CN1980030B - 直流-直流转换器的控制电路、发光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

提供一种DC/DC转换器的控制电路、使用它的发光装置及电子设备，可稳定地驱动发光元件。磁滞比较器(24)将与DC/DC转换器的输出电压(Vout)对应的检测电压(Vout’)与两个阈值电压进行比较，在检测电压(Vout’)低于两阈值电压中较高的阈值电压时，输出成为低电平的比较信号(Vcmp)，超过两阈值电压中较高的阈值电压时，输出成为高电平的比较信号(Vcmp)。开关控制单元(30)参照比较信号(Vcmp)，在该比较信号(Vcmp)为低电平的期间，使DC/DC转换器(210)的开关晶体管(Tr1)进行开关动作，在比较信号(Vcmp)为高电平的期间，停止开关动作。控制电路(100)在比较信号(Vcmp)为低电平的期间，使发光元件(212)不能发光，在高电平的期间许可发光。

Description

直流-直流转换器的控制电路、发光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及对发光元件供给驱动电压的DC/DC(直流-直流)转换器。

背景技术

为了生成比输入电压高的电压，在各种电子设备中广泛使用升压型的开关电源。这样的升压型的开关电源具有开关元件、电感器或变压器，通过对开关元件进行分时的导通/截止从而在电感器或变压器中产生反电动势，使输入电压升压后输出。

使用变压器的绝缘型的DC/DC转换器中，开关晶体管导通时，在变压器的初级侧流过电流，变压器中蓄积能量。在开关晶体管截止时，在变压器的次级侧，变压器中蓄积的能量通过整流用二极管被作为充电电流传送到输出电容器，输出电压上升。

例如，专利文献1、2中公开了绝缘型的DC/DC转换器中的不使用振荡器、监视变压器的初级侧或次级侧的状态并根据这些状态来控制开关晶体管的导通/截止的自激式的DC/DC转换器。

[专利文献1]特开2004-201474号公报

[专利文献2]特开2005-73483号公报

考虑将上述绝缘型的DC/DC转换器用作照相机的闪光灯光源的电源的情况。作为闪光灯光源使用氙灯等发光元件，但该氙灯具有在驱动电压不高于规定的电压值时不正常发光的特性。

因此，在DC/DC转换器的控制电路中需要进行如下的控制，即监视对氙管供给的驱动电压，仅在监视到的电压为规定电平以上的情况下，许可发光。

发明内容

本发明鉴于这样的课题而完成，其目的在于提供一种能够稳定地驱动发光元件的DC/DC转换器的控制电路。

本发明的某一方式的控制电路涉及是对发光元件供给驱动电压的DC/DC转换器的控制电路。该控制电路包括：磁滞比较器，将与DC/DC转换器的输出电压对应的检测电压与两个阈值电压进行比较，在检测电压低于该两个阈值电压中较低的阈值电压时，输出成为第一电平的比较信号，在检测电压超过该两个阈值电压中较高的阈值电压时，输出成为第二电平的比较信号；以及开关控制单元，参照从磁滞比较器输出的比较信号，在该比较信号为第一电平的期间，使DC/DC转换器的开关元件进行开关动作，在比较信号为第二电平的期间，停止开关元件的开关动作。控制电路在比较信号为第一电平的期间，使发光元件不能发光，在比较信号为第二电平的期间许可发光。

在该方式中，开关控制单元进行间歇动作，即基于作为磁滞比较器的输出的比较信号，交替地重复使开关元件进行开关动作从而使DC/DC转换器的输出电压上升的充电期间，以及停止开关动作而使输出电压缓慢降低的休止期间。比较信号在输出电压从两阈值电压中的较高者向较低者降低的休止期间成为第二电平，在输出电压从两阈值电压中的较低者向较高者上升的充电期间成为第一电平。其结果，发光元件仅在休止期间被许可发光，在充电期间不能发光。

