CN1869795A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种能够不降低反射率、不增加步骤数、以较低成本、并且抑制电池腐蚀的产生而以较高的成品率制造出来的不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。以相同的掩模图形对反射像素电极(11)(第3金属膜)和其上层的第2透明导电膜(12)进行构图，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理。将第2透明导电膜(12)的膜厚制作成大于等于5nm而小于等于15nm，由此，可防止显影液对反射像素电极的侵蚀，防止基底的像素电极发生电池反应所引起的腐蚀，以高成品率进行制造。并且，可减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差，无需增加步骤数并以较低成本即可制造出不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。

Description

液晶显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及将薄膜晶体管(TFT)用于开关元件的有源矩阵型液晶显示装置(TFT-LCD)及其制造方法，特别是提供一种能够以低成本制造出在反射像素电极上具有透明导电膜的TFT阵列衬底的方法。

背景技术

在有源矩阵型液晶显示装置中，在玻璃衬底上以矩阵状配置了薄膜晶体管的TFT阵列衬底和具有对置电极的滤色片衬底之间配置液晶，通过在各个衬底上形成的电极控制液晶的取向，从而进行显示，其作为笔记本型个人电脑或OA监视器用的显示装置正在广泛地进行开发。

作为现有技术的一般的液晶显示装置，包括将光源设置在其背面或者侧面以进行图像显示的透过型液晶显示装置、设置了反射层并通过在反射层表面反射周围光以进行图像显示的反射型液晶显示装置。透过型液晶显示装置存在如下课题：在周围光非常亮的情况下，因为显示光比周围光暗，所以不能观察显示。此外，反射型液晶显示装置存在如下课题：周围光较暗的情况下，可见性非常低。因此，在1个像素部分具有使光透过的透过像素电极和使光反射的反射像素电极的液晶显示装置(以下，称为半透过型显示装置)倍受关注。

对现有技术的半透过型液晶显示装置的TFT阵列衬底的结构进行简单说明。在透明绝缘衬底上形成的薄膜晶体管包括：具有栅电极的栅极布线；具有源电极的源极布线；在与源极布线相同的层上形成的漏电极；在源电极和漏电极之间的由半导体膜构成的沟道，并且，以覆盖所述薄膜晶体管的方式形成钝化膜、以及形成表面具有凹凸形状的有机膜。在所述有机膜上配置由ITO等透明导电膜构成的透过像素电极、由具有较高的光反射率的材料(高反射率材料)膜构成的反射像素电极。这些电极通过设置在钝化膜和有机膜上的锥形的接触孔与所述漏电极相连接。此外，可以在6次的照相制版步骤中制造这样的TFT阵列衬底。(例如，参考专利文献1)。

现有技术的半透过型液晶显示装置的TFT中，由于电池反应产生由ITO等透明导电膜构成的透过型像素电极的腐蚀，所以，在反射像素电极的正下方形成Mo等高熔点金属来应对，这种方法是公知的。(例如参照专利文献2)。

此外，在半透过型液晶显示装置中，作为反射像素电极，如上所述使用Al合金时，由于与作为对置衬底的滤色片衬底上的对置电极中所使用的ITO等透明导电膜的功函数不同而产生闪烁等显示不良，所以，在反射像素电极上形成透明导电膜，这种方法是公知的。(例如参照专利文献3)。

并且，通过对反射像素电极和透过像素电极的积层的上下关系进行反转，从而解决所述闪烁的对策和电池腐蚀之不良的方法也是公知的。(例如参照专利文献4)。

专利文献1特开2003-248232号公报(第9-10页，图3)

专利文献2特开11-281993号公报(图4)

专利文献3特开2003-255378号公报(第4页-7页，图2)

专利文献4特开2004-46223号公报(图10、图31)

