CN1819146A - 有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器 - Google Patents

Abstract

提供一种有源矩阵基板的制造方法等。所述方法包括：在基板(P)上形成第一方向或第二方向中任一配线(42)在交叉部56中被截断的格子图案配线(40、42、46)的第一工序；在交叉部(56)和配线(40、42、46)的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的第二工序；形成将层叠部上被截断的配线(42)电连接的导电层(49)、及借助于半导体膜(30)与配线(42)电连接的像素电极(45)的第三工序。其中导电层(49)及像素电极(45)的形成工序，包括：通过液滴喷出法形成将导电层(49)和像素电极(45)划分的贮格围堰的工序；和在被此贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。能够使干法和光刻法组合的工序的次数减少。

Description

有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板、电光学装置及电子仪器。

背景技术

随着笔记本型个人计算机、移动电话机的普及，薄而轻的液晶显示装置等得到广泛采用。这种液晶显示装置等将液晶层夹持在上基板与下基板之间而成。

图17示出所述下基板(有源矩阵基板)的一例。如图17所示，下基板30具备玻璃基板P；在此玻璃基板P上互相交叉地配置的栅扫描电极11和源电极17；在同一玻璃基板P上配置的漏电极14、与此漏电极14连接的像素电极(ITO)19；处于栅扫描电极3与源电极11之间的绝缘层28；由薄膜半导体形成的TFT(薄膜晶体管)63而构成。在下基板30的各种金属配线形成过程中，例如像专利文献1所示的那样，可以采用多次重复将干法与光刻法加以组合的工序。

专利文献1：特开平9-171974号公报

然而，上述技术由于是将干法与光刻法的组合处理进行多次，所以不仅容易看到材料费或管理费上的问题，而且还有很难提高成品率的问题。也就是说，在事先涂布了导电膜的基板上涂布称为抗蚀剂的感光材料，照射电路图案并显影，按照抗蚀剂图案蚀刻导电膜的情况下，形成薄膜状配线图案。而且需要真空装置等大型设备和复杂工序，在材料使用效率也百分之几左右而不得不废弃大部分材料，所以制造成本高。因此，对于要求降低制品成本的液晶显示装置而言，减少干法和光刻法组合处理的次数就成为重要的课题。

发明内容

本发明正是考虑到以上问题而提出的，其目的在于提供一种能使干法和光刻法组合工序的次数减少的有源矩阵基板的制造方法等。

为达成上述目的，本发明采用以下构成。

本发明的有源矩阵基板的制造方法，是具有像素电极的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于其中所述像素电极的形成工序包括：通过液滴喷出法形成划分所述像素电极的贮格围堰的工序，和在由所述贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。

根据这种方法，需要进行的光刻工序的次数从过去的四次(栅配线形成过程、TFT元件形成过程、源配线形成过程、像素电极形成过程)减少到三次(栅配线形成过程、TFT元件形成过程、源配线形成过程)。

本发明的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中包括：第一工序，其在基板上形成使第一方向或第二方向的任一方的配线在交叉部中被截断的格子图案的配线；第二工序，其在所述交叉部和所述配线的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部；和第三工序，其形成使所述被截断的所述配线电连接到所述层叠部上的导电层、以及借助于所述半导体膜与所述配线电连接的像素电极；所述导电层及所述像素电极的形成工序，包括：通过液滴喷出法形成将所述导电层和所述像素电极划分的贮格围堰的工序；和在由所述贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。

根据此方法，所需的光刻工序仅为第一工序和第二工序两次，与过去相比能够将其次数减半。

本发明中，所述配线由源线、栅线以及沿着栅线以大体直线状延伸的电容线构成，能够使所述的源线在所述交叉部中被截断。

根据这种方法，由于可以回避这些配线的接触，所以可以同时在同一平面上形成这些配线。

在本发明中能通过液滴喷出法形成所述配线。

根据这种方法能够进一步减少光刻工序的次数。

本发明中，所述第二工序可以包括在所述电容线上形成所述交叉部被截断的层叠部的工序。

根据这种方法，由于电容线上的层叠部与交叉部上的层叠部不接触，所以能够避免流过在交叉部的层叠部上形成的导电层的电流，在电容线的的层叠部上流过。

本发明中，所述第二工序可以包括对所述半导体膜实施半曝光处理而形成开关元件的工序。

根据这种方法能够容易形成开关元件。

本发明中，所述贮格围堰可以用疏液性材料形成。

根据这种方法，由于贮格围堰本身具有疏液性，所以无需为将贮格围堰表面改质而进行的疏液处理，因而可以简化工序。

本发明中所述贮格围堰形成材料可以含有无机材料。

根据这种方法，由于贮格围堰形成材料含有无机材料，所以贮格围堰的耐热性强，而且贮格围堰与基板间的热膨胀率(系数)之差小。因此，可以抑制功能液干燥时因热等引起贮格围堰劣化，膜图案能以良好形状形成。

