CN1773672A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置，其具有分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块、抗蚀盖膜用处理模块、抗蚀盖膜除去模块以及接口模块。以相邻于接口模块的方式配置曝光装置。在抗蚀膜用处理模块中，在基板上形成抗蚀膜。在曝光装置中对基板进行曝光处理之前，在抗蚀盖膜用处理模块中在抗蚀膜上形成抗蚀盖膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种基板进行各种处理，使用基板处理装置。
在这样的基板处理装置中，一般连续的对一张基板进行多个不同的处理。JP特开2003-324139号公报所记载的基板处理装置由分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块构成。以相邻于接口模块的方式配置有与基板处理装置另设的作为外部装置的曝光装置。
在上述的基板处理装置中，从分度器模块搬入的基板在反射防止膜用处理模块以及抗蚀膜用处理模块中进行反射防止膜的形成以及抗蚀膜的涂布处理之后，经由接口模块搬送到曝光装置中。在曝光装置中，对基板上的抗蚀膜进行曝光处理之后，基板经由接口模块被搬送到显影处理模块中。通过在显影处理模块中对基板上的抗蚀膜进行显影处理来形成抗蚀图案之后，基板被搬送到分度器模块。
近年来，伴随着设备的高密度化以及高集成化，抗蚀图案的微细化成为重要的课题。在以往的一般的曝光装置中，通过将刻线的图案经由投影透镜缩小投影在基板上，进行曝光处理。可是，在这样的以往的曝光装置中，因为曝光图案的线宽由曝光装置的光源的波长决定，所以抗蚀图案的微细化有限。
因此，作为可将曝光图案进一步微细化的投影曝光方法，提出浸液法(例如参照国际公开第99/49504号手册)。在国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，在投影光学系统和基板间充满液体，能够将基板表面的曝光光波缩短。由此，可将曝光图案进一步微细化。
可是，在上述国际公开第99/49504号手册的投影曝光装置中，在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，所以涂布在基板上的抗蚀剂的成分的一部分溶出到液体中。溶出到该液体中的抗蚀剂的成分残留在基板的表面，可能成为不良的原因。
另外，溶出到液体中的抗蚀剂的成分污染曝光装置的透镜。由此，可能产生曝光图案的尺寸不良以及形状不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以防止基板上的感光性材料的成分溶出到曝光装置的液体中的基板处理装置以及基板处理方法。
根据本发明的一个局面的基板处理装置是以相邻于曝光装置的方式配置的基板处理装置，其具有用于对基板进行处理的处理部，以及以相邻于处理部的一端部的方式被设置且在处理部和曝光装置之间进行基板的交接的交接部；交接部包括在处理部和曝光装置之间搬送基板的搬送装置；处理部包括：在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的第一处理单元、在由曝光装置进行曝光处理之前，在基板上形成保护感光性膜的保护膜的第二处理单元、以及在由曝光装置进行曝光处理之后对基板进行显影处理的第三处理单元。
在该基板处理装置中，在第一处理单元中在基板上形成感光性膜。然后，在第二处理单元中在感光性膜上形成保护膜。接着，基板由交接部的搬送装置从处理部被搬送到曝光装置，在曝光装置中对基板进行曝光处理。曝光处理后的基板由交接部的搬送装置从曝光装置搬送到处理部，在第三处理单元中对基板进行显影处理。
像这样，在曝光装置中进行曝光处理之前，在第二处理单元中在感光性膜上形成保护膜。此时，即使在曝光处理中在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，也能防止感光性材料的成分溶出到液体中。由此，减小曝光装置内的污染的同时，也能防止感光性材料的成分残留在基板的表面。其结果是，能够降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
处理部具有：包括第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元的第一处理单位、包括第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元的第二处理单位、以及包括第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元的第三处理单位。
此时，在第一处理单位中，由第一处理单元在基板上形成感光性膜。然后，基板由第一搬送单元搬送到第一热处理单元，在第一热处理单元中对基板进行规定的热处理。然后，基板由第一搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，在第二处理单位中，由第二处理单元在基板上的感光性膜上形成保护膜。然后，基板由第二搬送单元搬送到第二热处理单元，在第二热处理单元中对基板进行规定的热处理。然后，基板由第二搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，基板由交接部的搬送装置从处理部搬送到曝光装置，在曝光装置中对基板进行曝光处理。曝光处理后的基板由交接部的搬送装置从曝光装置搬送到处理部。
接着，在第三处理单位中，由第三处理单元进行基板的显影处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到第三热处理单元，在第三热处理单元中对基板进行规定的热处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
在该基板处理装置中，按每一个处理单位分割处理内容。因此，通过对具有第一以及第三处理单位的已有的基板处理装置追加第二处理单位，从而在曝光装置中进行曝光处理之前，可以在第二处理单元中在感光性膜上形成保护膜。其结果是，低成本并且能够降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
处理部还包括在由曝光装置进行曝光处理之后、由第三处理单元进行显影处理之前除去保护膜的第四处理单元。
此时，因为在第三处理单元中对基板进行显影处理之前，在第四处理单元中可靠的除去保护膜，所以能够可靠的进行显影处理。
处理部具有：包括第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元的第一处理单位、包括第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元的第二处理单位、包括第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元的第三处理单位、以及包括第四处理单元和搬送基板的第四搬送单元的第四处理单位。
