线GL中基座电极23侧的部分，由此，在配置于绿像素区域PA的部分的扫描线GL中，俯视观察时与基座电极23重叠的部分的宽度变窄。
在本第一变形例中，驱动红子像素SxR内包含的晶体管Tr的扫描线GL包含相对于基座电极23配置于Y轴方向上的正侧且在X轴方向上延伸的延伸部(第一延伸部)EX1。另外，驱动绿子像素SxG内包含的晶体管Tr的扫描线GL包含相对于基座电极23配置于Y轴方向上的正侧且在X轴方向上延伸的延伸部(第二延伸部)EX2。延伸部EX2在Y轴方向上的宽度WD4比延伸部EX1在Y轴方向上的宽度WD3窄，延伸部EX1在Y轴方向上的负侧的侧端部(第一侧端部)SEP1与延伸部EX2在Y轴方向上的负侧的侧端部(第二侧端部)SEP2相比，形成于Y轴方向上的负侧。此外，蓝子像素SxB也与红子像素SxR相同。
在这种情况下，与延伸部EX2的宽度WD4与延伸部EX1的宽度WD3相等、且侧端部SEP1在Y轴方向上形成于与侧端部SEP2相同的位置的情况相比，在配置于绿像素区域PA的部分的扫描线GL中，俯视观察时与基座电极23重叠的部分的宽度变窄。因此，在绿子像素SxG中，也与红子像素SxR和蓝子像素SxB同样地，能够减小扫描线GL与基座电极23之间的电容Ca(参照图7)，能够进一步减小上述式(1)所示的电容Cgc。
当在红、绿和蓝这全部颜色的子像素Sx中使扫描线GL在Y轴方向上的宽度变窄时，扫描线GL的电阻有可能上升。或者，由于基座电极23侧的晶体管Tr2的栅极长度缩短而断态漏电流(offleakcurrent)增加，导致显示于显示区域的图像的画质有可能变差。
另一方面，在本第一变形例中，使与作为第二像素的绿子像素SxG对应的扫描线GL在Y轴方向上的宽度变窄。因此，能够减小扫描线GL的电阻的上升量。另外，在红子像素SxR和蓝子像素SxB中，基座电极23侧的晶体管Tr2的栅极长度不会缩短，因此能够防止断态漏电流增加。
<本实施方式的第二变形例>
接着，说明本第一实施方式的第二变形例。图14是表示第一实施方式的第二变形例的显示装置的像素结构的俯视图。
在本第二变形例中，关于使红子像素SxR中的遮光膜LS的宽度比绿子像素SxG中的遮光膜LS的宽度扩大的量，在相对于扫描线GL为配置有间隔件SP的一侧，比相对于扫描线GL为配置有间隔件SP的一侧的相反侧大。另外，关于使蓝子像素SxB中的遮光膜LS的宽度比绿子像素SxG中的遮光膜LS的宽度扩大的量，在相对于扫描线GL为配置有间隔件SP的一侧，比相对于扫描线GL为配置有间隔件SP的一侧的相反侧大。
在本第二变形例中，遮光膜LS包含遮光部(第一遮光部)LS1和遮光部(第二遮光部)LS2。遮光部LS1俯视观察时与红子像素SxR和蓝子像素SxB内包含的间隔件SP、连接布线24以及基座电极23重叠。遮光部LS2俯视观察时与绿子像素SxG内包含的连接布线24和基座电极23重叠。
遮光部LS1在Y轴方向上的负侧的侧端部(第三侧端部)SEP3相对于遮光部LS2在Y轴方向上的负侧的侧端部(第四侧端部)SEP4，延伸至Y轴方向上的负侧。另外，遮光部LS1在Y轴方向上的正侧的侧端部(第五侧端部)SEP5相对于遮光部LS2在Y轴方向上的正侧的侧端部(第六侧端部)SEP6，延伸至Y轴方向上的正侧。侧端部SEP3与侧端部SEP4之间的Y轴方向上的距离DST3比侧端部SEP5与侧端部SEP6之间的Y轴方向上的距离DST4大。由此，能够以使相对于红子像素SxR在Y轴方向上的正侧相邻的子像素Sx中的开口率增加的方式，配置遮光膜LS、间隔件SP。
<本实施方式的第三变形例>
接着，说明本第一实施方式的第三变形例。图15是表示第一实施方式的第三变形例的显示装置的像素结构的俯视图。
在本第三变形例中，在绿子像素SxG中，去除基座电极23或连接布线24的一部分，由此，基座电极23或连接布线24与扫描线GL隔开间隔而设置。
在本第三变形例中，绿子像素SxG内包含的基座电极23在Y轴方向上的长度比红子像素SxR内包含的基座电极23在Y轴方向上的长度短。或者，绿子像素SxG内包含的连接布线24在Y轴方向上的长度比红子像素SxR内包含的连接布线24在Y轴方向上的长度短。
