JP2005130602A - フライバック充電回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイオードの逆電流特性に基づくサージ電流による誤動作を回避し、安定して動作するフライバック充電回路を提供する。
【解決手段】フライバックトランス10と、該フライバックトランスの一次側電流をON/OFFするトランジスタ9と、前記フライバックトランス二次側電流を整流するダイオード11と、整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサ12と、一次側電流レベルを検出する電流電圧変換回路5と該電流電圧変換回路の出力が+端子に入力されたコンパレータ7とからなる一次側電流検出回路16と、一次側電流レベルに基づきトランジスタのOFFを制御するONタイマー付き制御回路19と、制御回路のOUT端子に接続され入力Hレベルを所定時間経過後出力する遅延回路14と、遅延回路の出力端に入力端を接続し出力端をコンパレータの−端子に接続した基準電圧切り替え回路18とでフライバック充電回路を構成する。
【選択図】図3
【解決手段】フライバックトランス10と、該フライバックトランスの一次側電流をON/OFFするトランジスタ9と、前記フライバックトランス二次側電流を整流するダイオード11と、整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサ12と、一次側電流レベルを検出する電流電圧変換回路5と該電流電圧変換回路の出力が+端子に入力されたコンパレータ7とからなる一次側電流検出回路16と、一次側電流レベルに基づきトランジスタのOFFを制御するONタイマー付き制御回路19と、制御回路のOUT端子に接続され入力Hレベルを所定時間経過後出力する遅延回路14と、遅延回路の出力端に入力端を接続し出力端をコンパレータの−端子に接続した基準電圧切り替え回路18とでフライバック充電回路を構成する。
【選択図】図3
Description
この発明は、メインコンデンサに充電を行うフライバック充電回路、特に、発光装置に用いて好適なフライバック充電回路に関する。
従来、フライバック充電回路として、フライバックトランスの一次側に生じる電流をモニタし、一次側に生じた電流が所定のレベルに達したときに一次側への通電を停止する方式のフライバック充電回路が提案されている。例えば、特開2002−151290号公報や特開昭54−144922号公報において、該方式のフライバック充電回路が開示されている。図7に示す回路は、該方式のフライバック充電回路の一例であり、該回路を用いて従来の技術を説明する。
図7において、1はグラウンド、2は電源、3,4は基準電圧源、5,6はI/V変換回路、7,8はコンパレータ、9はトランジスタ、10はフライバックトランス、11はダイオード、12はメインコンデンサ、13は制御回路、16は一次電流検出回路、17は二次電流検出回路であり、I/V変換回路5とコンパレータ7とで一次電流検出回路16が構成され、I/V変換回路6とコンパレータ8とで二次電流検出回路17が構成されている。そして、電源2はフライバックトランス10の一次側を介してトランジスタ9のドレイン端子に接続され、トランジスタ9のソース端子はI/V変換回路5を介してグラウンド1に接続され、ダイオード11のアノード端子はフライバックトランス10の二次側とI/V変換回路6を介してグラウンド1に接続され、ダイオード11のカソード端子はメインコンデンサ12を介してグラウンド1に接続されている。また、I/V変換回路5の出力端子はコンパレータ7の+端子に接続され、基準電圧源3はコンパレータ7の−端子に接続され、コンパレータ7の出力端子は制御回路13のIN1端子に接続され、制御回路13のOUT端子はトランジスタ9のゲート端子に接続されている。また、I/V変換回路6の出力端子はコンパレータ8の+端子に接続され、基準電圧源4はコンパレータ8の−端子に接続され、コンパレータ8の出力端子は制御回路13のIN2端子に接続されて、フライバック充電回路が構成されている。
次に、まず、このように構成されているフライバック充電回路の各部の個別の動作について説明する。I/V変換回路5は、トランジスタ9のソース端子からの電流(I1)の電流レベルに比例した電位を出力し、一次電流検出回路16は、I1が所定のレベルより大きいときに論理レベル“H”を出力し、所定のレベルより小さいときに論理レベル“L”を出力する。I/V変換回路6は、トランス10への電流(I2)の電流レベルに反比例した電位を出力し、二次電流検出回路17は、I2が所定のレベルより小さいときに論理レベル“H”を出力し、所定のレベルより大きいときに論理レベル“L”を出力する。制御回路13は、充電開始時と、IN2端子からの入力信号が論理レベル“L”から論理レベル“H”に切り替わったときにOUT端子を論理レベル“H”にラッチし、IN1端子からの入力信号が論理レベル“H”のときにOUT端子を論理レベル“L”にラッチする。