用作反射像素电极的高反射率材料使用反射率和刻蚀形状优良的Al作为主体的材料比较合适。但是，在所述的半透过型液晶显示装置中产生以下的问题。即，用于进行反射像素电极构图的照相制版步骤中通常存在浸泡在显影液中的步骤，但是，此时碱性的显影液和形成为基底的ITO等透明导电膜的透过像素电极发生电池反应，导致像素电极被腐蚀。

作为这样的电池反应引起的腐蚀的对策，可以列举采取如专利文献2所示的在反射像素电极的Al之下形成Mo等高熔点金属等的对策。这是因为，通过使用Mo合金作为保护金属膜，从而无需显影液等电解液与反射像素电极的Al材料同时与ITO等接触，即可防止Al-ITO之间的电化腐蚀。但是，在像素电极的图形边缘上的Mo合金的敷层(coverage)恶化并产生龟裂等的情况下，因Mo合金的龟裂而产生显影液同时与ITO和Al材料二者相接触，故耐腐蚀性也不充分。此外，存在如下问题：为了在基底上形成Mo合金，需要增加成膜工时数，因此制造成本上升。

此外，在半透过型液晶显示装置中，作为反射像素电极，如上所述使用Al合金时，因与作为对置衬底的滤色片衬底上的对置电极中所使用的ITO等透明导电膜的功函数不同，故产生闪烁等显示不良，所以，如专利文献3所示，在反射像素电极上形成透明导电膜，这种方法是公知的。但是，即使在该结构中，因为反射像素电极和源电极由相同材料(Al等)构成，所以，刻蚀反射像素电极时，源电极在反射像素电极的刻蚀液中被侵蚀，产生断线等，所以，在设置于有机膜上的接触孔部，需要另外设置连接用金属层。因此，需要新的掩模图形，导致步骤数增加、制造成本提高。

并且，如专利文献4所示，通过对反射像素电极和透过像素电极的积层的上下关系进行反转，从而解决所述闪烁的对策和电池腐蚀之不良的方法也是公知的。但是，在这样的结构中，通常存在着如下问题：为了确保接触孔部的覆盖性，考虑到ITO等透明导电膜的厚度应该大于等于50nm左右，导致反射像素电极的反射率降低。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而进行的，其目的在于提供一种能够不增加步骤数以低成本制造出反射率优良并且不产生闪烁或者电池腐蚀的液晶显示装置的液晶显示装置的制造方法，并得到高质量、低价位的液晶显示装置。

本发明的液晶显示装置包括：TFT阵列衬底，在1个像素部分具有使光透过的透过像素电极和使光反射的反射像素电极；对置电极衬底，具有透明公共电极；液晶，夹持在TFT阵列衬底和对置电极衬底之间，其特征在于，所述TFT阵列衬底在绝缘衬底上包括：具有栅电极的多条栅极布线；多条源极布线，具有源电极，并与栅极布线交叉；薄膜晶体管，由栅电极、经由栅极绝缘膜设置在栅电极上的半导体层、源电极以及漏电极构成；层间绝缘膜，设置在薄膜晶体管、栅极布线、和源极布线的上部；透过像素电极，由第1透明导电膜构成，该第1透明导电膜通过设置在漏电极上部的层间绝缘膜上的接触孔与漏电极电连接；反射像素电极，在接触孔上通过第1透明导电膜与所述漏电极电连接、并由高反射率的金属材料构成；以及形成在反射像素电极上的第2透明导电膜，反射像素电极与第2导电膜具有以相同的掩模图形形成的相同的图形形状。

此外，其特征在于，第2透明导电膜的膜厚大于等于5nm而小于等于15nm。并且，其特征在于，反射像素电极由Al合金构成，其膜厚大于等于50nm而小于等于200nm。

按照本发明的液晶显示装置及其制造方法，在第3金属膜上以相同的掩模图形对第2透明导电膜进行构图，形成反射像素电极、以及具有与该反射像素电极相同的图形形状的第2透明导电膜，并且能够不增加步骤数，抑制反射层和ITO等的像素电极发生电池反应，以低成本、较高的成品率制造出反射率优良的液晶显示装置。

