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CN108604536A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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CN108604536A CN201780009122.9A CN201780009122A CN108604536A CN 108604536 A CN108604536 A CN 108604536A CN 201780009122 A CN201780009122 A CN 201780009122A CN 108604536 A CN108604536 A CN 108604536A
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Abstract

在基板(W)的被处理面上形成有包含金属成分及感光性材料的抗蚀膜之后，由边缘曝光部(41)对基板的周缘部照射光。由此，对基板的周缘部上的抗蚀膜的部分进行曝光。接着，通过由显影液喷嘴(43)对基板的周缘部供给显影液，由此对被曝光后的抗蚀膜的部分进行显影处理。由此，除去在基板的周缘部上形成的抗蚀膜的部分。然后，将基板搬送至曝光装置(15)。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理，由此在抗蚀膜上形成曝光图案，接着通过在显影处理单元(139)中对曝光处理后的基板供给显影液，由此进行抗蚀膜的显影处理。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在制造半导体设备等的光刻工序中，通过对基板上供给抗蚀液等涂布液而形成涂布膜。例如，能通过旋转卡盘使基板一边保持于水平一边旋转。在该状态下，通过从抗蚀喷嘴向基板的上表面的大致中央部喷出抗蚀液，就能在基板的整个上表面上形成作为涂布膜的抗蚀膜。此处，若在基板的周缘部存在有抗蚀膜，就会在用于搬送基板的搬送机构把持基板的周缘部时，使抗蚀膜的一部分剥离并成为颗粒。于是，通过从边缘冲洗喷嘴对基板的周缘部喷出有机溶剂来溶解基板的周缘部的抗蚀膜。由此，除去基板的周缘部的抗蚀膜(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献1：日本特开平6-124887号公报
发明内容
发明所要解决的问题
近年来，为了形成更微细的图案，已有研究应用含有金属成分的涂布膜(以下，称为含金属涂布膜)的技术。然而，通过发明人的实验，可明白即便是在通过对形成于基板上的含金属涂布膜的周缘部喷出有机溶剂来除去基板的周缘部的涂布膜的情况下，含有金属成分的涂布膜成分仍无法被除去而残留于基板的周缘部上。因此，残留于基板的周缘部的金属成分会导致基板处理装置以及邻接的曝光装置被污染。
本发明的目的在于提供一种能够防止因在基板的周缘部上残留的金属成分引起的金属污染的发生的基板处理装置及基板处理方法。
解决问题的技术方案
(1)本发明的一个实施方式的基板处理装置，被配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置邻接，该基板处理装置具有：膜形成单元，用于在基板的被处理面上形成含金属感光性膜，该含金属感光性膜包含金属成分及感光性材料；边缘曝光部，用于对形成含金属感光性膜后的基板的周缘部照射光；边缘显影处理部，通过对基板的周缘部供给显影液，由此对已经被边缘曝光部照射光的含金属感光性膜的部分进行显影处理；搬送机构，用于将由边缘显影处理部进行显影处理后的基板搬送至曝光装置；以及显影处理单元，通过对曝光装置中的曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理。
以下，将由边缘曝光处理部进行的含金属感光性膜的曝光处理称为边缘曝光处理，将由边缘显影处理部进行的含金属感光性膜的显影处理称为边缘显影处理。