次に、フライバック充電回路全体の充電動作について、図8に示したタイミングチャートを参照しながら説明する。充電開始前にコンパレータ7の出力は“L”,コンパレータ8の出力は“H”,制御回路13のOUT端子は“L”であり、充電開始時t1に制御回路13のOUT端子は“H”となり、I1が徐々に増加してフライバックトランス10に磁気エネルギーが蓄積される。時点t2において、I1が所定レベルを超えると、I/V変換回路5の出力電位レベルが基準電圧源3の出力電位レベルを超え、コンパレータ7の出力が“L”から“H”に反転し、制御回路13のOUT端子は“L”となり、I1が急減、I2が急増してコンパレータ8の出力が“H”から“L”に反転する。その後、I2が徐々に減少し、蓄積された磁気エネルギーが二次側を介して開放される。この磁気エネルギーの開放によるI2によって、ダイオード11を介してメインコンデンサ12に充電が行われる。その後、時点t3において、I2が所定レベル以下になると、I/V変換回路6の出力電位レベルが基準電圧源4の出力電位レベルを超え、コンパレータ8の出力は“L”から“H”に反転し、制御回路13のOUT端子は“H”となり、再度磁気エネルギーが蓄積される。この動作が繰り返されることでメインコンデンサ12は所定の電圧まで充電されることになる。
このように、フライバックトランス10の一次側に生じる電流レベルによってトランジスタ9のOFFのタイミングを制御することにより、フライバックトランス10の磁気エネルギーの蓄積量を安定させ、フライバックトランス10の磁気エネルギーの飽和や過電流によるトランジスタ9の破壊を防ぎ、エネルギー転送効率の向上と動作安全性の確保を実現できる。なお、メインコンデンサ12と並列に放電管を接続し、放電管で放電を開始させるためのトリガ回路を放電管のトリガ電極に接続することにより、カメラ等のフラッシュ発光に用いる発光装置に該フライバック充電回路を適用することができる。
特開2002−151290号公報
特開昭54−144922号公報
ところで、理想的なダイオードは、逆方向に電流が流れないことになっており、図7に示したフライバック充電回路の充電動作時の主要な端子の理想波形は図8に示したタイミングチャートのようになる。しかしながら、実際のダイオードでは、ダイオードに掛かる電圧が順方向から逆方向に変化した際、一定の時間(逆回復時間)、逆電流が流れてしまうという特性を持つため、図7に示したフライバック充電回路において、トランジスタ9がONになってフライバックトランス10の一次側に電流が流れ始めた直後、一時的にダイオード11に逆電流が流れ、フライバックトランス10の二次側にも電流が流れてしまう。このとき、一次側のインダクタンスは非常に小さくなるため、一次側には瞬間的に大きな電流(サージ電流)が流れることとなり、実際の波形は図9のタイミングチャートに示すようになる。図9において、点線で囲った部分はサージ電流により影響を受けている領域を示す。このサージ電流が一次電流検出回路16で検出する所定の電流レベルを超えてしまうほど大きくなると、コンパレータ7がサージ電流によって反転し、トランジスタ9はフライバックトランス10に磁気エネルギーが蓄積される前にOFFし、正常な充電動作が行われなくなる。特に、図7に示したフライバック充電回路のような、二次側の電流も検出し、二次側の電流レベルによってトランジスタのONのタイミングも決めているような自励式のフライバック充電回路では、磁気エネルギーが蓄積される前にトランジスタがOFFすると、二次側電流が次の磁気エネルギー蓄積の段階に移行するための電流レベルに達することができず、充電動作が途中停止してしまう危険もある。
このため、従来は、なるべく逆回復時間の短いダイオードを用いたり、トランジスタのONスピードを抑えるなどして、サージ電流が所定の電流以下になるように調整している。しかしながら、逆回復時間の短いダイオードは一般的に逆耐圧が小さいため、発光装置の放電管を発光させるためのエネルギー蓄積を目的としたメインコンデンサへの充電など、メインコンデンサを高電圧に充電する場合には、サージ電流を十分に抑えられる逆回復時間の短いダイオードを使用することができない。また、トランジスタのONスピードを抑えると、エネルギー転送効率が低下してしまう。
本発明は、前記問題点を解消するためなされたものであって、サージ電流による誤動作を回避し、安定して動作するフライバック充電回路を提供することを目的とする。
請求項1に係る発明は、フライバックトランスと、該フライバックトランスの一次側に流れる電流をON/OFFするトランジスタと、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流を整流するダイオードと、該ダイオードにより整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサと、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流のレベルを検出する一次側電流検出回路と、該一次側電流検出回路で検出された一次側の電流レベルに基づき前記トランジスタのOFFを制御する制御回路と、前記トランジスタがONしてから所定時間を経過する前後において、前記トランジスタをOFFする一次側の検出電流レベルの条件を調整するレベル調整手段とでフライバック充電回路を構成するものである。