本发明的有源矩阵基板，其特征在于是利用上述的本发明的有源基板的制造方法制造的。

根据这种构成，能得到低成本的有源矩阵基板。

本发明的电光学装置，其特征在于，其中具备上述的本发明的有源矩阵基板。而且本发明的电子仪器，其特征在于，其中具备上述的本发明的电光学装置。

根据这些构成，由于能够用低成本的有源矩阵基板，所以能够抑制电光学装置、电子仪器的成本。

附图说明

图1是表示有源矩阵基板的局部放大图。

图2是有源矩阵基板的等效电路图。

图3是表示有源矩阵基板制造顺序的图。

图4是表示图3的后续工序的图。

图5是表示液滴喷出装置的大体立体图。

图6是表示液滴喷头的剖面图。

图7是表示图4的后续工序的图。

图8是表示图7的后续工序的图。

图9是表示图8的后续工序的图。

图10是表示图9的后续工序的图。

图11是表示图10的后续工序的图。

图12是表示图11的后续工序的图。

图13是表示图12的后续工序的图。

图14是表示图13的后续工序的图。

图15是表示有源矩阵基板的其他实施方式的示意图。

图16是表示从对向基板一侧观察液晶显示装置的图。

图17是表示液晶显示装置的剖面图。

图18是表示电子仪器具体实例的图。

图中：P…基板，20…有源矩阵基板，30…TFT(薄膜晶体管)，31…绝缘膜，32…活性层(半导体膜)，33…接触层(半导体膜)，35…层叠部，40…栅配线，42…源配线，44…漏电极，45…像素电极，46…电容线，49…导电层，56…交叉部，61…贮格围堰，100…液晶显示装置，600…移动电话机主体(电子仪器)，700…信息处理装置(电子仪器)，800…钟表主体(电子仪器)

具体实施方式

以下参照附图说明本发明的有源矩阵基板的制造方法、有源矩阵基板、电光学装置及电子仪器的实施方式。

<有源矩阵基板>

图1是放大了本实施方式涉及的有源矩阵基板的局部的图。

有源矩阵基板20上具备以格子状配置的栅配线40和源配线42。也就是说，多个栅配线40沿着X方向(第一方向)延伸而形成，而多个源配线42沿着Y方向(第二方向)延伸而形成。

而且将栅电极41连接在栅配线40上，借助于绝缘层将TFT30配置在栅电极41上。另一方面，将源电极43连接在源配线42上，并将源电极43的一端与TFT(开关元件)30连接。

而且在被栅配线40和源配线42包围的区域上，配置像素电极45，借助于漏电极44与TFT(开关元件)30连接。

在有源矩阵基板20上与栅配线40大体平行地配置电容线46。电容线46借助于绝缘层被配置在像素电极45及源配线42的下层。

其中栅配线40、栅电极41、源配线42和电容线46在同一平面上形成。

图2是有源矩阵基板20的等效电路图，是在液晶显示装置中使用的情况。

在液晶显示装置中使用有源矩阵基板20的情况下，多个像素100a在图像显示区域内构成为矩阵状。这些像素100a中的每一个中，都形成有像素开关用的TFT30，供给像素信号S1、S2、…Sn的源配线4，通过源电极43与TFT30的源极电连接。向源配线42供给的像素信号S1、S2、…Sn，既可以依次顺序逐线供给，也可以对相邻的多个源配线42彼此之间逐组供给。

另外，通过栅电极41将栅配线40电连接在TFT30的栅极上。而且其构成为能以所定定时将脉冲扫描信号G1、G2、…Gm依次顺序逐线施加在栅配线40上。

借助于漏电极44将像素电极45电连接在TFT30的漏极上。而且通过使作为开关元件的TFT30仅在一定期间内才处于接通状态下的方式，以所定定时将从源配线42供给的像素信号S1、S2、…Sn写入各像素。这样借助于像素电极45写入液晶的所定电平的像素信号S1、S2、…Sn，在一定时间内被保持在图17所示的对向基板120的对向电极121与像素电极45之间。