此时，在第一处理单位中，由第一处理单元在基板上形成感光性膜。然后，基板由第一搬送单元搬送到第一热处理单元，在第一热处理单元中对基板进行规定的热处理。然后，基板由第一搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，在第二处理单位中，由第二处理单元在基板上的感光性膜上形成保护膜。然后，基板由第二搬送单元搬送到第二热处理单元，在第二热处理单元中对基板进行规定的热处理。然后，基板由第二搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，基板由交接部的搬送装置从处理部搬送到曝光装置，在曝光装置中对基板进行曝光处理。曝光处理后的基板由交接部的搬送装置从曝光装置搬送到处理部。
接着，在第四处理单位中，由第四处理单元除去保护膜。然后，基板由第四搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
接着，在第三处理单位中，由第三处理单元进行基板的显影处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到第三热处理单元，在第三热处理单元中对基板进行规定的热处理。然后，基板由第三搬送单元搬送到相邻的其他的处理单位中。
在该基板处理装置中，按每一个处理单位分割处理内容。因此，通过对具有第一以及第三处理单位的已有的基板处理装置追加第二以及第四处理单位，从而在曝光装置中进行曝光处理之前，可以在第二处理单元中在感光性膜上形成保护膜的同时，可以在曝光处理之后、显影处理之前在第四处理单元中除去保护膜。其结果是，低成本、能够降低在曝光装置中产生的基板的处理不良并且能够可靠的进行显影处理。
第三处理单位可以配置在处理部的另一端部。此时，第三处理单位以外的多个处理单位以相互邻接的方式配置。由此，即使在需要使用另外的配管排出来自第三处理单位的废液和来自除此以外的处理单位的废液的情况下，也可以将配管的结构简单化。
保护膜可以由氟树脂构成。此时，可以可靠的保护感光性膜
交接部还包括对基板进行规定处理的第五处理单元和暂时载置基板的载置部；搬送装置包括：在处理部、第五处理单元以及载置部之间搬送基板的第五搬送单元，以及在载置部和曝光装置之间搬送基板的第六搬送单元。
此时，基板由第五搬送单元从处理部搬送到第五处理单元。在第五处理单元对基板进行规定的处理之后，基板由第五搬送单元搬送到载置部。然后，基板由第六搬送单元从载置部搬送到曝光装置。在曝光装置对基板进行曝光处理之后，基板由第六搬送单元从曝光装置搬送到载置部。然后，基板由第五搬送单元从载置部搬送到处理部。
像这样，在交接部配置第五处理单元，由两个搬送单元进行基板的搬送，从而可以无需增加基板处理装置的占有空间(footprint)即可追加处理内容。
第五搬送单元具有保持基板的第一保持部以及第二保持部；在搬送由曝光装置进行曝光处理之前的基板时，第五搬送单元由第一保持部保持基板，在搬送由曝光装置进行曝光处理之后的基板时，第五搬送单元由第二保持部保持基板；第六搬送单元具有保持基板的第三保持部以及第四保持部；在搬送由曝光装置进行曝光处理之前的基板时，第六搬送单元由第三保持部保持基板，在搬送由曝光装置进行曝光处理之后的基板时，第六搬送单元由第四保持部保持基板。
此时，第一保持部以及第三保持部在搬送曝光处理之前的液体未附着的基板时使用，第二保持部以及第四保持部在搬送曝光处理之后的附着有液体的基板时使用。因此，因为液体不会附着在第一保持部以及第三保持部上，所以能够防止液体附着在曝光处理之前的基板上。由此，能够防止由环境中的尘埃等的附着导致的基板的污染。其结果，可以防止在曝光处理装置中由解像性能恶化等导致的处理不良的发生。
第二保持部设置在第一保持部的下方，第四保持部设置在第三保持部的下方。此时，即使液体从第二保持部以及第四保持部以及它们保持的基板落下，液体也不会附着在第一保持部以及第三保持部以及它们保持的基板上。由此，可靠地防止液体附着在曝光处理之前的基板上。
第五处理单元包括曝光基板的周边部的边缘曝光部。此时，在边缘曝光部对基板的周边部进行曝光处理。
根据本发明的另一个局面的基板处理方法，在以相邻于曝光装置的方式被配置且具有第一处理单元、第二处理单元以及第三处理单元的基板处理装置中，对基板进行处理，该基板处理方法具有：在由曝光装置进行曝光处理之前，由第一处理单元在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的工序；在由曝光装置进行曝光处理之前，由第二处理单元在基板上形成保护感光性膜的保护膜的工序；在由曝光装置进行曝光处理之后，由第三处理单元对基板进行显影处理的工序。
在该基板处理方法中，在第一处理单元中在基板上形成感光性膜之后，在第二处理单元中在感光性膜上形成保护膜。然后，在曝光装置中对基板进行曝光处理。曝光处理后，由第三处理单元进行基板的显影处理。
像这样，在曝光装置中进行曝光处理之前，在第二处理单元中在感光性膜上形成保护膜。此时，即使在曝光处理中在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，也能防止感光性材料的成分溶出到液体中。由此，减小曝光装置内受污染的同时，也能防止感光性材料的成分残留在基板的表面。其结果，能够降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
基板处理装置还具有第四处理单元，基板处理方法还具有在由曝光装置进行曝光处理之后、由第三处理单元进行显影处理之前，由第四处理单元除去保护膜的工序。此时，因为在第三处理单元中对基板进行显影处理之前，在第四处理单元可靠地除去保护膜，所以能可靠地进行显影处理。
根据本发明，在曝光装置中进行曝光处理之前，在第二处理单元在感光性膜上形成保护膜。此时，即使在曝光处理中，在基板和液体接触的状态下进行曝光处理，也能防止感光性材料的成分溶出到液体中。由此，减小曝光装置内受污染的同时，也能防止感光性材料的成分残留在基板的表面。其结果，能够降低在曝光装置中产生的基板的处理不良。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图2是从+X方向看到的图1的基板处理装置的侧视图；
图3是从-X方向看到的图1的基板处理装置的侧视图；
图4是用于说明接口用搬送机构的结构以及动作的图；
图5是本发明第二实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图6是本发明第三实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图7是本发明第四实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图8是本发明第五实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图9是本发明第六实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图10是本发明第七实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图11是本发明第八实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图12是本发明第九实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
图13是本发明第十实施方式的基板处理装置的示意俯视图；
具体实施方式