在该基板处理装置中，在基板的被处理面上形成有含金属感光性膜的后，对基板的周缘部照射光。由此，对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分进行曝光，作为边缘曝光处理。接着，通过对基板的周缘部供给显影液，由此对被曝光后的含金属感光性膜的部分进行显影处理，作为边缘显影处理。然后，将基板搬送至曝光装置。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理，由此在含金属感光性膜上形成曝光图案，接着通过在显影处理单元中对曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理。
如此，在基板上形成有含金属感光性膜之后、且在基板被搬送至曝光装置之前，对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分进行边缘曝光处理及边缘显影处理。由此，可以从基板的周缘部上适当地除去含金属感光性膜。因此，能防止基板的周缘部上残留金属成分，并且能充分地防止在基板处理装置及曝光装置中发生金属污染。
(2)膜形成单元，也可以包含：旋转保持部，用于保持基板并使该基板旋转；以及液体供给部，用于对由旋转保持部旋转的基板的被处理面供给含金属感光性膜用的涂布液。边缘曝光部可以构成为在由液体供给部供给涂布液后，对由旋转保持部旋转的基板的周缘部照射光。
在该情况下，一边由共用的旋转保持部使基板旋转，一边由液体供给部对基板的被处理面供给含金属感光性膜用的涂布液，并且由边缘曝光部对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分照射光。由此，可以在共用的空间中进行含金属感光性膜的形成及边缘曝光处理。因此，可以抑制装置成本的增加及基板处理装置的大型化。
(3)膜形成单元还可以包括：第一除去液供给部，用于在由液体供给部供给涂布液后，对由旋转保持部旋转的基板的周缘部供给使涂布液溶解的第一除去液。
在该情况下，通过对基板的周缘部供给第一除去液，从基板的周缘部上更充分地除去含金属感光性膜。因此，更充分地防止在基板的周缘部上残留金属成分。
(4)边缘显影处理部可以构成为在由边缘曝光部进行光照射后，对由旋转保持部旋转的基板的周缘部喷出显影液。在该情况下，除了含金属感光性膜的形成及边缘曝光处理以外，还可以在共用的空间中进行边缘显影处理。由此，可以进一步抑制装置成本的增加及基板处理装置的大型化。此外，在形成含金属感光性膜后，不用从旋转保持部中搬送基板，就可以除去基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分。因此，防止基板搬送时的金属成分的扩散，并且更充分地防止金属污染的发生。
(5)基板处理装置还可以具有：加热部，构成为在由边缘曝光部进行光照射后、且在由边缘显影处理部进行显影处理前，对由旋转保持部旋转的基板的周缘部进行加热。
在该情况下，通过对边缘曝光处理后的基板的周缘部进行加热，可以促进由边缘曝光处理产生的生成物(酸)的催化作用，并且提高显影液对含金属感光性膜的溶解性。由此，能够减少边缘曝光处理的光照射量，并且可以改善边缘曝光处理的产能。
(6)边缘显影处理部可以设置在显影处理单元中。在该情况下，可以在共用的显影处理单元中，分别进行含金属感光性膜的边缘显影处理及普通显影处理。由此，可以抑制装置成本的增加及基板处理装置的大型化。
(7)边缘显影处理部及显影处理单元可以具有能够喷出显影液的共用的显影液喷嘴。在该情况下，可以使用共用的显影处理喷嘴分别进行边缘显影处理及普通的显影处理。由此，能够进一步削减装置成本。
(8)基板处理装置还可以具有：热处理单元，用于对由边缘曝光部进行光照射后、且由边缘显影处理部进行的显影处理前的基板进行加热处理。在该情况下，可以在热处理单元中，同时进行由曝光装置进行的曝光处理前的基板的加热处理、以及边缘曝光处理后的基板的周缘部的加热处理。由此，可以缩短基板的处理时间。
(9)基板处理装置还可以具有：第二除去液供给部，用于在由边缘显影处理部进行显影处理后，对基板的周缘部供给使金属成分溶解的第二除去液。在该情况下，可以更充分地防止在基板的周缘部上残留金属成分。
