CN1921138A - 发光器件 - Google Patents
发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1921138A CN1921138A CNA2006101014134A CN200610101413A CN1921138A CN 1921138 A CN1921138 A CN 1921138A CN A2006101014134 A CNA2006101014134 A CN A2006101014134A CN 200610101413 A CN200610101413 A CN 200610101413A CN 1921138 A CN1921138 A CN 1921138A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wiring
- substrate
- display device
- electrically connected
- adjacent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 72
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010525 oxidative degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- WZECUPJJEIXUKY-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[U+6] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[U+6] WZECUPJJEIXUKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910000439 uranium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/483—Physical analysis of biological material
- G01N33/497—Physical analysis of biological material of gaseous biological material, e.g. breath
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/10—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H10F55/15—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
- H10F55/155—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/0929—Conductive planes
- H05K2201/093—Layout of power planes, ground planes or power supply conductors, e.g. having special clearance holes therein
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10128—Display
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Hematology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种发光器件,显示出来的图像高度均匀。这种发光器件配备有一个印刷布线板(第二衬底)面对着上面形成有一个发光元件(102)的一个衬底(第一衬底)(107)配置。印刷布线板(107)上的PWB侧布线(第二布线群)通过各向异性导电膜(105a,105b)与元件侧布线(第一布线群)电连接。这里,由于用低电阻的铜箔形成PWB侧布线(110),因而减少了元件侧布线(103,104)的电压降和信号的延迟,从而提高了图像质量的均匀性和驱动电路部分的工作速度。
Description
技术领域
本发明涉及一种其发光元件由夹在电极之件的发光材料组成的器件(以下称发光元件)和制造这种发光器件的方法。具体地说,本发明涉及一种采用能电致发光(EL)的发光材料(以下称EL材料)的发光材料。
背景技术
近几年来,采用利用发光材料的EL现象的发光元件(以下称EL元件)的发光器件(EL显示器件)的开发研究在进行中。EL显示器件是采用具有发光能力(即自行发光)的发光元件的显示器件,因而不像液晶显示器件那样,EL显示器件不需要背景光。此外,EL显示器件具有例如视野宽、重量轻和耗电量小的优点。
这类EL显示器件通常构制成EL元件由一个阳极、一个阴极和夹在极之间的EL材料构成的结构。阳极和阴极之间加上电压,使电流流经EL材料,各载流子就重新结合,从而使EL元件发光。这种驱动方法叫做电流驱动。然而,电流驱动的EL显示器件有产生布线电阻引起电压降(也叫做IR降)的现象问题。这种现象是电压,即使是同一个布线的电压,会随着其与电源之间间距的变大而下降。这个问题当布线长度长时特别明显,从而成了扩大EL显示器件屏幕的一大障碍。
布线由诸如钽、钨或硅之类的材料制成时,EL显示器件易受布线电阻的影响,从而大大降低图像质量的均匀性。此外,在采用象铝或铜之类的低电阻材料的情况下,当绕制距离长时,就会看到同样的现象,即出现上述现象。
这里参看图2说明上述问题。图2中示出了有源矩阵EL显示器件的一部分像素部分。N个像素A1、A2、...An沿图面的上下方向(垂直方向)排列。编号201表示栅极布线,202表示源极布线,203表示电流供应线。此外,栅极布线201、源极布线202和电流供应线203所环绕的部位中形成有开关TFT(薄膜晶体管)204、存储电容器205、电流控制TFT206和EL元件207。
在这个部分,由于电压降的影响,电流供应线205的电压随着电流供应线临近图2的底部而下降。就是说,原先在像素部分上部分的电压V1成为像素部分下部分的电压V2,变成V1>V2的关系。这个影响随着像素部分(图像显示区)的扩大而更加突出。
结果,在制造各像素发光亮度相等的EL元件的情况下,像素A1和像素A2发光的亮度大致相等,但像素An的发光亮度比起像素A1和像素A2来有所下降,原因在于,加到像素An的EL元件上的电压因电压降而下降所致。
此外,这种电压降不仅影响电流供应线203,而且也影响栅极布线201和源极布线202。就是说,可能影响到栅极布线201由于电压降而不能使开关TFT204的栅极断开。此外,源极布线202因电压降而变得不能将所要求的电压加到电流控制TFT206的栅极,从而恐怕使EL元件的亮度发生变化,或使EL元件不发光。
这样,所要求的电压由于布线电阻引起的电压降而变得不可能传过去,从而产生了像素部分大幅度失去了图像质量均匀性的缺点。为解决上述问题,有人试图设法给布线两端加上电压,但由于布线较长,从而不能忽视电压降的影响。
在制造驱动电路部分(一般包括栅极驱动电路和源极驱动电路)在同一个衬底上集成的整体式发光器件的情况下,绕驱动电路部分与电信号输入端子之间敷设在布线的布线电阻是个问题。布线电阻使电信号延迟,从而可能降低栅极驱动电路和源极驱动电路的工作速度。
因此,产生了这样一些缺点,例如图像质量的均匀性大幅度丧失,驱动电路部分的工作速度大幅度下降,这些都是布线电阻和信号延迟引起的电压降引起的。这个问题在对角线几十英寸大屏幕的发光器件中特别突出。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,因此本发明的目的是提供一种通过抑制上述布线电阻引起的电压降的影响使图像的质量均匀的发光器件。此外,本发明还有另一个目的,即抑制电连接驱动电路部分和输入/输出部分的布线的延迟,从而提高驱动电路部分的工作速度。
本发明的发光器件由一个上面形成有一个发光元件的衬底(以下称形成有元件的衬底或第一衬底)和一个硬质大型印刷布线板(PWB:印刷布线板),两者用导体(各向异性导电膜或凸块)电连接起来构成,其特征在于,第一衬底上形成的各布线(第一布线群)的电阻减小。
应该指出的是,硬质大型印刷布线板(以下称印刷布线板或第二衬底)表示硬度等级达到不会因受到一定量的冲击而弯曲的印刷线路布线板。一般说来,硬质大型印刷布线板是指由选自玻璃布环氧树脂、玻璃布耐热环氧树脂、陶瓷、氧化铝、纸质酚或纸质环氧树脂的材料制成。此外,还可以采用透明的玻璃衬底、石英衬底塑料衬底。
附图说明
从下面结合附图所作的说明可以更清楚地理解本发明的上述和其它目的和特点。
图1A和1B分别为发光器件剖面结构和顶部结构的示意图。
图2是像素亮度变化的示意图。
图3A和3B是发光器件顶部结构的示意图,图3C是发光器件剖面结构的示意图。
图4A和4B分别为EL显示器件顶部结构和剖面结构的示意图。
图5A和5B分别为EL显示器件的顶部结构和剖面结构的示意图。
图6是EL显示器件剖面结构的示意图。
图7是EL显示器件剖面结构的示意图。
图8A至8F是本发明电气设备的示意图。
图9A和9B是本发明电气设备的示意图。
具体实施方式
图1A示出了本发明发光器件的剖面图,图1B示出了发光器件的顶视图。应该指出,图1A即相当于沿图1B的A-A’线截取的剖视图。
图1A中,编号101表示上面形成有发光元件102(一般为EL元件或半导体二极管元件)。布线103和104在衬底101上形成,供给发光元件102传送电信号用(以下称元件侧布线)。这些组成部分相当于上述第一衬底。应该指示的是,衬底101也可采用玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、硅衬底、陶瓷衬底或金属衬底。
印刷布线板107通过设在第一衬底布线103和104上的导体105a和105b与衬底101电连接。应该指出的是,编号106a和106b表示密封剂,供将第一衬底101和印刷布线板107粘结在一起。
此外,印刷布线板107的前表面、后表面或内部形成有一布组群(第二布线群)。在本说明书中,布线是在两个或多个不同层面形成时叫做多层布线(或叠层布线)。另一方面,一层布线在前表面、后表面或内部形成时,在本说明书中叫做单层布线。在本发明中,印刷布线板107可以是多层布线,也可以是单层布线。第二布线群由选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属膜制成,或由其主要成分的材料选自铜、银、金、铝和镍组成的组的合金膜制成。此外,第二布线群形成由两种或多种选自铜、银、金、铝和镍的不同元素制成的金属膜的层状结构。
在这方面,各向异性导电膜、导电膏或凸块都可用作导体105a和105b。作为凸块,一般可采用钎焊凸块、金属凸块、镍凸块或铜凸块。此外,导电膏可采用里面扩散有诸如银和镍之类金属粒料的树脂。
