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CN204721322U - Lc复合元器件 - Google Patents

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CN204721322U
CN204721322U CN201390001070.8U CN201390001070U CN204721322U CN 204721322 U CN204721322 U CN 204721322U CN 201390001070 U CN201390001070 U CN 201390001070U CN 204721322 U CN204721322 U CN 204721322U
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patch
coil
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parts
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CN201390001070.8U
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用水邦明
马场贵博
田村涉
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

LC复合元器件具备多层基板(2)、图案线圈(3)、以及贴片型电容元件(4)。多层基板(2)由绝缘层(21、22、23、24、25)层叠而构成。图案线圈(3)是以多层基板(2)的层叠方向为轴的线圈状，包含设置于绝缘层(21、22、23、24、25)的层间的线圈导体(32A、33A)而构成。贴片型电容元件(4)构成为包含相对介电常数高于绝缘层(21、22、23、24、25)的陶瓷坯体(5)和相对电极(6)。贴片型电容元件(4)的至少一部分配置于图案线圈(3)的线圈内部。

Description

LC复合元器件
技术领域
本实用新型涉及在多个绝缘层层叠而构成的多层基板设置线圈和贴片型电容元件来构成的LC复合元器件。
背景技术
作为LC复合元器件，可利用下述结构：通过设置于多层基板的层间的电极图案来构成线圈和电容器，并连接这些线圈和电容器来构成LC滤波器(参照专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平5-335866号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
在现有的LC复合元器件中，由于越是靠近线圈在多层基板内部产生的磁场越强，因此，若电容器等电极图案设置于线圈附近，则磁通会绕过电极图案从而导致线圈的电感值下降。由此，为了在不对线圈结构进行较大改动的情况下将电感值设定为所期望的值，需要使电容器等电极图案远离线圈附近，由此来抑制电感值的下降。于是，为了使电容器等电极图案远离线圈附近，就需要增大多层基板的面积，从而难以实现LC复合元器件的小型化。
因此，本实用新型的目的在于提供一种LC复合元器件，该LC复合元器件可容易地实现所期望的电感值，且与现有结构相比，具有适于实现小型化的结构。
解决技术问题所采用的技术方案
本实用新型的LC复合元器件包括：多层基板，该多层基板由多个绝缘层层叠而构成；图案线圈，该图案线圈是以多层基板的层叠方向为轴的线圈状，包含设置于绝缘层的层间的导体而构成；以及贴片型电容元件，该贴片型电容元件包含相对介电常数高于绝缘层的电介质和夹着电介质相对的相对电极而构成，该贴片型电容元件的至少一部分配置在图案线圈的线圈内部。
该结构中，由于贴片型电容元件的至少一部分配置在图案线圈的线圈内部，因此，能够抑制用于配置贴片型电容元件的空间，能够使LC复合元器件小型化。此外，由于贴片型电容元件构成为包含相对介电常数高于多层基板的绝缘层的电介质，因此，能够使贴片型电容元件小型化，即使将贴片型电容元件配置在图案线圈的线圈内部，被贴片型电容元件遮挡的磁通也较少，从而能够抑制图案线圈的电感值的下降。
在上述LC复合元器件中，优选贴片型电容元件配置为使得相对电极分别与多层基板的层叠方向平行。
图案线圈的线圈内部的磁通方向与多层基板的层叠方向基本一致。因此，若贴片型电容元件的相对电极与多层基板的层叠方向平行，则磁通穿过贴片型电容元件的相对电极之间。由此，也可以使被贴片型电容元件遮挡的磁通变少，能够抑制图案线圈的电感值的下降。
在上述LC复合元器件中，多层基板的朝向沿着层叠方向的方向的一个主面是与外部基板相对的安装面，使多层基板的层叠方向上的贴片型电容元件的中心从多层基板的层叠方向上的图案线圈的中心向安装面侧偏移。
在安装LC复合元器件的外部基板，通常在与LC复合元器件相对的区域形成接地电极、安装电极等。由此，在将LC复合元器件安装于外部基板的状态下，对于从图案线圈产生的磁场，越是靠近安装面侧，磁场越弱。因此，通过使多层基板的层叠方向上的贴片型电容元件的中心从多层基板的层叠方向上的图案线圈的中心向安装面侧偏移，换言之，从多层基板的层叠方向上的图案线圈的中心向安装面侧错开来进行配置，从而使得被贴片型电容元件遮挡的磁通变少，能够抑制图案线圈中电感值的下降。
在上述LC复合元器件中，优选为贴片型电容元件具备朝向多层基板的层叠方向的安装电极，多层基板在相对于贴片型电容元件的多层基板的层叠方向的上下分别具备从安装电极开始沿着多层基板的层叠方向延伸的过孔导体，以作为与贴片型电容元件相连接的布线的一部分，安装电极连接在过孔导体间。
在该结构中，从多层基板的层叠方向观察时，贴片型电容元件的安装电极与连接至贴片型电容元件的过孔导体相重合。因此，能够将安装电极使用作为过孔导体的一部分，从多层基板的层叠方向俯视时，设置于图案线圈的线圈内部的电极的面积得以抑制。由此，使得被电极遮挡的磁通变少，能够抑制图案线圈的电感值的下降。
上述LC复合元器件中，优选为将上述图案线圈设为第1图案线圈，上述LC复合元器件还具备第2图案线圈，该第2图案线圈在与多层基板的层叠方向正交的方向上与第1图案线圈相邻接，并且是以多层基板的层叠方向为轴的线圈状，第1图案线圈的线圈内部的磁通方向与第2图案线圈的线圈内部的磁通方向是相同方向，使第1图案线圈与第2图案线圈相邻接的方向上的贴片型电容元件的中心从第1图案线圈的中心向第2图案线圈侧偏移。
该结构中，在第1图案线圈的线圈内部的磁通方向与第2图案线圈的线圈内部的磁通方向是相同方向，因此，在第1图案线圈的线圈内部，越是靠近第2图案线圈的位置，磁场越弱。因此，通过使贴片型电容元件从第1图案线圈的中心向第2图案线圈侧偏移，能使被贴片型电容元件遮挡的磁通变少，能够抑制第1图案线圈的电感值的下降。