(10)依照本发明的另一实施方式的基板处理方法包括：由膜形成单元在基板的被处理面上形成含金属感光性膜，该含金属感光性膜的步骤；由边缘曝光部对形成含金属感光性膜后的基板的周缘部照射光的步骤；由边缘显影处理部通过对基板的周缘部供给显影液，由此对已经被边缘曝光部照射光的含金属感光性膜的部分进行显影处理的步骤；将由边缘显影处理部进行显影处理后的基板搬送至曝光装置的步骤；以及在显影处理单元中通过对曝光装置中的曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理的步骤。
依据该基板处理方法，在基板的被处理面上形成有含金属感光性膜之后，对基板的周缘部照射光。由此，对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分进行曝光。接着，通过对基板的周缘部供给显影液，由此对被曝光后的含金属感光性膜的部分进行显影处理。然后，将基板搬送至曝光装置。通过在曝光装置中对基板进行曝光处理，由此在含金属感光性膜上形成曝光图案，接着通过在显影处理单元中对曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理。
如此，在基板上形成有含金属感光性膜之后、并且在基板被搬送至曝光装置之前，对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分进行曝光处理及显影处理。由此，可以从基板的周缘部上适当地除去含金属感光性膜。因此，能防止在基板的周缘部上残留金属成分，并且能充分地防止在基板处理装置及曝光装置中发生金属污染。
(11)形成含金属感光性膜的步骤可以包括：由液体供给部对由旋转保持部旋转的基板的被处理面供给含金属感光性膜用的涂布液的步骤。对基板的周缘部照射光的步骤可以包括：在由液体供给部供给涂布液后，由所述边缘曝光部对由旋转保持部旋转的基板的周缘部照射光的步骤。
在该情况下，一边由共用的旋转保持部使基板旋转，一边由液体供给部对基板的被处理面供给含金属感光性膜用的涂布液，并且由边缘曝光部对基板的周缘部上的含金属感光性膜的部分照射光。由此，可以在共用的空间中进行含金属感光性膜的形成及边缘曝光处理。因此，可以抑制装置成本的增加及基板处理装置的大型化。
发明效果
依据本发明，可以防止因在基板的周缘部上残留的金属成分引起的金属污染的发生。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
图2是示出图1的涂布处理部、显影处理部及清洗干燥处理部的内部结构的示意侧视图。
图3是示出抗蚀膜用涂布处理单元的结构的示意俯视图。
图4是示出抗蚀膜用涂布处理单元的一部分结构的示意侧视图。
图5是示出抗蚀膜用涂布处理单元的另一结构例的图。
图6是示出图1的热处理部及清洗干燥处理部的内部结构结构的示意侧视图。
图7是用于说明金属除去单元的结构的示意图。
图8是示出金属除去单元的另一结构的示意图。
图9是示出搬送部的内部结构的示意侧视图。
图10是示出搬送机构的立体图。
图11是用于说明第二实施方式中的抗蚀膜用涂布处理单元的结构的示意图。
图12是示出冷却气体供给部的一例的示意图。
具体实施方式
下面，使用附图说明本发明的实施方式的基板处理装置及基板处理方法。需要说明的是，在以下的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩膜用基板等。此外，在本实施方式中所用的基板的至少一部分具有圆形的外周部。例如，除了定位用的凹槽以外的外周部具有圆形形状。
[1]第一实施方式
(1)基板处理装置
图1是本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意俯视图。为了明确位置关系，在图1及图2以后的规定的图中标记用于表示相互正交的X方向、Y方向及Z方向的箭头。X方向及Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅直方向。