此外，按照本发明的液晶显示装置及其制造方法，通过在反射像素电极上形成第2透明导电膜，从而可以减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差，降低闪烁或者液晶的烧毁，能够以高成品率得到质量优良的低价的液晶显示装置。

并且，因为第2透明导电膜的膜厚大于等于5nm，所以，可以用第2透明导电膜完全覆盖Al或Al合金的反射层，故具有在照相制版步骤中防止显影液进入到下面的反射层和像素电极的边界层、并抑制电池反应的效果。此外，因为第2透明导电膜的膜厚小于等于15nm，故具有抑制反射率降低的效果。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1的半透过型液晶显示装置的1个像素部分的平面图。

图2是表示本发明实施方式1的半透过型液晶显示装置的一部分剖面的剖面图。

图3是按照其制造工艺的第1步骤～第6步骤的6个步骤示出本发明实施方式1的半透过型液晶显示装置的部分剖面的剖面图。

具体实施方式

实施方式1

以下，对用于实施本发明最佳方式的实施方式1进行叙述。图1是表示本发明实施方式1的半透过型液晶显示装置的1个像素部分的平面图，图2是表示图1所示的半透过型液晶显示装置中A-A’线所示部位的剖面结构的剖面图。对图中相同和相当的部分标注相同的符号。如图1以及图2所示，本发明实施方式1的半透过型液晶显示装置在TFT阵列衬底20上的各像素中具有使光透过的透过像素电极10a和使光反射的反射像素电极11，在该TFT阵列衬底20上对置配置具有透明公共电极的对置电极衬底(未图示)，在它们之间配置液晶。以下，参照图1和图2对TFT阵列衬底20的结构进行说明。

在作为绝缘衬底的玻璃衬底1上形成具有由第1金属膜构成的栅电极G的多条栅极布线2a、辅助电容电极以及辅助电容布线2b，覆盖它们，在像素开口14以外的区域上形成作为第1绝缘膜的栅极绝缘膜3，形成半导体层4和欧姆接触层5，该半导体层4由经由栅极绝缘膜3形成在栅电极G上的半导体有源膜构成。

并且，形成多条源极布线6和漏电极7，该多条源极布线6具有由第2金属膜构成的源电极S，此处，经由栅极绝缘膜3、半导体层4、欧姆接触层5以与栅极布线2a交叉的方式形成源极布线6，在栅电极G上的半导体层4上以与源电极S相隔一定间隔对置的方式形成漏电极7，与各像素电极部分对应地由这些栅电极G、半导体层4、源电极S以及漏电极7形成作为开关元件的薄膜晶体管T。

并且，在薄膜晶体管T、栅极布线2a以及源极布线6的上部形成层间绝缘膜IL，该层间绝缘膜IL由作为第2绝缘膜的钝化膜8和有机膜9构成，该有机膜9在表面上具有因凹部9a引起的凹凸面，层间绝缘膜IL具有使在漏电极7上开口的接触孔13和边缘成锥形形状的像素开口14。

并且，在其上部依次积层形成由第1透明导电膜10与第3金属膜构成的反射像素电极11、和第2透明导电膜12，第1透明导电膜10通过接触孔13与漏电极7连接，此外，透过像素电极10a通过像素开口14与玻璃衬底1的表面相连接。

第1透明导电膜10上层的反射像素电极11和第2透明导电膜12以相同的图形形状进行积层，反射像素电极11由作为可见光的反射率较高的材料Al合金构成，其膜厚为50～200nm。此外，第2透明导电膜12的膜厚大于等于5nm而小于等于12nm。因为第2透明导电膜12的膜厚大于等于5nm，故可以充分良好地覆盖反射像素电极11，故即使在对第2透明导电膜12进行构图时进行碱性的显影液处理，也可以抑制电池腐蚀反应。此外，因为将膜厚制作成小于等于15nm，因此，不会使反射像素电极11的反射率降低，故具有有助于良好显示的效果。