FPC(柔质印刷电路)108附在印刷布线板107的端部。此外,布线110制成1和20微米之间厚(以下称PWB侧布线或第二布线群),供将原光传送给各向异性导电膜109的电信号传送给导体105a和105b。一般说来,铜箔、金箔、银箔、镍箔或铝箔制成的布线图案用作PWB侧布线110。应该指出的是,FPC虽然在板的意义上讲是个印刷布线板但并不包括在本发明所述印刷布线板中。
在本发明的具有上述结构的发光器件中,传送给FPC108的电信号是由PWB侧布线110传送线导体105a和105b的,接着,信号可通过元件侧布线103和104传送给发光元件102。这里,由于PWB侧布线110是由电阻极小的布线制成的,因而可以大幅度抑制布线电阻产生的电压降,从而可以给元件侧布线103和104传送几乎等效的电信号。同样,PWB侧的布线110的布线电阻小,因而信号的延迟大部分受到抑制,从而可以改善驱动电路工作速度降低的不足之处。
此外,本发明的一个特点是印刷布线板107采用选自玻璃布环氧树脂、玻璃布耐热环氧树脂、陶瓷、氧化铝、纸质酚或纸质环氧树脂的材料,因而具有耐冲击的性能。因此,可以保护发光元件不致因受外力的冲击而损坏,从而可以制取高度可靠的发光器件。
现在就本发明的实施例说明应用本发明制造EL显示器件的例子。图3A和3B示出了应用本发明制造的EL显示器件的顶视图。
在实施例中,图3A示出的是EL显示器件的顶视图,图3C示出的是显示器件的剖视图。图3C是沿图3A和3B顶视图中的A-A’线截取的剖面图。此外,实施例中的印刷布线板是按双层结构构成的,图3A和3B中示出了相应的各层面。
图3A中,编号300表示第一印刷布线板,布线板300上形成有布线301供辅助电流供应线之用(以下称电流供应辅助线)。在本说明书中,电流供应线是供应流经EL元件、流到各EL元件的电流的布线,辅助电流供应线的布线是与电流供应线并联连接以减小电流供应线视在布线电阻的布线。
此外,以编号302标出的虚线为源极驱动电路,以编号303a和303b标出的虚线为栅极驱动电路,以编号304标出的虚线为像素部分。这些驱动电路和像素部分在第一衬底330(参看图3C)上形成。此外,以编号305标出的粗虚线为电流供应线,在第一衬底330上形成。这里在接触部分306中,电流供应辅助线301与导体307电连接,再通过导体307与电流供应线305电连接。
这样,象铜箔之类的低电阻材料制成的电流供应辅助线301在第一印刷布线板300上形成。电流供应辅助线301通过接触部分306与在第一衬底300上形成的电流供应线305电连接。这样,可以使电流供应线305任何位置的电位相等,因而可以大致抑制电流供应线305的电压降。
图3B中,编号310表示第二印刷布线板,上面形成有布线311供辅助栅控制布线之用(以下称栅控制辅助线)。在本说明书中,栅控制布线是供传送栅驱动电路的电源信号、时钟信号或启动信号,辅助栅控制布线的布线是与栅控制布线并联连接以减小栅控制布线的视在布线电阻的布线。
此外,以编号312标出的粗虚线是在第一衬底上形成的栅控制布线。这里,栅控制辅助线311通过接触部分313与导体314电连接,再通过导体314与栅控制布线315电连接。
这样,第二印刷布线板310上形成有诸如铜箔之类的低电阻材料制成的栅控制辅助线311。栅控制辅助线311通过接触部分313与在第一衬底330上形成的栅控制布线312电连接。因此,可以使电位在栅控制布线312的任何位置都相等,从而可以大致抑制栅控制布线312的电压降。
在本发明的实施例中,先是将第一印刷布线板300和第二印刷布线板310彼此粘结在一起(以印制布线板320表示),再用密封剂331将粘结好的板与第一衬底330粘结起来。不是第一印刷布线板300就是第二印刷布线板310通过导体307或314与第一衬底330电连接。应该指出的是,设置导体307和314的位置是没有限制的。
在实施例中,印刷布线板320和第一衬底330之间的间隙视乎各向异性导电膜、导电膏或凸块的高度而定。间隙最好取5微米和1毫米之间(最好在10和100微米之间)。若间隙过窄,则印刷布线板320和发光元件可能彼此接触。另一方面,若间隙过宽,则各向异性导电膜、导电膏或凸块难以紧闭间隙。这里可以用隔片或填料来紧闭间隙。
此外,在第一衬底330与印刷布线板320之间的密封间隙321中还可充以惰性气体(最好是氩气、氖气、氮气或氦气)或树脂。树脂可采用紫外线固化处理过的树脂、热固性树脂、硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)。
可以在密封间隙321内连周惰性气体或树脂一起加入吸潮材料(一般为氧化钡或氧化铯)。
本发明实施例重要的一点是将设在印刷布线板中的低电阻布线图案与易引起布线电阻问题的电流供应线305及栅控制布线312电连接,这样就可以抑制电流供应线305和栅控制布线312引起的电压降出现,从而可制造出能均匀显示出图像的EL显示器件。
实施例1
在实施例1中,参看图4A和4B说明用本发明制造的发光矩阵EL显示器件。图4A是上面形成有EL元件的第一衬底(图4B中用编号400标出)的顶视图。编号401的虚线表示源极驱动电路,402表示栅极驱动电路,403表示像素部分。
此外,编号404表示印刷布线板,上面形成有PWB侧布线405。编号406标出的虚线表示第一密封件,在第一密封件406所环绕的内侧,在印刷布线板404与第一衬底400之间加有树脂(图4B中用编号407表示)。应该指出的是,掺入树脂407中的吸潮剂材料采用氧化钡(图4B中以编号408标出)。
编号409表示接触部分,其作用是将第一衬底400上形成的PWB侧布线405和连接布线410a至410c连接起来。象视频信号或时钟信号之类从用作与外部器件的连接端子的FPC(柔质印刷电路)411输入的电信号传送给PWB侧布线405,再通过接触部分409传送给电流供应线。
图4B示出了相当于沿图4A的A-A’线截取的剖面的剖视图。应该指出的是,在图4A和4B中同样的组成部分用同样的编号表示。如图4B中所示,像素部分403和源极侧驱动电路401在衬底400上形成。像素部分403由多个像素构成,各像素包括一个TFT431和一个像素电极432,TFT431供控制流向EL元件的电流(以下称电流控制TFT),像素电极432与电流控制TFT431漏极电连接。此外,源极侧驱动电路401用一个CMOS电路构成,CMOS电路中的一个N构道TFT433和一个P沟道TFT434以互补的形式结合。
像素电极432由透明的导电膜(实施例1中为氧化铟和氧化锡的化合物构成的薄膜)制成,其作用是作为EL元件的阳极。绝缘膜435在像素电极432的两端形成,在该两端还形成有发红光的发光层436a、发绿光的发光层436b和发蓝光的发光层(图中未示出)。在该上面还形成的EL元件阴极437用遮光膜(在实施例1中为锂和铝的合金膜)。
至于发光层436a和436b的淀积方法,可以采用任何现有的方法,形成发光层的材料可以采用有机材料或无机材料。发光层的结构不仅必须是发光层,而且还要是电子注入层、电子位移层、空穴位移层和空穴注入层组合成的叠层结构。
在实施例1的情况下,阴极437还起公用布线的作用,为所有的像素共同享用,与连接部件410a至410c电连接。连接布线410a至410c通过各向异性导电膜440a至440c与PWB侧布线405电连接。此外,由于PWB侧布线与FPC411电连接,因而连接布线410a至410c与FPC411电连接。
这里在实施例1中,第一密封件406是采用调合剂之类制成的,并喷上隔离层料(图中未示出),使第一密封件406粘结到印刷布线板404上。接着,往第一衬底400、印刷布线板404和第一密封件406所包围的空间中充填树脂407。虽然实施例1中采用掺氧化钡的树脂作为吸潮材料,但氧化钡同样可以大量分散的方式在内部密封。此外,图中未示出的隔离层的材料可以采用吸潮材料。
接着,树脂407通过紫外线或加热固化处理之后,将第一密封件406中形成的孔口部分(图中未示出)封闭起来。接下去,装上第二密封件412,使其覆盖住第一密封件406、印刷布线板404和FPC411的一部分。第二密封件412可以用第一密封件406同样的材料制成。
通过用上述方法将EL元件密封在树脂407内,EL元件就完全与外部环境隔绝开来,从而可以避免潮气和氧之类加速有机材料氧化降物质从外面入侵,这样就可以制造出高度可靠的EL显示器件。
此外,通过采用本发明可以抑制第一衬底上电流供应线和栅控制布线的布线电阻引起的电压降,从而可以制造出能将图像均匀显示出来的EL显示器件。
实施例2
现在参看图5A和5B说明实施例2中采用本发明制造的无源矩阵EL显示器件。这里图5A为显示器件的顶视图,图5B为显示器件沿图5A的A-A’线截取的剖视图。
图5B中,编号501表示塑料制成的第一衬底。编号502表示氧化铟和氧化锌的化合物制成的正极。实施例2中,正极502是用蒸发法制取的。虽然图5A和5B中没有示出,但这里的多个阳极呈条状沿平行方向按一定间距排列的。
绝缘膜503与多个呈条状排列的阳极502正交配置。此外,各阳极502的间隙还加上绝缘膜503,将各阳极502分别绝缘起来。因此,绝缘膜503从上面看去时是形成一定图案的矩阵。
此外,触排504由树脂制成,在绝缘膜503上形成。触排504在空间中在垂直方向形成,与各正极502正交。触排504的形状加工成倒立的三角形(倒立的锥形)。这里,这种结构可以是双层结构,呈檐形的上层在下层之上。
这之后,依次形成铝合金制成的发光层505和负极。发光层505是易受潮气和氧的影响的,所以发光层505和负极506最好都在真空或惰性氛围中依次形成。发光层505可由任何现行材料制取,但从薄膜淀积的简易上看,最好还是采用聚合物为基料的有机材料。此外,负极506最好用蒸发法制取。发光层505和负极506都在触排504构成的槽中形成,两者都呈条状沿垂直方向按一定间距配置。
虽然图中没有示出,在发光层505和负极506之间加上空穴转移层或空穴注入层作为缓冲层还是有用的。空穴注入层可采用诸如酞花青铜、聚硫苯或PEDOT的材料。
这样,用上述方法在第一衬底501上形成EL元件。这里由于底部电极在实施例2中用作透明正极,因而发光层505中产生的光在既定的空间中沿朝向底部表面的方向(朝第一衬底501的方向)射出。
阳极502通过设在第一密封件内的各向异性性导电膜508a和508b与印刷布线板510上形成的PWB侧布线511电连接。在实施例2中,PWB侧面线511是个三层结构,由设在印刷布线板510前表面上的布线511a、设在布线板510内的布线511b和设在布线板510后表面的布线511c组成。说明图1时提到的材料可用作制取印刷布线板510的材料。
这里,如图5A中所示,印刷布线板510前表面上的布线511a和印刷布线板510内的布线511b彼此正交形成。印刷布线板510前表面上的布线511a与正极502电连接,印刷布线板510后表面上的布线511c与负极506电连接。此外,印刷布线板510前表面上的布线511a与FPC512电连接,从而传送外部设备来的信号。