このように構成したフライバック充電回路においては、サージ電流は、トランジスタがONした直後に瞬間的に生じるため、レベル調整手段によりトランジスタがONしてから所定時間を経過する前後の検出電流レベルを調整することで、サージ電流が充電動作に影響する電流レベルを独自に設定することができる。これにより、サージ電流によって大きな電流が一次側に流れてもトランジスタをOFFさせず、充電動作に影響しない設定が可能となり、安定した充電動作を確保することができる。また、過大なサージ電流が生じた場合には、トランジスタをOFFさせてトランジスタの破壊を防ぎ、動作安全性も確保することができる。
請求項2に係る発明は、フライバックトランスと、該フライバックトランスの一次側に流れる電流をON/OFFするトランジスタと、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流を整流するダイオードと、該ダイオードにより整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサと、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流のレベルを検出する一次側電流検出回路と、該一次側電流検出回路で検出された一次側の電流レベルに基づき前記トランジスタのOFFを制御する制御回路と、前記トランジスタがONしてからサージ電流が生じる時間を含む所定時間を経過する前は、前記トランジスタをOFFしないようにする遅延手段とでフライバック充電回路を構成するものである。
このように構成したフライバック充電回路においては、遅延手段によりサージ電流が生じる時間を含むトランジスタがONしてから所定時間、トランジスタを強制的にONに保持することにより、サージ電流による充電動作への影響をなくすことができ、安定した充電動作を確保することができる。
請求項3に係る発明は、フライバックトランスと、該フライバックトランスの一次側に流れる電流をON/OFFするトランジスタと、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流を整流するダイオードと、該ダイオードにより整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサと、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流のレベルを検出する一次側電流検出回路と、該一次側電流検出回路で検出された一次側の電流レベルに基づき前記トランジスタのOFFを制御する制御回路とを有するフライバック充電回路であって、前記一次側電流検出回路は、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流信号の高周波成分を除去した整流信号を取り出す整流回路と、該整流信号のレベルと参照レベルとを比較し、その結果を出力する比較回路とを有することを特徴とするものである。
このように構成されたフライバック充電回路においては、トランジスタがONになった直後に瞬間的に高周波数で生じるサージ電流の成分を、一次側電流検出回路に設けた整流回路を介して低減することによって、サージ電流による充電動作への影響をなくし、安定した充電動作を確保することができる。
請求項4に係る発明は、請求項1〜3のいずれか1項に係るフライバック充電回路において、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流のレベルを検出する二次側電流検出回路と、検出された二次側の電流レベルに基づきトランジスタのONを制御する手段とを更に有することを特徴とするものである。
このように構成することにより、フライバックトランスの一次側及び二次側の電流を検出し、二次側の電流レベルに基づきトランジスタのONのタイミングを決め、一次側の電流レベルに基づきトランジスタのOFFのタイミングを決める自励式のフライバック充電回路において、請求項1〜3のいずれかに係る発明の効果を得ることができる。
なお、メインコンデンサと並列に放電管を接続し、放電管で放電を開始させるためのトリガ回路を放電管のトリガ電極に接続することにより、カメラ等のフラッシュ発光に用いる発光装置に請求項1〜4のいずれか1項に係るフライバック充電回路を適用することができる。
本発明によれば、フライバックトランスに磁気エネルギーが所定量蓄積される前に磁気エネルギー蓄積動作を終了してしまうサージ電流が原因の誤動作を回避し、安定して動作するフライバック充電回路を提供することができる。
次に、発明を実施するための最良の形態について説明する。