由此，在绿子像素SxG中，基座电极23或连接布线24与扫描线GL隔开间隔而设置。或者，在绿子像素SxG中，即使在基座电极23及连接布线24俯视观察时与扫描线GL重叠的情况下，也能够使基座电极23或连接布线24中俯视观察时与扫描线GL重叠的部分在Y轴方向上的长度与第一实施方式相比缩短。因此，在绿子像素SxG中，也与红子像素SxR和蓝子像素SxB同样地，能够减小扫描线GL与基座电极23之间的电容，能够进一步减小上述式(1)所示的电容Cgc。
此外，在本第三变形例中，绿子像素SxG内包含的基座电极23在Y轴方向上的长度也可以比蓝子像素SxB内包含的基座电极23在Y轴方向上的长度短。或者，绿子像素SxG内包含的连接布线24在Y轴方向上的长度也可以比蓝子像素SxB内包含的连接布线24在Y轴方向上的长度短。
(第二实施方式)
在第一实施方式中，说明了将显示装置应用于液晶显示装置的示例。与此相对，在第二实施方式中，说明将显示装置应用于人的手指触摸等带位置坐标检测功能的液晶显示装置的示例。在此，带位置坐标检测功能的液晶显示装置是指在显示装置内包含的阵列基板和对置基板中的任一个上设置有位置坐标检测用检测电极的液晶显示装置。另外，在第二实施方式中，进一步说明具有将公共电极设置成作为位置坐标检测面板的公共电极而进行动作这种特征的in-cell型的带位置坐标检测功能的液晶显示装置。
另外，以下，以第二实施方式的显示装置中与第一实施方式的显示装置不同的点为中心进行说明。
<模块>
图16是表示第二实施方式的安装了显示装置的模块的一例的俯视图。
如图16所示，显示装置1具有包含基板21的阵列基板2、包含基板31的对置基板3以及柔性印刷基板T。
本第二实施方式中的阵列基板2除了公共电极COM的形状以外，与第一实施方式中的阵列基板2相同。另外，本第二实施方式中的对置基板3除了设置有检测电极TDL这一点以外，与第一实施方式中的对置基板3相同。
在本第二实施方式中，与第一实施方式不同地，显示装置1具有多个公共电极COM和多个检测电极TDL。多个公共电极COM和多个检测电极TDL是位置坐标检测用电极，根据多个公共电极COM各自与多个检测电极TDL各自之间的静电电容，检测输入位置。多个公共电极COM分别在X轴方向上延伸，在Y轴方向上排列。另外，多个检测电极TDL俯视观察时分别在Y轴方向上延伸，并且在X轴方向上排列。
在本第二实施方式中，也与第一实施方式同样地，在基板21上设置有作为栅极驱动器12的栅极驱动器12A和12B。另一方面，在本第二实施方式中，与第一实施方式不同地，在基板21上设置有作为公共电极驱动器14的公共电极驱动器14A和14B。栅极驱动器12A和12B以及公共电极驱动器14A和14B设置于边框区域FLA。具体地说，栅极驱动器12A和公共电极驱动器14A设置于边框区域FLA2，栅极驱动器12B和公共电极驱动器14B设置于边框区域FLA4。
在进行位置坐标检测动作时，通过公共电极驱动器14A和14B对多个公共电极COM各自供给检测用驱动信号Vcom。多个检测电极TDL各自的输出经由柔性印刷基板T与安装于柔性印刷基板T的位置坐标检测部40连接。柔性印刷基板T为端子即可，并不限定于柔性印刷基板。
公共电极驱动器14A和14B与排列在Y轴方向上的多个公共电极COM各自的、X轴方向上的正侧和负侧这两侧连接。例如从COG19内包含的驱动信号生成部(省略图示)经由电源布线PSL1对公共电极驱动器14A和14B供给作为显示用的驱动信号Vcom的显示用驱动信号VcomDC。另外，经由电源布线PSL2对公共电极驱动器14A和14B供给作为位置坐标检测用的驱动信号Vcom的检测用驱动信号VcomAC。即，对电源布线PSL1供给显示用驱动信号VcomDC，对电源布线PSL2供给检测用驱动信号VcomAC。
电源布线PSL1相对于电源布线PSL2配置于显示区域Ad侧。即，在边框区域FLA2中，电源布线PSL2相对于电源布线PSL1配置于X轴方向上的负侧，在边框区域FLA4中，电源布线PSL2相对于电源布线PSL1配置于X轴方向上的正侧。通过这种配置，由电源布线PSL1供给的显示用驱动信号VcomDC使显示区域Ad的端部的电位状态稳定。因此，特别是，在使用横电场模式的液晶的情况下，使显示稳定。