另外，为防止被保持的像素信号S1、S2、…Sn泄漏，借助于电容线46，与在像素电极45与对向电极121之间形成的液晶电容并列地附加积累电容48。例如像素电极45的电压，仅在比施加源电压的时间长3位的时间内才由积累电容来保持。这样能够改善电荷的保持特性，实现对比度高的液晶显示装置100。

<有源矩阵基板的制造方法>

以下说明有源矩阵基板20的制造方法。

有源矩阵基板20，可以通过在基板P上形成格子图案配线的第一工序、形成层叠部35的第二工序、和形成像素电极45等的第三工序制造。本实施方式中，在源电极43、漏电极44和像素电极45的形成工序中可以采用本发明的膜图案形成方法。

以下详细说明每个工序。

(第一工序：配线形成)

图3、图4是第一工序的配线形成工序的说明图。其中图3(b)和图4(b)分别是图3(a)、图4(a)中沿着A-A’线的剖面图。

作为可以形成栅配线40或源配线42等格子状配线的基板P，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。而且其中也包括在这些各种材料基板的表面上，作为基底层而形成了半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等的。

首先如图3所示，在基板P上形成由绝缘性材料构成的贮格围堰51。贮格围堰是为将后述的配线用油墨配置在基板P的所定位置上用的。

具体讲如图3(a)所示，用光刻法在洗净的基板P的上面形成与格子图案的配线形成位置对应的具有多个开口部分52、53、54、55的贮格围堰51。

作为贮格围堰51的材料，例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。而且考虑到耐热性等，也可以包括无机材料的。作为无机物质的贮格围堰材料，例如可以举出在聚硅氮烷、聚硅氧烷、硅氧烷系抗蚀剂、聚硅烷系抗蚀剂等骨架中含有元素硅的高分子无机材料或感光性无机材料，二氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半氧烷(alkylsilsesquioxane)聚合物、氢化烷基硅倍半氧烷聚合物、聚芳基醚中含有任何物质的自旋(定向)玻璃(spin-on-glass)膜、金刚石膜及氟化无定形碳膜等。此外作为无机贮格围堰材料，例如也可以使用白炭黑、多孔氧化硅等。制成含有聚硅氮烷和光酸产生剂的感光性聚硅氮烷组合物之类具有感光性的材料的情况下，因无需抗蚀剂掩模而是适用的。其中，为了在贮格围堰51上很好地将配线图案用油墨配置在开口部分52、53、54、55内而实施疏液处理。作为疏液处理，实施CF₄等离子体处理(用具有含氟成分的气体的等离子体处理)。其中也可以在贮格围堰51的材料本身中充填疏液成分(含氟基团)来代替CF₄等离子体处理等。

由贮格围堰51形成的开口部分52、53、54、55，与栅配线40和源配线42等格子状图案的配线对应。也就是说，通过将配线用油墨配置在贮格围堰51的开口部分52、53、54、55上，可以形成栅配线40或源配线42等格子状图案的配线。

具体讲，在X方向延伸而形成的开口部分52、53，将与栅配线40、电容线46的形成位置对应。而且将与栅电极41的形成位置对应的开口部分54连接在与栅配线40的形成位置对应的开口部分52上。而且在Y方向延伸形成的开口部分55，与源配线42的形成位置对应。另外，沿着Y方向延伸的开口部分55，形成得与在X方向延伸的开口部分52、53交叉，而且在交叉部56中被截断。

进而利用后述的液滴喷出装置IJ，向开口部分52、53、54、55内喷出和配置含有导电性微粒的配线用油墨，在基板上形成由栅配线40或源配线42等形成的格子状配线图案。

配线用油墨，是由将导电性微粒分散在分散介质中的分散液以及将有机银化合物和氧化银纳米粒子分散在溶剂(分散介质)中的溶液组成的物质。作为导电性微粒，例如除金、银、铜、锡、铅等金属微粒之外，还可以使用其氧化物、及导电性聚合物的微粒等。这些导电性微粒，由于能使分散性提高，所以也能将有机物等涂布在表面上后使用。

导电性微粒的粒径优选1纳米以上、0.1微米以下。一旦大于0.1微米，对于后述的液滴喷头的喷嘴就有产生堵塞之虞。而且一旦小于1纳米，由于涂料与导电性微粒的体积比过大，所以往往使得到的膜中有机物比例过高。