根据该方式，通过仅在休止期间中许可发光，从而在输出电压高于两阈值电压中的较低者的状态下发光，因此能够稳定地驱动发光元件。此外，通过禁止充电期间中的发光，能够防止同时引起DC/DC转换器对输出电容器的充电和发光产生的放电，并降低电路的消耗电流。

控制电路还可以包括晶体管，该晶体管在控制端子被输入从磁滞比较器输出的比较信号，一端通过上拉电阻器而偏置到高电位，另一端接地。基于该晶体管的一端的电位，控制发光元件的可否发光。

也可以从外部对开关控制单元输入升压指示信号，该开关控制单元在由升压指示信号指示升压停止的期间，停止开关元件的开关动作，同时将内部的电路块设为关断状态，在晶体管的一端的电位成为高电平的期间，使发光元件不能发光。

在该情况下，在指示升压停止的期间，磁滞比较器关断时，保证控制晶体管的一端的电位被上拉到高电平，因此能够可靠地停止该期间的发光。

控制电路也可以还包括：第一电压比较器，将与连接到本控制电路的外部的变压器的初级侧的电流对应的电压与规定的第一阈值电压进行比较；以及第二电压比较器，将与变压器的次级侧的电流对应的电压与规定的第二阈值电压进行比较，通过基于第一、第二电压比较器的输出信号的自激方式来控制开关元件的导通/截止。

控制电路也可以一体集成在一个半导体基板上。‘一体集成’包含电路的构成元件全部形成在半导体基板上的情况或电路的主要构成元件被一体集成的情况，也可以为了电路常数的调节而将一部分电阻器或电容器等设置在半导体基板的外部。

本发明的其它方式是发光装置。该发光装置包括：DC/DC转换器输出电路，包含开关晶体管，通过该开关晶体管的导通/截止控制升压动作；上述的控制电路，控制开关晶体管的导通/截止；发光元件，通过DC/DC转换器输出电路的输出电压被驱动；以及微处理器，控制发光元件的发光状态。控制电路将与比较信号对应的信号输出到微处理器，控制发光元件的可否发光。

发光元件也可以是氙管灯，发光状态由设置在其驱动路径上的发光控制晶体管控制。

本发明的其它方式是电池驱动型的电子设备。该电子设备包括：摄像单元；以及在摄像单元进行摄像时作为闪光灯使用的上述的发光装置。发光装置将电池电压升压来驱动发光元件。

根据该方式，仅在DC/DC转换器的休止期间中许可发光元件的发光，因此可以降低消耗电流并延长电池寿命。

另外，以上的构成元件的任意组合或本发明的构成元件或表现在方法、装置、系统等之间互相置换的结果作为本发明的方式都有效。

根据本发明的DC/DC转换器的控制电路，能够稳定地驱动发光元件。

附图说明

图1是表示实施方式的搭载了发光装置的电子设备的结构的方框图。

图2是表示实施方式的发光装置的结构的电路图。

图3是图2的DC/DC转换器的控制电路的充电期间中的时序图。

图4是图2的发光装置整体的时序图。

符号说明

10变压器，20第一电压比较器，22第二电压比较器，24磁滞比较器，30开关控制单元，100控制电路，200发光装置，210DC/DC转换器，212发光元件，300电子设备，310电池，316摄像单元，Tr1开关晶体管，Tr2晶体管。

具体实施方式

图1是表示实施方式的搭载了发光装置200的电子设备300的结构的方框图。电子设备300是搭载了照相机的携带电话终端，包括：电池310、通信处理单元312、DSP(Digital Signal Processor，数字信号处理器)314、摄像单元316、发光装置200。

电池310例如是锂离子电池，被设置作为电子设备300的电源。电池310作为电池电压Vbat，输出3～4V左右的电压。DSP314是统一控制电子设备300整体的块，与通信处理单元312、摄像单元316、发光装置200连接。通信处理单元312包含天线、高频电路等，是进行与基站的通信的块。摄像单元316是CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合装置)或CMOS传感器等摄像装置。发光装置200是与摄像单元316的摄像同时作为闪光灯使用的光源。

