[go: up one dir, main page]

CN204702805U - 一种弧形石英支架 - Google Patents

一种弧形石英支架 Download PDF

Info

Publication number
CN204702805U
CN204702805U CN201520368809.XU CN201520368809U CN204702805U CN 204702805 U CN204702805 U CN 204702805U CN 201520368809 U CN201520368809 U CN 201520368809U CN 204702805 U CN204702805 U CN 204702805U
Authority
CN
China
Prior art keywords
arc
quartz
shaped
size
shaped base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201520368809.XU
Other languages
English (en)
Inventor
蒋健伟
廖威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Sixth Element Semiconductor Co ltd
Wuxi Graphene Film Co ltd
Original Assignee
WUXI GEFEI ELECTRONIC FILM TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI GEFEI ELECTRONIC FILM TECHNOLOGY CO LTD filed Critical WUXI GEFEI ELECTRONIC FILM TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN201520368809.XU priority Critical patent/CN204702805U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204702805U publication Critical patent/CN204702805U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种弧形石英支架,包括弧形底座以及位于弧形底座两端的弧形挡板,在弧形挡板上端开设有半开通的凹槽,在弧形挡板上设置有通孔。弧形底座和挡板均为石英材质。半开通的凹槽用来放置石英棒或金属棒,凹槽的大小和个数根据所使用的石英棒或金属棒的尺寸进行调整。本实用新型的弧形底座和弧形的挡板可以更好地与腔体进行结合,保证最大的空间利用率;弧形部分的挂装尺寸得到了增加;半开通凹槽对放置进去的石英棒能起到良好的固定作用,防止石英棒的来回移动;弧形挡板上的通孔能够保证气流的均匀性。

Description

一种弧形石英支架
技术领域
本实用新型涉及石英制品领域,特别涉及一种能用于气相反应的石英支架组件。
背景技术
由于CVD 化学气相沉积法制备石墨烯简单易行,所得石墨烯质量很高,可实现大面积生长,而且较易于转移到各种基体上使用,目前已逐渐成为制备高质量石墨烯薄膜的主要方法。然而用CVD法制备石墨烯需要在高温真空腔体中进行,由于炉管内恒温区的长度与管径的尺寸有限,限制了单次生长石墨烯薄膜的尺寸和面积,难以实现工业化量产。若石墨烯薄膜的尺寸过小,会影响后续的器件应用;若单次生长的数量少,则直接导致生产成本的增加。合适的单个支架设计尤为重要。其次,在化学气相沉积工艺中,当在高温或高压的条件下,会发生明显的热对流,气流的稳定性和分布的均匀性直接影响薄膜生长的均匀性。
发明内容                              
针对现有技术中单次生长石墨烯薄膜的尺寸小和数量少,以及气流分布不均匀的问题,本方法提供了一种弧形石英支架。
弧形石英支架,包括弧形底座以及位于弧形底座两端的弧形挡板,在弧形挡板上端开设有半开通的凹槽,在弧形挡板上设置有通孔。
进一步地,上述弧形底座和挡板均为石英材质。
进一步地,弧形底座的弧度和宽度根据CVD生长腔体的形状和大小进行调整;弧形底座的长度根据CVD生长腔体的保温区长度进行调整;弧形挡板的高度根据CVD生长腔体的直径进行调整。
进一步地,上述半开通的凹槽用来放置石英棒或金属棒,凹槽的大小和个数根据所使用的石英棒或金属棒的尺寸进行调整。
本实用新型的有益效果是:弧形底座和弧形的挡板可以更好地与腔体进行结合,保证最大的空间利用率;弧形部分的挂装尺寸得到了增加;半开通凹槽对放置进去的石英棒能起到良好的固定作用,防止石英棒的来回移动;弧形挡板上的通孔能够保证气流的均匀性。
附图说明
附图1是本实用新型的主视图。
附图2是本实用新型的侧视图。
附图3是本实用新型的俯视图。
图中标号:1、石英支架;2、圆形CVD腔体;11、弧形底座;12、弧形挡板;121、挡板上端凹槽;122、挡板通孔;H、石英支架总高度;L、石英支架总长。
具体实施方式
下面结合附图,说明本实用新型的具体实施方式。
弧形石英支架包括弧形底座11、位于底座两端的弧形挡板12、位于弧形挡板12上端的凹槽121以及在挡板12上设置的通孔122,弧形底座11和挡板12均为石英材质,所述凹槽121是未贯穿石英挡板的半开通槽,槽大小和形状根据所用支撑杆决定,支撑杆刚好能够放入槽内固定。弧形底座11的弧度和宽度根据CVD生长腔体的形状和大小进行调整;弧形底座的长度根据CVD生长腔体的保温区长度进行调整;弧形挡板的高度根据CVD生长腔体的直径进行调整。
本实施例中,石英支架总高度H为100mm;石英支架总长度L为650mm;弧形挡板12的两侧为平面而非弧面;凹槽121的数量为4个,均匀分布且中心面对称;挡板通孔122为方形,数量为1,尺寸为35mm×40mm。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种弧形石英支架,其特征在于:包括弧形底座以及位于弧形底座两端的弧形挡板,在弧形挡板上端开设有半开通的凹槽,在弧形挡板上设置有通孔。
2.如权利要求1所述的弧形石英支架,其特征在于:所述的弧形底座和挡板均为石英材质。
3.如权利要求1所述的弧形石英支架,其特征在于:弧形底座的弧度和宽度根据CVD生长腔体的形状和大小进行调整;弧形底座的长度根据CVD生长腔体的保温区长度进行调整;弧形挡板的高度根据CVD生长腔体的直径进行调整。
4.如权利要求1所述的弧形石英支架,其特征在于:所述半开通的凹槽用来放置石英棒或金属棒,凹槽的大小和个数根据所使用的石英棒或金属棒的尺寸进行调整。
CN201520368809.XU 2015-06-02 2015-06-02 一种弧形石英支架 Expired - Lifetime CN204702805U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520368809.XU CN204702805U (zh) 2015-06-02 2015-06-02 一种弧形石英支架