作为分散介质只要能将上述的导电性微粒分散，并不会产生凝聚的就无特别限制。除水以外，例如可以举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类；正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜烯、茚、双戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物；或者乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物，以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。从微粒的分散性和分散液的稳定性以及容易采用液滴喷出法(喷墨法)等观点来看，这些化合物中优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，更优选的分散介质可以举出水、烃类化合物。

导电性微粒分散液的表面张力，例如优选处于0.02N/m以上、0.07N/m以下范围内。用喷墨法喷出液体时，表面张力一旦小于0.02N/m，由于油墨组合物对喷嘴面的湿润性增大而容易产生飞行弯曲，反之一旦超过0.07N/m，因喷嘴尖端的弯月面形状不稳定而使喷出量和喷出时间的控制变得困难。为了调整表面张力，可以在不会导致与基板的接触角显著降低的范围内，向上述分散液中添加微量含氟、硅酮系、非离子系等表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂，起着使液体在基板上的湿润性提高，改善膜的流平性，防止膜产生微小凹凸等作用。上述表面张力调节剂，必要时还可以含有醇类、醚类、酯类、酮类等有机化合物。

分散液的粘度，例如优选处于1mPa·s以上和50mPa·s以下。用喷墨法以液滴形式喷出液体材料时，当粘度小于1mPa·s的情况下，在喷嘴的周边部分容易因油墨的流出而被污染，而当粘度大于50mPa·s的情况下，因喷嘴孔堵塞的频度增高而难于顺利地喷出液滴。

在基板P上配线用油墨喷出后，为了除去分散介质必要时进行干燥处理、烧成处理。

干燥处理，例如能够采用加热基板P的通常的电热板、电炉等加热处理的方式进行。例如在180℃下进行60分钟左右的加热。

烧成处理的处理温度，可以根据分散介质的沸点(蒸气压)、微粒的分散性和氧化性等热行为、涂料的有无或数量以及基材的耐热温度适当决定。例如为了除去由有机物组成的涂料，需要在大约250℃下烧成。

通过这种干燥和烧成处理，可以确保导电性微粒之间的电接触，将其转变成导电膜。

另外，也可以使金属保护膜47在栅配线40或源配线42等配线上成膜。金属保护膜47是由银或铜等构成的抑制导电性膜的电迁移现象等用的薄膜。作为形成金属保护膜47用的材料优选镍。而且也可以用液滴喷出法在基板P上配置形成金属保护膜47。

通过以上工序，如图4所示，在基板P上形成由贮格围堰51和格子状图案配线构成的层。

然而作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、电机变换方式、电热变换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是用带电电极赋予材料电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向使其从喷嘴喷出的一种方式。而且，加压振动方式是例如对材料施加30kg/cm²左右的超高压，使材料从喷嘴尖端喷出的一种方式，不加控制电压的情况下材料直线前进从喷嘴喷出，而一旦施加控制电压就会在材料纸件产生静电排斥，使材料飞散得不能从喷嘴喷出。而且电机变换方式是利用压电元件接受脉冲电信号而变形的性质，通过压电元件变形借助于挠性物质对储存材料的空间产生压力，从此空间挤出材料使其从喷嘴喷出的一种方式。

而且电热变换方式是利用在储存材料的空间内设置的加热器，使材料急剧气化而产生气泡(泡)，利用气泡的压力使空间内的材料喷出的一种方式。静电吸引方式是对储存材料的空间内施加微小压力，在喷嘴中形成材料的弯月面，在此状态下施加静电引力将材料引出的一种方式。而且此外也可以采用利用电场引起流体粘度变化的方式，以及因放电火花而飞翔的方式等技术。液滴喷出法具有材料使用中浪费少，而且能够准确地使所需数量的材料配置在所需位置上的优点。其中采用液滴喷出法喷出的一滴液滴材料(流体)量例如为1～300毫微克左右。

作为形成格子状图案配线时采用的液滴喷出装置IJ，例如可以使用图5所示的液滴喷出装置IJ。

液滴喷出装置(喷墨装置)IJ，是从液滴喷头向基板P喷出(滴下)液滴的一种装置，其中备有液滴喷头301、X轴方向驱动轴304、Y轴方向导向轴305、控制装置CONT、台架307、清洗机构308、基座309和加热器315。台架307是支持由这种液滴喷出装置IJ设置油墨(液体材料)的基板P用的，备有将基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。

液滴喷头301是具备多个喷嘴的多喷嘴型液滴喷头，使其纵向与Y轴方向一致。多个喷嘴以一定间隔沿着Y轴方向并列设置在液滴喷头301的下面。可以从液滴喷头301的喷嘴，对台架307支持的基板P喷出含有上述导电性微粒的油墨。