上述LC复合元器件中，优选为将上述图案线圈设为第1图案线圈，上述LC复合元器件还具备第2图案线圈，该第2图案线圈在与多层基板的层叠方向正交的方向上与第1图案线圈相邻接，并且是以多层基板的层叠方向为轴的线圈状，第1图案线圈的线圈内部的磁通方向与第2图案线圈的线圈内部的磁通方向是相反方向，使第1图案线圈与第2图案线圈相邻接的方向上的贴片型电容元件的中心从第1图案线圈的中心向第2图案线圈侧的相反侧偏移。
该结构中，在第1图案线圈的线圈内部的磁通方向与第2图案线圈的线圈内部的磁通方向是相反方向，因此，在第1图案线圈的线圈内部，越是靠近第2图案线圈的位置，磁场越强。因此，通过使贴片型电容元件从第1图案线圈的中心向第2图案线圈侧的相反侧偏移，能使被贴片型电容元件遮挡的磁通变少，能够抑制第1图案线圈的电感值的下降。
上述LC复合元器件中，可以连接图案线圈和贴片型电容元件来构成滤波器电路。
上述LC复合元器件中，贴片型电容元件是贴片电容器。
上述LC复合元器件中，贴片型电容元件是贴片压敏电阻。
上述LC复合元器件中，优选为还包括第1电感器，该第1电感器由在绝缘层的层间以与上述图案线圈相对的方式延伸的导体形成，经由上述贴片型电容元件与上述图案线圈相连接。
该结构中，在第1电感器与图案线圈之间产生磁场耦合，利用该磁场耦合，能够调整图案线圈的电感。
上述LC复合元器件中，优选为还包括第1信号输入输出端子、第2信号输入输出端子、以及接地连接端子，上述图案线圈连接在上述第1信号输入输出端子与上述第2信号输入输出端子之间，上述贴片型电容元件的一端连接至上述图案线圈与上述第2信号输入输出端的连接点，上述第1电感器连接在上述贴片型电容元件的另一端与上述接地连接端子之间。
该结构中，利用贴片型电容元件与第1电感器的串联谐振，能够对滤波特性设计衰减极点。
上述LC复合元器件中，在上述第1电感器与上述图案线圈相对的区域，流过上述第1电感器的电流的方向与流过上述图案线圈的电流的方向可以是相同方向。该情况下，第1电感器与图案线圈以正的耦合系数进行同相的磁场耦合。
上述LC复合元器件中，在上述第1电感器与上述图案线圈相对的区域，流过上述第1电感器的电流的方向与流过上述图案线圈的电流的方向可以是相反方向。该情况下，第1电感器与图案线圈以负的耦合系数进行反相的磁场耦合。
上述LC复合元器件中，优选为还包括第2电感器，该第2电感器由在绝缘层的层间以与上述图案线圈相对的方式延伸的导体形成，且与上述第1电感器并联连接。
在该结构中，能够对第1电感器和第2电感器分别与图案线圈间的磁场耦合进行调整，从而能够更为细致地对图案线圈的电感进行调整。
上述LC复合元器件中，在上述第2电感器与上述图案线圈相对的区域，流过上述第2电感器的电流的方向与流过上述图案线圈的电流的方向可以是相同方向。该情况下，第2电感器与图案线圈以正的耦合系数进行同相的磁场耦合。
上述LC复合元器件中，在上述第2电感器与上述图案线圈相对的区域，流过上述第2电感器的电流的方向与流过上述图案线圈的电流的方向可以是相反方向。该情况下，第2电感器与图案线圈以负的耦合系数进行反相的磁场耦合。
实用新型效果
根据本实用新型的LC复合元器件，由于在图案线圈的线圈内部配置贴片型电容元件，因此能够使LC复合元器件小型化。此外，通过使用相对介电常数高于绝缘层的电介质层来构成贴片型电容元件，从而使贴片型电容元件小型化，因此，即使将贴片型电容元件配置在图案线圈的线圈内部，也能够抑制图案线圈的电感值的下降。因此，即便使LC复合元器件的结构小型化，也能够容易地实现所期望的电感值。
附图说明
图1是本实用新型的实施方式1所涉及的LC复合元器件的立体图和分解立体图。
图2是本实用新型的实施方式1所涉及的LC复合元器件的分解俯视图。
图3是本实用新型的实施方式1所涉及的LC复合元器件的等效电路图。
图4是表示本实用新型的实施方式1所涉及的LC复合元器件的制造方法的侧面剖视图。
图5是本实用新型的实施方式2所涉及的LC复合元器件的侧面剖视图。
图6是本实用新型的实施方式2所涉及的LC复合元器件的层叠图。
图7是本实用新型的实施方式2所涉及的LC复合元器件的等效电路图。
图8是对本实用新型的实施方式3所涉及的LC复合元器件进行说明的示意图。
图9是本实用新型的实施方式4所涉及的LC复合元器件的立体图和等效电路图。
图10是具备本实用新型的实施方式5所涉及的LC复合元器件的复合基板的立体图和等效电路图。
图11是本实用新型的实施方式6所涉及的LC复合元器件的等效电路图和分解立体图。
图12是本实用新型的实施方式6所涉及的LC复合元器件的分解俯视图。
图13是表示连接导体的其他走线示例的分解俯视图。
图14是举例示出LC复合元器件的滤波特性的图。
具体实施方式
下面，对实施方式1所涉及的LC复合元器件进行说明。这里示出的LC复合元器件可在利用高频信号的设备中，用作为连接至外部连接端子并去除噪声的滤波器。
图1(A)是实施方式1所涉及的LC复合元器件1的立体图。
LC复合元器件1具备多层基板2、图案线圈3、以及贴片型电容元件4。多层基板2是六面体，此处由液晶聚合物等热塑性较高的树脂构成。贴片型电容元件4此处为贴片电容器。图案线圈3和贴片型电容元件4设置于多层基板2的内部。另外，多层基板也可以由其他的热塑性树脂、低温烧结陶瓷等构成。
图1(B)是LC复合元器件1的分解立体图。图2是从顶面侧俯视LC复合元器件1的各层而得到的分解俯视图。
多层基板2具备树脂片材11、12、13、14、15。多层基板2通过从顶面到底面依次层叠树脂片材11～15而构成。
树脂片材1具备绝缘层21。绝缘层21由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形。
树脂片材12具备绝缘层22、布线层32、过孔导体42。绝缘层22由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，并设置有开口部22A。开口部22A在俯视时呈矩形，从顶面到底面贯穿绝缘层22。布线层32层叠于绝缘层22的顶面。过孔导体42从顶面到底面贯穿绝缘层22。
树脂片材13具备绝缘层23、布线层33、过孔导体43。绝缘层23由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，并设置有开口部23A。开口部23A在俯视时呈矩形，从顶面到底面贯穿绝缘层23。布线层33层叠于绝缘层23的顶面。过孔导体43从顶面到底面贯穿绝缘层23。
树脂片材14具备绝缘层24、布线层34、过孔导体44。绝缘层24由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形。布线层34层叠于绝缘层24的底面。过孔导体44从顶面到底面贯穿绝缘层24。
树脂片材15具备绝缘层25、布线层35、过孔导体45。绝缘层25由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形。布线层35层叠于绝缘层25的底面。过孔导体45从顶面到底面贯穿绝缘层25。