发光装置200包括DC/DC转换器210、发光元件212、发光控制电路214。作为发光元件212使用氙管等。DC/DC转换器210将从电池310供给的电池电压Vbat升压，对发光元件212供给300V左右的驱动电压Vout的升压型的开关稳压器。发光控制电路214是控制发光装置200的发光的定时的电路。

DSP314与用户的摄像的定时同步对发光控制电路214输出闪光信号FLASH。发光控制电路214被输入闪光信号FLASH时，使发光元件212发光。此外，DSP314对DC/DC转换器210输出升压指示信号EN。DC/DC转换器210在升压指示信号EN为高电平的期间进行升压动作，在低电平的期间停止升压动作，使内部的电路块为关断状态而以低消耗功率进行待机。

发光元件212未被供给充分高的驱动电压时，不正常发光。因此，在本实施方式的电子设备300中，DC/DC转换器210监视与对发光元件212供给的输出电压Vout对应的电压，并根据输出电压Vout的状态来对DSP314通知可否发光。仅在从DC/DC转换器210输出的发光许可信号SIG10为低电平时，DSP314将闪光信号FLASH输出到发光控制电路214。

图2是表示本实施方式的发光装置200的结构的电路图。发光装置200包含控制电路100、变压器10、整流二极管12、输出电容器C1、发光元件212、IGBT214a。以下的说明中，对电压信号、电流信号或电阻器等附加的符号根据需要而用作表示各自的电压值、电流值或电阻值。

图2所示的控制电路100、变压器10、整流二极管12、输出电容器C1对应于图1的DC/DC转换器210。此外，在本实施方式中，开关晶体管Tr1、变压器10、整流二极管12、输出电容器C1构成DC/DC转换器输出电路。此外，图2的IGBT214a、发光控制单元214b对应于图1的发光控制电路214。

变压器10的初级线圈的第一端子上被施加电池电压Vbat，第二端子与控制电路100的第一输出端子104连接。此外，变压器10的次级线圈的第一端子上连接整流二极管12的阳极。整流二极管12的阴极和接地端子间连接有输出电容器C1。变压器10的次级线圈的第二端子与控制电路100的第二检测端子106连接。

控制电路100通过控制变压器10的初级侧以及次级侧线圈的电流，将电池电压Vbat升压并将输出电压Vout作为驱动电压供给发光元件212。

发光元件212的电流路径上连接有IGBT214a。IGBT214a的栅极连接到控制电路100的发光控制端子108，通过从控制电路100输出的发光控制信号SIG20被控制导通/截止。发光控制信号SIG20为高电平时IGBT214a导通，发光元件212发光。

接着，说明控制电路100的结构。控制电路100包括：开关晶体管Tr1、开关控制单元30、第一电压比较器20、第一电阻器R1、第二电压比较器22、第二电阻器R2、磁滞比较器24、晶体管Tr3、上拉电阻器Rp、发光控制单元214b。控制电路100作为功能IC被一体集成在一个半导体基板上。

开关晶体管Tr1是NPN型的双极晶体管。开关晶体管Tr1的集电极连接到第一输出端子104。该开关晶体管Tr1也可以由MOSFET构成。

第一电阻器R1被设置在变压器10的初级侧线圈中流过的电流(以下，称作第一电流Ic1)的电流路径上，即开关晶体管Tr1的发射极和接地间。通过开关晶体管Tr1导通，在变压器10的初级侧线圈中流过第一电流Ic1时，第一电阻器R1产生压降Vx1＝Ic1×R1。以下，将第一电阻R1和开关晶体管Tr1的连接点出现的电压称作第一检测电压Vx1。