下面，针对本发明实施方式的基板处理装置，使用附图来进行说明。在下面的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等。
(第一实施方式)
下面，针对本发明第一实施方式的基板处理装置，参照图1～图4进行说明。
在图1～图4中，为了明确位置关系，标有表示相互正交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅垂方向。此外，在各方向中，将箭头指向的方向设为+方向，其相反的方向设为-方向。另外，将以Z方向为中心旋转方向设为θ方向。
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图1所示，基板处理装置500包括分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置曝光装置16。在曝光装置16中，通过浸液法对基板W进行曝光处理。
下面，将各个分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15称为处理模块。
分度器模块9包括控制各处理模块的动作的主控制器(控制部)30、多个运送器载置台40、分度器机械手IR。在分度器机械手IR上，设置有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用处理模块10包括反射防止膜用热处理部100、101、反射防止膜用涂布处理部50以及第一中央机械手CR1。反射防止膜用涂布处理部50隔着第一中央机械手CR1与反射防止膜用热处理部100、101相对置地设置。在第一中央机械手CR1，上下设置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器模块9和反射防止膜用处理模块10之间，设置有隔离环境用的隔壁17。在该隔壁17上下接近地设置有用于在分度器模块9和反射防止膜用处理模块10之间进行基板W的交接的基板载置部PASS1、PASS2。上侧的基板载置部PASS1在将基板W从分度器模块9搬送到反射防止膜用处理模块10时使用，下侧的基板载置部PASS2在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到分度器模块9时使用。
另外，在基板载置部PASS1、PASS2设置有检测出基板W的有无的光学式传感器(未图示)。由此，可以进行在基板载置部PASS1、PASS2中是否载置有基板W的判定。另外，在基板载置部PASS1、PASS2设置有固定设置的多根支撑销。此外，上述的光学式的传感器以及支撑销也同样的设置在后面所述的基板载置部PASS3～PASS 14上。
抗蚀膜用处理模块11包括抗蚀膜用热处理部110、111、抗蚀膜用涂布处理部60以及第二中央机械手CR2。抗蚀膜用涂布处理部60隔着第二中央机械手CR2与抗蚀膜用热处理部110、111相对置地设置。在第二中央机械手CR2，上下设置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间，设置有隔离环境用的隔壁18。在该隔壁18，上下接近地设置有用于在反射防止膜用处理模块10和抗蚀膜用处理模块11之间进行基板W的交接的基板载置部PASS3、PASS4。上侧的基板载置部PASS3在将基板W从反射防止膜用处理模块10搬送到抗蚀膜用处理模块11时使用，下侧的基板载置部PASS4在将基板W从抗蚀膜用处理模块11搬送到反射防止膜用处理模块10时使用。
显影处理模块12包括显影用热处理部120、121、显影处理部70以及第三中央机械手CR3。显影处理部70隔着第三中央机械手CR3与显影用热处理部120、121相对置地设置。在第三中央机械手CR3，上下设置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间，设置有隔离环境用的隔壁19。在该隔壁19，上下接近地设置有用于在抗蚀膜用处理模块11和显影处理模块12之间进行基板W的交接的基板载置部PASS5、PASS6。上侧的基板载置部PASS5在将基板W从抗蚀膜用处理模块11搬送到显影处理模块12时使用，下侧的基板载置部PASS6在将基板W从显影处理模块12搬送到抗蚀膜用处理模块11时使用。
抗蚀盖膜用处理模块13包括抗蚀盖膜用热处理部130、131、抗蚀盖膜用涂布处理部80以及第四中央机械手CR4。抗蚀盖膜用涂布处理部80隔着第四中央机械手CR4与抗蚀盖膜用热处理部130、131相对置地设置。在第四中央机械手CR4，上下设置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在显影处理模块12和抗蚀盖膜用处理模块13之间，设置有隔离环境用的隔壁20。在该隔壁20，上下接近地设置有用于在显影处理模块12和抗蚀盖膜用处理模块13之间进行基板W的交接的基板载置部PASS7、PASS8。上侧的基板载置部PASS7在将基板W从显影处理模块12搬送到抗蚀盖膜用处理模块13时使用，下侧的基板载置部PASS8在将基板W从抗蚀盖膜用处理模块13搬送到显影处理模块12时使用。
抗蚀盖膜除去模块14包括曝光后烘干用热处理部140、141、抗蚀盖膜除去用处理部90以及第五中央机械手CR5。曝光后烘干用热处理部141相邻于接口模块15，如后面所述，具有基板载置部PASS11、PASS12。抗蚀盖膜除去用处理部90隔着第五中央机械手CR5与曝光后烘干用热处理部140、141相对置地设置。在第五中央机械手CR5，上下设置有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。
在抗蚀盖膜用处理模块13和抗蚀盖膜除去模块14之间，设置有隔离环境用的隔壁21。在该隔壁21，上下接近地设置有用于在抗蚀盖膜用处理模块13和抗蚀盖膜除去模块14之间进行基板W的交接的基板载置部PASS9、PASS10。上侧的基板载置部PASS9在将基板W从抗蚀盖膜用处理模块13搬送到抗蚀盖膜除去模块14时使用，下侧的基板载置部PASS10在将基板W从抗蚀盖膜除去模块14搬送到抗蚀盖膜用处理模块13时使用。
接口模块15包括第六中央机械手CR6、送进缓冲器SBF、接口用搬送机构IFR以及边缘曝光部EEW。另外，在边缘曝光部EEW的下侧，设置有后面所述的返回缓冲器RBF以及基板载置部PASS13、PASS14。在第六中央机械手CR6，上下设置有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12。
在本实施方式的基板处理装置500中，沿Y方向依次并列设置有分度器模块9、反射防止膜用模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15。
图2是从+X方向看到的图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用涂布处理部50(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元BARC。各涂布单元BARC具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘51以及向保持在旋转卡盘51上的基板W供给反射防止膜的涂布液的供给喷嘴52。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用涂布处理部60(参照图1)，上下层叠配置有3个涂布单元RES。各涂布单元RES具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘61以及向保持在旋转卡盘61上的基板W供给抗蚀膜的涂布液的供给喷嘴62
