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CN1905228A - 半导体发光装置 - Google Patents

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CN1905228A
CN1905228A CNA2006101081459A CN200610108145A CN1905228A CN 1905228 A CN1905228 A CN 1905228A CN A2006101081459 A CNA2006101081459 A CN A2006101081459A CN 200610108145 A CN200610108145 A CN 200610108145A CN 1905228 A CN1905228 A CN 1905228A
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China
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wavelength
light
phosphor
semiconductor light
emitting device
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CNA2006101081459A
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大塚一昭
下村健二
武泽初男
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

提供一种半导体发光装置，其特征在于，具备：发射第1波长光的半导体发光元件；吸收所述第1波长光并发射波长比所述第1波长光的波长长的第2波长光的第1荧光体；吸收所述第1波长光并发射波长比所述第2波长光的波长长的第3波长光的第2荧光体，所述第1荧光体和第2荧光体由共同的化学组成式表示，由所述第1波长光、所述第2波长光、和所述第3波长光产生混合色的发光。

Description

半导体发光装置
相关申请的前后参照
本申请基于并主张申请日为2005年7月29日、申请号为2005-220549号的日本专利申请的优先权，该申请的全部内容被包括在本申请中作为参考。
背景技术
近年，半导体发光装置，作为照明和显示器装置等的光源而被广泛地使用。特别是，由于使用了氮化镓(GaN)类材料的蓝色发光元件(蓝色LED)的实现，白色发光型的半导体发光装置的用途也飞跃地扩大。
白色发光型的半导体发光装置，由具有紫外线～蓝色的波长范围的氮化镓类发光元件，和发射通过吸收该发射光而被激发的、波长更长的光的荧光体构成。例如，通过以规定的比率将来自于蓝色发光元件的发射光和来自于将蓝色光变换为黄色的黄色荧光体的黄色光混合在一起，合成白色光。这时，作为黄色荧光体的一例，有硅酸盐荧光体(Me1-yEuy)2SiO4(Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种金属元素)。
在该构成中，由于红色成分较少，因此缺少红色的色彩显现性。可是，在照明等用途中，喜欢“暖色系”，即“灯泡颜色”的倾向较强。因此，有用由氧氮化物构成的红色荧光体来改善红色的色彩显现性的公开例(特开2005-112922号公报)。但是，氧氮化物荧光体的组成，在物理、化学方面与黄色荧光体的组成不同。其结果，两种荧光体在密封树脂中不容易均匀地分散，在批量生产的制品中出现色度变动，即“色相不均”。另外，制造程序的再现性也不充分。其结果，相对于照明和显示器装置的光源等用途，特性不充分。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种半导体发光装置，其特征在于，具备：
发射第1波长光的半导体发光元件；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第1波长光的波长长的第2波长光的第1荧光体；和
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第2波长光的波长长的第3波长光的第2荧光体，
所述第1荧光体和所述第2荧光体，用共同的化学组成式表示；
由所述第1波长光、所述第2波长光、和所述第3波长光产生混合色的发光。
另外，根据本发明的另一个方面，提供一种半导体发光装置，其特征在于，具备：
具有由InxGayAl1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1)构成的发光层、并发射第1波长光的半导体发光元件；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第1波长光的波长长的第2波长光的第1荧光体；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第2波长光的波长长的第3波长光的第2荧光体；
所述第1荧光体以及所述第2荧光体都用共同的化学组成式(Me1-yEuy)2SiO4(Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜y≤1)表示，并且组成比y彼此不同。
附图说明
图1是表示本发明的第1具体例的半导体发光装置的示意剖面图。