<带位置坐标检测功能的显示装置>
接着，参照图16和图17详细说明本第二实施方式的显示装置的结构例。图17是表示第二实施方式的显示装置的剖视图。
如上所述，本第二实施方式中的阵列基板2除了公共电极COM的形状以外，与第一实施方式中的阵列基板2相同。另外，本第二实施方式中的对置基板3除了设置有检测电极TDL这一点以外，与第一实施方式中的对置基板3相同。
在本第二实施方式中，也与在第一实施方式中使用图4和图5说明的同样地，多个像素电极22俯视观察时分别形成于在显示区域Ad的内部在X轴方向和Y轴方向上以矩阵状排列的多个子像素Sx各自的内部。因而，多个像素电极22在X轴方向和Y轴方向上以矩阵状排列。
多个公共电极COM各自形成于基板21与像素电极22之间。另外，多个公共电极COM各自设置成俯视观察时与多个像素电极22重叠。而且，在多个像素电极22各自与多个公共电极COM各自之间施加电压，在多个像素电极22各自与多个公共电极COM各自之间、即在与多个子像素Sx各自对应的液晶元件LC(参照图4和图10)中形成电场，由此在显示区域Ad显示图像。此时在公共电极COM与像素电极22之间形成电容Cap(参照图4)，电容Cap作为保持电容而发挥功能。
此外，多个公共电极COM各自也可以隔着像素电极22形成于基板21的相反侧。
在进行该显示动作时，作为公共电极驱动器14的公共电极驱动器14A和14B对公共电极COM供给显示用驱动信号VcomDC而驱动。多个公共电极COM在显示区域Ad分别在X轴方向上延伸，并且在Y轴方向上排列。
如上所述，多根扫描线GL在显示区域Ad分别在X轴方向上延伸，并且在Y轴方向上排列，因此多个公共电极COM各自延伸的方向与多根扫描线GL各自延伸的方向平行。但是，并不限定多个公共电极COM各自延伸的方向，例如，多个公共电极COM各自延伸的方向也可以是与多根信号线SL各自延伸的方向平行的方向。
本第二实施方式的显示装置1中的公共电极COM作为显示用公共电极而进行动作并且作为位置坐标检测用公共电极而进行动作。换言之，公共电极COM兼作为用于检测物体的接触或接近的位置坐标检测电极。此外，虽然在图16中省略图示，但是公共电极COM与扫描线GL重叠。
多个检测电极TDL俯视观察时分别在与多个公共电极COM各自延伸的方向(X轴方向)交叉的方向(Y轴方向)上延伸。换言之，多个检测电极TDL俯视观察时以分别与多个公共电极COM交叉的方式，相互隔开间隔地排列。而且，多个检测电极TDL各自在与阵列基板2内包含的基板21的上表面21a(参照图17)垂直的方向上，与多个公共电极COM各自相对配置。
多个检测电极TDL各自分别与位置坐标检测部40连接。在多个公共电极COM各自与多个检测电极TDL各自的俯视观察时的交叉部中产生静电电容。根据多个公共电极COM各自与多个检测电极TDL各自之间的静电电容，检测输入位置。即，位置坐标检测部40根据多个公共电极COM各自与多个检测电极TDL各自之间的静电电容，检测输入位置。
在本第二实施方式的显示装置1中，在进行位置坐标检测动作时，使用公共电极驱动器14例如沿Y轴方向依次选择例如一个或多个公共电极COM。而且，对所选择的一个或多个公共电极COM供给并输入检测用驱动信号VcomAC，从检测电极TDL产生并输出用于检测输入位置的检测信号。
俯视观察时，相互交叉的多个公共电极COM与多个检测电极TDL形成以矩阵状排列的静电电容式位置坐标检测传感器。而且，通过扫描所形成的静电电容式位置坐标检测传感器的检测面整体，能够检测手指等进行接触或接近的位置。
<基座电极与信号线的俯视观察时的重叠>
本第二实施方式中的基座电极23与扫描线GL的俯视观察时的重叠与第一实施方式中的基座电极23与扫描线GL的俯视观察时的重叠相同。
<与扫描线和公共电极关联的负载>