在实施例2中,第一衬底501与印刷布线板510之间的间隙加有树脂513和掺入树脂513中的吸潮剂材料514,从而保护EL元件使其受潮气和氧的影响。当然,间隙中也可不充以树脂而充以惰性气体。此外,为防止EL元件变质,配备了第二密封件515将整个印刷布线板510覆盖住。
通过用上述方法将EL元件密封入树脂513中,EL元件就完全与外部环境隔绝,从而可以防止象潮气和氧之类加速有机材料氧化降解的物质从外面入侵,这样可以制造出高度可靠的EL显示器件。
此外,通过采用本发明可以抑制第一衬底上正极和负极的布线电阻引起的电压降,从而可以制造出能将图像均匀显示出来的EL显示器件。
实施例3
实施例3中示出了实施例1中所述EL显示器件结构经修改的一个实例。这里参看图6说明实施例3。第一衬底400上形成的TFT和EL元件,其结构与图4A和4B的相同,因而只有那些不同的组成部分用编号标出进行说明。
形成实施例1类似的结构直到形成负极437之后,再形成厚50至500纳米(最好在300和400纳米之间)的钝化膜601将负极437覆盖住。钝化膜601可采用氧化钽膜、氮化硅膜、氧化硅膜氮化氧化硅膜或这些膜组成的层叠膜。为使EL元件不致变质,薄膜淀程过程最好用汽相淀积法在150℃的温度下进行。
EL元件的密封在实施例3由钝化膜601完成。就是说,EL元件由钝化膜601加以保护使其不受潮气和氧之类外来物质的影响,因而实施例3的特点是EL显示器件的可靠性提高了。因此,虽然图4A和4B中看到的结构是EL元件用防外来物质影响的树脂407加以保护,但在实施例3中则无需特意如此进行密封,从而简化了EL显示器件的结构。
这里,各向异性导电膜602a和602b不仅仅和连接布线410a至410c及印刷布线板603上形成的PWB侧布线604电连接,而且还起确定第一衬底400与印刷布线板603之间间隙的作用。当然,可以配备分立的隔离层。
通过用上述方法将EL元件用钝化膜601密封起来,EL元件就完全与外部环境隔绝,从而可以避免受外来的诸如潮气和氧之类加速有机材料氧化降解的物质的入侵,从而可以制造出高度可靠的EL显示器件。
此外,通过采用本发明可以抑制设在第一衬底上的电流供应线和栅控制布线的布线电阻引起的电压降的产生,从而可以制造出可均匀显示出图像的EL显示器件。
这里可以把实施例3的结构和实施例1的结构结合起来使用。
实施例4
实施例4中示出了实施例1所述EL显示器件结构的一个修改实例。现在参看图7说明实施例4。第一衬底400上形成的TFT和EL元件具结构基本上与图4A和4B的相同。因此,只有那些不同的组成部分用编号标出并加以说明。
实施例4中,EL元件的结构与图4A和4B的相反。像素电极(阴极)701采用遮光导电膜,阳极702采用透明导电膜(在实施例4中为氧化甸和氧化锌的化合物膜)。因此,光发出的方向是朝图面的上部分(箭头所示的方向)。
EL元件完工时,覆盖件704与第一密封件703粘结,覆盖件704内部加有掺以吸潮材料的树脂706。覆盖件704可采用透光材料,可采用树脂膜、树脂衬底、塑料衬底、玻璃衬底或石英衬底。
接着,从第一衬底400的后表面开一个通孔,从而形成连接布线707a和707b。连接布线707a和707b再通过金、钎焊料或镍制成的凸块708a和708b与印刷布线板709上形成的PWB侧布线710电连接。PWB侧布线710与FPC711电连接。这里编号712表示将第一衬底400与印刷布线板709粘结起来的树脂,但结构也可不加树脂712。
通过采用实施例4可以抑制设在第一衬底上电流供应线和栅控制布线的布线电阻引起的电压降的产生,从而可以制造出能均匀显示出图像的EL显示器件。
实施例5
实施例1至4中说明了采用EL元件的发光器件。然而,本发明还可应用于EC(电致变色)显示器件、场致发光显示(FED)或采用半导体具发光二极管的发光器件。
实施例6
采用本发明制造出来的发光器件是自行发光式的器件,而且其视角宽广,因而比起液晶显示器件来,在光亮部位的可见度优异,因此可用作各种电子设备的显示部分。举例说,欣赏大屏幕电视广播悍,适宜采用本发明外壳装置有发光器件、对角线等于20至50英的显示部分。
这里外壳装有发光器件的显示部分包括所有象个人计算机显示部分。电视广播接收显示部分之类显示信息的显示部分,或广告显示部分。此外,本发明的发光器件还可用作其它各种电子设备的显示部分。
下面举这类电子设备的例子:电视摄像机,数码摄像机,防护镜式显示器(头戴式显示器),汽车导航系统,音响播放装置(例如汽车音响系统,音响组件系统),笔记本个人计算机,游戏设备,便携式信息终端(例如手提计算机,移动电话机,移动游戏机或电子本)和配备有记录媒体(具体地说,播放记录媒体配备有能显示这些图像的显示部分的器件,例如数码视频盘(DVD))。具体地说,由于便携式信息终端经常是从对角线方向观赏的,因而认为视角的宽度非常重要。因此,最好采用EL显示器件。图8和9示出了这些电子设备的一些例子。
图8A是外壳上装有发光器件的显示器,包括外壳2001、支座2002和显示部分2003。本发明可用于显示部分2003中。鉴于这类显示器是无需背景光自行发光式的显示器,因而其显示部分可以制造得比液晶显示器薄。
图8B是电视摄像机,包括主体2101、显示部分2102、音响输入部分2103、操作开关2104、电池2105和图像接收部分2106。本发明的发光器件可用于显示部分2102中。
图8C是头戴式EL显示器(右侧)的一部分,包括主体2201、信号电缆2202、头上固定带2203、显示部分2204、光学系统2205和发光器件2206。本发明可用于发光器件2206中。
图8D是图像播放机(具体地说,DVD播放机),配备有记录媒体,包括主体2301、记录媒体(例如DVD)2302、操作开关2303、显示部分(a)2304和显示部分(b)2305。显示部分(a)主要用来显示图像信息,图像部分(b)主要用来显示字符信息,本发明的发光器件可用于这些图像部分(a)和(b)中。这里家庭游戏机属于配备有记录媒体的图像播放机。
图8E是手提计算机,包括主体2401、摄影部分2402、图像接收部分2403、操作开关2404和显示部分2405。本发明的发光器件可用在显示部分2405中。
图8F是个人计算机,包括主体2501、外壳2502、显示部分2503和键盘2504。本发明的发光器件可用于显示部分2503中。
应该指出的是,将来若发光率提高,含输出图像的投射光可用透镜、光纤等诸如此类加以放大,那时有可能将发光器件用在正面式投影机或后面式投影机中。
发光器件的发光部分消耗功率,因此最好显示信息,使发光部分尽可能小。这样,当在主要显示字符信息的显示部分(例如便携式终端,特别是手提电话机和音响播放装置)中使用发光器件时,最好取不发光部分作为背景,在发光部分形成字符信息进行驱动。
图9A是手提电话机,包括主体2601、话音输出部分2602、话音输入部分2603、显示部分2604、操作开关2605和天线2506。本发明的发光器件可用在显示部分2604中。这里显示部分2604黑色背景上显示的字符采用白色字符可以降低手提电话机的耗电量。
图9B是音响播放机,具体地说,汽车的音响系统,它包括主体2701、显示部分2702和操作开关2703和2704。本发明的发光器件可用于显示部分2702中。此外,实施例6中还示出了汽车的音响播放装置,但它也可用作移动式和家庭式的音响播放装置。这里显示部分2704黑色背景上显示的字符采用白色字符可以降低耗电量。这在移动式音响播放装置中特别有效。
因此,本发明的应用范围特别广,本发明可应用到所有领域的电子设备。此外,实施例1至6中所示发光器件的任何结构可应用于本实施例的电子设备中。
实施例7
在室外使用显示部分采用本发明发光器件的电气设备的情况下,当然有时候要在光线不足、有时候要在光线充足的环境下观看显示部分的。然而,当光线不足时,即使亮度不太高也能充分辨认出所显示的内容,当光线充足时,若亮度不高就辨认不了所显示的内容。
就发光器件而论,由于亮度与元件的工作电流或工作电压成正比,因而需要提高亮度时,必须相应增加耗电量。然而,若发光率调得很高,则当光线不足时,在耗电量大到不必要程度的情况下,显示亮度比要求的还高。
为应付这种情况,应该给本发明的发光器件配备用传感器检测环境亮度、再根据亮度的大小调节发光率的功能,这样做还是有用的。更具体地说,光线充足时将发光率调高,光线不足时,将发光率调低。这样,就可制造出一种能避免耗电量提高又能使用户不感到疲劳的发光器件。
这里,检测环境亮度的传感器可采用CMOS传感器或CCD(电荷耦合器件)。这类CMOS传感器一般可集成在形成有发光元件的衬底上,或者在外面附上一个半导体芯片。此外,还可以将上面形成有这类CCD的半导体芯片附在形成有发光元件的衬底上,或者给显示部分采用发光器件的电气设备的部分配备CCD或CMOS传感器。
这里配备了一个控制电路供根据检测环境亮度的传感器获得的信号改变发光元件的工作电流或工作电压,用这个控制电路可以根据环境的亮度调节发光元件的发光率。应该指出的调节可以自动进行或手动进行。
应该指出,本实施例的结构可应用在实施例6所述的任何电气设备中。
在有源矩阵式或无源式发光器件中,因布线电阻引起的信号延迟和电压降减少了,从而提高驱动电路部分的工作速度,改进了像素部分图像质量的均匀性。
Claims (42)
1.一种显示器件,包括:
第一衬底;
与所述第一衬底相邻的第一布线,与一个像素电极电连接,所述像素电极与所述第一衬底相邻;
第二衬底;以及
与所述第二衬底相邻的第二布线,
其中所述第二布线在第一接触部分和第二连接部分与所述第一布线电连接。
2.根据权利要求1的显示器件,
其中所述第一布线是电流供应线,以及
其中所述第二布线是辅助电流供应线。
3.根据权利要求1的显示器件,其中所述第二布线包括选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属。
4.根据权利要求1的显示器件,其中所述第二布线的一部分位于所述第二衬底中。
5.根据权利要求1的显示器件,其中所述第二布线通过一种各向异性导电膜与所述第一布线电连接。
6.根据权利要求1的显示器件,其中所述第二布线通过一个凸起与所述第一布线电连接。
7.根据权利要求1的显示器件,还包括一个外部装置,通过柔性印刷板与所述第二布线电连接。
8.一种显示器件,包括:
第一衬底;
与所述第一衬底相邻的像素部分;
与所述第一衬底相邻的驱动器电路;
与所述第一衬底相邻的第一布线,与所述驱动器电路和位于所述像素部分中的一个像素电极电连接;
第二衬底;以及
与所述第二衬底相邻的第二布线,
其中所述第二布线在第一接触部分和第二连接部分与所述第一布线电连接,以及
其中所述第一接触部分位于所述驱动器电路和所述像素部分之间。
9.根据权利要求8的显示器件,
其中所述第一布线是电流供应线,以及
其中所述第二布线是辅助电流供应线。
10.根据权利要求8的显示器件,其中所述第二布线包括选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属。
11.根据权利要求8的显示器件,其中所述第二布线的一部分位于所述第二衬底中。
12.根据权利要求8的显示器件,其中所述第二布线通过一种各向异性导电膜与所述第一布线电连接。