图2是表示本发明的具体例的黄色荧光体的受激光谱的图。
图3是将本发明的具体例的半导体发光装置的发光光谱，与第1比较例的发光光谱进行对比的图。
图4是本发明的第1具体例的半导体发光装置的色度图。
图5是第2比较例的色度图。
图6是表示第1具体例的制品的色度变动分布的色度图。
图7是表示第2比较例的色度变动分布的色度图。
图8是表示有关液状密封树脂中的沉淀度的、第1具体例和第2比较例的对比的照片。
图9是表示本发明的第1具体例的半导体发光装置的轴上光度-正向电流特性的图。
图10(a)是表示本发明的第1具体例的半导体发光装置的垂直面内指向特性的图，(b)是表示指向特性测定剖面的示意平面图。
图11是本发明的第2具体例的半导体发光装置的色度图。
图12是本发明的第3具体例的半导体发光装置的色度图。
图13是本发明的第4具体例的半导体发光装置的色度图。
图14是表示第4具体例的半导体发光装置的发光光谱的图。
图15是表示第4具体例的制品的色度变动分布的色度图。
图16是本发明的第5具体例的半导体发光装置的色度图。
图17是表示第5具体例的半导体发光装置的发光光谱的图。
图18是表示第5具体例的制品的色度变动分布的色度图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施形态。
图1，是表示本发明的第1具体例的半导体发光装置60的示意剖面图。
该半导体发光装置60具有用银膏13等将蓝色半导体发光元件10粘接在构成第1引线40的厚的内部引线402上的结构。在内部引线402上，设有第1凹部19，半导体发光元件10被粘接在第1凹部19的底面上。
设在半导体发光元件10的上表面上的电极(图未示)和第2引线44，由键合引线25连接在一起。本结构属于所谓的SMD(SurfaceMounting Device：表面安装)型半导体发光装置。
由金属构成的第1引线40以及第2引线44，例如埋入热塑性树脂42等中。内部引线402比外部引线404厚，并对半导体发光元件10具有散热作用。在热塑性树脂42的上部，以与第1凹部19连续的方式设有第2凹部50。在热塑性树脂42的内部，设有倾斜的反射镜46。反射镜46以及第1凹部19的内部侧面20，具有将来自于半导体发光元件10的发射光以及由荧光体进行了波长变换的光向上方反射的作用。
在设在内部引线402上的第1凹部19以及半导体发光元件10的上部，设有混合了荧光体的硅酮那样的密封树脂23。如果将密封树脂23做成半球状或半椭圆体状，则可以具有聚光的透镜功能，可以很容易地进行指向特性的控制。如图1中局部放大图示的那样，在本具体例中，将由硅酸盐构成的黄色荧光体21以及由硅酸盐构成的橙色荧光体22分散配置在透明树脂23内。其结果，来自于蓝色半导体发光元件10的发射光通过被黄色荧光体21吸收、激发进行波长变换，从而产生黄色光。另外，来自于蓝色半导体发光元件10的蓝色发射光通过被橙色荧光体22吸收、激发进行波长变换，从而产生橙色光。其结果，可以得到带有暖色的白色光，换言之，可以得到“灯泡颜色”。
其次，进一步详细地说明荧光体。
在本具体例中，由用共同的化学组成式(Me1-yEuy)2SiO4(Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜y≤1)的表示的硅酸盐荧光体，分别构成黄色荧光体21以及橙色荧光体22。再者，Ba(钡)、Sr(锶)、Ca(钙)被称为“碱土金属”。
图2是表示本具体例所使用的由硅酸盐构成的黄色荧光体21的受激光谱的波长依赖性的图。
在横轴上表示来自于半导体发光元件10那样的光源的波长(单位：nm)，在纵轴上表示来自于荧光体的相对激发强度。在波长为300～490纳米的范围内，来自于光源的发射光被激发，从而得到较高的激发强度。在本具体例中，用450～470纳米的蓝色半导体发光元件10进行激发。
图3是表示半导体发光装置的发光光谱的图，纵轴表示相对发光强度，横轴表示发光波长(单位：nm)。
用实线表示由蓝色半导体发光元件10的发光、黄色荧光体21的波长变换光、和橙色荧光体22的波长变换光这3色混合而成的本具体例的半导体发光装置60的“灯泡颜色”。相对发光强度的峰值，在作为蓝色半导体发光元件10的发射光的发光中心的450纳米、和由荧光体进行了波长变换的580纳米的附近。
另一方面，在第1比较例中，通过约450纳米的蓝色半导体发光元件10的发射光和黄色荧光体21的黄色光的混合，得到白色光，并用虚线来表示它。在作为来自于蓝色半导体发光元件10的发射光的波长中心的450纳米附近，以及作为来自于黄色荧光体21的波长变换光的波长中心的575纳米附近，出现发光光谱强度的峰值。通过这2种光的混合，得到第1比较例的白色光。
在本具体例中，由于具有橙色荧光体22，因此在大于等于580纳米的波长范围内的发光光谱与第1比较例不同。特别是，在图3中，在用双点划线表示的A部的580～700纳米波长范围内，可以使相对发光强度高于第1比较例。通过加强该红色光谱成分，与第1比较例相比，可以改善红色色彩显现性。
再者，在此，使来自于蓝色半导体发光元件10的波长光在大于等于430纳米小于490纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。另外，使来自于黄色荧光体的发射波长光在大于等于490纳米小于580纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。进而，使来自于橙色荧光体的发射波长光在大于等于580纳米小于620纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。