并且，反射像素电极11和第2透明导电膜12通过接触孔13和第1透明导电膜10与漏电极7连接，以锥形形状覆盖到像素开口14的边缘部，但是，并不形成在像素开口14上。结果是，不在像素开口14上形成金属膜、绝缘膜而只形成透过像素电极10a，故具有提高背照光的透过率、并得到明亮显示的效果。

此外，因为在像素开口14的边缘部形成锥形形状，故即使在像素开口14附近，第2透明导电膜12也可以充分良好地覆盖反射像素电极11，并可以抑制在碱性显影液浸泡时容易发生电池腐蚀反应。

然后，对与本实施方式1的液晶显示装置的制造方法对应的第1步骤～第6步骤的工艺进行说明。图3(a)～(f)是在图1所示的半透过型液晶显示装置的1个像素部分中，以A-A’线所示部位的剖面结构的按照第1步骤～第6步骤共6个步骤所示的剖面图。以下，使用图3具体说明。并且，本实施方式1中，对通过6次照相制版步骤使用6枚掩模图形来制造TFT阵列衬底的工艺进行叙述。

参照图3(a)，对第1步骤的工艺进行说明。在通过清洗来洗净表面后的玻璃衬底1上通过溅射法等形成第1金属膜。作为第1金属膜，由例如铬(Cr)、钼(Mo)、或者钼合金等高熔点金属构成，可以使用膜厚为200nm～300nm左右的单层或者积层结构的薄膜。成膜条件为例如在150～220℃下、Ar流量为100sccm、压力为0.2～0.4Pa、DC功率为10～15kW下进行。

然后，通过第1次照相制版步骤对第1金属膜进行构图，形成栅电极G以及栅极布线2a、辅助电容电极以及辅助电容布线2b、栅极端子部(未图示)等。在照相制版步骤中，衬底洗净后，涂敷光致抗蚀剂并进行干燥，通过形成了预定图形的掩模图形后进行曝光、显影，在衬底上形成转印了掩模图形的抗蚀剂，使光致抗蚀剂加热固化后进行第1金属膜的刻蚀，剥离光致抗蚀剂。并且，作为第1金属膜的刻蚀处理，使用例如溶液组成为磷酸+硝酸+醋酸+纯水的刻蚀液进行湿法刻蚀。

参照图3(b)对第2步骤的工艺进行说明。首先，通过等离子体CVD法等连续形成作为第1绝缘膜的栅极绝缘膜3、半导体层4、欧姆接触层5。作为栅极绝缘膜3，使用膜厚为300～500nm的氮化硅膜(SiNx)，作为半导体层4使用膜厚为100～200nm的a-Si:H(添加了氢原子的非晶硅)，作为欧姆接触层5使用在膜厚为30～50nm的a-Si中掺杂了微量磷(P)的n型的a-Si膜等。

然后，通过第2照相制版步骤，将半导体层4以及欧姆接触层5构图成岛状，使其至少残留在形成薄膜晶体管T的部分上。作为半导体层4以及欧姆接触层5的刻蚀处理，通过例如SF₆和O₂的混合气体或者CF₄和O₂的混合气体进行干法刻蚀。

参照图3(c)对第3步骤的工艺进行说明。首先，通过溅射法等形成第2金属膜。作为第2金属膜，可以使用例如由铬(Cr)、钼(Mo)、或者Mo合金等高熔点金属构成的、膜厚为200nm～300nm左右的单层或者积层结构的薄膜。成膜条件在例如150～220℃下、Ar流量为100sccm、压力为0.2～0.4Pa、DC功率为10～15kW下进行。然后，通过第3次的照相制版步骤对第2金属膜进行构图，形成源电极S以及源极布线6、漏电极7以及源极端子部(未图示)。然后，将所形成的源电极6以及漏电极7作为掩模，进行欧姆接触层5的刻蚀，除去薄膜晶体管T的欧姆接触层5的中央部，使半导体层4露出。作为欧姆接触层5的刻蚀处理，进行例如SF₆和O₂的混合气体或者CF₄和O₂的混合气体的干法刻蚀。