13.根据权利要求8的显示器件,其中所述第二布线通过一个凸起与所述第一布线电连接。
14.根据权利要求8的显示器件,还包括一个外部装置,通过柔性印刷板与所述第二布线电连接。
15.一种显示器件,包括:
第一衬底;
与所述第一衬底相邻的第一布线,与一个像素电极电连接,所述像素电极与所述第一衬底相邻;
第二衬底;以及
与所述第二衬底相邻的第二布线,
其中所述第二布线在第一接触部分和第二连接部分与所述第一布线电连接,以及
其中所述第一布线位于所述第一衬底和所述第二衬底之间。
16.根据权利要求15的显示器件,
其中所述第一布线是电流供应线,以及
其中所述第二布线是辅助电流供应线。
17.根据权利要求15的显示器件,其中所述第二布线包括选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属。
18.根据权利要求15的显示器件,其中所述第二布线的一部分位于所述第二衬底中。
19.根据权利要求15的显示器件,其中所述第二布线通过一种各向异性导电膜与所述第一布线电连接。
20.根据权利要求15的显示器件,其中所述第二布线通过一个凸起与所述第一布线电连接。
21.根据权利要求15的显示器件,还包括一个外部装置,通过柔性印刷板与所述第二布线电连接。
22.一种显示器件,包括:
第一衬底;
与所述第一衬底相邻的第一布线,与一个像素电极电连接,所述像素电极与所述第一衬底相邻;
第二衬底;以及
与所述第二衬底相邻的第二布线,
其中所述第二布线在第一接触部分和第二连接部分与所述第一布线电连接,以及
其中所述第一衬底位于所述第一布线和所述第二衬底之间。
23.根据权利要求22的显示器件,
其中所述第一布线是电流供应线,以及
其中所述第二布线是辅助电流供应线。
24.根据权利要求22的显示器件,其中所述第二布线包括选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属。
25.根据权利要求22的显示器件,其中所述第二布线的一部分位于所述第二衬底中。
26.根据权利要求22的显示器件,其中所述第二布线通过一种各向异性导电膜与所述第一布线电连接。
27.根据权利要求22的显示器件,其中所述第二布线通过一个凸起与所述第一布线电连接。
28.根据权利要求22的显示器件,还包括一个外部装置,通过柔性印刷板与所述第二布线电连接。
29.一种显示器件,包括:
第一衬底;
与所述第一衬底相邻的像素部分;
与所述第一衬底相邻的驱动器电路;
与所述第一衬底相邻的第一布线,与所述驱动器电路和位于所述像素部分中的一个像素电极电连接;
第二衬底;以及
与所述第二衬底相邻的第二布线,
其中所述第二布线在第一接触部分和第二连接部分与所述第一布线电连接,
其中所述第一接触部分位于所述驱动器电路和所述像素部分之间,以及
其中所述第一布线位于所述第一衬底和所述第二衬底之间。
30.根据权利要求29的显示器件,
其中所述第一布线是电流供应线,以及
其中所述第二布线是辅助电流供应线。
31.根据权利要求29的显示器件,其中所述第二布线包括选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属。
32.根据权利要求29的显示器件,其中所述第二布线的一部分位于所述第二衬底中。
33.根据权利要求29的显示器件,其中所述第二布线通过一种各向异性导电膜与所述第一布线电连接。
34.根据权利要求29的显示器件,其中所述第二布线通过一个凸起与所述第一布线电连接。
35.根据权利要求29的显示器件,还包括一个外部装置,通过柔性印刷板与所述第二布线电连接。
36.一种显示器件,包括:
第一衬底;
与所述第一衬底相邻的像素部分;
与所述第一衬底相邻的驱动器电路;
与所述第一衬底相邻的第一布线,与所述驱动器电路和位于所述像素部分中的一个像素电极电连接;
第二衬底;以及
与所述第二衬底相邻的第二布线,
其中所述第二布线在第一接触部分和第二连接部分与所述第一布线电连接,
其中所述第一接触部分位于所述驱动器电路和所述像素部分之间,以及
其中所述第一衬底位于所述第一布线和所述第二衬底之间。
37.根据权利要求36的显示器件,
其中所述第一布线是电流供应线,以及
其中所述第二布线是辅助电流供应线。
38.根据权利要求36的显示器件,其中所述第二布线包括选自铜、银、金、铝和镍组成的组的金属。
39.根据权利要求36的显示器件,其中所述第二布线的一部分位于所述第二衬底中。
40.根据权利要求36的显示器件,其中所述第二布线通过一种各向异性导电膜与所述第一布线电连接。
41.根据权利要求36的显示器件,其中所述第二布线通过一个凸起与所述第一布线电连接。
42.根据权利要求36的显示器件,还包括一个外部装置,通过柔性印刷板与所述第二布线电连接。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP356736/99 | 1999-12-15 | ||
JP35673699 | 1999-12-15 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200510059434XA Division CN1662107B (zh) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | 发光器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1921138A true CN1921138A (zh) | 2007-02-28 |
CN100514668C CN100514668C (zh) | 2009-07-15 |
Family
ID=18450523
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200510059434XA Expired - Fee Related CN1662107B (zh) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | 发光器件 |
CNB2006101014134A Expired - Fee Related CN100514668C (zh) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | 发光器件 |
CNB001307800A Expired - Fee Related CN1204624C (zh) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | 发光器件 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200510059434XA Expired - Fee Related CN1662107B (zh) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | 发光器件 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB001307800A Expired - Fee Related CN1204624C (zh) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | 发光器件 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US6894431B2 (zh) |
EP (1) | EP1109224B1 (zh) |
JP (8) | JP4727035B2 (zh) |
KR (1) | KR100687087B1 (zh) |
CN (3) | CN1662107B (zh) |
DE (1) | DE60044419D1 (zh) |
TW (1) | TW465122B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102347453A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-08 | 三星移动显示器株式会社 | 显示设备及有机发光二极管显示设备 |
CN102468451A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 三星移动显示器株式会社 | 显示装置、显示装置的制造方法以及有机发光二极管显示器 |
CN111341931A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 乐金显示有限公司 | 封装结构、有机发光显示装置及其制造方法 |
Families Citing this family (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW465122B (en) | 1999-12-15 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device |
SG111923A1 (en) | 2000-12-21 | 2005-06-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2002330200A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 携帯無線装置 |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
JP4831892B2 (ja) | 2001-07-30 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4789369B2 (ja) * | 2001-08-08 | 2011-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
KR100768182B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자와 그 제조방법 |
JP3724725B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2005-12-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
JP4134312B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2008-08-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 分子ビーム装置 |