其次，说明用(Me1-yEuy)2SiO4(Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜y≤1)表示的硅酸盐荧光体的、即用共同的化学组成式表示的黄色荧光体21和橙色荧光体22的组成的不同。再者，Me2SiO4也被称为母体材料，形成发光中心的Eu(铕)也被称为活化剂。
作为黄色荧光体21的一例，在上述化学组成式中，可以以Sr(锶)为1.78、Ba(钡)为0.12、Eu(铕)为0.10、Si(硅)为1.0、O(氧)为4.0的方式，选择各组成比。
另外，作为橙色荧光体22的一例，在上述化学组成式中，可以以Sr为1.33，Ca为0.57，Eu为0.10，Si(硅)为1.0，O(氧)为4.0的方式，选择各组成比。这样，通过使由Me表示的Ba、Sr、Ca(钙)、Mg(镁)的组成比变化，可以使发光光谱变化。这时，由于用共同的化学组成式表示，意味着物理、化学特性较接近，因此所含有的元素Me在两者之间也可以不完全相同。
其次，说明荧光体的粒径。
一般，在荧光体的表面上有“破碎层”。该破碎层的厚度由破碎工序决定，因此荧光体的粒径较大，可以降低表面破碎层的容积率。其结果，粒径较大的荧光体可以实现高亮度。从这个理由来说，荧光体的粒径下限最好设为3微米左右。
另一方面，荧光体的在液状树脂中的沉淀速度(v)，在粒径(d)、荧光体密度(ρp)、树脂密度(ρ)、以及树脂粘度(η)之间，近似成立如下的关系(式1)。
v＝C(ρp-ρ)d2/η                      (式1)
其中，C是常数。
如(式1)所示，如果荧光体的粒径大，则在密封树脂中的沉淀速度就大。于是，在组装工序中，荧光体的分散状态，随从混合到液状密封树脂中开始到开始加热固化为止的时间而变化。为了降低该影响，可以将荧光体粒径的上限，例如设为20微米。
图4，是按CIE(Commission International de I‘Eclairage：国际照明委员会)标准的色度图。曲线部分是发光波长为380～780纳米的光谱轨迹，连结两个端点的直线，是纯紫轨迹。
来自于蓝色半导体发光元件10的450纳米发射光，xy坐标用(0.15，0.03)表示。来自于峰值波长约为575纳米的黄色荧光体21的波长变换光，xy坐标用(0.480，0.505)表示。另外，来自于峰值波长约为593纳米的橙色荧光体22的波长变换光，xy坐标用(0.498，0.472)表示。其结果，可以实现连结这3点的三角形内的色度，并且通过适当地选择配合比，实现中央附近的白色光。再者，A、B、D65表示标准光。
再者，通过来自于蓝色半导体发光元件10的450纳米发射光和来自于黄色荧光体21的波长变换光的混色，可以实现连结这2点的直线M上的色度。第1比较例可以以这种方式得到。这时，红色光谱成分，如图3的虚线所示，比本具体例少，因此成为缺乏红色色彩显现性的白色光，缺乏“暖色”。
相对于此，在本具体例中，可以由橙色荧光体22加强红色光谱成分，从而可以增加“暖色”。另外，如图4所示那样，在色度图中，由于可以实现三角形区域内的混合，因此也出现在混色方面自由度增加的效果。
在此，说明第2比较例。
在本具体例中，为了改善红色色彩显现性，使用由硅酸盐荧光体构成的橙色荧光体22。但是，为了增加红色光谱成分，也可以考虑使用氮化物荧光体或氧氮化物荧光体。在此，将使用了氮化物荧光体的情况作为第2比较例来进行说明。
作为氮化物荧光体，有Me2Si5N8:Eu(Me是Sr、Ba、Ca)、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu等。例如，将通过来自于用化学组成式Me2Si5N8:Eu(Me是Sr、Ba、Ca)表示的红色荧光体的波长变换光、来自于蓝色半导体发光元件的450纳米发射光、和来自于由硅酸盐构成的黄色荧光体的波长变换光的混色得到白色光的情况作为第2比较例。
图5表示了第2比较例的色度图。来自于峰值波长约为652纳米的红色荧光体的波长变换光，xy坐标用(0.630，0.370)表示。
虽然通过以上3色的混色可得到白色光，但由氮化物或氧氮化物构成的红色荧光体的化学组成式和黄色荧光体的化学组成式不同。因此，它们在比重和形状等物理特性以及其他的化学特性等方面不同。其结果，在密封树脂中不能将这2种荧光体均匀地分散，因此在制品中出现色度变动，即“色相不均”。另外，制造程序的再现性也不充分。
其次，说明有关由荧光体的沉淀速度的不同产生的色度变动，即“色相不均”的比较结果。
图6是测定在本具体例中将液状密封树脂、黄色荧光体21、橙色荧光体22混合、并在放置2小时后加热固化的图1所示的结构的半导体发光装置60的色度变动分布的结果。图6将图4所示的色度图中的、坐标x以及y为0.35～0.45的范围局部放大来表示。用白圈(○)标记表示从半导体发光装置60的制品群中抽出了10个样品的色度。虽然x在0.398～0.422的范围内、y在0.385～0.402的范围内变动，但样品的色度变动范围较小。这可能表示由于黄色荧光体21和橙色荧光体22的沉淀速度的差较小，因此这2种荧光体很好地混合并分散配置。