如图1所示，基板处理装置100具有：分度器区11、第一处理区12、第二处理区13、清洗干燥处理区14A及搬入搬出区14B。清洗干燥处理区14A及搬入搬出区14B构成接口区14。曝光装置15配置为与搬入搬出区14B邻接的方式。在本实施例中，曝光装置15通过具有例如13nm以上14nm以下的波长的EUV(Extreme Ultra Violet；极紫外线)对基板W进行曝光处理。以下，将通过曝光装置15对基板W进行的曝光处理称为通常曝光处理。
如图1所示，分度器区11包含多个载具载置部111及搬送部112。在各载具载置部111上载置有用于多层收纳多个基板W的载具113。在搬送部112中设置有主控制器114及搬送机构115。主控制器114控制基板处理装置100的各种结构要素。搬送机构115一边保持基板W一边搬送该基板W。
第一处理区12包含涂布处理部121、搬送部122及热处理部123。涂布处理部121及热处理部123被设置为隔着搬送部122而相向的方式。在搬送部122与分度器区11之间设置有用于载置基板W的基板载置部PASS1～PASS4(参照图9)。在搬送部122中设置有用于搬送基板W的搬送机构127、128(参照图9)。
第二处理区13包含显影处理部131、搬送部132及热处理部133。显影处理部131及热处理部133被设置为隔着搬送部132而相向的方式。在搬送部132与搬送部122之间设置有用于载置基板W的基板载置部PASS5～PASS8(参照图9)。在搬送部132中设置有用于搬送基板W的搬送机构137、138(参照图9)。
清洗干燥处理区14A包含清洗干燥处理部161、162及搬送部163。清洗干燥处理部161、162被设置为隔着搬送部163而相向的方式。在搬送部163中设置有搬送机构141、142。在搬送部163与搬送部132之间设置有载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(参照图9)。载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2构成为能够容纳多个基板W。
此外，在搬送机构141、142之间，以与搬入搬出区14B邻接的方式设置有基板载置部PASS9及后述的载置兼冷却部P-CP(参照图9)。载置兼冷却部P-CP具有用于冷却基板W的功能(例如，冷却板)。在载置兼冷却部P-CP中，基板W会被冷却至适于曝光处理的温度。在搬入搬出区14B中设置有搬送机构146。搬送机构146对曝光装置15进行基板W的搬入及搬出。
(2)涂布处理部、显影处理部及清洗干燥处理部
图2是示出图1的涂布处理部121、显影处理部131及清洗干燥处理部161的内部结构的示意侧视图。如图2所示，在涂布处理部121中阶层式地设置有涂布处理室21、22、23、24。在涂布处理室21、23中设置有用于在基板W上形成抗蚀膜的抗蚀膜用涂布处理单元129a。在涂布处理室22、24中设置有用于在基板W上形成防反射膜的防反射膜用涂布处理单元129b。在显影处理部131中阶层式地设置有显影处理室31～34。在各显影处理室31～34设置有显影处理单元139。
图3是示出抗蚀膜用涂布处理单元129a的结构的示意俯视图。图4是示出抗蚀膜用涂布处理单元129a的一部分结构的示意侧视图。如图3所示，抗蚀膜用涂布处理单元129a具有待机部20、多个旋转卡盘25、多个杯27、多个涂布液喷嘴28、喷嘴搬送机构29、多个边缘曝光部41及多个显影液喷嘴43。在本实施方式中，在抗蚀膜用涂布处理单元129a中设置有两两个旋转卡盘25。与各旋转卡盘25对应地设置有杯27、边缘曝光部41及显影液喷嘴43。此外，如图4所示，在抗蚀膜用涂布处理单元129a中与各旋转卡盘25对应地设置有加热部42。在图4中仅示出与一个旋转卡盘25有关连的部分。
各旋转卡盘25在保持有基板W的状态下，通过由电动马达等构成的驱动装置25a(图4)被旋转驱动。杯27被设置为包围旋转卡盘25的周围。在待机时，图3的各涂布液喷嘴28插入待机部20中。在各涂布液喷嘴28中，从未图示的涂布液贮存部供给包含后述的金属成分及感光性材料的抗蚀膜用的涂布液(以下，称为抗蚀液)。在本实施方式中使用正色调显影用的抗蚀液。