将X轴方向驱动马达302连接在X轴方向驱动轴304上。X轴方向驱动马达302是步进马达等，一旦由控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号，就能使X轴方向驱动轴304旋转。X轴方向驱动轴304一旦旋转，液滴喷头301就朝着X轴方向移动。

Y轴方向导向轴305被固定得相对于基座309不动。台架307备有Y轴方向驱动马达303。Y轴方向驱动马达303是步进马达等，一旦由控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号，就能使台架307朝着Y轴方向移动。

控制装置CONT向液滴喷头301供给液滴喷出控制用的电压。而且对X轴方向驱动马达302供给控制液滴喷头301沿着X轴方向移动的驱动脉冲信号，对Y轴方向驱动马达303供给控制台架307沿着Y轴方向移动的驱动脉冲信号。

清洗机构308是清洗液滴喷头301的机构。清洗机构308备有未图示的Y轴方向驱动马达。借助于这种Y轴方向驱动马达，能使清洗机构308沿着Y轴方向导向轴305移动。清洗机构308的移动也受控制装置CONT的控制。

加热器315，在此是一种通过灯退火对基板P进行热处理的部件，对基板P上涂布的液体材料所含的溶剂进行蒸发和干燥。这种加热器315的电源的接通和切断也由控制装置CONT控制。

液滴喷出装置IJ，一边使液滴喷头301与支持基板P的台架307作相对扫描，一边向基板P喷出液滴。其中在以下的说明中，将X轴方向定为扫描方向，将与X轴方向正交的Y轴方向定为非扫描方向。

因此将液滴喷头301的喷嘴，以一定间隔并列设置在作为非扫描方向的Y方向上。其中在图5中，液滴喷头301虽然相对于基板P前进方向配置成直角，但是也可以调整液滴喷头301的角度使其与基板P的前进方向交叉。这样调整液滴喷头301的角度的情况下，能够调节喷嘴间的间距。而且还能够任意调节基板P与喷嘴面间的距离。

图6是液滴喷头301的剖面图。

在液滴喷头301上，与容纳液体材料(配线用油墨等)的液体室321相邻地设置有压电元件322。借助于包括容纳液体材料的材料罐在内的液体材料供给系统323向液体室321供给液体材料。

将压电元件322与驱动电路324连接，借助于这种驱动电路324向压电元件322施加电压，液体室321通过使压电元件322变形而变形，可以从喷嘴之25中喷出液体材料。

这种情况下，通过使施加的电压值变化可以控制压电元件322的变形量。而且通过使施加电压的频率变化，可以控制压电元件322的变形速度。由于无需对上述的压电方式的液体材料加热，所以具有对材料的组成不产生影响的优点。

(第二工序：形成层叠部)

图7～图10是作为第二工序的层叠部形成工序的说明图。而且，图7(b)～图10(b)分别是图7(a)～图10(a)中的沿着直线A-A’的剖面图；图8(c)～图10(c)分别是图8(a)～图10(a)中沿着直线B-B’的剖面图。

在第二工序中，在由贮格围堰51和格子状图案的配线构成的层上的所定位置上，形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的层叠部35。

首先利用等离子体CVD法使绝缘膜31、活性层32和接触层33在基板P的全面上成膜。具体讲如图7所示，通过使原料气体和等离子体条件发生变化使作为绝缘膜31的氮化硅膜、作为活性层32的无定形硅膜、和作为接触层33的n+型硅膜连续形成。

接着如图8所示，用光刻法将抗蚀剂58(58a～58c)配置在所定位置上。所述的所定位置，如图8所示，是指栅配线40与源配线42的交叉部56上、栅电极41上及电容线46上。

另外，在交叉部56上配置的抗蚀剂58a和在电容线46上配置的抗蚀剂58b形成得接触。而在栅电极41上配置的抗蚀剂58c上，通过进行半曝光，如图8(b)所示形成沟槽59。

然后对基板P的全面实施蚀刻处理，除去接触层33和活性层32。再作蚀刻处理除去绝缘膜31。

由此，如图9所示，可以从配置了抗蚀剂58(58a～58c)的所定位置以外的区域除去接触层33、活性层32和绝缘膜31。另一方面，可以在配置了抗蚀剂58的所定位置上形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的层叠部35。

另外，对于在栅电极41上形成的层叠部35而言，由于是事先对抗蚀剂58c进行半曝光而形成了沟槽59，所以在蚀刻之前通过再次显影将形成贯通沟槽。如图9(b)所示，除去与沟槽59对应的接触层33，可以形成二次被截断的状态。由此，可以在栅电极41上形成由活性层32和接触层33构成的作开关元件用的TFT30。