图案线圈3具备线圈导体32A和线圈导体33A，具有电感。线圈导体32A设置于树脂片材12的布线层32，以环绕开口部22A的周围的方式延伸。线圈导体33A设置于树脂片材13的布线层33，以环绕开口部23A的周围的方式延伸。线圈导体32A和线圈导体33A经由过孔导体42相连接，以成为以多层基板2的层叠方向为轴的线圈状。
贴片型电容元件4具有与树脂片材12、13的厚度的总和大致相等的厚度，并收纳于由开口部22A、23A构成的空腔。开口部22A、23A配置于线圈导体32A、33A的内侧，因此贴片型电容元件4配置于图案线圈3的线圈内部。
该贴片型电容元件4具备陶瓷坯体5、多个相对电极6、以及安装电极7A、7B，具有电容。陶瓷坯体5通过在与多层基板2的层叠方向正交的方向上层叠相对介电常数高于构成多层基板2的绝缘层21～25的多个电介质层而形成。多个相对电极6设置为在陶瓷坯体5的内部夹着电介质层相对。即，相对电极6以相对于多层基板2的层叠方向平行的方式进行配置。安装电极7A、7B设置于陶瓷坯体5的两端部附近的外表面，分别每隔一个与多个相对电极6交替相连。更具体而言，安装电极7A、7B分别经由与陶瓷坯体5的层叠方向正交并与多层基板2的层叠方向也正交的方向的端面，在朝向多层基板2的层叠方向的两面之间进行设置。
在树脂片材12的布线层32设置有连接导体32B。连接导体32B是与贴片型电容元件4的安装电极7B与图案线圈3的线圈导体32A相连接的电极。
在树脂片材14的布线层34设置有连接导体34A、34B、34C。连接导体34A是经由树脂片材14的过孔导体44和树脂片材13的过孔导体43，与贴片型电容元件4的安装电极7A相连接的电极。连接导体34B是经由树脂片材14的过孔导体44和树脂片材13的过孔导体43，与贴片型电容元件4的安装电极7B相连接的电极。连接导体34C是经由树脂片材14的过孔导体44和树脂片材13的过孔导体43，与图案线圈3的线圈导体33A相连接的电极。
在树脂片材15的布线层35设置有安装电极35A、35B、35C。安装电极35A是经由树脂片材15的过孔导体45，与树脂片材14的连接导体34A相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。即，安装电极35A经由连接导体34A与贴片型电容元件4的安装电极7A相连接。
安装电极35B是经由树脂片材15的过孔导体45，与树脂片材14的连接导体34B相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。即，安装电极35B经由连接导体34B与贴片型电容元件4的安装电极7B相连接。
安装电极35C是经由树脂片材15的过孔导体45，与树脂片材14的连接导体34C相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。即，安装电极35C经由连接导体34C与图案线圈3的线圈导体33A相连接。
图3是LC复合元器件1的等效电路图。
图案线圈3与贴片型电容元件4串联连接。并且，图案线圈3连接在安装电极35B和安装电极35C之间。贴片型电容元件4连接在安装电极35B和安装电极35A之间。该LC复合元器件1构成滤波器电路，例如通过将安装电极35A用作为接地连接端子，将安装电极35B、35C用作为信号输入输出端子，从而起到低通滤波器(LPF)的作用。
图4是用于说明LC复合元器件1的制造方法的一个示例的侧面剖视图。这里，仅在图中示出成为单独的LC复合元器件1的部分。但实际上，可以通过在大片树脂片材设置多个将要成为LC复合元器件1的部分，在一次性形成多个LC复合元器件1之后，切割出各个LC复合元器件1，从而制造得到LC复合元器件1。
首先，在图4(A)所示的第1工序中，准备仅具备绝缘层的树脂片材11，并且准备在绝缘层的单面的整个面粘贴有金属膜的树脂片材12～15。作为金属膜，可使用例如铜箔等金属箔。
接着，在图4(B)所示的第2工序中，通过蚀刻等对树脂片材12～15的金属膜进行图案化，从而形成布线层32～35。并且，通过冲孔等使树脂片材12、13的绝缘层开口，从而形成开口部22A、23A。此外，通过激光等在树脂片材12～15的绝缘层形成不贯穿金属膜而贯穿绝缘层的贯通孔，在该贯通孔的内部设置导电型糊料等导电材料，从而形成过孔导体42～45。
接着，在图4(C)所示的第3工序中，以将树脂片材14的布线层34朝向底面侧的状态，在树脂片材14的顶面侧配置贴片型电容元件4，并使贴片型电容元件4与树脂片材14热压接。由此，贴片型电容元件4的安装电极7A、7B与树脂片材14的过孔导体44相接合。
接着，在图4(D)所示的第4工序中，以树脂片材12的布线层32朝向顶面侧，树脂片材13的布线层33朝向顶面侧，树脂片材14的布线层34朝向底面侧，树脂片材15的布线层35朝向底面侧的状态，对树脂片材11～15进行重叠。
接着，在图4(E)所示的第5工序中，对树脂片材11～15进行热压接。由此，使得树脂片材11～15彼此接合，从而制造得到LC复合元器件1。
如上述说明所示的那样，本实施方式所涉及的LC复合元器件1中，贴片型电容元件4配置于图案线圈3的线圈内部。因此，在LC复合元器件1中，能够抑制用于配置贴片型电容元件4的空间。由此，与将贴片型电容元件4配置于图案线圈3的线圈外的情况相比，能够使LC复合元器件1整体的结构小型化。此外，通过将热塑性树脂用于多层基板2，能够在进行加热压接的同时使热塑性树脂流动，从而能够填埋多层基板2内的由开口部22A、23A形成的空腔部的间隙，牢固地固定贴片型电容元件4等内置元器件。并且，通过利用多层基板2的树脂来覆盖贴片型电容元件4的容易破裂的陶瓷坯体，从而使得贴片型电容元件4的陶瓷坯体不易因冲击而破裂。
另外，由于贴片型电容元件4配置于图案线圈3的线圈内部，因此，图案线圈3的磁通受到贴片型电容元件4的阻碍，从而有可能导致图案线圈3中电感值下降。
然而，此处，由于贴片型电容元件4构成为包含由相对介电常数高于多层基板2的电介质层形成的陶瓷坯体5，因此，相比于利用具有与多层基板2同等程度的相对介电常数的电介质层来构成贴片型电容元件4的情况，能够使贴片型电容元件4的结构小型化。由此，由图案线圈3的线圈内部所配置的贴片型电容元件4所遮挡的磁通变少。
另外，在将通过图案形成的相对电极配置于多层基板2的布线层，且利用相对介电常数较高的层来构成多层基板2整体的情况下，也能够构成小型的电容元件，但在这种情况下，图案线圈3也形成于相对介电常数较高的多层基板2，从而有可能导致电感值等特性劣化。因此，如本实施方式所示，想要获得高相对介电常数的电容元件由相对介电常数较高的电介质层构成，图案线圈部由与之相比相对介电常数相对较低的层构成，由此能够兼顾较高的电感值、和较高的电容值，并能够实现LC复合元器件1的结构的小型化。
此外，贴片型电容元件4配置为使得陶瓷坯体5的层叠方向与多层基板2的层叠方向正交，即，使得相对电极6与多层基板2的层叠方向平行。由此，图案线圈3的线圈内部的磁通的方向与多层基板2的层叠方向基本一致，因此，图案线圈3的磁通穿过贴片型电容元件4的陶瓷坯体5，而几乎不会与相对电极6发生冲突。另外，也无需一定要将相对电极6配置为与多层基板2的层叠方向平行，也可将相对电极6配置为与多层基板2的平面方向平行。但是，从上述观点出发，优选配置为使相对电极6与多层基板2的层叠方向平行。