参照图3(d)对第4步骤的工艺进行说明。首先，通过等离子体CVD法等形成作为第2绝缘膜的钝化膜8，在其上还形成有机膜9，并形成层间绝缘膜IL。作为钝化膜8，例如可以使用膜厚为100nm的SiNx膜。此外，作为有机膜9，可以使用公知的感光性有机树脂膜，形成膜厚为3.2μm～3.9μm左右。

然后，通过第4次的照相制版步骤对有机膜9、钝化膜8以及栅极绝缘膜3进行构图。在该步骤中，在相当于有机膜9的反射部的部分形成凹部9a引起的凹凸面，此外，在漏电极7上形成接触孔13，合起来形成像素开口14。并且，未图示的栅极端子部上以及源极端子部上也分别形成接触孔。各接触孔通过将有机膜9作为掩模的干法刻蚀除去钝化膜8而形成。在相当于反射部的有机膜9的表面上设置凹部9a引起的凹凸面，由此，可得到入射的外部光被散射的良好的显示特性。

并且，在该步骤中，有机膜9的曝光中也可以使用2种掩模，但是，也可以使用同时形成了接触孔图形和凹部半色调图案的1种掩模。此时，凹部半色调图案优选曝光的光透过量为接触孔图形的透过量的20％到80％。如果使用这样的半色调图案掩模，则可以通过1次曝光而在有机膜9上同时形成凹部9a引起的凹凸面和接触孔13。

并且，在此时刻，如图3(d)所示，在位于薄膜晶体管T和反射部之间的像素/漏极接触部的接触孔13上，除去有机膜9、钝化膜8，使漏电极7露出。并且，在像素开口14上，除去有机膜9、钝化膜8以及栅极绝缘膜3，设定用于使接触孔13开口以使玻璃衬底1露出的刻蚀时间。并且，将接触孔13和像素开口14的剖面加工成锥形形状，以便使形成在其上的像素电极的敷层变好。

参照图3(e)对第5步骤的工艺进行说明。首先，通过溅射法等形成第1透明导电膜10。作为第1透明导电膜10，可以使用ITO、SnO₂、IZO等，从化学稳定性上来看优选使用ITO。使用非晶ITO作为第1透明导电膜10的情况下，成膜时或者构图后进行加热，使其结晶。

然后，通过第5次的照相制版对第1透明导电膜10进行构图，形成透明像素电极10a。并且，形成在有机膜9上的凹部9a引起的凹凸面上以及接触孔13上都形成第1透明导电膜10。第1透明导电膜10的刻蚀处理通过所使用的材料而使用公知的湿法刻蚀。例如，在结晶化ITO的情况下使用混合了盐酸以及硝酸构成的水溶液来进行。此外，ITO的情况下，可以使用公知的气体组成(例如HI、HBr)进行干法刻蚀。

参照图3(f)对第6步骤的工艺进行说明。首先，通过溅射法等形成第3金属膜。作为第3金属膜，可以使用例如Al合金的单层膜。第3金属膜作为反射像素电极使用，故优选在可见光区域具有高反射率的金属膜。此时，反射率对反射像素电极中使用的Al材料的表面凹凸影响很大。此外，该表面凹凸对Al的膜厚影响很大，Al的膜厚越厚，晶粒的增大所引起的扩散反射成分也增大，但是，膜厚超过200nm时，急剧增大，故很明显，显示上最佳的散射角度成分的反射光减少。并且，膜厚小于50nm时，透过Al膜的光亮增大，对反射率有贡献的反射光量自身减少，所以，优选Al的膜厚大于等于50nm而小于等于200nm。然后，以5～15nm的膜厚形成ITO、IZO等第2透明导电膜12。并且，使用非结晶的膜作为第2导电膜12。