于是如图10所示，在基板P的全面上使氮化硅膜成膜，作为保护接触层33的保护膜60。

这样结束层叠部35的形成。

(第三工序)

图11～图14是作为第三工序的像素电机45等的形成工序的说明图。其中图11(b)～图14(b)分别是图11(a)～图14(a)中的沿着直线A-A’的剖面图；图11(c)～图14(c)分别是图11(a)～图14(a)中的沿着直线B-B’的剖面图。

在第三工序中，将形成源电极43、漏电极44、导电层49及像素电极45。

源电极43、漏电极44、导电层49，可以用与形成栅配线40和源配线42用的相同材料形成。像素电极45由于需要透明性，所以应当用ITO(铟锡氧化物Ti_nO_xid_e)等透光性材料形成。形成这些层时，与第一工序同样可以采用液滴喷出法。

首先形成贮格围堰61，以将栅配线40和源配线42等覆盖。这种贮格围堰61可以通过液滴喷出法形成。也就是说，利用上述的液滴喷出装置IJ，直接将含有贮格围堰形成材料的贮格围堰形成用油墨(功能液)在基板P上喷出配置，对其进行干燥处理和烧成处理，制成贮格围堰61。这样如图11所示，形成大体呈格子状的贮格围堰61。其中在源配线42与栅配线40，以及在源配线42与电容线46的交叉部56上形成开口部分62，在与TFT30的漏区对应的位置上形成开口部分63。

而且开口部分62、63形成得，如图11(b)所示，使在栅电极41上形成的层叠部35(TFT30)的一部分露出。也就是说，贮格围堰61形成得使层叠部35(TFT30)在X方向上被分割为二。

这种贮格围堰61因为是由油墨的弹着直径所描绘的，所以将形成比采用光刻法的情况(例如栅配线形成用贮格围堰51)更粗的图案。但是在形成像素电极45、以及源电极43和漏电极44的情况下，由于像形成栅配线40的情况那样也能形成微细结构，所以能以与油墨弹落直径相同程度的宽度(20～30微米的宽度)描绘。但是，贮格围堰61的宽度一旦变得过宽就会在开口率上产生问题，所以贮格围堰形成用油墨希望采用对基底基板具有大接触角的。而且为了提高耐热性和透明性，希望用聚硅氮烷等无机材料形成。

作为贮格围堰61的形成材料，与贮格围堰51一样例如可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。此时应当事先在材料本身具有疏液成分(含氟基团)。这样利用疏液性材料形成贮格围堰61的情况下，将不再需要使贮格围堰61疏液化的后处理。尤其是像本实施方式的有源矩阵基板那样层叠多个配线层的情况下，一旦为使贮格围堰疏液化而对基板全面实施CF₄等离子体处理等，由于不仅贮格围堰表面，而且在贮格围堰间露出部分(被贮格围堰划分的区域)的表面也被基底材料疏液化，所以在喷出油墨时湿润性将会恶化，因而有形成不均匀薄膜之虞。另一方面，若用疏液性材料形成贮格围堰本身，则由于没有这种问题，所以能够与基底的状态无关地形成均匀性良好的薄膜。

由贮格围堰61形成的开口部分62，与连接被截断的源配线42的导电层49或源电极43的形成位置对应，在贮格围堰61上形成的开口部分63与漏电极43的形成位置对应。而且其以外的部分被贮格围堰61包围的区域，与像素电极45的形成位置对应。也就是说，通过用贮格围堰61使保护膜60开口，在与其开口部分62、63对应的开口部分内和与贮格围堰61包围的区域对应的开口部分上配置导电性材料，可以形成连接被截断的源配线42的导电层49、源电极43、漏电极44和像素电极45。

接着如图12所示，利用激光等将处于开口部分62、63内的保护膜60除去，使接触层33露出。而且也可以除去在格子图案配线上形成的金属保护膜47。

进而用上述的液滴喷出装置IJ在贮格围堰61的开口部分62、63内配置含有源电极43或漏电极44等电极材料的电极用油墨。电极用油墨，可以使用与形成栅配线40等用的配线用油墨同样的油墨。在基板P上喷出电极用油墨后，为除去分散介质必要时进行干燥处理和烧成处理。通过干燥和烧成处理，可以确保导电性微粒间的电接触，将其转变成导电性膜。