多个涂布液喷嘴28中的任一个的涂布液喷嘴28通过喷嘴搬送机构29被移动至基板W的上方。通过一边使旋转卡盘25旋转一边从涂布液喷嘴28中喷出抗蚀液，对旋转的基板W上涂布抗蚀液。由此，能在基板W的被处理面上形成抗蚀膜。此处，被处理面是指形成电路图案等各种图案的基板W的面。
在抗蚀液中，含有用于高精度地进行基板处理的金属分子或金属氧化物等金属成分作为组成物。在本实施例中，在抗蚀液中含有例如Sn(锡)、HfO2(氧化铪)或ZrO2(二氧化锆)作为金属成分。
边缘曝光部41例如由光纤构成，用于对由旋转卡盘25保持的基板W的被处理面的周缘部照射曝光处理用的光(以下，称为曝光光)。曝光光例如是紫外线。此处，基板W的周缘部是指沿着基板W的外周部的一定宽度的区域。
在基板W上形成有抗蚀膜后，在基板W通过旋转卡盘25旋转的状态下，通过边缘曝光部41对基板W的被处理面的周缘部照射曝光光。由此，进行基板W的周缘部上的抗蚀膜部分的曝光处理(以下，称为边缘曝光处理)。
如图4所示，加热部42设置在由旋转卡盘25保持的基板W的周缘部的下方。加热部42例如由光纤构成，用于对由旋转卡盘25保持的基板的周缘部照射加热处理用的光(以下，称为加热光)。加热光例如是红外线。
在上述边缘曝光处理后，在基板W通过旋转卡盘25旋转的状态下，通过加热部42对基板W的周缘部照射加热光。由此，对基板W的周缘部上的抗蚀膜的部分进行曝光后的加热处理(以下，称为边缘加热处理)。通过边缘加热处理，能够促进由边缘曝光处理时的光化学反应产生的生成物(酸)的催化作用，并且可以提高显影液对抗蚀膜的溶解性。由此，能够减少边缘曝光处理的光照射量，并且可以提高边缘曝光处理的产能。
显影液喷嘴43被配置为朝向由旋转卡盘25保持的基板W的被处理面的周缘部。在显影液喷嘴43中，从未图示的显影液贮存部供给显影液。作为正色调显影处理用的显影液，可以使用碱性水溶液。碱性水溶液例如含有TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide；四甲基氢氧化铵)或KOH(potassium hydroxide；氢氧化钾)。
在上述边缘曝光处理后，在基板W通过旋转卡盘25旋转的状态下，从显影液喷嘴43对基板W的被处理面的周缘部供给显影液。由此，对基板W的周缘部上形成的抗蚀膜的部分进行显影处理(以下，称为边缘显影处理)。具体而言，在边缘曝光处理中被曝光、并且通过边缘加热处理而被加热后的抗蚀膜的周缘部的部分被显影液溶解并被除去。
如此，在抗蚀膜用涂布处理单元129a中，在基板W上形成有抗蚀膜后，顺次地进行边缘曝光处理、边缘加热处理及边缘显影处理。由此，能除去在基板W的周缘部上形成的抗蚀膜的部分。
还可以设置在边缘显影处理后对基板W的周缘部供给冲洗液(例如，纯水)的冲洗液喷嘴。在该情况下，通过冲洗液喷嘴对基板W的周缘部供给冲洗液，可以将显影液以及已被该显影液溶解的抗蚀膜的残渣从基板W的周缘部冲洗掉。
图5是示出抗蚀膜用涂布处理单元129a的另一结构例的示意图。说明图5的例子与图3及图4的例子的不同点。图5的抗蚀膜用涂布处理单元129a是还具有边缘冲洗喷嘴44。
边缘冲洗喷嘴44被配置为朝向由旋转卡盘25保持的基板W的被处理面的周缘部。边缘冲洗喷嘴44被设置成能够喷出有机性除去液(以下，称为有机除去液)。有机除去液例如含有稀释剂、醋酸丁酯(butyl acetate)、PGMEA(propyleneglycol monomethyl etheracetate；丙二醇甲醚醋酸酯)、或PGME(propyleneglycol monomethyl ether；丙二醇甲醚)等有机溶剂。
在图5的抗蚀膜用涂布处理单元129a中，在基板W上形成有抗蚀膜后、并且在进行上述边缘曝光处理前，一边通过旋转卡盘25使基板W旋转，一边从边缘冲洗喷嘴44对基板W的被处理面的周缘部供给有机除去液。由此，大部分基板W的周缘部上的抗蚀膜被溶解并除去。然后，顺次进行上述的边缘曝光处理、边缘加热处理及边缘显影处理。由此，即便是在供给有机除去液后抗蚀膜的残渣附着在基板W的周缘部上，仍可以通过之后的边缘曝光处理、边缘加热处理及边缘显影处理来除去抗蚀膜的残渣。