在显影处理模块12的显影处理部70，上下层叠配置有5个显影处理单元DEV。各显影处理单元DEV具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘71以及向保持在旋转卡盘71上的基板W供给显影液的供给喷嘴72。
在抗蚀盖膜用处理模块13的抗蚀盖膜用涂布处理部80，上下层叠配置有3个涂布单元COV。各涂布单元COV具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘81以及向保持在旋转卡盘81上的基板W供给抗蚀盖膜的涂布液的供给喷嘴82。作为抗蚀盖膜的涂布液，可以使用和抗蚀剂以及水的亲和力低的材料(与抗蚀剂以及水的反应性低的材料)。例如，氟树脂。涂布单元COV，通过使基板W旋转的同时在基板W上涂布涂布液，由此在形成于基板W上的抗蚀剂膜上形成抗蚀盖膜。
抗蚀盖膜除去模块14的抗蚀盖膜除去用处理部90上，上下层叠配置有3个除去单元REM。各除去单元REM具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘91以及向保持在旋转卡盘91上的基板W供给剥离液(例如氟树脂)的供给喷嘴92。除去单元REM，通过使基板W旋转的同时在基板W上涂布剥离液，除去形成于基板W上的抗蚀盖膜。
此外，除去单元REM中的抗蚀盖膜的除去方法不限于上述的例子。例如，可以通过在基板W的上方使狭缝喷嘴移动的同时向基板W上供给剥离液来除去抗蚀盖膜。
在接口模块15，上下层叠配置有两个边缘曝光部EEW、返回缓冲部RBF以及基板载置部PASS13、PASS14，同时配置有第六中央机械手CR6(参照图1)以及接口用搬送机构IFR。各边缘曝光部EEW具有以水平姿势吸附保持基板W并使其旋转的旋转卡盘98以及曝光保持在旋转卡盘98上的基板W的周边的光照射器99。
图3是从-X方向看到的图1的基板处理装置500的侧视图。
在反射防止膜用处理模块10的反射防止膜用热处理部100，层叠配置有两个冷却单元(冷却板)CP，在反射防止膜用热处理部101，上下层叠配置有4个加热单元(加热板)HP以及两个冷却单元CP。另外，在反射防止膜用热处理部100、101，分别配置有在最上部控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀膜用处理模块11的抗蚀膜用热处理部110，上下层叠配置有4个冷却单元CP，在抗蚀膜用热处理部111，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在抗蚀膜用热处理部110、111，分别配置有在最上部控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在显影处理模块12的显影用热处理部120，上下层叠配置有4个冷却单元CP，在显影用热处理部121，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在显影用热处理部120、121，分别配置有在最上部控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀盖膜用处理模块13的抗蚀盖膜用热处理部130，上下层叠配置有4个冷却单元CP，在抗蚀盖膜用热处理部131，上下层叠配置有4个加热单元HP。另外，在抗蚀盖膜用热处理部130、131，分别配置有在最上部控制冷却单元CP以及加热单元HP的温度的局部控制器LC。
在抗蚀盖膜除去模块14的曝光后烘干用热处理部140，上下层叠配置有两个加热单元HP以及两个冷却单元CP，在曝光后烘干用热处理部141，上下层叠配置有4个加热单元HP、1个冷却单元CP、基板载置部PASS11、PASS12、1个冷却单元CP。另外，在曝光后烘干用热处理部140、141，分别配置有在最上部控制加热单元HP、冷却单元CP的温度的局部控制器LC。
接着，针对本实施方式的基板处理装置500的动作进行说明。
在分度器模块9的运送器载置台40上，搬入多级容纳多张基板W的运送器C。分度器机械手IR使用手部IRH取出容纳在运送器C内的未处理的基板W。然后，分度器机械手IR沿±X方向移动的同时沿±θ方向旋转移动，将未处理的基板W移载到基板载置部PASS1上。
在本实施方式中，采用FOUP(front opening unified pod：晶元传送盒)作为运送器C，但是不限于此，也可以使用SMIF(Standard Mechanical InterFace：标准机械界面晶圆)盒和将容纳基板W曝露在外部空气中的OC(opencassette：开放式晶元匣)。进一步，在分度器机械手IR、第一～第六中央机械手CR1～CR6以及接口用搬送机构IFR，虽然分别使用相对基板W直线滑动而进行手部的进退动作的直动型搬送机械手，但是不限于此，可以使用通过使关节动作来直线地进行手部的进退动作的多关节型搬送机械手。
移载到基板载置部PASS1上的未处理的基板W，由反射防止膜用处理模块10的第一中央机械手CR1的手部CRH1接受。第一中央机械手CR1由手部CRH1将基板W搬入到反射防止膜用热处理部100、101。然后，第一中央机械手CR1由手部CRH2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，并搬入到反射防止膜用涂布处理部50。在该反射防止膜用涂布处理部50中，为了减少曝光时产生的驻波和光晕，通过涂布单元BARC在基板W上涂布形成反射防止膜。
然后，第一中央机械手CR1由手部CRH1从反射防止膜用涂布处理部50取出涂布处理结束的基板W并将基板W搬入反射防止膜用热处理部100、101。
接着，第一中央机械手CR1由手部CRH2从反射防止膜用热处理部100、101取出热处理结束的基板W，移载到基板载置部PASS3上。
移载到基板载置部PASS3上的基板W由抗蚀膜用处理模块11的第二中央机械手CR2的手部CRH3接受。第二中央机械手CR2由手部CRH3将基板W搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。然后，第二中央机械手CR2由手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，并搬入到抗蚀膜用涂布处理部60。在该抗蚀膜用涂布处理部60中，通过涂布单元RES在涂布形成了反射防止膜的基板W上涂布形成抗蚀膜。
然后，第二中央机械手CR2由手部CRH3从抗蚀膜用涂布处理部60取出涂布处理结束的基板W，搬入到抗蚀膜用热处理部110、111。
接着，第二中央机械手CR2由手部CRH4从抗蚀膜用热处理部110、111取出热处理结束的基板W，移载到基板载置部PASS5上。
移载到基板载置部PASS5上的基板W由显影处理模块12的第三中央机械手CR3的手部CRH5接受。第三中央机械手CR3由手部CRH5将基板W移载到基板载置部PASS7上。