这样一来可以在基板P上，如图13所示，形成将被截断的源配线42连接的导电层49、源电极43和漏电极44。

然后用激光等除去贮格围堰61中位于像素电极45与漏电极44边界上的部分，在被贮格围堰61所包围的区域内喷出配置含有像素电极45的电极材料的像素电极用油墨。像素电极用油墨，是将ITO等导电性微粒分散在分散介质中的分散液。在基板P上喷出像素电极用油墨后，为了除去分散介质，必要时进行干燥处理和烧成处理。通过干燥和烧成处理，可以确保导电性微粒间的电接触，将其转变成导电性膜。

这样可以在基板P上，如图14所示，形成与漏电极44导通的像素电极45。

通过以上工序可以制造有源矩阵基板20。

这样，在本实施方式中，通过在基板P上形成格子状图案配线的第一工序、形成层叠部35的第二工序、和形成像素电极45等的第三工序制造了有源矩阵基板20，所以能够减少组合了干法和光刻法的处理。也就是说，由于同时形成了栅配线40和源配线42，所以能够将干法和光刻法组合的处理减少一次。

而且在第三工序中，由于采通过液滴喷出法形成贮格围堰61，所以干法和光刻法组合的处理能够进一步减少。

此外，由于在电容线46上形成的层叠部35(绝缘膜31、活性层32、接触层33)被分割形成得与在交叉部56上形成的层叠部35不接触，所以能够避免流过源配线42的电流流入电容线46上的层叠部35的不利情况发生。

也就是说，在形成层叠部35的层中，接触层33是导电性膜，而且在交叉部56上的层叠部35(接触层33)上形成将源配线42连接的导电部分49。因此流过源配线42的电流，也可以在接触层33中流过。因此一旦电容线46上的层叠部35与交叉部56上的层叠部35接触，如上所述，流过源配线42的电流流入电容线46上的层叠部35的现象就会发生。

因此，若采用本发明的有源矩阵基板20，由于能够避免这种不利情况出现，所以能够发挥所需的性能。

另外，在本实施方式中，虽然是就交叉部56中将源配线42分割的方案加以说明的，但是在交叉部56中将栅配线40和电容线46分割的方案当然也是可行的。但是，由于电容线46对显示的影响比源配线42大，所以当要求高的显示品质的情况下，应当采用将源配线42分割的方案。

而且在本实施方式中，虽然是就有源矩阵基板的一个适用实例加以说明的，但是并不限于其结构部件的形状和组合所涉及的方式上。层叠部35的形状和配置也可以采用图15来替代图9所示的情况。这种情况下，由于源区与源配线42配置得接近，所以源电极43的形成面积小，能够制成性能更高的有源矩阵基板。

<电光学装置>

以下就作为采用有源矩阵基板20的电光学装置一例的液晶显示装置100进行说明。

图16是从对基板侧看到的液晶显示装置100的图，图17是图16中沿着H-H’直线的剖面图。

另外，在以下说明用的各图中，由于将各层或各部件绘画成能够在图面上能够识别的大小，所以各层或各部件的比例尺不同。

在图16和图17中，液晶显示装置(电光学装置)100，用光固化性密封材料的密封材料152将包括有源矩阵基板20的TFT矩阵基板110与对向基板120粘合起来，将液晶150封入并保持在被此密封材料152所划分的区域内。密封材料152在基板面内的区域内形成闭合的框架状，无液晶注入口，因而没有密封材料密封的痕迹。

在密封材料152的形成区域的内侧区域上，形成由遮光性材料组成的边框53。在密封材料152的外侧区域上，沿着TFT阵列基板110的一边形成数据线驱动电路201和安装端子202，沿着与此一边相邻的两边形成扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的其余一边上，设置为在像素显示区域两侧设置的扫描线驱动电路204之间连接用的多个配线205。而且在对向基板120的角落的至少一处配置有将TFT阵列基板10与对向基板20之间电导通用的基板间导通材料206。

另外，也可以借助于各向异性的导电膜，将例如安装了驱动用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板与在TFT阵列基板110周边部分形成的端子组电连接和机械连接，以此代替在TFT阵列基板110上形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204。

另外，在液晶显示装置100中，可以根据使用的液晶150的种类，即TN(扭转向列)型、C-TN法、VA方式、IPS方式等动作模式，以及常白模式/常黑模式的不同，在所定方向配置相位差板、偏光板等，但是这里省略对其的图示。