まず、本発明に係るフライバック充電回路の実施例1を図1に基づいて説明する。この実施例1は、請求項2及び請求項4に係る発明に対応する実施例であり、図1において、図7に示した従来例と対応する構成部分には同一の符号を付して示しており、その説明を省略する。図1において、14は遅延回路、15はAND回路であり、制御回路13のOUT端子はトランジスタ9のゲート端子と遅延回路14のIN端子に接続され、遅延回路14のOUT端子はAND回路15の一方の入力端子に接続され、コンパレータ7の出力端子はAND回路15の他方の入力端子に接続され、AND回路15の出力端子は制御回路13のIN1端子に接続されている。
次に、このように構成されている実施例1の各部の個別の動作について説明する。I/V変換回路5,一次電流検出回路16,I/V変換回路6,二次電流検出回路17,制御回路13の動作は、図7に示した従来例の回路と同様である。遅延回路14は、IN端子の信号が論理レベル“L”のとき、OUT端子から論理レベル“L”の信号を出力し、IN端子の信号が論理レベル“H”になると、所定時間( ダイオード11の逆回復時間より長い時間) 経過後に、OUT端子から論理レベル“H”を出力するようになっている。
次に、上記実施例1に係るフライバック充電回路全体の動作について説明する。主要な端子のタイミングチャートを図2に示す。充電開始前にコンパレータ7の出力は“L”,コンパレータ8の出力は“H”,制御回路13及び遅延回路14のOUT端子は“L”である。充電開始時t1に、制御回路13のOUT端子は“H”となり、トランジスタ9のソースからの電流I1がサージ電流によって急増し、コンパレータ7の出力は“L”から“H”に反転するが、遅延回路14の出力が“L”であるため、AND回路15の出力は“L”のまま変化せず、制御回路13のOUT端子も変化しない。その後、ダイオード11の逆回復時間を経過した頃にI1が急減し、コンパレータ7の出力が“L”に戻る。その後、I1が徐々に増加してフライバックトランス10に磁気エネルギーが蓄積され、所定時間経過後の時点t1′において遅延回路14の出力は“L”から“H”に反転する。なお、図2において、点線で囲った部分はコンパレータ7の出力が制御回路13に影響しない時間を示している。
その後、時点t2において、I1が所定レベルを超えると、I/V変換回路5の出力電位レベルが基準電圧源3の出力電位レベルを超え、コンパレータ7の出力が“L”から“H”に反転し、AND回路15の出力は“H”,制御回路13及び遅延回路14のOUT端子は“L”となり、I1が急減、フライバックトランス10の二次側への電流I2が急増してコンパレータ8の出力が“H”から“L”に反転する。その後、I2が徐々に減少し、蓄積された磁気エネルギーが二次側を介して開放される。この磁気エネルギーの開放によるI2によって、ダイオード11を介してメインコンデンサ12に充電が行われる。その後、時点t3において、I2が所定レベル以下になると、I/V変換回路6の出力電位レベルが基準電圧源4の出力電位レベルを超え、コンパレータ8の出力は“L”から“H”に反転し、制御回路13のOUT端子は“H”となり、再度磁気エネルギーが蓄積される。この動作が繰り返されることでメインコンデンサ12は所定の電圧まで充電されることになる。
以上のように、本実施例1のフライバック充電回路によれば、サージ電流が一次電流検出回路16の検出電流レベルを超えたとしても制御回路13の動作に影響せず、フライバックトランス10に磁気エネルギーが所定量まで蓄積される前にトランジスタ9がOFFしてしまう誤動作を防止することができ、安定した充電動作を確保することができる。
次に、本発明の実施例2を図3に基づいて説明する。この実施例2は、請求項1に係る発明に対応する実施例であり、図3において、図1に示した実施例1及び図7に示した従来例と対応する構成部分には同一の符号を付して示し、その説明を省略する。図3において、18は基準電位切り替え回路、19は内蔵したタイマーにより通電タイミングを決めるONタイマー付き制御回路であり、遅延回路14のOUT端子は基準電位切り替え回路18のIN端子に接続され、基準電位切り替え回路18のOUT端子はコンパレータ7の−端子に接続され、コンパレータ7の出力端子はONタイマー付き制御回路19のIN1端子に接続され、ONタイマー付き制御回路19のOUT端子はトランジスタ19のゲート端子に接続されている。
次に、このように構成されている実施例2の各部の個別の動作について説明する。I/V変換回路5,一次電流検出回路16の動作は、図7に示した従来例の充電回路と同様であり、遅延回路14の動作は、図1に示した実施例1の充電回路と同様である。基準電位切り替え回路18は、遅延回路14から論理レベル“H”が出力されたときにコンパレータ7の−端子の電位を第1の基準電位に設定し、論理レベル“L”が出力されたときにコンパレータ7の−端子の電位を第1の基準電位より高い第2の基準電位に設定する。また、ONタイマー付き制御回路19は、充電開始時にOUT端子を論理レベル“H”にラッチし、IN1端子からの入力信号が論理レベル“L”から論理レベル“H”に切り替わったときに、OUT端子を“L”にラッチし、その一定時間経過後、OUT端子を“H”にラッチする。