移载到基板载置部PASS7上的基板W，由抗蚀盖膜用处理模块13的第四中央机械手CR4的手部CRH7接受。第四中央机械手CR4由手部CRH7将基板W搬入到抗蚀盖膜用涂布处理部80。在该抗蚀盖膜用涂布处理部80中，通过涂布单元COV在涂布形成了抗蚀膜的基板W上涂布形成抗蚀盖膜。
然后，第四中央机械手CR4由手部CRH8从抗蚀盖膜用涂布处理部80取出涂布处理结束的基板W，搬入抗蚀盖膜用热处理部130、131。
接着，第四中央机械手CR4由手部CRH7从抗蚀盖膜用热处理部130、131取出热处理结束的基板W，移载到基板载置部PASS9上。
移载到基板载置部PASS9上的基板W由抗蚀盖膜除去模块14的第五中央机械手CR5的手部CRH9接受。第五中央机械手CR5由手部CRH9将基板W移载到基板载置部PASS11上。
移载到基板载置部PASS11上的基板W，由接口模块15的第六中央机械手CR6的手部CRH11接受。第六中央机械手CR6由手部CRH11将基板W搬入到边缘曝光部EEW。在该边缘曝光部EEW中，在基板W的周边部实施曝光处理。
接着，第六中央机械手CR6由手部CRH11从边缘曝光部EEW取出边缘曝光处理结束的基板W。然后，第六中央机械手CR6由手部CRH11将基板W移载到基板载置部PASS13上。
移载到基板载置部PASS13上的基板W由接口用搬送机构IFR的手部H5搬入曝光装置16。在曝光装置16中对基板W实施了曝光处理后，接口用搬送机构IFR由手部H6将基板W移载到PASS14上。此外，关于接口用搬送机构IFR的具体结构，在后面叙述。
移载到基板载置部PASS14上的基板W由接口模块15的第六中央机械手CR6的手部CRH12接受。第六中央机械手CR6由手部CRH12将基板W搬入到抗蚀盖膜除去模块14的曝光后烘干用热处理部141。在曝光后烘干用热处理部141中，对基板W进行曝光后烘干(PEB)。然后，第六中央机械手CR6由手部CRH12从曝光后烘干用热处理部141取出基板W，移载到基板载置部PASS12上。
此外，在本实施方式中，由曝光后烘干用热处理部141进行曝光后烘干，但是也可以由曝光后烘干用热处理部140进行曝光后烘干。
移载到基板载置部PASS12上的基板W由抗蚀盖膜除去模块14的第五中央机械手CR5的手部CRH10接受。第五中央机械手CR5由手部CRH10将基板W搬入到抗蚀盖膜除去用处理部90。在抗蚀盖膜除去用处理部90中，除去抗蚀盖膜。
然后，第五中央机械手CR5由手部CRH10从抗蚀盖膜除去用处理部90取出处理结束的基板W，移载到基板载置部PASS10上。
此外，由于故障等，在抗蚀盖膜除去用处理部90中暂时不能进行抗蚀盖膜的除去处理时，在曝光后烘干用热处理部141中对基板W实施了热处理之后，可以暂时将基板W容纳保管在接口模块15的返回缓冲器部RBF中。
移载到基板载置部PASS10的基板W由抗蚀盖膜用处理模块13的第四中央机械手CR4的手部CRH8移载到基板载置部PASS8上。
移载到基板载置部PASS8上的基板W由显影处理模块12的第三中央机械手CR3的手部CRH6接受。第三中央机械手CR3由手部CRH6将基板W搬入到显影处理部70。在显影处理部70中，对曝光了的基板W实施显影处理。
然后，第三中央机械手CR3由手部CRH5从显影处理部70取出显影处理结束的基板W，搬入到显影用热处理部120、121。
接着，第三中央机械手CR3由手部CRH6从显影用热处理部120、121取出热处理后的基板W，移载到基板载置部PASS6上。
移载到基板载置部PASS6上的基板W由抗蚀膜用处理模块11的第二中央机械手CR2的手部CRH4移载到基板载置部PASS4上。移载到基板载置部PASS上的基板W由反射防止膜用处理模块10的第一中央机械手CR1的手部CRH2移载到基板载置部PASS2上。
移载到基板载置部PASS2上的基板W由分度器模块9的分度器机械手IR容纳在运送器C内。由此，基板处理装置500中的基板W的各个处理结束。
如上所述，在本实施方式的基板处理装置500中，在曝光装置16中对基板W进行曝光处理之前，在抗蚀盖膜用处理模块13中，在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀盖膜。此时，即使在曝光处理16中基板W和液体接触，也因为可以由抗蚀盖膜防止抗蚀膜和液体接触，所以能够防止抗蚀剂的成分溶出到液体中。由此，降低曝光装置16的抗蚀剂(未图示)等的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。其结果是，能够降低在曝光装置中产生的基板W的处理不良。
另外，在显影处理模块12对基板W进行显影处理之前，在抗蚀盖膜除去模块14中，进行抗蚀盖膜的除去。此时，因为在显影处理之前可靠的除去抗蚀盖膜，所以能够可靠的进行显影处理。
此外，在显影处理模块12的显影处理单元DVE中，在将可以除去抗蚀盖膜的液体作为显影液使用时，就可以不设置抗蚀盖膜除去模块14。此时，可使基板处理装置500变得小型化。
接着，针对接口用搬送机构IFR进行说明。图4是用于说明接口用搬送机构IFR的构成以及动作的图。
首先，针对接口用搬送机构IFR的构成进行说明。如图4所示，接口用搬送机构IFR的可动台31与螺旋轴32螺合。螺旋轴32以在X方向延伸的方式由支撑台33可旋转地支撑。在螺旋轴32的一端部设置有马达M1，通过该马达M1，螺旋轴32旋转，可动台31在±X方向上水平移动。
另外，在可动台31，在±θ方向可旋转并且在±Z轴方向可升降的装载有手部支撑台34。手部支撑台34经由旋转轴35与可动台31内的马达M2连接，通过该马达M2，手部支撑台34旋转。在手部支撑台34上下可自由进退地设置有以水平姿势保持基板W的两个手部H5、H6。
接着，针对接口用搬送机构IFR的动作进行说明。接口用搬送机构IFR的动作由图1的主控制器30控制。
首先，接口用搬送机构IFR，在图4的位置A使手部支撑台34旋转的同时，沿+Z方向上升，使手部H5进入基板载置部PASS13。在基板载置部PASS13中，当手部H5接受到基板W时，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板载置部PASS13后退，使手部支撑台34沿-Z方向下降。
接着，接口用搬送机构IFR沿-X方向移动，在位置B，使手部支撑台34旋转的同时，使手部H5进入曝光装置16的基板搬入部16a(参照图1)。将基板W搬入基板搬入部16a之后，接口用搬送机构IFR使手部H5从基板搬入部16a后退。
接着，接口用搬送机构IFR使手部H6进入曝光装置16的基板搬出部16b(参照图1)。在基板搬出部16b中，当手部H6接受到曝光处理后的基板W时，接口用搬送机构IFR使手部H6从基板搬出部16b后退。
然后，接口用搬送机构IFR沿+X方向移动，在位置A使手部支撑台34旋转的同时沿+Z方向上升，使手部H6进入基板载置部PASS14，将基板W移载到基板载置部PASS14。
此外，将基板W从基板载置部PASS13搬送到曝光装置16时，在曝光装置16不能接受基板W的情况下，基板W暂时容纳保管在输入缓冲器SBF中。
如上所述，在本实施方式中，在将基板W从基板载置部PASS13搬送到曝光装置16时，使用接口用搬送机构IFR的手部H5，在将基板W从曝光装置16搬送到基板载置部PASS14时，使用手部H6。即，手部H6使用于曝光处理之后的附着有液体的基板W的搬送，手部H5使用于曝光处理之前的液体未附着的基板W的搬送。因此，基板W的液体不会附着在手部H5上。