AU2003230320A1 (en) * | 2002-05-09 | 2003-11-11 | Peptron Co., Ltd | Sustained release formulation of protein and preparation method thereof |
JP4530083B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2010-08-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2004101948A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
TWI338366B (en) * | 2002-09-20 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device and manufacturing method thereof |
US7094684B2 (en) * | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP4050972B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-02-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
JP2004145011A (ja) | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Seiko Epson Corp | 配線基板、回路基板、電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
JP2004247077A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2004303522A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 表示装置及びその製造方法 |
US7250720B2 (en) | 2003-04-25 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4754772B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器 |
US7247986B2 (en) | 2003-06-10 | 2007-07-24 | Samsung Sdi. Co., Ltd. | Organic electro luminescent display and method for fabricating the same |
US7557779B2 (en) * | 2003-06-13 | 2009-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2005004096A1 (ja) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置およびその駆動方法 |
WO2005008800A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-01-27 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device with homogeneous brightness |
US20050052342A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | Ritdisplay Corporation | Dual display device |
TWI362231B (en) * | 2003-11-21 | 2012-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
JP4780950B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2011-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US7402946B2 (en) * | 2003-11-28 | 2008-07-22 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with absorbent film and fabrication method thereof |
JP4507611B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2010-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
JP4434769B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | ラインヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
KR100573132B1 (ko) * | 2004-02-14 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
US7411601B2 (en) * | 2004-08-03 | 2008-08-12 | Seiko Epson Corporation | Exposure head |
KR100700653B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR20060094685A (ko) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP4706296B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-06-22 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
JP4687179B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-05-25 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
US7851996B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
KR100720143B1 (ko) | 2005-12-13 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 |
KR20070095030A (ko) * | 2006-03-20 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP4868922B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-02-01 | コイズミ照明株式会社 | El光源体 |
EP1845514B1 (en) * | 2006-04-14 | 2013-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
JP2008058853A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP5298856B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2013-09-25 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
KR100916638B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2009-09-08 | 인하대학교 산학협력단 | 구조광을 이용한 토공량 산출 장치 및 방법 |
US7977678B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
KR100907414B1 (ko) * | 2008-01-18 | 2009-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
US20090236982A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Chang Gung University | Packaging structure of organic light-emitting diode and method for manufacturing the same |
KR101546528B1 (ko) * | 2008-04-16 | 2015-08-21 | 텔레콤 이탈리아 소시에떼 퍼 아찌오니 | 전기통신 네트워크를 동적으로 설정하는 방법 및 시스템 |
CN102084015A (zh) * | 2008-07-07 | 2011-06-01 | 三井金属矿业株式会社 | Al-Ni类合金布线电极材料 |
KR101375334B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2014-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP4853882B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2012-01-11 | 東北パイオニア株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US8432038B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through-silicon via structure and a process for forming the same |
US8405201B2 (en) * | 2009-11-09 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Through-silicon via structure |
JP5691167B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2015-04-01 | カシオ計算機株式会社 | 発光装置の製造方法 |