接着，与比较例2的显示装置进行对比而说明与扫描线GL和公共电极COM关联的负载。在比较例2的显示装置中，基座电极23和连接布线24的配置与第二实施方式的显示装置中的基座电极23和连接布线24的配置不同。
关于本第二实施方式中的与扫描线GL和公共电极COM关联的负载，也与第一实施方式中的与扫描线GL和公共电极COM关联的负载同样地，能够与比较例2的显示装置进行对比而进行说明。另外，也能够使用图10示出的表示比较例1的显示装置的等效电路的一部分的电路图说明比较例2的显示装置的等效电路。
在比较例2的显示装置中，也与比较例1的显示装置同样地，当图10示出的电容Cg1、电容Cg2、电容Cgc或电阻Rg1增加时，与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻增加，与扫描线GL关联的负载增加。而且，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻增加，与公共电极COM关联的负载增加。
在比较例2的显示装置中，也与图8示出的比较例1的显示装置同样地，在红、绿和蓝中的任一颜色的子像素Sx中，基座电极23与扫描线GL俯视观察时均重叠。因此，电容Ca(参照图9)变大，使用上述式(1)表示的电容Cgc变大。
因而，与扫描线GL关联的寄生电容或布线电阻等的负载增加，图11示出的期间Trg1或期间Trf1容易变长。另外，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻等的负载增加，如图12所示，从公共电极COM的电位变动的恢复容易延迟。
图18是示意性地示出向扫描线供给信号波形时的公共电极的电位的曲线图。
在比较例2的显示装置中，与比较例1的显示装置不同地，如图18所示，在向公共电极COM供给例如位置坐标检测用驱动信号时，向公共电极COM供给的驱动信号的电位周期性地发生变化。当图10示出的电容Cc1、电容Cgc或电阻Rc1增加时，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻增加，在向公共电极COM供给的驱动信号的电位上升时各子像素Sx中的公共电极COM的电位的上升延迟的期间Trg2变长，从而消耗电力增加。另外，向公共电极COM供给的驱动信号的电位下降时各子像素Sx中的公共电极COM的电位的下降延迟的期间Trf2变长，从而消耗电力增加。因此，位置坐标检测中的检测灵敏度等检测特性降低。
子像素SxF中的期间Trg2比子像素SxN中的期间Trg2长，子像素SxF中的期间Trf2比子像素SxN中的期间Trf2长。即，越是距COG19等控制装置远的子像素Sx，则与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻越容易增加。因此，消耗电力增加，位置坐标检测中的检测灵敏度等检测特性降低的现象随着像素的高精细化或显示区域的大型化而容易产生。特别是，在使用公共电极COM检测输入位置时，要求比图像显示更精密的电位控制，因此有可能导致公共电极COM的寄生电容或布线电阻的增加大的质量劣化。因此，最好应用本说明书所记载的降低寄生电容和布线电阻的实用新型。
<本实施方式的主要特征和效果>
另一方面，在本第二实施方式中，也与第一实施方式同样地，红子像素SxR中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离，比绿子像素SxG中的俯视观察时的、基座电极23与驱动晶体管Tr的扫描线GL在Y轴方向上的距离长。另外，遮光膜LS与红像素区域PA和蓝像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度比遮光膜LS与绿像素区域PA在Y轴方向上的重叠宽度大。
由此，与第一实施方式同样地，即使在使像素高精细化或使显示区域大型化的情况下，也能够不会使各子像素Sx的开口率降低地降低与扫描线GL关联的负载、减小与公共电极COM关联的负载。