此外，在图案线圈3的线圈内部，从多层基板2的层叠方向观察时，树脂片材14的过孔导体44设置为与贴片型电容元件4的安装电极7A、7B相重合。因此，与贴片型电容元件4的安装电极7A、7B与过孔导体错开进行配置的情况相比，被过孔导体44遮挡的磁通较少。
并且，该结构的LC复合元器件1的底面成为朝向外部基板的安装面。通常情况下，外部基板中与LC复合元器件1相对的区域形成有接地电极、安装电极等。因此，在将LC复合元器件1安装于外部基板的状态下，对于从LC复合元器件1的图案线圈3产生的磁场而言，在底面侧的磁场要比顶面侧的磁场弱。
在该LC复合元器件1中，在多层基板2的层叠方向，如图4(E)所示，图案线圈3的中心是树脂片材12的厚度方向的中心附近，贴片型电容元件4的中心为树脂片材12与树脂片材13的边界附近。即，在多层基板2的层叠方向，贴片型电容元件4的中心从图案线圈3的中心向底面侧偏移。因此，贴片型电容元件4配置在图案线圈3的磁场较弱的区域。由此，不会妨碍磁场较强的顶面侧的磁场的环路。
通过采用上述结构，可抑制图案线圈3的电感值的下降。因此，即使将贴片型电容元件4配置于图案线圈3的线圈内部，从而使LC复合元器件1的结构小型化，也能够容易地在图案线圈3中实现所期望的电感值。
接着，对本实用新型的实施方式2所涉及的LC复合元器件51进行说明。
图5是LC复合元器件51的侧面剖视图。图6是从顶面侧俯视LC复合元器件51的各层而得到的分解俯视图。
LC复合元器件51具备多层基板52、图案线圈53A、53B、以及贴片型电容元件54A、54B。贴片型电容元件54A、54B此处为贴片电容器。图案线圈53A、53B和贴片型电容元件54A、54B设置于多层基板52的内部。
多层基板52具备绝缘层71、72、73、74、75、76、77、78、79。多层基板52通过从顶面到底面依次层叠绝缘层71～79而构成。
绝缘层71由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在顶面层叠有布线层81，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体91。绝缘层72由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在顶面层叠有布线层82，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体92。绝缘层73由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在顶面层叠有布线层83，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体93。绝缘层74由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在底面层叠有布线层84，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体94和开口部74A、74B。绝缘层75由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在底面层叠有布线层85，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体95和开口部75A、75B。绝缘层76由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在底面层叠有布线层86，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体96和开口部76A、76B。绝缘层77由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在底面层叠有布线层87，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体97和开口部77A、77B。绝缘层78由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在底面层叠有布线层88，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体98。绝缘层79由树脂形成，从层叠方向进行俯视时的外形为矩形，在底面层叠有布线层89，并以从顶面贯穿底面的方式设置有过孔导体99。
图案线圈53A具备线圈导体81A、82A、83A、84A、85A、86A、87A、88A，具有电感。图案线圈53B具备线圈导体81B、82B、83B、84B、85B、86B、87B、88B，具有电感。
线圈导体81A、81B设置于布线层81，粘贴在绝缘层71的顶面。线圈导体82A、82B设置于布线层82，粘贴在绝缘层72的顶面。线圈导体83A、83B设置于布线层83，粘贴在绝缘层73的顶面。线圈导体84A、84B设置于布线层84，粘贴在绝缘层74的底面。线圈导体85A、85B设置于布线层85，粘贴在绝缘层75的底面。线圈导体86A、86B设置于布线层86，粘贴在绝缘层76的底面。线圈导体87A、87B设置于布线层87，粘贴在绝缘层77的底面。线圈导体88A、88B设置于布线层88，粘贴在绝缘层78的底面。
从多层基板52的层叠方向观察时，开口部74A、75A、76A、77A设置为彼此重合。从多层基板52的层叠方向观察时，线圈导体81A、82A、83A、84A、85A、86A、87A、88A以环绕开口部74A、75A、76A、77A的周围的方式延伸。并且，线圈导体81A、82A、83A、84A、85A、86A、87A、88A经由过孔导体91、92、93、94、95、96、97、98相连接，以成为以多层基板52的层叠方向为轴的线圈状。
此外，从多层基板52的层叠方向观察时，开口部74B、75B、76B、77B设置为彼此重合。从多层基板52的层叠方向观察时，线圈导体81B、82B、83B、84B、85B、86B、87B、88B以环绕开口部74B、75B、76B、77B的周围的方式延伸。并且，线圈导体81B、82B、83B、84B、85B、86B、87B、88B经由过孔导体91、92、93、94、95、96、97、98相连接，以成为以多层基板52的层叠方向为轴的线圈状。
贴片型电容元件54A具有与绝缘层74、75、76、77的总计厚度大致相等的厚度，并收纳于由开口部74A、75A、76A、77A构成的空腔。由于开口部74A、75A、76A、77A配置于线圈导体81A、82A、83A、84A、85A、86A、87A、88A的内侧，因此，贴片型电容元件54A配置于图案线圈53A的线圈内部。