图7是在第2比较例中将液状密封树脂、黄色荧光体、由氮化物荧光体构成的红色荧光体混合，并在放置2小时后进行加热固化的半导体发光装置的色度变动分布测定结果。该结构与图1所示的结构相同。图7也将色度图局部放大来表示，黑四边形(■)标记表示各样品的色度。如本图所示那样，x在0.402～0.429的范围内变动，y在0.371～0.395的范围内变动。该变动范围与图6所示的本第1具体例相比较大。
其理由可能如下。即，在第2比较例中，由于黄色荧光体和红色荧光体的化学组成式不同，因此形状和比重不同，不能被均匀地混合。其结果，2种荧光体在沉淀速度上产生差，沉淀层变得不均匀。
图8是将液状密封树脂和荧光体混合，比较放置96小时后的沉淀度的照片。
在作为第2比较例的左侧的样品中，由于沉淀速度的差，黄色荧光体沉淀层YE分离沉淀在下方，红色荧光体沉淀层OR分离沉淀在上方。在图8中，虽然较难出来对比效果，但如果用肉眼观察，红色荧光体沉淀层OR带有红色，相对于此，黄色荧光体沉淀层YE可以看见是基本没有红色的黄色。并且，可以观察到在这些边界附近，红色成分逐渐减少的层次。
相对于此，在作为本具体例的右侧的样品中由于沉淀速度的差较小，因此混合沉淀层MI以配合比相对于深度方向距离大致一样的状态沉淀。即便用肉眼观察，也可以看见整体是一样的，看不到颜色的不均匀。其结果，可以使色度变动较小(即，“色相不均”较少)，使特性较均匀，在组装工序的再现性方面也良好。
另外，在第2比较例的由氮化物构成的红色荧光体中，大量含有红外发光光谱成分。其结果，波长变换的变换效率降低。相对于此，在本具体例中，红外发光光谱成分可以减少，因此可以抑制变换效率的降低。
其次，说明本具体例的半导体发光装置60的特性。
图1所示的结构，由于内部引线402比外部引线404厚，因此散热性良好，可以实现更大的电流动作。
图9是本具体例的半导体发光装置60的轴上光度-正向电流特性(Ta＝25℃)。在正向电流为350mA的情况下，可以得到6250mcd的光输出。另外，由于由设在第1引线40上的第1凹部19的侧面20以及设在被设在热塑性树脂42上的第2凹部50的侧面上的反射镜46有效地将光导向上方，因此可以改善光取出效率，并可以实现指向性控制。
图10(a)是表示本具体例的半导体发光装置60的指向特性的图。
另外，图10(b)是本具体例的半导体发光装置60的示意平面图。
在沿着粘接在半导体发光装置60上的半导体发光元件10的一条中心线A-A’的剖面中，如果改变测定点和垂直轴所成的角度来测定从半导体发光元件10向上方发射的光的发光强度，就可以得到图10(a)那样的指向特性。发射光的光度相对值，由半径方向的坐标表示。在本结构中，半导体发光元件10的垂直光轴上最大，将该光度相对值设为“1”。
另外，将相对光度是最大值的1/2的角度称为半值全角θ。在本具体例中，半值全角θ是40度，可以得到敏锐的指向性。这是由于如图1所示那样，使密封树脂23具有聚光透镜功能。进而，半值全角θ也可以由第1凹部19的侧面20以及第2凹部50的反射镜46的形状和倾斜角度控制。
这样，通过第1具体例的高输出性、指向特性的高控制性，可以实现长寿命且容易保养的、适合于照明用途的半导体发光装置60。例如，在航空机、机动车、电车等的点照明中，可以实现活用了小型、轻量、容易保养、长寿命等特征的大范围的用途。进而，由于改善了红色色彩显现性，因此可以得到“暖色”系的白色光，进一步适合于上述用途。
以上，参照具体例说明了本发明的实施形态。但是，本发明不限于此。例如，半导体发光元件发射光的波长，也可以小于等于450纳米，例如包括紫外光区域。
另外，也可以包括大于等于3种的用共同的化学组成式表示的荧光体。
图11是具备3种硅酸盐荧光体的第2具体例的半导体发光装置的色度图。来自于蓝色半导体发光元件的发射光，xy坐标用(0.155，0.026)表示。来自于由硅酸盐构成的黄色荧光体的波长变换光，xy坐标用(0.431，0.545)表示。同样地，来自于由硅酸盐构成的橙色荧光体的波长变换光，用由xy坐标(0.498，0.472)表示，来自于由硅酸盐构成的黄绿色荧光体的波长变换光，用xy坐标(0.221，0.615)表示。通过用这些坐标表示的光的混合，可以得到色彩显现性更丰富的白色光。
作为荧光体，不限于硅酸盐荧光体。
图12是具备3种用共同的化学组成式表示的氮化物荧光体的第3具体例的半导体发光装置的色度图。来自于蓝色半导体发光元件的发射光，xy坐标用(0.155，0.026)表示。来自于由氮化物构成的黄色荧光体的波长变换光，用xy坐标(0.510，0.480)表示。同样地，来自于由氮化物构成的黄绿色荧光体的波长变换光，用xy坐标(0.335，0.640)表示，另外来自于由氮化物构成的红色荧光体的波长变换光，用xy坐标(0.678，0.318)表示。通过用这些坐标表示的光的混合，可以得到色彩显现性更丰富的白色光。
图13是具备2种氮化物荧光体的第4具体例的半导体发光装置60的色度图。来自于蓝色半导体发光元件10的470纳米发射光，xy坐标用(0.100，0.130)表示。在此，用(Me1-zEuz)2Si5N8(0＜z≤1，Me是从Sr、Ba、Ca、Mg中选择的至少一种元素)表示氮化物荧光体的化学组成式。如果黄色荧光体21的组成为(Ba0.93Eu0.07)2Si5N8，则其峰值波长在578纳米附近，波长变换光用xy坐标(0.500，0.480)表示。另外，如果橙色荧光体22的组成为(Ba0.8Eu0.2)2Si5N8，则其峰值波长在610纳米附近，波长变换光用xy坐标(0.570，0.405)表示。通过用这些坐标表示的光的混合，可以得到白色光。