另一方面，在本第二实施方式中，与第一实施方式不同地，与公共电极COM关联的寄生电容或布线电阻减小，在向公共电极COM供给的驱动信号的电位上升时各子像素Sx中的公共电极COM的电位的上升延迟的期间Trg2变短。或者，在向公共电极COM供给的驱动信号的电位下降时公共电极COM的电位的下降延迟的期间Trf2变短。因此，即使在使像素高精细化、使显示区域大型化的情况下，也能够降低消耗电力，提高位置坐标检测中的检测灵敏度等检测特性。
此外，在本第二实施方式中，也能够将应用了与针对第一实施方式的第一变形例～第三变形例相同的变形例的结构设为第二实施方式的第一变形例～第三变形例。此时，第二实施方式的第一变形例～第三变形例各自也对第二实施方式具有与第一实施方式的第一变形例～第三变形例各自对第一实施方式所具有的效果相同的效果。
以上，根据其实施方式具体地说明了由本申请发明人完成的实用新型，但是本实用新型并不限定于上述实施方式，当然能够在不脱离其宗旨的范围内进行各种变更。
另外，在上述实施方式中，作为公开例而例示了液晶显示装置的情况，但是作为其它应用例，可举出有机EL显示装置、其它自发光型显示装置或具有电泳元件等的电子纸型显示装置等所谓平板型显示装置。另外，当然能够从中小型至大型地不特别进行限定地应用。
在本实用新型的思想范畴中，如果是本领域技术人员，则能够想到各种变更例和修正例，理解为这些变更例和修正例也属于本实用新型的范围。
例如，关于本领域技术人员对上述各实施方式适当地进行结构要素的追加、删除或设计变更的结构或进行工序的追加、省略或条件变更的结构，只要具备本实用新型的宗旨，则也包含于本实用新型的范围。
工业实用性
本实用新型有效应用于显示装置。

Claims (11)

1.一种显示装置，具备供给与图像关联的第一信号的多根第一信号线以及供给与图像关联并与所述第一信号不同的第二信号的多根第二信号线，该显示装置的特征在于，具备：
第一像素区域和第二像素区域，其由多根所述第一信号线与多根所述第二信号线交叉而形成；
第一晶体管，其设置于所述第一像素区域，由所述第一信号线和所述第二信号线驱动；
第二晶体管，其设置于所述第二像素区域，由所述第一信号线和所述第二信号线驱动；
第一像素电极，其设置于所述第一像素区域；
第二像素电极，其设置于所述第二像素区域；
第一导电性布线，其将所述第一晶体管与所述第一像素电极电连接；
第二导电性布线，其将所述第二晶体管与所述第二像素电极电连接；
第一导电性电极，其设置于所述第一导电性布线与所述第一晶体管之间；
第二导电性电极，其设置于所述第二导电性布线与所述第二晶体管之间；
绝缘膜，其设置于所述第一像素电极及所述第二像素电极与所述第一晶体管及所述第二晶体管之间；以及
遮光膜，其与所述第一信号线、所述第一导电性布线、所述第二导电性布线、所述第一导电性电极、所述第二导电性电极重叠，
在所述绝缘膜上形成有第一开口部和第二开口部，
所述第一导电性布线和所述第一导电性电极俯视观察时设置于所述第一开口部内，
所述第二导电性布线和所述第二导电性电极俯视观察时设置于所述第二开口部内，
多根所述第一信号线俯视观察时沿第一方向延伸，
所述第一导电性电极俯视观察时在与所述第一方向交叉的第二方向上的第一侧与驱动所述第一晶体管的所述第一信号线相邻，
所述第二导电性电极俯视观察时在所述第一侧与驱动所述第二晶体管的所述第一信号线相邻，
俯视观察时的所述第一导电性电极与驱动所述第一晶体管的所述第一信号线在所述第二方向上的距离，比俯视观察时的所述第二导电性电极与驱动所述第二晶体管的所述第一信号线在所述第二方向上的距离长，
所述遮光膜与所述第一像素区域在所述第二方向上的重叠宽度比所述遮光膜与所述第二像素区域在所述第二方向上的重叠宽度大。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
具备多个第一像素、和第二像素，
所述第一像素具有所述第一像素区域、所述第一导电性电极、所述第一导电性布线、所述第一晶体管以及所述第一开口部，
所述第二像素具有所述第二像素区域、所述第二导电性电极、所述第二导电性布线、所述第二晶体管以及所述第二开口部，
多个所述第一像素在所述第一方向上排列，