KR101084246B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
WO2011090269A2 (en) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package and manufacturing method of the same |
WO2011119558A2 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Lear Corporation | Printed circuit board having aluminum traces with a solderable layer of material of applied thereto |
CN101859541B (zh) * | 2010-04-29 | 2012-06-06 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
KR101769586B1 (ko) * | 2010-09-24 | 2017-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
CN102610170A (zh) * | 2010-10-14 | 2012-07-25 | 上海科斗电子科技有限公司 | 层叠led显示屏以及基于led技术的立体显示器 |
KR101797715B1 (ko) * | 2010-10-19 | 2017-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101808730B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101804554B1 (ko) * | 2010-11-01 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101757810B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2017-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 밀봉 기판의 제조 방법 |
KR101772142B1 (ko) * | 2010-11-29 | 2017-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 유기 발광 표시 장치용 밀봉 기판의 제조 방법 |
KR20120065136A (ko) | 2010-12-10 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 이의 제조 설비 |
KR20120066352A (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101839954B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2018-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
JP5827578B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光学素子の作製方法 |
KR20120109843A (ko) * | 2011-03-28 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 봉지 시트 및 그것을 구비한 유기 발광 표시 장치 |
KR20130004829A (ko) * | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
KR101860507B1 (ko) * | 2011-07-21 | 2018-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2013042533A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
TWI549283B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-09-11 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器以及製造其之方法 |
TWI675470B (zh) * | 2011-12-29 | 2019-10-21 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器以及其之製造方法和製造設備 |
WO2013114495A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | パナソニック株式会社 | El表示装置およびそれに用いる配線基板 |
DE102012207229B4 (de) * | 2012-05-02 | 2020-06-04 | Osram Oled Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
JP2013251255A (ja) | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP5935557B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2016-06-15 | ソニー株式会社 | 実装基板および光学装置 |
KR101926072B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2018-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
WO2014057678A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
US8890408B2 (en) * | 2013-01-18 | 2014-11-18 | Nokia Corporation | Method and apparatus for coupling an active display portion and substrate |
JP6490901B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2019-03-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
KR102058201B1 (ko) * | 2013-05-24 | 2019-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR20140144963A (ko) * | 2013-06-12 | 2014-12-22 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
JP2015022914A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR101512274B1 (ko) | 2013-08-21 | 2015-04-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
TWI794098B (zh) | 2013-09-06 | 2023-02-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置以及發光裝置的製造方法 |
KR102292148B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2021-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법 |
US9942962B2 (en) * | 2014-03-13 | 2018-04-10 | Oledworks Gmbh | Electronic device, device driver, and driving method |
KR102360783B1 (ko) | 2014-09-16 | 2022-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102284756B1 (ko) | 2014-09-23 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102456654B1 (ko) | 2014-11-26 | 2022-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
US10084135B2 (en) * | 2014-11-27 | 2018-09-25 | Industrial Technology Research Institute | Illumination device and method of fabricating an illumination device |
TWI696108B (zh) | 2015-02-13 | 2020-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法 |
CN107548523B (zh) * | 2015-05-01 | 2019-08-13 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光模块 |
US10170711B2 (en) * | 2015-05-05 | 2019-01-01 | Apple Inc. | Display with vias to access driver circuitry |
CN105118844A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板 |
CN105138163B (zh) * | 2015-07-30 | 2018-01-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光触控显示面板、其制备方法及显示装置 |
KR102407869B1 (ko) | 2016-02-16 | 2022-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
TWI694294B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 陣列基板 |