另外，因为手部H6设置在手部H5的下方，所以液体即使从手部H6以及其保持的基板W落下，液体也不会附着在手部H5以及其保持的基板W上。
进一步，如上所述，在第六中央机械手CR6中，下侧的手部CRH12使用于曝光处理之后的附着有液体的基板W的搬送(基板载置部PASS14和曝光后烘干用热处理部141之间)，上侧的手部CRH11使用于曝光处理之前的液体未附着的基板W的搬送(基板载置部PASS11和边缘曝光部EEW之间以及边缘曝光部EEW和基板载置部PASS13之间)。因此，在第六中央机械手CR6中，液体也不会附着在曝光处理之前的基板W上。
结果，因为可以防止液体附着在曝光处理之前的基板W上，所以可以防止由环境中的尘埃等的附着导致的基板W的污染。由此，可以防止在曝光装置16中由解像性能的恶化等导致的处理不良的产生。
此外，在本实施方式中，通过1台接口用搬送机构IFR进行基板W的搬送，但是也可以使用多个接口用搬送机构IFR来进行基板W的搬送。
另外，可以根据曝光装置16的基板搬入部16a以及基板搬出部16b的位置，变更接口用搬送机构IFR的动作以及构成。例如，曝光装置16的基板搬入部16a以及基板搬出部16b处在与图4的位置A相对向的位置时，可以不设置图4的螺旋轴32。
另外，涂布单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP以及冷却单元CP的个数可以对应各处理模块的处理速度而适当的变更。
在本实施方式中，反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜用处理模块13以及抗蚀盖膜除去模块14相当于处理部，接口模块15相当于交接部，涂布单元RES相当于第一处理单元，抗蚀膜用处理模块11相当于第一处理单位，涂布单元COV相当于第二处理单元，抗蚀盖膜用处理模块13相当于第二处理单位，显影处理单元DEV相当于第三处理单元，显影处理模块12相当于第三处理单位，除去单元REM相当于第四处理单元，抗蚀盖膜除去模块14相当于第四处理单位，抗蚀膜相当于感光性膜，抗蚀盖膜相当于保护膜。
另外，加热单元HP以及冷区单元CP相当于第一～第三热处理单元，第二中央机械手CR2相当于第一搬送单元，第四中央机械手CR4相当于第二搬送单元，第三中央机械手CR3相当于第三搬送单元，第五中央机械手CR5相当于第四搬送单元，第六中央机械手CR6相当于第五搬送单元，接口用搬送机构IFR相当于第六搬送单元，手部CRH11相当于第一保持部，手部CRH12相当于第二保持部，手部H5相当于第三保持部，手部H6相当于第四保持部，基板载置部PASS13、14相当于载置部。
(其他实施方式)
下面，针对第二～第十实施方式进行说明。此外，关于各处理模块的动作以及各处理模块中的处理，因为在第一实施方式中说明，故省略。另外，如上所述，涂布单元BARC、RES、COV、显影处理单元DEV、除去单元REM、加热单元HP以及冷区单元CP的个数可以对应各处理模块的处理速度而适当的变更。另外，基板载置部PASS11、PASS12设置在相邻于接口模块15的处理模块上。另外，曝光后烘干(PEB)在相邻于接口模块处理15的处理模块的热处理部进行。
(第二实施方式)
图5是本发明第二实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图5所示，在第二实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、显影处理模块12、抗蚀盖膜除去模块14、抗蚀盖膜用处理模块13以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由显影处理模块12、抗蚀盖膜除去模块14被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行曝光后烘干(PEB)之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。
在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到显影处理模块12中。在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀膜用处理模块11以及反射防止膜用处理模块10被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第三实施方式)
图6是本发明第三实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图6所示，在第三实施方式的基板处理装置中，依次并列有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜用处理模块13、显影处理模块12、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由显影处理模块12、抗蚀盖膜除去模块14被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬到抗蚀盖膜除去模块14中。在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行包括PEB的规定的处理之后，基板W被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀膜用处理模块11以及反射防止膜用处理模块10被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第四实施方式)
图7是本发明第四实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图7所示，在第四实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、显影处理模块12、抗蚀盖膜除去模块14、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜用处理模块13以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由显影处理模块12以及抗蚀盖膜除去模块14被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬到抗蚀盖膜用处理模块13中。
在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行曝光后烘干后，基板W经由抗蚀膜用处理模块11被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由反射防止膜用处理模块10被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第五实施方式)