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520368809.XU CN204702805U (zh) 2015-06-02 2015-06-02 一种弧形石英支架

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204702805U true CN204702805U (zh) 2015-10-14

Family

ID=54282433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520368809.XU Expired - Lifetime CN204702805U (zh) 2015-06-02 2015-06-02 一种弧形石英支架

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204702805U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108103481A (zh) * 2018-01-25 2018-06-01 无锡盈芯半导体科技有限公司 衬底自动挟式石英舟

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108103481A (zh) * 2018-01-25 2018-06-01 无锡盈芯半导体科技有限公司 衬底自动挟式石英舟

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102312198B (zh) 一种蒸镀源及蒸镀镀膜装置
CN106929828A (zh) 一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台
CN107217236A (zh) 一种低温真空蒸发源
CN204702805U (zh) 一种弧形石英支架
CN107164740A (zh) 一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法
CN103147127A (zh) 一种生长易吸潮单晶体的设备
JP2025522176A (ja) 高品質炭化ケイ素結晶の成長装置及び方法
CN208167150U (zh) 一种带有多孔导流板的生长二维材料反应室结构
JP2012140266A5 (zh)
CN107304475B (zh) 用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座
CN103648197A (zh) 高均匀性多组工件共晶炉加热平台
WO2024050843A1 (zh) 一种晶体生长方法和装置
CN105734533A (zh) 一种中频感应加热化学气相沉积装置
CN103981511B (zh) 一种垂直布局制备金刚石膜的多阵列热丝装置
CN104477893B (zh) 一种倍增式制备石墨烯的夹具以及制备石墨烯的方法
KR102099451B1 (ko) 무기물 증착용 시트 타입 히터 및 무기물 증착용 진공 증착원 장치
TWI861502B (zh) 化學氣相沉積用之可調式載台
CN102995105B (zh) 铸锭多晶炉的散热底板及具有其的铸锭多晶炉
CN215517746U (zh) 一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台
KR102581325B1 (ko) 배치 타입 원자층 증착 장치
CN204324892U (zh) 一种卷状生长石墨烯的夹具
CN104762606B (zh) 易于气相动力学平衡的石墨烯化学气相法制备炉体装置
CN104630886A (zh) 一种晶体硅生长装置
CN103668125A (zh) 一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台
CN105369347A (zh) 一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190320

Address after: No. 518-5 Zhonghui Road, Standard Factory Building of Chang'an Industrial Park, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000

Co-patentee after: WUXI SIXTH ELEMENT ELECTRONIC FILM TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee after: WUXI GRAPHENE FILM Co.,Ltd.

Address before: No. 518-5 Zhonghui Road, Standard Factory Building of Chang'an Industrial Park, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000

Patentee before: WUXI GRAPHENE FILM Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No. 518-5 Zhonghui Road, Standard Factory Building of Chang'an Industrial Park, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000

Patentee after: WUXI GRAPHENE FILM Co.,Ltd.

Patentee after: Changzhou sixth element Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: No. 518-5 Zhonghui Road, Standard Factory Building of Chang'an Industrial Park, Huishan Economic Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000

Patentee before: WUXI GRAPHENE FILM Co.,Ltd.

Patentee before: WUXI SIXTH ELEMENT ELECTRONIC FILM TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20151014