贴片型电容元件54B具有与绝缘层74、75、76、77的总计厚度大致相等的厚度，并收纳于由开口部74B、75B、76B、77B构成的空腔。由于开口部74B、75B、76B、77B配置于线圈导体81B、82B、83B、84B、85B、86B、87B、88B的内侧，因此，贴片型电容元件54B配置于图案线圈53B的线圈内部。
如图5所示，贴片型电容元件54A、54B分别具备陶瓷坯体55、多个相对电极56、以及安装电极57A、57B，具有电容。陶瓷坯体55通过在与多层基板52的层叠方向正交的方向上层叠相对介电常数高于构成多层基板52的绝缘层的电介质层而形成。多个相对电极56设置为在陶瓷坯体55的内部夹着电介质层相对，相当于权利要求所记载的相对电极。即，相对电极56以相对于多层基板52的层叠方向平行的方式进行配置。安装电极57A、57B设置于陶瓷坯体55的两端部附近的外表面，分别每隔一个与多个相对电极56交替相连。更具体而言，安装电极57A、57B分别经由与陶瓷坯体55的层叠方向正交并与多层基板52的层叠方向也正交的方向的端面，在朝向多层基板52的层叠方向的两面之间进行设置。
如图6所示，布线层81设置有连接导体81C、81D。布线层82设置有连接导体82C、82D。布线层83设置有连接导体83C、83D。布线层88设置有连接导体88C、88D、88E、88F。布线层89设置有安装电极89A、89B、89C、89D、89E。
连接导体81C、82C、83C是经由过孔导体91、92、93，与图5所示的贴片型电容元件54A的安装电极57A和图案线圈53A的线圈导体81A相连接的电极。连接导体81D、82D、83D是经由过孔导体91、92、93，与贴片型电容元件54B的安装电极57A和图案线圈53B的线圈导体81B相连接的电极。
连接导体88C是经由过孔导体98与贴片型电容元件54A的安装电极57A相连接的电极。连接导体88D是经由过孔导体98与贴片型电容元件54B的安装电极57A相连接的电极。连接导体88E是经由过孔导体98与贴片型电容元件54A的安装电极57B相连接的电极。连接导体88F是经由过孔导体98与贴片型电容元件54B的安装电极57B相连接的电极。
安装电极89A是经由过孔导体99与线圈导体88A相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。安装电极89B是经由过孔导体99与线圈导体88B相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。安装电极89C是经由过孔导体99与连接导体88C相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。即，安装电极89C与贴片型电容元件54A的安装电极57A相连接。安装电极89D是经由过孔导体99与连接导体88D相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。即，安装电极89D经由连接导体88D与贴片型电容元件54B的安装电极57A相连接。安装电极89E是经由过孔导体99与连接导体88E、88F相连接的电极，并与未图示的外部基板的电极相连接。即，安装电极89E经由连接导体88E、88F，与贴片型电容元件54A的安装电极57B和贴片型电容元件54B的安装电极57B相连接。
图7是LC复合元器件51的等效电路图。
图案线圈53A、贴片型电容元件54A、贴片型电容元件54B、以及图案线圈53B串联连接。并且，图案线圈53A连接在安装电极89A与安装电极89C之间。贴片型电容元件54A连接在安装电极89C与安装电极89E之间。贴片型电容元件54B连接在安装电极89D与安装电极89E之间。图案线圈53B连接在安装电极89D与安装电极89B之间。该LC复合元器件51构成滤波器电路，例如通过将安装电极89E用作为接地连接端子，将安装电极89A、89B、89C、89D用作为信号输入输出端子，从而起到双系统的低通滤波器(LPF)的作用。
如上述说明所示，本实施方式所涉及的LC复合元器件51中，贴片型电容元件54A配置在图案线圈53A的线圈内部，贴片型电容元件54B配置在图案线圈53B的线圈内部，因此，能够抑制用于配置贴片型电容元件54A、54B的空间。由此，与将贴片型电容元件54A、54B配置于图案线圈53A、53B的线圈外的情况相比，能够使LC复合元器件51整体的结构小型化。
并且，此处利用相对介电常数高于多层基板52的陶瓷坯体55来构成贴片型电容元件54A、54B，与使用具有与多层基板52同等程度的相对介电常数的电介质层的情况相比，能够使贴片型电容元件54A、54B的结构小型化。由此，由图案线圈53A、53B的线圈内部所配置的贴片型电容元件54A、54B所遮挡的磁通较少。
此外，贴片型电容元件54A、54B配置为使得陶瓷坯体55的层叠方向与多层基板52的层叠方向正交，使得相对电极56与多层基板52的层叠方向平行。从而图案线圈53A、53B的线圈内部的磁通的方向与多层基板52的层叠方向基本一致，因此，图案线圈53A、53B的磁通穿过贴片型电容元件54A、54B的陶瓷坯体55。
此外，从多层基板52的层叠方向观察时，在图案线圈53A、53B的线圈内部，过孔导体91、92、93、98、99设置为与贴片型电容元件54A、54B的安装电极57A、57B相重合。由此，与将贴片型电容元件54A、54B的安装电极57A、57B与过孔导体91、92、93、98、99错开进行配置的情况相比，被过孔导体91、92、93、98、99遮挡的磁通较少。
并且，该结构的LC复合元器件51的底面成为朝向外部基板的安装面。通常情况下，外部基板中与LC复合元器件51相对的区域形成有接地电极、安装电极等。因此，在将LC复合元器件51安装于外部基板的状态下，对于从LC复合元器件51的图案线圈53A、53B产生的磁场，在底面侧的磁场要比顶面侧的磁场弱。
在该LC复合元器件51中，在多层基板52的层叠方向，如图5所示，贴片型电容元件54A、54B的中心从图案线圈53A、53B的中心向底面侧偏移。因此，贴片型电容元件54A、54B配置在图案线圈53A、53B的磁场较弱的区域。由此，不会妨碍磁场较强的顶面侧的磁场的环路。
通过采用上述结构，可抑制图案线圈53A、53B的电感值的下降。因此，即使将贴片型电容元件54A、54B配置于图案线圈53A、53B的线圈内部，从而使LC复合元器件51的结构小型化，也能够容易地在图案线圈53A、53B中实现所期望的电感值。
接着，对本实用新型的实施方式3所涉及的LC复合元器件进行说明。
图8(A)是本实用新型的实施方式3所涉及的LC复合元器件101的示意性剖视图。图8(A)中，示意性地将图案线圈表示为线卷(wire coil)。
LC复合元器件101具备多层基板102、图案线圈103A、103B、以及贴片型电容元件104A、104B。贴片型电容元件104A、104B此处为贴片电容器。
图案线圈103A和图案线圈103B是以多层基板102的层叠方向为轴的线圈状，在与多层基板102的层叠方向正交的方向上彼此相邻。并且，图案线圈103A和图案线圈103B的线圈内部的磁通方向均是从多层基板102的底面侧朝向顶面侧的方向。