然后，通过第6次照相制版步骤对有机抗蚀剂进行构图后，使用溶液组成为磷酸+硝酸+醋酸+纯水的刻蚀液进行湿法刻蚀。此时，通过反射像素电极11(第3金属膜)的刻蚀的剥离作用，同时对第3导电膜和第2透明导电膜12进行刻蚀，形成反射像素电极11。即，在本实施方式中，以相同的掩模图形形成反射像素电极11和其上层的第2透明导电膜12，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀。这样，以相同的掩模图形对反射像素电极11(第3金属膜)和第2透明导电膜12进行刻蚀，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理，由此，以覆盖反射像素电极11的整个面的方式形成具有与反射像素电极11相同的图形形状的第2透明导电膜12，所以，与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差减小，可以抑制制造没有闪烁等显示不良的液晶显示装置时的步骤数或成本的增大。经以上的步骤，完成图1、图2以及图3(f)所示的TFT阵列衬底20。

此处，在第6步骤的工艺(图3(f))中，作为第3金属膜形成膜厚为300nm的Al-Cu单层膜，然后，分为膜厚2nm到10nm形成由ITO构成的第2透明导电膜12，在碱性显影液中浸泡10～20分钟后的反射像素电极的腐蚀情况的调查结果表示在表1中。并且，在表1中，○表示未产生槽状的腐蚀痕迹，×表示产生槽状的腐蚀痕迹。

(表1)

第2透明导电膜的厚度(nm)	显影液中的浸泡时间(分)
				10	15	20
	2345678910	×××○○○○○○	○○○○○○				○○○○○○

由表1的结果可知，形成第2透明导电膜12的膜厚使其不小于5nm，由此，可抑制反射像素电极构图时所进行的显影时由于电池反应而引起的槽状腐蚀痕迹的产生。另一方面，第2透明导电膜12的膜厚过厚时，由于降低了反射像素电极11的反射率，故优选为小于等于15nm。因此，通过将第2透明导电膜12的膜厚制作成5～15nm，可以抑制电池腐蚀的产生，并可以形成具有良好的反射率或者无闪烁的优良画质的液晶显示装置。

所完成的TFT阵列衬底20在其后的单元化步骤中涂敷取向膜，在一定的方向上实施摩擦研磨处理。同样，在透明绝缘衬底上形成了黑矩阵、滤色片、滤色片保护膜、公共透明像素电极等的对置电极衬底上亦涂敷取向膜并实施摩擦研磨处理。通过隔离物以相互的取向膜相对的方式使这些TFT阵列衬底20与对置电极衬底重合，以密封材料粘接衬底边缘部，在两衬底间密封液晶。这样，在所形成的液晶单元的背面安装背光单元，由此，完成本实施方式1的半透过型液晶显示装置。

如上所述，按照本实施方式1，在反射像素电极11上敷层良好地形成第2透明导电膜12，由此，防止照相制版步骤的碱性显影液的进入，并抑制与基底的像素电极的ITO发生电池反应，进一步减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数，从而可以降低闪烁或液晶的烧毁。此外，以相同的掩模图形对反射像素电极11(第3金属膜)和第2透明导电膜12进行构图，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理，由此，形成反射像素电极11和具有与该反射像素电极11相同的图形形状的第2透明导电膜12，故可以不增加步骤数、以低成本和较高的成品率制造出不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。

并且，在所述的实施方式1中，对半透过型液晶显示装置进行了说明，但是，本发明也可以应用于在像素显示部的整个面上形成了反射像素电极的全反射型液晶显示装置中。此外，在所述的实施方式1中，对在6次照相制版步骤中使用共6枚掩模的制造方法进行了叙述，但是，本发明并不限于此。