图8是本发明第五实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图8所示，在第五实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、显影处理模块12、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜除去模块14、抗蚀盖膜用处理模块13以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由显影处理模块12被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜除去模块14被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬到抗蚀盖膜用处理模块13中。
在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行曝光后烘干后，基板W被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀膜用处理模块11被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由反射防止膜用处理模块10被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第六实施方式)
图9是本发明第六实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图9所示，在第六实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、反射防止膜用处理模块10、显影处理模块12、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由显影处理模块12被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜除去模块14被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。
在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行包括PEB的规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜用处理模块13以及抗蚀膜用处理模块11被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由反射防止膜用处理模块10被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第七实施方式)
图10是本发明第七实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图10所示，在第七实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、显影处理模块12、抗蚀盖膜除去模块14、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜用处理模块13以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W经由显影处理模块12以及抗蚀盖膜除去模块14被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。
在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行曝光后烘干之后，基板W经由抗蚀膜用处理模块11以及反射防止膜用处理模块10被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第八实施方式)
图11是本发明第八实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图11所示，在第八实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、显影处理模块12、反射防止膜用处理模块10、抗蚀盖膜除去模块14、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜用处理模块13以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W经由显影处理模块12被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜除去模块14被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。
在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行曝光后烘干之后，基板W经由抗蚀膜用处理模块11被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。
在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由反射防止膜用处理模块10被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到分度器模块9中。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第九实施方式)
图12是本发明第九实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图12所示，在第九实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、显影处理模块12、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜除去模块14、抗蚀盖膜用处理模块13以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W经由显影处理模块12被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜除去模块14被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。
在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行曝光后烘干之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀膜用处理模块11以及反射防止膜用处理模块10被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第十实施方式)
图13是本发明第十实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
如图13所示，在第十实施方式的基板处理装置中，依次并列设置有分度器模块9、显影处理模块12、反射防止膜用处理模块10、抗蚀膜用处理模块11、抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀盖膜除去模块14以及接口模块15。另外，以相邻于接口模块15的方式配置有曝光装置16。