在上述结构中，由于相邻的图案线圈103A和图案线圈103B中，线圈内部的磁通方向是相同方向，因此，图案线圈103A、103B各自的线圈内部的磁通分布产生偏差，在相邻图案线圈间的距离越近的位置磁场越弱。
因此，在LC复合元器件101中，在图案线圈103A和图案线圈103B相邻的方向上，使贴片型电容元件104的中心相比于图案线圈103A的中心向相邻的图案线圈103B一侧偏移。并且，使贴片型电容元件104B的中心相比于图案线圈103B的中心向相邻的图案线圈103A一侧偏移。
由此，与将贴片型电容元件104A、104B彼此隔开进行配置的情况相比，被贴片型电容元件104A、104B遮挡的磁通变少，从而能够抑制图案线圈103A、103B的电感值的下降。
图8(B)是实施方式3的变形例所涉及的LC复合元器件151的示意性的剖视图。图8(B)中，示意性地将图案线圈表示为线卷。
LC复合元器件151具备多层基板152、图案线圈153A、153B、以及贴片型电容元件154A、154B。贴片型电容元件154A、154B此处为贴片电容器。
图案线圈153A和图案线圈153B是以多层基板152的层叠方向为轴的线圈状，在与多层基板152的层叠方向正交的方向上彼此相邻。图案线圈153A和图案线圈153B的线圈内部的磁通方向彼此相反。具体而言，图案线圈153A的线圈内部的磁通方向是从多层基板152的底面侧朝向顶面侧的方向，图案线圈153B的线圈内部的磁通方向是从多层基板152的顶面侧朝向底面侧的方向。
在上述结构中，由于相邻的图案线圈153A和图案线圈153B中，线圈内部的磁通方向是相反方向，因此，图案线圈153A、153B各自的线圈内部的磁通分布产生偏差，在相邻的图案线圈153A、153B间的距离越近的位置磁场越强。
因此，在LC复合元器件151中，在图案线圈153A和图案线圈153B相邻的方向上，使贴片型电容元件154A的中心相比于图案线圈153A的中心向相邻的图案线圈153B的相反侧偏移。并且，使贴片型电容元件154B的中心相比于图案线圈153B的中心向相邻的图案线圈153A的相反侧偏移。
由此，与将贴片型电容元件154A、154B彼此靠近进行配置的情况相比，被贴片型电容元件154A、154B遮挡的磁通变少，从而能够抑制图案线圈153A、153B的电感值的下降。
接着，对实施方式4所涉及的LC复合元器件进行说明。这里所示的LC复合元器件不仅具有滤波功能，还具有使从外部连接端子传递来的静电等大电力逃逸至接地的ESD保护功能。
图9(A)是实施方式4所涉及的LC复合元器件201的立体图。
LC复合元器件201具备多层基板2、图案线圈3、以及贴片型电容元件204。多层基板2和图案线圈3具有与实施方式1相同的结构。贴片型电容元件204此处是贴片压敏电阻，具有与图1(B)所说明的贴片型电容元件4相同的结构，但陶瓷坯体5由半导体陶瓷构成。该半导体陶瓷具有较高的相对介电常数。贴片压敏电阻即贴片型电容元件204具有若施加超过压敏电压的电压则电阻值急剧下降的性质，并且，在施加有不到压敏电压的电压的状态下，具有与贴片电容器同样高的电容值。该贴片型电容元件4配置于图案线圈3的内部。
图9(B)是LC复合元器件201的等效电路图。
LC复合元器件201具备与实施方式1相同结构的安装电极35A、35B、35C。构成LC复合元器件201的图案线圈3串联连接在安装电极35B与安装电极35C之间。贴片型电容元件204串联连接在安装电极35B和安装电极35A之间。并且，安装电极35A作为接地连接端子进行使用。安装电极35B与控制IC212相连接，作为信号输入输出端子进行使用。安装电极35C经由未图示的连接器与耳机接口、扬声器、麦克风、USB设备等外部设备211相连接，作为信号输入输出端子进行使用。
在向贴片压敏电阻即贴片型电容元件204施加不到压敏电压的电压时，该LC复合元器件201起到低通滤波器(LPF)的作用。在向贴片型电容元件204施加压敏电压以上的电压时，该LC复合元器件201起到静电破坏保护电路的作用，以使安装电极35B与安装电极35A之间的电阻值变低，从而使电流逃逸至接地。因此，通过在外部设备211与控制IC212的连接线上设置该LC复合元器件201，能够去除外部设备211与控制IC212之间的所传输的信号的噪声，并实现外部设备211与控制IC212之间的静电破坏保护。
即使在本实施方式所涉及的LC复合元器件201中，由于贴片型电容元件204配置在图案线圈3的线圈内部，因此，在LC复合元器件201中，也能够抑制用于配置贴片型电容元件204的空间。由此，与将贴片型电容元件204配置于图案线圈3的线圈外的情况相比，能够使LC复合元器件201整体的结构小型化。
此外，通过构成具有比多层基板2要高的相对介电常数的贴片型电容元件204，从而能够使贴片型电容元件204的结构小型化。由此，被图案线圈3的线圈内部所配置的贴片型电容元件204遮挡的磁通较少，从而能够兼顾较高的电感值和较高的电容值，并且能够使LC复合元器件201的结构小型化。
贴片型电容元件204配置为使相对电极与多层基板2的层叠方向平行，以使得图案线圈3的磁通穿过贴片型电容元件204而几乎不会与相对电极发生冲突。由此，在LC复合元器件201中也能够获得较高的电感值。
通过采用上述结构，可抑制图案线圈3的电感值的下降。因此，即使将贴片型电容元件204配置于图案线圈3的线圈内部，从而使LC复合元器件201的结构小型化，也能够容易地在图案线圈3中实现所期望的电感值。
接着，对实施方式5所涉及的LC复合元器件进行说明。这里所示的LC复合元器件设置为与安装控制IC的基板形成为一体。
图10(A)是实施方式5所涉及的LC复合元器件250的立体图。
LC复合元器件250具备多层基板252、控制IC212、以及作为外部设备的耳机接口253。控制IC212是表面安装型的元器件，以表面安装的方式安装于多层基板252的一个主面。耳机接口253是连接耳机的表面安装型的元器件，以表面安装的方式安装于多层基板252的一个主面。耳机接口253设置有供耳机的耳机端子插入的插入孔。
多层基板252表面安装有控制IC212和耳机接口253，并且由总计5层绝缘体层层叠而构成，内置有LC部251。LC部251具备图案线圈3、以及作为贴片压敏电阻的贴片型电容元件204。另外，也可以不设置贴片压敏电阻，而设置贴片电容器来构成LC部251。控制IC212、耳机接口253、以及LC部251经由设置于多层基板252的内部的内部布线(未图示)彼此相连。
图10(B)是LC复合元器件250的电路图。图案线圈3串联连接在耳机接口253与控制IC212之间。贴片型电容元件204串联连接在控制IC212与接地之间。
在该LC复合元器件250中，在向贴片压敏电阻即贴片型电容元件204施加不到压敏电压的电压时，贴片型电容元件204和图案线圈3起到低通滤波器(LPF)的作用。在向贴片型电容元件204施加压敏电压以上的电压时，贴片型电容元件204的电阻值变低，从而电流逃逸至接地。因此，该LC复合元器件250能够去除在外部设备即耳机接口253与控制IC212之间的连接线中所传输信号的噪声、并实现静电破坏保护。