JP6862380B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2021-04-21 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
TWI671928B (zh) * | 2018-06-19 | 2019-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
JP2023081520A (ja) * | 2021-12-01 | 2023-06-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 電子部品の接続方法及び表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3219865A (en) * | 1963-05-01 | 1965-11-23 | Gen Electric | Electroluminescent display device with selected indicia |
US4061837A (en) * | 1976-06-17 | 1977-12-06 | Hutkin Irving J | Plastic-metal composite and method of making the same |
GB2049274B (en) | 1979-03-16 | 1983-04-27 | Sharp Kk | Moisture absorptive arrangement for a glass sealed thinfilm electroluminescent display panel |
US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
JPS63213290A (ja) * | 1987-02-28 | 1988-09-06 | アルプス電気株式会社 | 薄膜el素子 |
JPS6471899A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Nippon Zeon Co | Steroid compound |
JPH0171899U (zh) * | 1987-11-02 | 1989-05-15 | ||
US6121998A (en) * | 1992-02-19 | 2000-09-19 | 8×8, Inc. | Apparatus and method for videocommunicating having programmable architecture permitting data revisions |
JP3312756B2 (ja) * | 1992-12-16 | 2002-08-12 | 株式会社日本化学工業所 | 蛍光材料 |
US5457356A (en) * | 1993-08-11 | 1995-10-10 | Spire Corporation | Flat panel displays and process |
US5777610A (en) * | 1993-10-28 | 1998-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Small-sized, lightweight display device easy to rework and method of assembling the same |
US5482896A (en) | 1993-11-18 | 1996-01-09 | Eastman Kodak Company | Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same |
JPH07169567A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
US5532550A (en) * | 1993-12-30 | 1996-07-02 | Adler; Robert | Organic based led display matrix |
JPH07273453A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
US5831387A (en) * | 1994-05-20 | 1998-11-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus and a method for manufacturing the same |
KR100327686B1 (ko) | 1994-09-27 | 2002-08-24 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 다층프린트배선반,액정표시장치,및전자인쇄장치 |
US5650640A (en) * | 1995-04-05 | 1997-07-22 | Motorola | Integrated electro-optic package |
WO1996042107A1 (en) * | 1995-06-13 | 1996-12-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor and method of production of semiconductor device |
US6091194A (en) * | 1995-11-22 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Active matrix display |
JP3290584B2 (ja) | 1996-02-07 | 2002-06-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
TW364275B (en) * | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
US5703394A (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-30 | Motorola | Integrated electro-optical package |
US20020075422A1 (en) | 1996-09-19 | 2002-06-20 | Seiko Epson Corporation | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
JP3858809B2 (ja) | 1996-09-19 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
CN100485904C (zh) | 1996-09-19 | 2009-05-06 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
JPH10134959A (ja) | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Sharp Corp | 薄膜elパネル |
JPH10142633A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ集積装置およびその製造方法並びに液晶表示装置 |
JPH10161563A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
US6153973A (en) * | 1996-12-26 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacer and an image-forming apparatus, and a manufacturing method thereof |
JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TW441136B (en) * | 1997-01-28 | 2001-06-16 | Casio Computer Co Ltd | An electroluminescent display device and a driving method thereof |
JPH10308165A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Pioneer Electron Corp | 電子放出素子及びこれを用いた表示装置 |
US5929474A (en) | 1997-03-10 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array |
JP3676074B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2005-07-27 | Tdk株式会社 | ホットメルト材およびラミネート体とその製造方法 |
JP3871764B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2007-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型の表示装置 |
US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
JPH11135950A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Sony Corp | 多層配線板及びその製造方法 |
US6370019B1 (en) * | 1998-02-17 | 2002-04-09 | Sarnoff Corporation | Sealing of large area display structures |
ATE295601T1 (de) * | 1998-03-12 | 2005-05-15 | Seiko Epson Corp | Aktivmatrix-lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren |
JPH11312867A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 複層回路基板 |