Claims (6)

1.一种液晶显示装置，包括：在1个像素部分具有使光透过的透过像素电极和使光反射的反射像素电极的TFT阵列衬底、具有透明公共电极的对置电极衬底、以及夹持在所述TFT阵列衬底和所述对置电极衬底之间的液晶，其特征在于：

所述TFT阵列衬底在绝缘衬底上包括：

具有栅电极的多条栅极布线；

多条源极布线，具有源电极，并与所述栅极布线交叉；

薄膜晶体管，由所述栅电极、经由栅极绝缘膜设置在所述栅电极上的半导体层、所述源电极以及漏电极构成；

层间绝缘膜，设置在所述薄膜晶体管、所述栅极布线、所述源极布线的上部；

透过像素电极，由第1透明导电膜构成，该第1透明导电膜设置在所述层间绝缘膜上，通过设置在所述漏电极上部的所述层间绝缘膜上的接触孔与所述漏电极电连接，并且，通过设置在所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜上的像素开口与所述绝缘衬底的表面连接；

反射像素电极，在所述接触孔上通过所述第1透明导电膜与所述漏电极电连接、并由Al合金构成；以及

第2透明导电膜，形成在所述反射像素电极上，

所述第2透明导电膜具有与所述反射像素电极相同的图形形状，并且，其膜厚至少大于等于5nm。

2.如权利要求1记载的液晶显示装置，其特征在于：

所述第2透明导电膜的膜厚大于等于5nm而小于等于15nm。

3.如权利要求1或2记载的液晶显示装置，其特征在于：

反射像素电极的膜厚大于等于50nm而小于等于200nm。

4.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第1步骤，在绝缘衬底上形成第1金属膜，通过第1照相制版步骤进行构图，从而形成具有栅电极的多条栅极布线；

第2步骤，在所述第1步骤后，形成第1绝缘膜、半导体层、欧姆接触层，通过第2照相制版步骤对所述半导体层以及所述欧姆接触层进行构图，以使其至少残留在形成薄膜晶体管的部分上；

第3步骤，在第2步骤后，形成第2金属膜，通过第3照相制版步骤进行构图，形成具有源电极的多条源极布线以及漏电极；

第4步骤，在第3步骤后，形成由第2绝缘膜以及有机膜构成的层间绝缘膜，通过第4照相制版步骤进行构图，至少在所述漏电极上部的所述层间绝缘膜上形成接触孔，并且，使所述层间绝缘膜和所述第1绝缘膜一部分开口，形成像素开口，从而使所述绝缘衬底表面的一部分露出；

第5步骤，在第4步骤后，形成第1透明导电膜，通过第5照相制版步骤进行构图，形成透过像素电极，其通过所述接触孔与所述漏电极电连接，并且通过所述像素开口与所述绝缘衬底的表面相连接；以及

第6步骤，在第5步骤后，形成第3金属膜，并且在所述第3金属膜上形成第2透明导电膜，通过第6照相制版步骤以相同的掩模图形对所述第3金属膜和所述第2透明导电膜进行构图，从而形成：在所述接触孔上通过所述第1透明导电膜与所述漏电极电连接的反射像素电极、以及具有与所述反射像素电极相同的图形形状的第2透明导电膜，其特征在于：

在所述第5步骤中，第2透明导电膜的膜厚至少大于等于5nm，

在所述第6步骤的第6次照相制版步骤中，使用相同的刻蚀液一并对所述第3金属膜和所述第2透明导电膜进行湿法刻蚀处理。

5.如权利要求4记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：

在所述第5步骤中，所述第2透明导电膜的膜厚大于等于5nm而小于等于15nm。

6.如权利要求4或5记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于：

在所述第5步骤中，所述反射像素电极的膜厚大于等于50nm而小于等于200nm。