此外，在LC复合元器件250中，贴片型电容元件204也配置于图案线圈3的线圈内部。由此，与将贴片型电容元件204配置于图案线圈3的线圈外的情况相比，能够使LC复合元器件250整体的结构小型化。
此外，贴片型电容元件204具有比多层基板252要高的相对介电常数。因此，被图案线圈3的线圈内部所配置的贴片型电容元件204遮挡的磁通较少，从而能够兼顾较高的电感值和较高的电容值，并且能够使LC复合元器件250的结构小型化。
贴片型电容元件204配置为使相对电极与多层基板252的层叠方向平行，以使得图案线圈3的磁通穿过贴片型电容元件204而几乎不会与相对电极发生冲突。由此，在LC复合元器件250中也能够获得较高的电感值。
通过采用上述结构，可抑制图案线圈3的电感值的下降。因此，即使将贴片型电容元件204配置于图案线圈3的线圈内部，从而使LC复合元器件250的结构小型化，也能够容易地在图案线圈3中实现所期望的电感值。
接着，对实施方式6所涉及的LC复合元器件进行说明。以下，对于与实施方式1所涉及的LC复合元器件相同的结构标注相同的标号。
图11(A)是实施方式6所涉及的LC复合元器件301的等效电路图。LC复合元器件301在图案线圈3和贴片型电容元件4的基础上，还具备第1电感器305A、第2电感器305B。第1电感器305A和第2电感器305B彼此并联连接，且连接在贴片型电容元件4与安装电极35A之间。在LC复合元器件301中，将安装电极35A用作为接地连接端子，将安装电极35C用作为第1信号输入输出端子，将安装电极35B用作为第2信号输入输出端子，由此，在由图案线圈3和贴片型电容元件4构成的滤波器电路的滤波特性中，能够设定因第1和第2电感器305A、305B与贴片型电容元件4的串联谐振而得到的衰减极点。
图11(B)是LC复合元器件301的分解立体图。
LC复合元器件301具备多层基板302。多层基板302通过从顶面到底面层叠树脂片材11、12、13、14、15而构成。图案线圈3设置于树脂片材12、13。第1和第2电感器305A、305B由设置于树脂片材14的连接导体306A、306B构成。
图12是从顶面侧俯视多层基板302而得到的分解俯视图。
树脂片材11具备平板状的绝缘层21。树脂片材12具备形成有开口部22A的绝缘层22、线圈导体332、以及过孔导体342A、342B。树脂片材13具备形成有开口部23A的绝缘层23、线圈导体333、以及过孔导体343A、343B。树脂片材14具备平板状的绝缘层24、连接导体306A、306B、306C、306D、焊盘导体307A、307B、307C、307D、307E、307F、以及过孔导体344A、344B、344C、344D。树脂片材15具备平板状的绝缘层25、安装电极35A、35B、35C、35D、以及过孔导体345。
线圈导体332与线圈导体333通过过孔导体342A相连接，构成上述图案线圈3。图案线圈3的一端经由过孔导体342B、过孔导体343B、过孔导体344B，与树脂片材14的连接导体306D相连接。图案线圈3的另一端经由过孔导体343A和过孔导体344A，与树脂片材14的焊盘导体307C相连接。焊盘导体307C经由树脂片材15的过孔导体345与安装电极35C相连接。
贴片型电容元件4设置于树脂片材12、13的开口部22A、23A内，经由树脂片材14的过孔导体344C、344D与焊盘导体307E、307F相连接。焊盘导体307E经由连接导体306A、306B与焊盘导体307D、307A相连接。焊盘导体307D、307A分别经由树脂片材15的过孔导体345与安装电极35D、35A相连接。
焊盘导体307F经由连接导体306C与焊盘导体307B相连接。焊盘导体307B经由树脂片材15的过孔导体345与安装电极35B相连接。并且，焊盘导体307F经由连接导体306D与过孔导体344B相连接，并经由过孔导体342B、343B、344B与图案线圈3相连接。
在本实施方式所涉及的LC复合元器件301中，也采用比多层基板302要高的相对介电常数构成贴片型电容元件4，并配置为使图案线圈3的磁通几乎不与贴片型电容元件4的相对电极冲突地穿过，由此可兼顾图案线圈3较高的电感值、以及贴片性电容元件4较高的电容值，并且能够使LC复合元器件301的结构小型化。
此外，本实施方式所涉及的LC复合元器件301中，利用由树脂片材14的连接导体306A、306B构成的第1和第2电感器305A、305B，来在滤波特性中设计衰减极点，通过调整第1和第2电感器305A、305B与图案线圈3之间的耦合状态，从而能够进行衰减极点的调整。
具体而言，使连接导体306A在树脂片材14中以下述方式进行走线，即：在一部分区域与树脂片材13的线圈导体333相对，并使电流以与线圈导体333中电流流动的方向相同的方向流动，由此，能使第1电感器305A与图案线圈3以相同的相位(正的耦合系数)进行磁场耦合。并且，使连接导体306B在树脂片材14中以下述方式进行走线，即：在一部分区域与树脂片材13的线圈导体333相对，并使电流以与线圈导体333中电流流动的方向相反的方向流动，由此，能使第2电感器305B与图案线圈3以相反的相位(负的耦合系数)进行磁场耦合。
由此，通过使连接导体306A、306B构成的第1和第2电感器分别与图案线圈3进行磁场耦合，并对它们的耦合状态进行控制，从而能够细致地对LC复合元器件301的滤波特性等进行调整。
这里，举例示出了本实施方式所涉及的LC复合元器件301中，连接导体的各种走线示例与滤波特性间的关系。
图13(A)是表示本实施方式所涉及的LC复合元器件的变形例的树脂片材14A的俯视图。图13(B)是表示本实施方式所涉及的LC复合元器件的变形例的树脂片材14B的俯视图。图13(C)是表示本实施方式所涉及的LC复合元器件的变形例的树脂片材14C的俯视图。
图13(A)所示的树脂片材14A中，省略了连接导体306A、306B中的连接导体306A，仅构成以相反相位与图案线圈3磁场耦合的第2电感器305B。
图13(B)所示的树脂片材14B中，省略了连接导体306A、306B中的连接导体306B，仅构成以相同相位与图案线圈3磁场耦合的第1电感器305A。
图13(C)所示的树脂片材14C中，设置为均不省略连接导体306A、306B，但将连接导体306A的走线改变为使电流以与线圈导体333中电流流动的方向相反的方向流动，由此，使得第1电感器305A与图案线圈3以相反的相位(负的耦合系数)进行磁场耦合。
图14是举例示出分别使用树脂片材14A至树脂片材14C的各变形例的滤波特性的图，示出了由电感器和贴片型电容元件得到的衰减极点附近的频率下的插入损耗。如图14所示，通过适当地调整(改变)第1电感器305A、第2电感器305B与图案线圈3的耦合状态，能够大幅调整LC复合元器件中的滤波特性、尤其是衰减极点，因此，通过适当地设定第1电感器305A、第2电感器305B的走线，能够容易地得到所期望的滤波特性。