图14是将第4具体例的发光光谱与第1比较例进行对比的图。如实线所示，在第4具体例中，在580～700纳米波长范围的A部分，可以使相对发光强度高于第1比较例。通过这种红色光谱的加强，与第1比较例相比，可以改善红色色彩显现性。
图15是测定用与第1具体例同样的方法将黄色荧光体21以及橙色荧光体22和液状密封树脂混合后加热固化的半导体发光装置60的色度变动分布的结果。10个样品的变动范围小于将化学组成式不同的2种荧光体混合的第2比较例。这表示由于黄色荧光体21和橙色荧光体22的沉淀速度的差较小，因此可以很好地混合并分散配置的情况。
作为荧光体，也可以是用化学组成式(Y、Gd)3Al5O12:Ce表示的YAG荧光体。
图16是具备2种YAG荧光体的第5具体例的半导体发光装置60的色度图。来自于蓝色半导体发光元件10的470纳米发射光，xy坐标用(0.100，0.130)表示。如果黄色荧光体21的组成为(Y0.4Gd0.6)3Al5O12:Ce，则其峰值波长在578纳米附近，波长变换光用xy坐标(0.500，0.480)表示。另外，如果橙色荧光体22的组成为(Y0.2Gd0.8)3Al5O12:Ce，则其峰值波长在600纳米附近，波长变换光用xy坐标(0.570，0.410)表示。通过用这些坐标表示的光的混合，可以得到白色光。
图17是将第5具体例的发光光谱和第1比较例进行对比的图。通过使用YAG荧光体，光谱的半值宽度在长波长那一侧约扩大10nm。在第5具体例中，与第1比较例相比，可以改善红色色彩显现性
图18是测定半导体发光装置60的色度变动分布的结果。10个样品的变动范围小于第2比较例。这表示在YAG荧光体中，黄色荧光体21和橙色荧光体22也很好地混合并分散配置在树脂中。再者，YAG荧光体的化学组成式也可以是(YuGd1-u)3(AlwGa1-w)5O12:Ce(0＜u≤1，0＜w≤1)。
除此之外，对于构成半导体发光装置的半导体发光元件、引线、荧光体、密封树脂等各要素的形状、尺寸、材质、配置关系等，本领域技术人员添加了各种设计变更的，只要具有本发明的宗旨，都包括在本发明的范围内。

Claims (19)

1.一种半导体发光装置，其特征在于，具备：
发射第1波长光的半导体发光元件；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第1波长光的波长长的第2波长光的第1荧光体；和
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第2波长光的波长长的第3波长光的第2荧光体，
所述第1荧光体和所述第2荧光体用共同的化学组成式表示；
由所述第1波长光、所述第2波长光、和所述第3波长光产生混合色的发光。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体都是硅酸盐荧光体。
3.如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体，都用共同的化学组成式(Me1-uEuy)2SiO4表示，并且组成比y彼此不同，其中，Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜y≤1。
4.如权利要求3所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体作为用Me表示的元素，都含有Sr和Ba。
5.如权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述第1波长光在大于等于430纳米小于490纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第2波长光在大于等于490纳米小于580纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第3波长光在大于等于580纳米小于620纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。
6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体都是氮化物荧光体。
7.如权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述半导体发光元件的发光层由InxGayAl1-x-yN构成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1；
所述第1荧光体以及所述第2荧光体，都由(Me1-zEuz)2Si5N8构成，并且组成比z彼此不同，其中，Me是从Sr、Ba、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜z≤1。
8.如权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体中，作为用Me表示的元素，都含有Sr和Ba。
9.如权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述第1波长光在大于等于430纳米小于490纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第2波长光在大于等于490纳米小于580纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第3波长光在大于等于580纳米小于620纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。