第一电压比较器20将第一检测电压Vx1与规定的第一阈值电压Vth1进行比较，在Vx1＞Vth1时，输出成为高电平的输出信号SIG1，在Vx1＜Vth1时，输出成为低电平的输出信号SIG1。如上所述，第一检测电压Vx1与变压器10的初级线圈中流过的第一电流Ic1成正比。从而，在第一电流Ic1达到由Ith1＝Vth1/R1提供的第一阈值电流Ith1时，第一电压比较器20的输出信号SIG1成为高电平。

第二电阻器R2被设置在变压器10的次级侧线圈中流过的电流(以下，称作第二电流Ic2)的电流路径上，即第二检测端子106和接地间。在变压器10的次级侧线圈中流过第二电流Ic2时，第二电阻器R2产生由Vx2＝Ic2×R2提供的压降。以下，将第二电阻器R2的一端出现的电压称作第二检测电压Vx2。

第二电压比较器22将第二检测电压Vx2与规定的第二阈值电压Vth2进行比较，在Vth2＞Vx2时，输出成为高电平的输出信号SIG2，在Vth2＜Vx2时，输出成为低电平的输出信号SIG2。换言之，在变压器10的次级线圈中流过的第二电流Ic2达到由Ith2＝Vth2/R2提供的第二阈值电流Ith2时，第二电压比较器22的输出信号SIG2成为高电平。在本实施方式中，第二阈值电压Vth2被设定为低于0V的负的电压，其结果，第二阈值电流Ith2被设定为0A附近的负电流。

DC/DC转换器210的输出电压Vout由第三电阻器R3、第四电阻器R4分压。分压后的电压Vout’＝Vout×R4/(R3+R4)被输入控制电路100的电压检测端子102。

磁滞比较器24的同相输入端子连接到电压检测端子102，被输入检测电压Vout’。此外，在其反相输入端子输入基准电压Vref。磁滞比较器24将与DC/DC转换器的输出电压Vout对应的检测电压Vout’与由基准电压Vref决定的两个阈值电压(以下，记做VH以及VL)进行比较。磁滞比较器24在检测电压Vout’低于两阈值电压中较低的阈值电压VL时输出成为第一电平(低电平)的比较信号Vcmp，在超过两阈值电压中较高的阈值电压VH时输出成为第二电平(高电平)的比较信号Vcmp。

开关控制单元30除了第一电压比较器20、第二电压比较器22的输出信号SIG1、SIG2之外，还基于从磁滞比较器24输出的比较信号Vcmp，控制开关晶体管Tr1的导通/截止。

这里，说明开关控制单元30的开关动作的概要。开关控制单元30基于第一电压比较器20、第二电压比较器22的输出信号SIG1、SIG2，以快速的时间刻度(time scale)控制开关晶体管Tr1的导通/截止。

在第一检测电压Vx1超过第一阈值电压Vth1时，即变压器10的初级线圈中流过的第一电流Ic1达到第一阈值电流Ith1时，开关控制单元30将开关晶体管Tr1截止。

此外，在第二检测电压Vx2超过第二阈值电压Vth2之后，即变压器10的次级线圈中流过的第二电流Ic2达到第二阈值电流Ith2＝0A之后，开关控制单元30在经过规定的延迟时间后，使开关晶体管Tr1导通。通过以上的控制，使开关晶体管Tr1交替地导通、截止，从而电池电压Vbat被升压。

开关控制单元30以更长的时间刻度来看，如上所述，进行间歇动作，即重复进行使开关晶体管Tr1交替导通/截止的充电期间和停止开关动作的休止期间。

接着，详细说明开关控制单元30的结构例。

第一电压比较器20的输出信号SIG1由反相器32反相。反相器32的输出信号SIG1’被输入RS触发器34的设置端子(负逻辑)。RS触发器34的输出信号SIG3由反相器36反相。反相器36的输出信号SIG4被输入D触发器40的预置端子(负逻辑)。此外，RS触发器34的输出信号SIG3被输入“或非”门50的一个输入端子。