除了边缘冲洗喷嘴44，还可以设置能够对基板W的背面喷出有机除去液的背面冲洗喷嘴。此处，背面是指与基板W的被处理面成相反侧的面。在该情况下，即便在基板W的背面上附着有抗蚀液，仍可以通过从背面冲洗喷嘴所喷出的有机除去液将抗蚀液从基板W的背面除去。此外，显影液喷嘴43也能够选择性地喷出显影液或有机除去液。在该情况下，由于不需要边缘冲洗喷嘴44，因此能够实现抗蚀膜用涂布处理单元129a的省空间化。
除了不具有边缘曝光部41、加热部42及显影液喷嘴43以外，设置在图2的涂布处理室22、24中的防反射膜用涂布处理单元129b具有与图3及图4的抗蚀膜用涂布处理单元129a、或图5的抗蚀膜用涂布处理单元129a同样的结构。通过向防反射膜用涂布处理单元129b的涂布液喷嘴28供给防反射膜用的涂布液，并且向基板W上供给该涂布液，由此在基板W的被处理面上形成防反射膜。另外，在防反射膜用涂布处理单元129b中被供给至基板W的涂布液也可以含有金属成分。在该情况下，能使用与抗蚀液中含有的金属成分同样的金属成分。
如图2所示，显影处理单元139与抗蚀膜用涂布处理单元129a同样，具有多个旋转卡盘35及多个杯37。此外，如图1所示，显影处理单元139具有两个用于喷出显影液的两个狭缝喷嘴38、以及使这两个狭缝喷嘴38沿着X方向移动的移动机构39。
在显影处理单元139中，通过未图示的驱动装置使旋转卡盘35旋转。由此，使基板W旋转。在该状态下，一边使狭缝喷嘴38移动一边对各基板W供给显影液。由此，进行基板W的显影处理。是对由图1的曝光装置15进行的通常曝光处理后的基板W进行显影处理单元139中的显影处理。以下，将通常曝光处理后在显影处理单元139中所进行的显影处理称为普通显影处理。
在清洗干燥处理部161中设置有多个(在本实施例中为三个)清洗干燥处理单元BSS。在各清洗干燥处理单元BSS中，使用有机溶剂或纯水对通常曝光处理前的基板W的周缘部及背面进行清洗及干燥处理。
(3)热处理部
图6是示出图1的热处理部123、133及清洗干燥处理部162的内部结构的示意侧视图。如图6所示，热处理部123是具有设置于上方的上层热处理部301以及设置于下方的下层热处理部302。在上层热处理部301及下层热处理部302中设置有多个热处理单元PHP、多个密接强化处理单元PAHP及多个冷却单元CP。
在热处理部123的最上层设置有局部控制器LC1。局部控制器LC1基于来自图1的主控制器114的指令，控制涂布处理部121、搬送部122及热处理部123的动作。
在热处理单元PHP中，进行基板W的加热处理及冷却处理。在密接强化处理单元PAHP中，进行用于改善基板W与防反射膜的密接性的密接强化处理。具体而言，在密接强化处理单元PAHP中，对基板W涂布HMDS(六甲基二硅氮烷)等密接强化剂，并且对基板W进行加热处理。在冷却单元CP中，进行基板W的冷却处理。
热处理部133具有设置于上方的上层热处理部303及设置于下方的下层热处理部304。在上层热处理部303及下层热处理部304中，设置有冷却单元CP及多个热处理单元PHP。
在热处理单元133的最上层设置有局部控制器LC2。局部控制器LC2是基于来自图1的主控制器114的指令，控制显影处理部131、搬送部132及热处理部133的动作。
(4)金属除去单元
在清洗干燥处理部162中设置有多个(在本实施例中为六个)金属除去单元MR。图7是用于说明金属除去单元MR的结构的示意图。如图7所示，在金属除去单元MR中设置有马达1、旋转卡盘3、杯4、两个背面清洗喷嘴7、周缘部清洗喷嘴8及气体供给部9。旋转卡盘3能够绕铅直轴旋转地安装于马达1的旋转轴2的上端。杯4被配置为包围由旋转卡盘3保持的基板W的周围。在杯4的下部是形成有排液部5及排气部6。
两个背面清洗喷嘴7被配置为朝向由旋转卡盘3保持的基板W的背面。从背面清洗喷嘴7向基板W的背面喷出能够溶解金属成分的除去液(以下，称为金属用除去液)。周缘部清洗喷嘴8被配置为朝向由旋转卡盘3保持的基板W的被处理面的周缘部。从周缘部清洗喷嘴8向基板W的被处理面的周缘部喷出金属用除去液。