而且当将液晶显示装置100制成彩色显示用构成的情况下，在对向基板120中，在与TFT阵列基板110的后述的各像素电极相对向的区域上，与其保护一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)色彩色滤光片。

这种液晶显示装置100中，有源矩阵基板20由于是利用上述的方法制造的，所以是一种能够进行高品质显示的装置。

另外，在本实施方式中，虽然是采用了本发明的膜图案的形成方法作为形成液晶显示装置的配线结构的方法，但是本发明并不限于这种情况，例如在有源矩阵基板或对向基板上形成彩色滤光片的情况下，也可以利用本发明。

而且上述的有源矩阵基板，也可以用于液晶显示装置以外例如有机EL(电致发光)显示装置等其他电光学装置上。有机EL显示装置，是具有由阴极和阳极将含有荧光性无机和有机化合物的薄膜夹持的构成，通过向上述薄膜注入电子和空穴使其激发生成激发子，利用这种激发子再结合时发射的光线(荧光和磷光)使其发光的元件。而且在具有上述TFT30的基板上，以有机EL显示元件用的荧光性材料中呈现红、绿和蓝色各色发光的材料，即以发光层形成材料及空穴注入/电子输送层形成材料制成油墨，将其分别图案化后，可以制成自发光全色EL器件。在本发明中的电光学装置范围内，也包括这种有机EL器件。而且在有机EL显示装置中，作为空穴注入/电子输送层形成材料和发光层形成材料的形成方法，也可以采用本发明的膜图案形成方法。

此外，有源矩阵基板20也可以用于PDP(等离子体显示板)，和通过使电流与膜面平行流过在基板上形成的小面积薄膜，产生电子发射现象的表面传导型电子发射元件等上。

<电子仪器>

以下说明本发明的电子仪器的具体实例。

图18(a)是表示移动电话机一例的立体图。图18(a)中，600表示移动电话机主体，601表示具备上述实施方式中液晶显示装置100的液晶显示部。

图18(b)是表示文字处理机、个人计算机等便携式信息处理装置一例的立体图。图18(b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入设备，703表示信息处理装置主体，702表示具备上述实施方式中液晶显示装置100的液晶显示部。

图18(c)是表示手表型电子仪器一例的立体图。图18(c)中，800表示手表主体，801表示具备上述实施方式中液晶显示装置100的显示部。

而且也可以在电视机或监视器等大型液晶显示屏中采用本实施方式。

另外，本实施方式的电子仪器虽然是制成具备液晶显示装置100的，但是也可以制成具备有机电致发光显示装置、等离子体显示装置等其他电光学装置的电子仪器。

以上虽然参照附图说明了本发明涉及的优选实施方式，但是不用说本发明并不限于这些实例。上述实例中示出的各种构成部件的各种形状及其组合等仅是一例，在不超出本发明要点的范围内可以根据设计要求等作各种变更。

Claims (11)

1.一种有源矩阵基板的制造方法，是具有像素电极的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中

所述像素电极的形成工序包括：通过液滴喷出法形成划分所述像素电极的贮格围堰的工序；和在被所述贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。

2.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中包括：

第一工序，其在基板上形成使第一方向或第二方向的任一方的配线在交叉部中被截断的格子图案的所述配线；

第二工序，其在所述交叉部和所述配线的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部；

第三工序，其形成使所述被截断的所述配线电连接到所述层叠部上的导电层、以及借助于所述半导体膜与所述配线电连接的像素电极；

所述导电层及所述像素电极的形成工序包括：通过液滴喷出法形成将所述导电层和所述像素电极划分的贮格围堰的工序；和在由所述贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中所述配线由源线、栅线、以及沿着栅线以大体直线状延伸的电容线构成，所述源线在所述交叉部被截断。

4.根据权利要求2或3所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中通过液滴喷出法形成所述配线。

5.根据权利要求2～4中任何一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中所述第二工序包括在所述电容线上形成在所述交叉部被截断的层叠部的工序。

6.根据权利要求2～5中任何一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中所述第二工序包括对所述半导体膜实施半曝光处理，形成开关元件的工序。

7.根据权利要求1～6中任何一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中所述贮格围堰由疏液性材料形成。

8.根据权利要求1～7中任何一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，其中所述贮格围堰形成材料含有无机材料。

9.一种有源矩阵基板，其特征在于，是利用权利要求1～8中任何一项所述的制造方法制造的。

10.一种电光学装置，其特征在于，其中具备权利要求9所述的有源矩阵基板。

11.一种电子仪器，其特征在于，其中具备权利要求10所述的电光学装置。

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