在控制电路100的升压指示端子114输入从DSP314输出的用于控制DC/DC转换器210整体的接通/关断的升压指示信号EN。控制电路100在升压指示信号EN为高电平时，驱动开关晶体管Tr1进行升压动作。“或非”门50对升压指示信号EN和RS触发器34的输出信号SIG3进行逻辑运算。“或非”门50的输出信号SIG8被输入“与非”门44。

开关控制单元30包含将第二电压比较器22的输出信号SIG2延迟的延迟电路38，基于延迟电路38的输出使开关晶体管Tr1导通。

延迟电路38包含：晶体管Tr2，基极连接到第二电压比较器22的输出，发射极接地；电阻器R30，设置在晶体管Tr2的集电极和电源电压端子之间；以及电容器C30，设置在晶体管Tr2的集电极端子和接地端子之间。在第二检测电压Vx2达到0V时，第二电压比较器22的输出信号SIG2成为低电平。此时，晶体管Tr2截止，通过电阻器R30开始电容器C30的充电。在电容器C30的一端出现的电压Vx4随着CR时间常数而上升。

在电容器C30的一端出现的电压Vx4被输入D触发器40的时钟端子。D触发器40的数据端子接地，被固定在低电平。此外，在D触发器40的清零端子输入升压指示信号EN。通过将升压指示信号EN输入清零端子，可以在每次开始升压动作时将控制电路100初始化。此外，在D触发器40的预置端子(负逻辑)输入反相器36的输出信号SIG4。

在预置端子(负逻辑)以及清零端子(负逻辑)输入高电平的期间中，被输入时钟端子的延迟电路38的输出电压Vx4成为高电平时，D触发器40作为反相输出信号SIG5输出高电平。此外，在输入预置端子的反相器36的输出从高电平切换倒低电平时，作为反相输出信号SIG5输出低电平。

D触发器40的反相输出信号SIG5被输入“与”门42。“与”门42将D触发器40的反相输入信号SIG5和升压指示信号EN的“与”输出倒“与非”门44。“与非”门44将“或非”门50的输出和“与”门42的输出的“与非”输出到反相器46。反相器46将“与非”门44的输出信号SIG9反相。反相器46的输出信号Vsw被输入“与”门60。

在“与”门48输入“与”门42的输出信号SIG6和升压指示信号EN。“与”门48的输出信号SIG7被输入RS触发器34的复位端子。

从磁滞比较器24输出的比较信号Vcmp被输入“与”门60。“与”门60将比较信号Vcmp的反相信号和开关信号Vsw的“与”输出到开关晶体管Tr1的基极。

比较信号Vcmp为高电平的期间，作为“与”门60的输出的开关信号Vsw’被固定在低电平，开关晶体管Tr1的开关动作停止。以下，将该期间称作休止期间。此外，在比较信号Vcmp为低电平的期间，开关信号Vsw’取与反相器46的输出信号Vsw相同的逻辑值。以下，将该期间称作充电期间。开关控制单元30进行基于DC/DC转换器210的输出电压Vout反复交替充电期间和休止期间的间歇动作。以上是开关控制单元30的结构。

晶体管Tr3在作为控制端子的基极被输入从磁滞比较器24输出的比较信号Vcmp，集电极通过上拉电阻器Rp被偏置到电源电压，发射极接地。晶体管Tr3的集电极与发光许可端子110连接。从发光许可端子110输出将比较信号Vcmp逻辑反相了的发光许可信号SIG10。

发光控制单元214b基于被输入发光指示端子112的闪光信号FLASH，生成发光控制信号SIG20，并控制IGBT214a的基极电压。

说明如上述那样构成的发光装置200的动作。图3是图2的DC/DC转换器的控制电路100的充电期间中的时序图。各信号SIG1～SIG9对应于图2所示的各信号。假设在时刻T0以后，升压指示信号EN被设定为高电平。

在时刻T0，开关信号Vsw成为高电平，开关晶体管Tr1导通。通过开关晶体管Tr1导通，在变压器10的初级侧流过的第一电流Ic1缓慢上升，在时刻T1成为Vx1＞Vth1。