另外，在本实施方式中，示出了使用贴片电容器作为贴片型电容元件的示例，但贴片型电容元件也可以是贴片压敏电阻等。此外，也可以将LC复合元器件构成为多层基板上同时安装有其他的电路元件的复合基板。在实施方式2至实施方式6中，也可以与本实施方式一样，设置与图案线圈进行磁场耦合的第1电感器、第2电感器。
标号说明
1、51、101、151、201、250、301…LC复合元器件
2、52、102、152、252、302…多层基板
3、53A、53B、103A、103B、153A、153B…图案线圈
4、54A、54B、104A、104B、154A、154B、204…贴片型电容元件
5、55…陶瓷坯体
6、56…电容器电极
7A、7B、57A、57B…安装电极
11、12、13、14、15…树脂片材
21、22、23、24、25、71、72、73、74、75、76、77、78、79…绝缘层
22A、23A、74A、75A、76A、77A、74B、75B、76B、77B…开口部
32、33、34、35、81、82、83、84、85、86、87、88、89…布线层
32A、33A、81A、82A、83A、84A、85A、86A、87A、88A、81B、82B、83B、84B、85B、86B、87B、88B…线圈导体
32B、34A、34B、34C、81C、82C、83C、81D、82D、83D、88C、88D、88E、88F、89A、89B、89C、89D、89E、306A、306B、306C、306D…连接导体
35A、35B、35C、35D…安装电极
42、43、44、45、91、92、93、94、95、96、97、98、99…过孔导体
211…外部设备
212…控制IC
251…LC部
253…耳机接口

Claims (16)

1.一种LC复合元器件，其特征在于，包括：
多层基板，该多层基板由多个绝缘层层叠而构成；
图案线圈，该图案线圈是以所述多层基板的层叠方向为轴的线圈状，包含设置于所述绝缘层的层间的导体而构成；以及
贴片型电容元件，该贴片型电容元件包含相对介电常数高于所述绝缘层的电介质和夹着所述电介质相对的相对电极而构成，该贴片型电容元件的至少一部分配置在所述图案线圈的线圈内部。
2.如权利要求1所述的LC复合元器件，其特征在于，
所述贴片型电容元件配置为使得所述相对电极分别与所述多层基板的层叠方向平行。
3.如权利要求1或2所述的LC复合元器件，其特征在于，
所述多层基板的朝向沿着层叠方向的方向的一个主面是与外部基板相对的安装面，
所述多层基板的层叠方向上的所述贴片型电容元件的中心从所述多层基板的层叠方向上的所述图案线圈的中心向所述安装面侧偏移。
4.如权利要求1至3的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
所述贴片型电容元件具备朝向所述多层基板的层叠方向的安装电极，
所述多层基板在相对于所述贴片型电容元件的所述多层基板的层叠方向的上下分别具备从所述安装电极开始沿着所述多层基板的层叠方向延伸的过孔导体，以作为与所述贴片型电容元件相连接的布线的一部分，
所述安装电极连接在所述过孔导体间。
5.如权利要求1至4的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
将所述图案线圈设为第1图案线圈，所述LC复合元器件还具备第2图案线圈，该第2图案线圈在与所述多层基板的层叠方向正交的方向上与所述第1图案线圈相邻接，并且是以所述多层基板的层叠方向为轴的线圈状，
所述第1图案线圈的线圈内部的磁通方向与所述第2图案线圈的线圈内部的磁通方向是相同方向，
所述第1图案线圈与所述第2图案线圈相邻接的方向上的所述贴片型电容元件的中心从所述第1图案线圈的中心向所述第2图案线圈侧偏移。
6.如权利要求1至4的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
将所述图案线圈设为第1图案线圈，所述LC复合元器件还具备第2图案线圈，该第2图案线圈在与所述多层基板的层叠方向正交的方向上与所述第1图案线圈相邻接，并且是以所述多层基板的层叠方向为轴的线圈状，
所述第1图案线圈的线圈内部的磁通方向与所述第2图案线圈的线圈内部的磁通方向是相反方向，
所述第1图案线圈与所述第2图案线圈相邻接的方向上的所述贴片型电容元件的中心从所述第1图案线圈的中心向所述第2图案线圈侧的相反侧偏移。
7.如权利要求1至6的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
连接所述图案线圈与所述贴片型电容元件来构成滤波器电路。
8.如权利要求1至7的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
所述贴片型电容元件是贴片电容器。
9.如权利要求1至7的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
所述贴片型电容元件是贴片压敏电阻。
10.如权利要求1至9的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
还包括第1电感器，该第1电感器由在绝缘层的层间以与所述图案线圈相对的方式延伸的导体形成，经由所述贴片型电容元件与所述图案线圈相连接。
11.如权利要求10所述的LC复合元器件，其特征在于，
还包括第1信号输入输出端子、第2信号输入输出端子、以及接地连接端子，
所述图案线圈连接在所述第1信号输入输出端子与所述第2信号输入输出端子之间，
所述贴片型电容元件的一端连接至所述图案线圈与所述第2信号输入输出端的连接点，
所述第1电感器连接在所述贴片型电容元件的另一端与所述接地连接端子之间。
12.如权利要求10或11所述的LC复合元器件，其特征在于，
在所述第1电感器与所述图案线圈相对的区域，流过所述第1电感器的电流的方向与流过所述图案线圈的电流的方向是相同方向。
13.如权利要求10或11所述的LC复合元器件，其特征在于，
在所述第1电感器与所述图案线圈相对的区域，流过所述第1电感器的电流的方向与流过所述图案线圈的电流的方向是相反方向。
14.如权利要求10至13的任一项所述的LC复合元器件，其特征在于，
还包括第2电感器，该第2电感器由在绝缘层的层间以与所述图案线圈相对的方式延伸的导体形成，且与所述第1电感器并联连接。
15.如权利要求14所述的LC复合元器件，其特征在于，
在所述第2电感器与所述图案线圈相对的区域，流过所述第2电感器的电流的方向与流过所述图案线圈的电流的方向是相同方向。
16.如权利要求14所述的LC复合元器件，其特征在于，
在所述第2电感器与所述图案线圈相对的区域，流过所述第2电感器的电流的方向与流过所述图案线圈的电流的方向是相反方向。
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