作为金属用除去液，使用碱性除去液或酸性除去液。碱性除去液例如是含有氨及过氧化氢的水溶液。碱性除去液例如也可以为TMAH。酸性除去液例如是含有稀氢氟酸的水溶液。酸性除去液例如既可以是含有硫酸及过氧化氢的水溶液，又可以是含有醋酸或螯合剂的水溶液。螯合剂含有从由有机酸、有机酸的盐、氨基酸、氨基酸的衍生物、无机碱、无机碱的盐、烷基胺(alkylamine)、烷基胺的衍生物、烷醇胺及烷醇胺的衍生物组成的群组中选出的一种或多种。
气体供给部9配置于由旋转卡盘3保持的基板W的大致中央部的上方。从气体供给部9向基板W的被处理面的大致中央部喷出非活性气体，例如喷出氮气。在该情况下，从气体供给部9喷出的气体从基板W的被处理面的大致中央部扩散。由此，能防止从周缘部清洗喷嘴8喷出的金属用除去液附着于在基板W的被处理面上形成的抗蚀膜。
如此，在金属除去单元MR中，对基板W的周缘部及背面供给金属用除去液。由此，即便是在上述边缘显影处理后，在基板W的周缘部及背面残留有金属成分，仍可以使该金属成分溶解并除去。因此，可以充分地防止在基板处理装置100的内部及曝光装置15的内部发生由金属成分造成的污染。
在多个金属除去单元MR中，可以使用共用的金属用除去液，或者也可以使用不同种类的金属用除去液。例如，在六个金属除去单元MR中的三个金属除去单元MR中使用的金属用除去液与在其余三个金属除去单元MR中使用的金属用除去液可以不同。在该情况下，可以按照抗蚀膜中含有的金属成分的种类，通过适合的金属除去单元MR来除去附着于基板W的周缘部及背面的金属成分。
图8是示出金属除去单元MR的另一结构的示意图。在图8的金属除去单元MR中设置有气液供给喷嘴10来代替图7的周缘部清洗喷嘴8及气体供给部9。气液供给喷嘴10包含在水平方向排列的液体喷嘴10a及气体喷嘴10b。气液供给喷嘴10被配置为朝向由旋转卡盘3保持的基板W的周缘部。此处，气体喷嘴10b的位置比液体喷嘴10a更接近基板W的中心。
从液体喷嘴10a对基板W的周缘部喷出金属用除去液。从气体喷嘴10b向基板W的周缘部喷出非活性气体，例如喷出氮气。在该情况下，从气体喷嘴10b被喷出气体的基板W的位置比从液体喷嘴10a被喷出金属用除去液的位置更接近基板W的中心。因此，能够通过从气体喷嘴10b喷出的气体来防止从液体喷嘴10a喷出的金属用除去液朝向基板W的中心。由此，防止从液体喷嘴10a喷出的金属用除去液附着于在基板W的被处理面上形成的抗蚀膜。
此外，由于向图7及图8的金属除去单元MR搬送通过热处理部123使抗蚀膜硬化后的基板W，所以即便从气体供给部9或气体喷嘴10b对基板W喷出气体也不会影响抗蚀膜的膜厚。结果，可以在基板W的被处理面上形成均匀厚度的抗蚀膜。
(5)搬送部
图9是示出搬送部122、132、163的内部结构的示意侧视图。如图9所示，搬送部122具有上层搬送室125及下层搬送室126。搬送部132具有上层搬送室135及下层搬送室136。在上层搬送室125中设置有搬送机构127，在下层搬送室126中设置有搬送机构128。此外，在上层搬送室135中设置有搬送机构137，在下层搬送室136中设置有搬送机构138。
涂布处理室21、22(图2)以及上层热处理部301(图6)隔着上层搬送室125相向，涂布处理室23、24(图2)以及下层热处理部302(图6)是隔着下层搬送室126相向。同样地，显影处理室31、32(图2)以及上层热处理部303(图6)是隔着上层搬送室135相向，显影处理室33、34(图2)以及下层热处理部304(图6)隔着下层搬送室136相向。
在搬送部112与上层搬送室125之间设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬送部112与下层搬送室126之间设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬送室125与上层搬送室135之间设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下层搬送室126与下层搬送室136之间设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬送室135与搬送部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下层搬送室136与搬送部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬送部163中以与搬入搬出区14B邻接的方式设置有基板载置部PASS9及多个载置兼冷却部P-CP。