10.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体都是YAG荧光体。
11.如权利要求10所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述半导体发光元件的发光层由InxGayAl1-x-yN构成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1；
所述第1荧光体以及所述第2荧光体都由(YuGd1-u)3(AlwGa1-w)5O12：Ce构成，并且组成比u以及w之中至少有一个彼此不同，其中，0＜u≤1，0＜w≤1。
12.一种半导体发光装置，其特征在于，具备：
具有由InxGayAl1-x-yN构成的发光层、并发射第1波长光的半导体发光元件，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1；
吸收所述第1波长光，并发射波长比所述第1波长光的波长长的第2波长光的第1荧光体；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第2波长光的波长长的第3波长光的第2荧光体；
所述第1荧光体以及所述第2荧光体都用共同的化学组成式(Me1-yEuy)2SiO4表示，并且组成比y彼此不同，其中，Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜y≤1。
13.如权利要求12所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第1荧光体以及所述第2荧光体，作为用Me表示的元素，都含有Sr和Ba。
14.如权利要求12所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述第1波长光在大于等于430纳米小于490纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第2波长光在大于等于490纳米小于580纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第3波长光在大于等于580纳米小于620纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。
15.一种半导体发光装置，其特征在于，具备：
发射第1波长光的半导体发光元件；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第1波长光的波长长的第2波长光的第1荧光体；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第2波长光的波长长的第3波长光的第2荧光体；
吸收所述第1波长光并发射波长比所述第3波长光的波长长的第4波长光的第3荧光体；
所述第1荧光体、所述第2荧光体、和所述第3荧光体用共同的化学组成式表示；
由所述第1波长光、所述第2波长光、所述第3波长光、和所述第4波长光产生混合色的发光。
16.如权利要求15所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述第1波长光在大于等于430纳米小于490纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值；
所述第2波长光、所述第3波长光、和所述第4波长光在大于等于490纳米小于620纳米的波长范围内具有发光光谱的峰值。
17.如权利要求15所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述半导体发光元件的发光层，由InxGayAl1-x-yN构成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1；
所述第1荧光体、所述第2荧光体、和所述第3荧光体都由(Me1-yEuy)2SiO4构成，并且组成比y都不同，其中，Me是从Ba、Sr、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜y≤1。
18.如权利要求15所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述半导体发光元件的发光层由InxGayAl1-x-yN构成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1；
所述第1荧光体、所述第2荧光体、和所述第3荧光体都由(Me1-zEuz)2Si5N8构成，并且组成比z都不同，其中，Me是从Sr、Ba、Ca、Mg中选择的至少一种元素，0＜z≤1。
19.如权利要求15所述的半导体发光装置，其特征在于：
所述半导体发光元件的发光层，由InxGayAl1-x-yN构成，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x+y≤1；