所述第二像素与在多个所述第一像素的排列的端部配置的所述第一像素相邻，
所述第二信号线介于相邻的两个所述第一像素之间，
所述第二信号线介于与所述第二像素相邻的所述第一像素、与所述第二像素之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
对所述第一像素内包含的所述第一晶体管进行驱动的所述第一信号线包含第一延伸部，该第一延伸部相对于所述第一导电性电极配置在所述第一侧的相反侧，并沿所述第一方向延伸，
对所述第二像素内包含的所述第二晶体管进行驱动的所述第一信号线包含第二延伸部，该第二延伸部相对于所述第二导电性电极配置在所述第一侧的相反侧，并沿所述第一方向延伸，
所述第二延伸部在所述第二方向上的宽度比所述第一延伸部在所述第二方向上的宽度窄，
所述第一延伸部的所述第一侧的第一侧端部与所述第二延伸部的所述第一侧的第二侧端部相比形成于所述第一侧。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
具备：
第一基板；
第二基板，其配置于与所述第一基板相对的位置；以及
间隔件，其设置于所述第一基板与所述第二基板之间，保持所述第一基板与所述第二基板的距离，
多个所述第一像素和所述第二像素形成于所述第一基板，
所述间隔件俯视观察时与介于相邻的两个所述第一像素之间的部分的所述第二信号线重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述间隔件俯视观察时与同相邻的两个所述第一像素各自所包含的两个所述第一晶体管连接的所述第一信号线重叠，
所述第二方向上的所述间隔件的中心相对于与相邻的两个所述第一像素各自所包含的两个所述第一晶体管连接的所述第一信号线，配置于所述第二方向上的所述第一侧。
6.根据权利要求4或5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一方向上的所述间隔件的长度比所述第二方向上的所述间隔件的宽度长。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述遮光膜包括：
第一遮光部，其俯视观察时与所述间隔件、所述第一导电性布线以及所述第一导电性电极重叠；以及
第二遮光部，其与所述第二像素内包含的所述第二导电性布线和所述第二导电性电极重叠，
所述第一遮光部的所述第一侧的第三侧端部相对于所述第二遮光部的所述第一侧的第四侧端部，延伸至所述第一侧，
所述第一遮光部的所述第一侧的相反侧的第五侧端部相对于所述第二遮光部的所述第一侧的相反侧的第六侧端部，延伸至所述第一侧的相反侧，
所述第三侧端部与所述第四侧端部之间的所述第二方向上的距离比所述第五侧端部与所述第六侧端部之间的所述第二方向上的距离大。
8.根据权利要求2～5以及7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一像素显示白色或蓝色。
9.根据权利要求2～5以及7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二像素显示绿色。
10.根据权利要求1～5以及7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二导电性布线在所述第二方向上的长度比所述第一导电性布线在所述第二方向上的长度短，或所述第二导电性电极在所述第二方向上的长度比所述第一导电性电极在所述第二方向上的长度短。
11.根据权利要求1～5以及7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
具备在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间形成电场的公共电极，
所述公共电极与所述第一信号线重叠，
所述公共电极兼作为用于检测物体的接触或接近的位置坐标检测电极。
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