在本实施方式中，搬入到分度器模块9的基板W经由显影处理模块12被搬送到反射防止膜用处理模块10中，在反射防止膜用处理模块10中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀膜用处理模块11。
在抗蚀膜用处理模块11中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到抗蚀盖膜用处理模块13中。在抗蚀盖膜用处理模块13中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜除去模块14被搬送到接口模块15中。
在接口模块15中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到曝光装置16中。在曝光装置16中对基板W进行规定的处理之后，基板W经由接口模块15被搬送到抗蚀盖膜除去模块14中。
在抗蚀盖膜除去模块14中对基板W进行包括PEB的规定的处理之后，基板W经由抗蚀盖膜用处理模块13、抗蚀膜用处理模块11以及反射防止膜用处理模块10被搬送到显影处理模块12中。
在显影处理模块12中对基板W进行规定的处理之后，基板W被搬送到分度器模块9。由此，基板处理装置500中的基板W的各处理结束。
(第二～第十实施方式的效果)
像以上那样，在第二～第十实施方式的基板处理装置500中，也和第一实施方式的基板处理装置500相同，在曝光装置16中对基板W进行曝光处理之前，在抗蚀盖膜用处理模块13中，在形成于基板W上的抗蚀膜上形成抗蚀盖膜。此时，即使在曝光处理16中基板W和液体接触，也因为由抗蚀盖膜可以防止抗蚀膜和液体接触，所以能够防止抗蚀剂的成分溶出到液体中。由此，降低曝光装置16内的污染的同时，也能防止在基板W的表面残留抗蚀剂的成分。其结果是，能够降低在曝光装置16中产生的基板W的处理不良。
另外，在显影处理模块12对基板W进行显影处理之前，在抗蚀盖膜除去模块14中，进行抗蚀盖膜的除去。此时，因为在显影处理之前可靠的除去抗蚀盖膜，所以能够可靠的进行显影处理。
另外，在第七～第十实施方式中，显影处理模块12以相邻于分度器模块9的方式设置。通常，在显影处理模块12以外的处理模块中，使用有机溶剂作为涂布液以及剥离液。因此，需要使用另外的配管排出来自显影处理模块12的废液和来自除此以外的处理模块的废液。在这里，通过以相邻于分度器模块9的方式设置显影处理模块12，因为显影处理模块12以外的多个处理模块以相互邻接的方式配置，所以，配管的结构简单化。
Claims (12)
1.一种基板处理装置，以相邻于曝光装置的方式配置，其特征在于，具有用于对基板进行处理的处理部，以及以相邻于上述处理部的一端部的方式设置且在上述处理部和上述曝光装置之间进行基板的交接的交接部；
上述交接部包含在上述处理部和上述曝光装置之间搬送基板的搬送装置；
上述处理部包含：
在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的第一处理单元；
在由上述曝光装置进行曝光处理之前，在基板上形成保护上述感光性膜的保护膜的第二处理单元；以及，
在由上述曝光处理进行曝光处理之后，对基板进行显影处理的第三处理单元。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部具有：
包含上述第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元的第一处理单位；
包含上述第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元的第二处理单位；以及，
包含上述第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元的第三处理单位。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部进一步包含第四处理单元，该第四处理单元在由上述曝光装置进行曝光处理之后、由上述第三处理单元进行显影处理之前，除去上述保护膜。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理部具有：
包含上述第一处理单元、对基板进行热处理的第一热处理单元以及搬送基板的第一搬送单元的第一处理单位；
包含上述第二处理单元、对基板进行热处理的第二热处理单元以及搬送基板的第二搬送单元的第二处理单位；
包含上述第三处理单元、对基板进行热处理的第三热处理单元以及搬送基板的第三搬送单元的第三处理单位；以及，
包含上述第四处理单元以及搬送基板的第四搬送单元的第四处理单位。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述第三处理单位配置在上述处理部的另一端部。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述保护膜由氟树脂构成。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述交接部进一步包含对基板进行规定处理的第五处理单元和暂时载置基板的载置部；
上述搬送装置包含：在上述处理部、上述第五处理单元以及上述载置部之间搬送基板的第五搬送单元，以及在上述载置部和上述曝光装置之间搬送基板的第六搬送单元。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第五搬送单元具有保持基板的第一保持部和第二保持部；在搬送由上述曝光装置进行曝光处理之前的基板时，上述第五搬送单元由上述第一保持部保持基板；在搬送由上述曝光装置进行曝光处理之后的基板时，上述第五搬送单元由上述第二保持部保持基板；
上述第六搬送单元具有保持基板的第三保持部和第四保持部；在搬送由上述曝光装置进行曝光处理之前的基板时，上述第六搬送单元由上述第三保持部保持基板；在搬送由上述曝光装置进行曝光处理之后的基板时，上述第六搬送单元由上述第四保持部保持基板。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第二保持部设置在上述第一保持部的下方，上述第四保持部设置在上述第三保持部的下方。
10.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述第五处理单元包含曝光基板的周边部的边缘曝光部。
11.一种基板处理方法，在以相邻于曝光装置的方式被配置且具有第一处理单元、第二处理单元以及第三处理单元的基板处理装置中，对基板进行处理，其特征在于，具有：
在由上述曝光装置进行曝光处理之前，由上述第一处理单元，在基板上形成由感光性材料构成的感光性膜的工序；
在由上述曝光装置进行曝光处理之前，由上述第二处理单元，在基板上形成保护上述感光性膜的保护膜的工序；
在由上述曝光装置进行曝光处理之后，由上述第三处理单元，对基板进行显影处理的工序。
12.如权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板处理装置进一步具有第四处理单元；
上述基板处理方法在由上述曝光装置进行曝光处理之后、由上述第三处理单元进行显影处理之前，进一步具有由上述第四处理单元除去上述保护膜的工序。
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