在成为Vx1＞Vth1时，第一电压比较器20的输出信号SIG1从低电平切换为高电平。同时，反相器32的输出信号SIG1’从高电平切换低电平。信号SIG1’从高电平切换低电平时，RS触发器34被设置，RS触发器34的输出信号SIG3成为高电平。信号SIG3成为高电平时，反相器36的输出信号SIG4成为低电平，D触发器40被预置，D触发器40的反相输出信号SIG5成为低电平。由于升压指示信号EN为高电平，因此“与”门42的输出信号SIG6取与信号SIG5相同的逻辑值。

在升压指示信号EN成为高电平时，“或非”门50作为将RS触发器34的输出信号SIG3反相的反相器起作用。从而，在时刻T1，RS触发器34的输出信号SIG3成为高电平时，“或非”门50的输出信号SIG8从高电平变化为低电平。此时，“与非”门44的两个输入信号SIG6、SIG8都成为低电平，因此“与非”门44的输出信号SIG9成为高电平。在该情况下，在时刻T1，从反相器46输出的开关信号Vsw(＝Vsw’)成为低电平，开关晶体管Tr1截止。

在时刻T1“与”门42的输出信号SIG6成为低电平时，在多个门的延迟时间经过后的时刻T2，“与”门48的输出信号SIG7成为低电平。另外，除了该延迟以外还存在延迟，但为了简化说明而省略。“与”门48的输出信号SIG7从高电平变化为低电平时，RS触发器34被复位。其结果，RS触发器34的输出信号SIG3立即返回低电平。RS触发器34的输出信号SIG3成为低电平时，“或非”门50的输出信号SIG8成为高电平。此外，反相器36的输出信号SIG4，即对D触发器40的预置端子的输入也成为高电平。

在时刻T1开关晶体管Tr1截止时，在变压器10的次级线圈中开始流过第二电流Ic2。该第二电流Ic2在开关晶体管Tr1截止的期间成为最大，随着变压器10中蓄积的能量减少而缓慢减小。其结果，第二电阻器R2出现的第二检测电压Vx2随时间而缓慢上升。在时刻T3，第二检测电压Vx2达到第二阈值电压Vth2，第二电压比较器22的输出信号SIG2从高电平切换为低电平。

在时刻T3第二电压比较器22的输出信号SIG2成为低电平时，延迟电路38的输出电压Vx4以时间常数开始上升。在从时刻T3经过延迟时间τ后的时刻T4，被输入D触发器40的时钟端子的延迟电路38的输出电压Vx4达到阈值电压Vt时，D触发器40的反相输出信号SIG5成为高电平。D触发器40的反相输出信号SIG5成为高电平时，“与”门42的输出信号SIG6、“与”门48的输出信号SIG7都成为高电平。“与”门42的输出信号SIG6成为高电平时，“与非”门44的输出信号SIG9成为低电平，反相器46的输出信号、即开关信号Vsw(＝Vsw’)成为高电平，开关晶体管Tr1再次导通。

这样，在本实施方式的控制电路100中，在充电期间中，分别检测变压器10的初级线圈、次级线圈中流过的第一电流Ic1、第二电流Ic2，从而切换开关晶体管Tr1的导通/截止。通过切换开关晶体管Tr1的导通/截止，输出电容器C1中不断蓄积电荷，输出电压Vout不断上升。

图4是图2的发光装置200整体的时序图。图4为了使说明简洁，将纵轴以及横轴适当放大、缩小来显示。在时刻T10，升压指示信号EN成为高电平，控制电路100开始升压动作。在从时刻T10到时刻T11的期间，Vout’＜VH，因此作为磁滞比较器24的输出的比较信号Vcmp成为低电平，进行基于图3说明的升压动作。其结果，DC/DC转换器210的输出电压随时间上升。在时刻T11，与输出电压Vout对应的检测电压Vout’达到两阈值电压中较高的阈值电压VH时，比较信号Vcmp成为高电平。比较信号Vcmp成为高电平时，开关信号Vsw’被固定在低电平，成为休止期间φ2。在休止期间φ2，开关晶体管Tr1的开关动作停止时，输出电容器C1的充电停止，因此检测电压Vout’开始随时间降低。