所述第1荧光体、所述第2荧光体、和所述第3荧光体都由(YuGd1-u)3(AlwGa1-w)5O12：Ce构成，并且组成比u和w之中至少有一个不同，其中，0＜u≤1，0＜w≤1。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102299246A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 松下电工株式会社 发光器件
CN101755164B (zh) * 2007-05-08 2013-03-27 科锐公司 照明装置和照明方法
CN102124263B (zh) * 2008-06-25 2013-07-24 克里公司 包括光混合的固态照明装置
US8598618B2 (en) 2008-04-17 2013-12-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White light emitting device, backlight, liquid crystal display device, and illuminating device
CN105322070A (zh) * 2014-07-10 2016-02-10 江苏稳润光电有限公司 一种高亮度黄色lamp发光二极管封装技术
CN107180907A (zh) * 2017-06-12 2017-09-19 陕西科技大学 一种超净室用纯黄光led灯及其制备方法

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
KR101142519B1 (ko) * 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
EP1888711B1 (en) * 2005-05-24 2012-11-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
EP2372223A3 (en) 2005-12-21 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting Device and Lighting Method
TWI421438B (zh) 2005-12-21 2014-01-01 克里公司 照明裝置
EP1969633B1 (en) 2005-12-22 2018-08-29 Cree, Inc. Lighting device
EP1999232B1 (en) * 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Fluorescent material and light emitting diode using the same
US8513875B2 (en) * 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
EP2052589A4 (en) * 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007124036A2 (en) 2006-04-20 2007-11-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
KR20140116536A (ko) * 2006-05-31 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP5134788B2 (ja) * 2006-07-19 2013-01-30 株式会社東芝 蛍光体の製造方法
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
WO2008073794A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008103876A1 (en) 2007-02-22 2008-08-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
JP2010527157A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
TWI489648B (zh) 2007-05-08 2015-06-21 Cree Inc 照明裝置及照明方法
TW200912204A (en) 2007-05-08 2009-03-16 Cree Led Lighting Solutions Lighting device and lighting method
US10030824B2 (en) 2007-05-08 2018-07-24 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8172415B2 (en) * 2007-05-24 2012-05-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-tunable illumination system
JP4920497B2 (ja) * 2007-05-29 2012-04-18 株式会社東芝 光半導体装置
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
JP5114773B2 (ja) * 2007-08-10 2013-01-09 スタンレー電気株式会社 表面実装型発光装置