次に、上記実施例2に係るフライバック充電回路全体の動作について説明する。主要な端子のタイミングチャートを図4に示す。充電開始前にコンパレータ7の出力は“L”,制御回路19及び遅延回路14のOUT端子は“L”であり、充電開始時t1にONタイマー付き制御回路19のOUT端子は“H”となり、I1がサージ電流によって急増するが、基準電位切り替え回路18のOUT端子(コンパレータ7の−端子)の電位は前記第2の基準電位であり、コンパレータ7の+端子の電位は前記第1の基準電位を超えているが、前記第2の基準電位を超えていないため、コンパレータ7の出力は反転せず、ONタイマー付き制御回路19のOUT端子も変化しない。その後、ダイオードの逆回復時間を経過した頃にI1が急減し、その後、I1が徐々に増加してフライバックトランス10に磁気エネルギーが蓄積され、所定時間経過後の時点t1′において遅延回路14の出力は“L”から“H”に反転し、コンパレータ7の−端子の電位は前記第2の基準電位から低電位の前記第1の基準電位に切り替わる。その後、時点t2においてI1が所定レベルを超えると、I/V変換回路5の出力電圧レベルが前記第1の基準電位のレベルを超え、コンパレータ7の出力が“L”から“H”に反転すると、ONタイマー付き制御回路19及び遅延回路14のOUT端子は“L”となり、I1が急減し、I2が急増する。その後、I2が徐々に減少し、蓄積された磁気エネルギーが二次側を介して開放される。この磁気エネルギーの開放によるI2によって、ダイオード11を介してメインコンデンサ12に充電が行われる。その後、ONタイマー付き制御回路19のOUT端子が“L”となってから一定時間が経過して時点t3になったとき、ONタイマー付き制御回路19はOUT端子を“H”に設定し、再度磁気エネルギーを蓄積する。この動作が繰り返されることでメインコンデンサ12は所定の電圧まで充電されることになる。
以上のように、本実施例2のフライバック充電回路によれば、前記基準電位切り替え回路18による第2の基準電位の設定によって一次電流検出回路16がサージ電流によって応答する電流のレベルを独自に設定することができるため、サージ電流によって大きな電流が一次側に流れてもトランジスタ9をOFFさせず、サージ電流が充電動作に影響しない設定が可能となり、フライバックトランス10に磁気エネルギーが所定量まで蓄積される前にトランジスタ9がOFFしてしまう誤動作を防止することができ、安定した充電動作を確保することができる。また、過大なサージ電流が流れた場合でも、一次側の電流のI/V変換値が前記第2の電位に相当するレベルを超えると、前記一次電流検出回路16の出力が反転し、トランジスタ9をOFFさせてトランジスタ9の破壊を防ぐことができ、動作安全性を確保することができる。
次に、本発明の実施例3を図5に基づいて説明する。この実施例は、請求項3及び請求項4に係る発明に対応する実施例であり、図5において、図1及び図3に示した実施例1及び2、並びに図7に示した従来例と対応する構成部分には同一の符号を付して示し、その説明を省略する。図5において、20は抵抗、21は容量、22は整流回路であり、抵抗20及び容量21で整流回路22が構成され、I/V変換回路5とコンパレータ7と整流回路と22で一次電流検出回路16が構成されている。そして、I/V変換回路5の出力端子は抵抗20の一端に接続され、抵抗20の他端は容量21の一端とコンパレータ7の+端子に接続され、容量21の他端はグラウンド1に接続されている。
次に、このように構成されている実施例3の各部の個別の動作について説明する。I/V変換回路5,制御回路13,I/V変換回路6,二次電流検出回路17の動作は、図1に示した実施例1と図7に示した従来例と同様である。一次電流検出回路16は、フライバックトランス10の一次側に流れる電流(I1)をI/V変換回路5でI/V変換し、その信号を整流回路22を介して整流した整流信号が、所定のレベルより大きいときに論理レベル“H”を出力し、所定のレベルより小さいときに論理レベル“L”を出力する。
次に、上記実施例3に係るフライバック充電回路全体の動作について説明する。主要な端子のタイミングチャートを図6に示す。充電開始前にコンパレータ7の出力は“L”,コンパレータ8の出力は“H”,制御回路13のOUT端子は“L”であり、充電開始時t1に制御回路13のOUT端子は“H”となり、I1がサージ電流によって急増し、その後、ダイオード11の逆回復時間を経過した頃に急減するが、このサージ電流による一次電流の信号成分は高周波成分なので、整流回路22において低減され、コンパレータ7の出力は反転せず、制御回路13のOUT端子も変化しない。その後、I1が徐々に増加してフライバックトランス10に磁気エネルギーが蓄積される。その後、時点t2においてI1が所定レベルを超えるとコンパレータ7の出力が“L”から“H”に反転し、制御回路13のOUT端子は“L”となり、I1が急減、I2が急増してコンパレータ8の出力が“H”から“L”に反転する。その後、I2が徐々に減少し、蓄積された磁気エネルギーが二次側を介して開放される。この磁気エネルギーの開放によるI2によって、ダイオード11を介してメインコンデンサ12に充電が行われる。その後、時点t3においてI2が所定レベル以下になると、コンパレータ8の出力は“L”から“H”に反転し、制御回路13のOUT端子は“H”となり、再度磁気エネルギーが蓄積される。この動作が繰り返されることでメインコンデンサ12は所定の電圧まで充電されることになる。