在时刻T12，检测电压Vout’降低到两阈值电压中较低的阈值电压VL时，比较信号Vcmp再次成为低电平，成为充电期间φ1。这样，DC/DC转换器210通过间歇地重复充电期间φ1和休止期间φ2，从而将检测电压Vout’稳定在两个阈值电压VH和VL之间。

在时刻T13，升压指示信号EN成为低电平时，控制电路100停止开关晶体管Tr1的开关动作从而停止升压动作，进而使内部的电路块成为关断状态而以低消耗功率待机。控制电路100在此期间作为内部的电路块，使第一电压比较器20、第二电压比较器22、磁滞比较器24等块全部关断。

升压指示信号EN成为低电平，磁滞比较器24关断时，比较信号Vcmp成为低电平而与检测电压Vout’的值无关，发光许可信号SIG10被上拉到高电平。

在时刻T14升压指示信号EN再次成为高电平时，DC/DC转换器210开始升压动作。

闪光信号FLASH仅在发光许可信号SIG10为低电平时被输出到发光控制电路214。例如，在图4中，闪光信号FLASH在时刻T15成为高电平。闪光信号FLASH成为高电平时，发光元件212发光。其结果，输出电容器C1中蓄积的电荷被放电，检测电压Vout’降低。检测电压Vout’低于两阈值电压中较低的阈值电压VL时，比较信号Vcmp成为低电平。比较信号Vcmp成为低电平时，发光许可信号SIG10成为高电平，在检测电压Vout’再次达到两阈值电压中较高的阈值电压VH之前的期间，发光被禁止。

在本实施方式的发光装置200中，在发光许可信号SIG10为低电平的期间，即检测电压Vout’从两阈值电压中较高的阈值电压VH降低到两阈值电压中较低的阈值电压VL的休止期间，许可发光。其结果，仅在检测电压Vout’高于阈值电压VL的状态下许可发光，因此能够使发光元件212稳定地发光。

此外，在发光许可信号SIG10为高电平的期间，即检测电压Vout’从两阈值电压中较低的阈值电压VL向较高的阈值电压VH上升的充电期间禁止发光。

发光元件212发光时，输出电容器C1中蓄积的电荷流入发光元件212。从而，在对输出电容器C1进行充电的充电期间中，使发光元件212发光时，同时引起充电和放电，因此消耗电流增大。另一方面，在本实施方式的发光装置200中，由于仅在休止期间中许可发光，因此可以降低消耗电流。

此外，根据本实施方式的控制电路100，将用于稳定输出电压Vout(检测电压Vout’)的磁滞比较器用于决定发光元件212可否发光。即，与另外设置用于决定可否发光的比较器的情况相比，能够减小电路规模。

进而，将比较信号Vcmp作为发光许可信号SIG10不是直接输出到DSP314，而是使用晶体管Tr3、上拉电阻器Rp反相后输出，从而具有以下的效果。

控制电路100在升压指示信号EN为低电平的期间，为了降低消耗电力，将磁滞比较器24关断。磁滞比较器24关断时，保证晶体管Tr3的集电极电位、即发光许可信号SIG10被上拉到高电平，因此能够在此期间可靠地禁止发光元件212的发光。

上述实施方式为例示，这些各构成元件或各处理过程的组合可以有各种变形例，而且这样的变形例也属于本发明的范围，这一点本领域技术人员应该理解。

关于开关控制单元30的电路结构存在各种变形例。例如，在实施方式中，采用在开关控制单元30中设置“与”门60，基于磁滞比较器24的比较信号Vcmp停止开关晶体管Tr1的开关动作的结构。但是，本发明不限定于该电路结构，作为结果，采用开关信号Vsw’被固定于低电平的逻辑结构即可。