CN101821544B (zh) * 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
DE102008021666A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
JP5368809B2 (ja) * 2009-01-19 2013-12-18 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
US7967652B2 (en) 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8921876B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
WO2011044974A1 (de) * 2009-10-13 2011-04-21 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffmischungen mit europium dotieren ortho-silikaten
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US20120068187A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-22 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved color uniformity and methods of manufacturing
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
EP2803715B1 (en) * 2013-05-16 2020-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor and light emitting device package including the same
US20140361680A1 (en) * 2013-06-10 2014-12-11 Q Technology, Inc. Lighting system using dispersed fluorescence
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
JP6454698B2 (ja) * 2013-06-28 2019-01-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光ダイオードデバイス
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7640414B2 (ja) * 2021-09-07 2025-03-05 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6632379B2 (en) * 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP3749243B2 (ja) * 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
JP2004047748A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4880892B2 (ja) * 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101755164B (zh) * 2007-05-08 2013-03-27 科锐公司 照明装置和照明方法
US8598618B2 (en) 2008-04-17 2013-12-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White light emitting device, backlight, liquid crystal display device, and illuminating device
CN102124263B (zh) * 2008-06-25 2013-07-24 克里公司 包括光混合的固态照明装置
CN102299246A (zh) * 2010-06-25 2011-12-28 松下电工株式会社 发光器件
CN102299246B (zh) * 2010-06-25 2014-05-28 松下电器产业株式会社 发光器件
CN105322070A (zh) * 2014-07-10 2016-02-10 江苏稳润光电有限公司 一种高亮度黄色lamp发光二极管封装技术
CN107180907A (zh) * 2017-06-12 2017-09-19 陕西科技大学 一种超净室用纯黄光led灯及其制备方法
CN107180907B (zh) * 2017-06-12 2019-05-10 陕西科技大学 一种超净室用纯黄光led灯及其制备方法

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