CN103668125A - 一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，包括四根石英管（2）和固定在所述石英管（2）两端的支架盘（1），四根石英管（2）的端部均匀间隔设置在同一圆周上，其中一个支架盘（1）上设有进气口（4），另一个支架盘（1）封闭，所述石英管（2）上均匀设有多个安装基片的安装槽（3）。本发明解决了薄膜沉积过程中反应腔体内气体的均匀性问题，能够保证腔体内不同位置的基片都处在相同的气体氛围中，从而保证大批量生产时薄膜性能的一致性，可以进行薄膜的大批量沉积。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体薄膜沉积装置，更具体地说，涉及一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积技术是近年来发展起来的一项新技术，在制备各种新材料方面具有很好的应用价值，如金刚石薄膜、类金刚石薄膜、纳米碳管等，是目前比较实用的一种薄膜制备方法。
在各种等离子体增强化学气相沉积装置中，管状反应腔体是一种比较常见的结构，在管状反应腔体中使用的基片台，必须要满足以下几个要求：一方面，基片台的存在不能影响到反应腔体中等离子体的分布；另一方面，基片台要保证反应过程中所有基片所在区域的气体分布一致，这是因为薄膜沉积过程中反应气体的分布对薄膜的生长具有很大的影响，均匀的气体分布是大批量制备薄膜必须解决的问题。
在管状等离子体增强化学气相沉积装置中，对腔体中等离子体分布的研究也是一个很重要的课题，在这一研究中基片的定位是十分重要的一个环节，如何达到基片位置的精确定位也是基片台必须解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，提供一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，能够保证腔体内不同位置的基片都处在相同的气体氛围中，从而保证大批量生产时薄膜性能的一致性。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，包括四根石英管和固定在所述石英管两端的支架盘，四根石英管的端部均匀间隔设置在同一圆周上，其中一个支架盘上设有进气口，另一个支架盘封闭，所述石英管上均匀设有多个安装基片的安装槽。
上述方案中，至少一根所述石英管可拆卸安装在所述支架盘上。
上述方案中，所述支架盘和石英管采用透电磁波的石英材料制成。
上述方案中，设有进气口的支架盘与反应腔体进气口相扣，反应气体由支架盘进入石英管，从所述安装槽进入反应腔体。
实施本发明的适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，具有以下有益效果：
1、石英材料具有很好的耐高温性能，能够保证薄膜沉积过程中的沉积温度。石英管上均匀设有安装槽，用于固定基片并对基片进行布气，保证薄膜沉积过程中腔体内气体分布的均匀性。
2、在薄膜的沉积过程中，基片台的进气端支架盘与反应腔体的进气口相连，反应气体通过支架盘进入石英管，由石英管上的安装槽均匀地引入到反应腔体中，保证固定在安装槽中的基片处于相同的气体氛围之中，从而保证每一个基片上生长的薄膜都是一致的，达到大批量沉积薄膜的目的。
3、本发明解决了薄膜沉积过程中反应腔体内气体的均匀性问题，能够保证腔体内不同位置的基片都处在相同的气体氛围中，从而保证大批量生产时薄膜性能的一致性，可以进行薄膜的大批量沉积。
4、本发明的基片台还可以达到精确定位基片位置的效果，在对腔体中等离子体分布的研究过程中具有很重要的作用。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台的结构示意图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。
如图1所示，本发明适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台包括四根石英管2和固定在石英管2两端的支架盘1。
四根石英管2的端部均匀间隔设置在同一圆周上，其中一个支架盘1上设有进气口4，另一个支架盘1封闭，石英管2上均匀设有多个安装基片的安装槽3。石英材料具有很好的耐高温性能，能够保证薄膜沉积过程中的沉积温度。石英管2上均匀设有安装槽3，用于固定基片并对基片进行布气，保证薄膜沉积过程中腔体内气体分布的均匀性。
在薄膜的沉积过程中，基片台的进气端支架盘1与反应腔体的进气口4相连，反应气体通过支架盘1进入石英管2，由石英管2上的安装槽3均匀地引入到反应腔体中，保证固定在安装槽3中的基片处于相同的气体氛围之中，从而保证每一个基片上生长的薄膜都是一致的，达到大批量沉积薄膜的目的。
进一步的，至少一根石英管2可拆卸安装在支架盘1上，保证有足够的空间放置基片及基片放置后对其进行固定。
进一步的，支架盘1和石英管2采用透电磁波的石英材料制成，能够保证基片台不会影响腔体内的等离子体分布。
本发明解决了薄膜沉积过程中反应腔体内气体的均匀性问题，能够保证腔体内不同位置的基片都处在相同的气体氛围中，从而保证大批量生产时薄膜性能的一致性，可以进行薄膜的大批量沉积。本发明的基片台还可以达到精确定位基片位置的效果，在对腔体中等离子体分布的研究过程中具有很重要的作用。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (4)
1.一种适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，其特征在于，包括四根石英管（2）和固定在所述石英管（2）两端的支架盘（1），四根石英管（2）的端部均匀间隔设置在同一圆周上，其中一个支架盘（1）上设有进气口（4），另一个支架盘（1）封闭，所述石英管（2）上均匀设有多个安装基片的安装槽（3）。
2.根据权利要求1所述的适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，其特征在于，至少一根所述石英管（2）可拆卸安装在所述支架盘（1）上。
3.根据权利要求1所述的适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，其特征在于，所述支架盘（1）和石英管（2）采用透电磁波的石英材料制成。
4.根据权利要求1所述的适用于管状等离子体薄膜沉积装置中的基片台，其特征在于，设有进气口（4）的支架盘（1）与反应腔体进气口（4）相扣，反应气体由支架盘（1）进入石英管（2），从所述安装槽（3）进入反应腔体。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020118873A1 (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 等离子体淀积炉的反应室结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5020476A (en) * | 1990-04-17 | 1991-06-04 | Ds Research, Inc. | Distributed source assembly |
| CN1863939A (zh) * | 2003-08-21 | 2006-11-15 | 微米技术有限公司 | 微特征工件处理装置和用于在微特征工件上批量沉积材料的方法 |
| CN101120116A (zh) * | 2005-02-17 | 2008-02-06 | 斯奈克玛动力部件公司 | 通过气相化学渗透对薄形多孔基片进行密实的方法以及这种基片的装载设备 |
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2013
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5020476A (en) * | 1990-04-17 | 1991-06-04 | Ds Research, Inc. | Distributed source assembly |
| CN1863939A (zh) * | 2003-08-21 | 2006-11-15 | 微米技术有限公司 | 微特征工件处理装置和用于在微特征工件上批量沉积材料的方法 |
| CN101120116A (zh) * | 2005-02-17 | 2008-02-06 | 斯奈克玛动力部件公司 | 通过气相化学渗透对薄形多孔基片进行密实的方法以及这种基片的装载设备 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020118873A1 (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 等离子体淀积炉的反应室结构 |
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