此外，在本实施方式中，高电平、低电平的逻辑值的设定为一例，可以通过由反相器等适当反相而自由变更。

在实施方式中，说明了将控制电路100集成化的情况，但不限定于此。例如，可以使用分立元件作为开关晶体管Tr1，也可以将第一电阻器R1、第二电阻器R2等作为集成电路部件连接到控制电路100的外部。

在实施方式中，说明了自激式的DC/DC转换器，但本发明也可以应用于基于从振荡器输出的周期电压使开关晶体管Tr1导通/截止的外激方式的开关稳压器。在该情况下，设置磁滞比较器24，进行也基于比较信号Vcmp反复充电期间和休止期间的间歇动作，同时仅在休止期间许可发光元件212的发光即可。

Claims (9)

1.一种控制电路，控制对发光元件供给驱动电压的DC/DC转换器，其特征在于，该控制电路包括：

磁滞比较器，将与所述DC/DC转换器的输出电压对应的检测电压与两个阈值电压进行比较，在所述检测电压低于该两个阈值电压中较低的阈值电压时，输出成为第一电平的比较信号，在所述检测电压超过该两个阈值电压中较高的阈值电压时，输出成为第二电平的比较信号；以及

开关控制单元，参照从所述磁滞比较器输出的所述比较信号，在该比较信号为所述第一电平的期间，使所述DC/DC转换器的开关元件进行开关动作，在所述比较信号为第二电平的期间，停止所述开关元件的开关动作，

在所述比较信号为所述第一电平的期间，使所述发光元件不能发光，在所述比较信号为所述第二电平的期间许可发光。

2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，该控制电路还包括晶体管，该晶体管在控制端子被输入从所述磁滞比较器输出的所述比较信号，一端通过上拉电阻器而偏置到高电位，另一端接地，

基于该晶体管的所述一端的电位，输出所述发光元件的可否发光状态。

3.如权利要求1或2所述的控制电路，其特征在于，该控制电路还包括：

第一电压比较器，将与连接到本控制电路的外部的变压器的初级侧的电流对应的电压与一规定的第一阈值电压进行比较；以及

第二电压比较器，将与所述变压器的次级侧的电流对应的电压与一规定的第二阈值电压进行比较，

通过基于所述第一、第二电压比较器的输出信号的自激方式来控制所述开关元件的导通/截止。

4.如权利要求3所述的控制电路，其特征在于，从外部对所述开关控制单元输入升压指示信号，该开关控制单元在由所述升压指示信号指示升压停止的期间，停止所述开关元件的开关动作，同时使所述第一电压比较器、第二电压比较器、以及磁滞比较器为关断状态，

在所述晶体管的所述一端的电位成为高电平的期间，使所述发光元件不能发光。

5.如权利要求1至2的任何一项所述的控制电路，其特征在于，该控制电路被一体集成在一个半导体基板上。

6.如权利要求3所述的控制电路，其特征在于，该控制电路被一体集成在一个半导体基板上。

7.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包括：

DC/DC转换器输出电路，包含开关晶体管，通过该开关晶体管的导通/截止控制升压动作；

权利要求1至3的任何一项所述的控制电路，控制所述开关晶体管的导通/截止；

发光元件，由所述DC/DC转换器输出电路的输出电压驱动；以及

微处理器，控制所述发光元件的发光状态，

所述控制电路将与所述比较信号对应的信号输出到所述微处理器，控制所述发光元件的可否发光。

8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述发光元件是氙管灯，发光状态由设置在其驱动路径上的发光控制晶体管控制。

9.一种电池驱动型的电子设备，其特征在于，该电子设备包括：

摄像单元；以及

在所述摄像单元进行摄像时作为闪光灯使用的权利要求7所述的发光装置，

所述发光装置将电池电压升压来驱动所述发光元件。

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