JPH11339968A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4164910B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 有機elディスプレイおよび有機elディスプレイの製造方法 |
US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6501098B2 (en) * | 1998-11-25 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device |
US6312304B1 (en) * | 1998-12-15 | 2001-11-06 | E Ink Corporation | Assembly of microencapsulated electronic displays |
US6274978B1 (en) * | 1999-02-23 | 2001-08-14 | Sarnoff Corporation | Fiber-based flat panel display |
US6724149B2 (en) | 1999-02-24 | 2004-04-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance |
US7402467B1 (en) * | 1999-03-26 | 2008-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
KR100694959B1 (ko) * | 1999-04-02 | 2007-03-14 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
JP3259774B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
JP4345153B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2009-10-14 | ソニー株式会社 | 映像表示装置の製造方法 |
TW468283B (en) | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
US6580094B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
TW465122B (en) | 1999-12-15 | 2001-11-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device |
US6501525B2 (en) * | 2000-12-08 | 2002-12-31 | Industrial Technology Research Institute | Method for interconnecting a flat panel display having a non-transparent substrate and devices formed |
-
2000
- 2000-11-29 TW TW089125380A patent/TW465122B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-07 US US09/732,049 patent/US6894431B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-12 KR KR1020000075431A patent/KR100687087B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-14 JP JP2000379725A patent/JP4727035B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 CN CN200510059434XA patent/CN1662107B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 CN CNB2006101014134A patent/CN100514668C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-15 EP EP00127536A patent/EP1109224B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 DE DE60044419T patent/DE60044419D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 CN CNB001307800A patent/CN1204624C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-17 US US11/083,189 patent/US7145289B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-11 US US11/484,195 patent/US7514864B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-01 US US12/416,356 patent/US8049419B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-10 JP JP2011052451A patent/JP5094983B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-28 US US13/284,031 patent/US8319424B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-11-11 JP JP2011247238A patent/JP5492862B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-10-30 JP JP2012238837A patent/JP2013057958A/ja not_active Withdrawn
- 2012-11-21 US US13/683,593 patent/US8716933B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-17 US US14/255,394 patent/US9368517B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-25 JP JP2014151370A patent/JP5997731B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-04-01 JP JP2016073892A patent/JP6352328B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2016-05-26 US US15/165,169 patent/US9515098B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-11-30 US US15/364,604 patent/US9843015B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-12 JP JP2017095432A patent/JP2017174826A/ja not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-07-13 JP JP2018132823A patent/JP2018189979A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102347453A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-02-08 | 三星移动显示器株式会社 | 显示设备及有机发光二极管显示设备 |
US8907561B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and organic light emitting diode display device |
CN102347453B (zh) * | 2010-07-28 | 2015-07-29 | 三星显示有限公司 | 显示设备及有机发光二极管显示设备 |
CN102468451A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 三星移动显示器株式会社 | 显示装置、显示装置的制造方法以及有机发光二极管显示器 |
CN102468451B (zh) * | 2010-10-28 | 2015-10-07 | 三星显示有限公司 | 显示装置、显示装置的制造方法以及有机发光二极管显示器 |
CN111341931A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 乐金显示有限公司 | 封装结构、有机发光显示装置及其制造方法 |
CN111341931B (zh) * | 2018-12-18 | 2023-04-07 | 乐金显示有限公司 | 封装结构、有机发光显示装置及其制造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1204624C (zh) | 发光器件 | |
US7847477B2 (en) | Method of manufacturing display unit and display unit | |
JP2006261123A (ja) | カーオーディオ、表示装置、音響再生装置、及び携帯情報端末 | |
JP5052577B2 (ja) | El表示装置 | |
JP5728531B2 (ja) | El表示装置 | |
JP5917593B2 (ja) | 携帯情報端末、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーションシステム | |
JP5520995B2 (ja) | El表示装置 | |
JP2011100743A (ja) | 電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090715 Termination date: 20171215 |