以上のように、本実施例3のフライバック充電回路によれば、サージ電流の成分を整流回路22で低減し、検出しないようにすることができるため、サージ電流による誤動作を防止し、安定した充電動作を確保することができる。
1 グラウンド
2 電源
3,4 基準電圧源
5,6 I/V変換回路
7,8 コンパレータ
9 トランジスタ
10 フライバックトランス
11 ダイオード
12 メインコンデンサ
13 制御回路
14 遅延回路
15 AND回路
16 一次電流検出回路
17 二次電流検出回路
18 基準電位切り替え回路
19 ONタイマー付き制御回路
20 抵抗
21 容量
22 整流回路
2 電源
3,4 基準電圧源
5,6 I/V変換回路
7,8 コンパレータ
9 トランジスタ
10 フライバックトランス
11 ダイオード
12 メインコンデンサ
13 制御回路
14 遅延回路
15 AND回路
16 一次電流検出回路
17 二次電流検出回路
18 基準電位切り替え回路
19 ONタイマー付き制御回路
20 抵抗
21 容量
22 整流回路
Claims (4)
- フライバックトランスと、該フライバックトランスの一次側に流れる電流をON/OFFするトランジスタと、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流を整流するダイオードと、該ダイオードにより整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサと、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流のレベルを検出する一次側電流検出回路と、該一次側電流検出回路で検出された一次側の電流レベルに基づき前記トランジスタのOFFを制御する制御回路と、前記トランジスタがONしてから所定時間を経過する前後において、前記トランジスタをOFFする一次側の検出電流レベルの条件を調整するレベル調整手段とを有することを特徴とするフライバック充電回路。
- フライバックトランスと、該フライバックトランスの一次側に流れる電流をON/OFFするトランジスタと、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流を整流するダイオードと、該ダイオードにより整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサと、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流のレベルを検出する一次側電流検出回路と、該一次側電流検出回路で検出された一次側の電流レベルに基づき前記トランジスタのOFFを制御する制御回路と、前記トランジスタがONしてからサージ電流が生じる時間を含む所定時間を経過する前は、前記トランジスタをOFFしないようにする遅延手段とを有することを特徴とするフライバック充電回路。
- フライバックトランスと、該フライバックトランスの一次側に流れる電流をON/OFFするトランジスタと、前記フライバックトランスの二次側に流れる電流を整流するダイオードと、該ダイオードにより整流された電流を電荷として蓄積するメインコンデンサと、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流のレベルを検出する一次側電流検出回路と、該一次側電流検出回路で検出された一次側の電流レベルに基づき前記トランジスタのOFFを制御する制御回路とを有するフライバック充電回路であって、前記一次側電流検出回路は、前記フライバックトランスの一次側に流れる電流信号の高周波成分を除去した整流信号を取り出す整流回路と、該整流信号のレベルと参照レベルとを比較し、その結果を出力する比較回路とを有することを特徴とするフライバック充電回路。
- 前記フライバックトランスの二次側に流れる電流のレベルを検出する二次側電流検出回路と、検出された二次側の電流レベルに基づきトランジスタのONを制御する手段とを更に有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に係るフライバック充電回路。
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2003
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