载置兼缓冲部P-BF1构成为能够进行由搬送机构137及搬送机构141、142(图1)进行的基板W的搬入及搬出。载置兼缓冲部P-BF2构成为能够进行由搬送机构138及搬送机构141、142(图1)进行的基板W的搬入及搬出。此外，基板载置部PASS9及载置兼冷却部P-CP构成为能够进行由搬送机构141、142(图1)及搬送机构146进行的基板W的搬入及搬出。
在基板载置部PASS1及基板载置部PASS3中载置从分度器区11向第一处理区12搬送的基板W，在基板载置部PASS2及基板载置部PASS4中载置从第一处理区12向分度器区11搬送的基板W。
在基板载置部PASS5及基板载置部PASS7中载置从第一处理区12向第二处理区13搬送的基板W，在基板载置部PASS6及基板载置部PASS8中载置从第二处理区13向第一处理区12搬送的基板W。
在载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2中载置从第二处理区13向清洗干燥处理区14A搬送的基板W，在载置兼冷却部P-CP中载置从清洗干燥处理区14A向搬入搬出区14B搬送的基板W，在基板载置部PASS9中载置从搬入搬出区14B向清洗干燥处理区14A搬送的基板W。
接下来，对搬送机构127加以说明。图10是示出搬送机构127的立体图。如图9及图10所示，搬送机构127具有长条状的导轨311、312。如图9所示，导轨311在上层搬送室125内以沿着上下方向延伸的方式固定于搬送部112侧。导轨312在上层搬送室125内以沿着上下方向延伸的方式固定于上层搬送室135侧。
在导轨311与导轨312之间设置有长条状的导轨313。导轨313能够上下移动地安装于导轨311、312。在导轨313上安装有移动构件314。移动构件314设置成能够沿着导轨313的长度方向移动。
在移动构件314的上表面上设置有能够旋转的长条状的旋转构件315。在旋转构件315上安装有用于保持基板W的外周部的机械手H1、H2、H3。机械手H1～H3被设置成能够沿着旋转构件315的长度方向移动。机械手H1配置于比机械手H2更上方，机械手H2配置于比机械手H3更上方。
通过如上述的结构，搬送机构127可以在上层搬送室125内沿着X方向及Z方向自如地移动。此外，可以使用机械手H1～H3对涂布处理室21、22(图2)、基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(图9)及上层热处理部301(图6)进行基板W的交接。
如图9所示，搬送机构128、137、138具有与搬送机构127同样的结构。此外，在本实施方式中，图1的搬送机构142具有与搬送机构127同样的三个机械手H1～H3。
搬送机构127、128、137、138可以选择性地使用机械手H1～H3。例如，可以在由金属除去单元MR进行的处理前的基板W的搬送、以及由金属除去单元MR进行的处理后的基板W的搬送中使用不同的机械手。此外，也能够使用三个机械手H1～H3同时搬送多个基板W。各搬送机构的机械手的数量不限于三个，也可以是四个以上，还可以是两个以下。
(6)基板处理
一边参照图1、图2、图6及图9一边说明基板处理。在分度器区11的载具载置部111(图1)上载置有已容纳未处理的基板W的载具113。搬送机构115将未处理的基板W从载具113搬送至基板载置部PASS1、PASS3(图9)。此外，搬送机构115将已载置于基板载置部PASS2、PASS4(图9)的处理完成的基板W搬送至载具113。
在第一处理区12中，搬送机构127(图9)将已载置于基板载置部PASS1的未处理的基板W顺次搬送至密接强化处理单元PAHP(图6)、冷却单元CP(图6)及涂布处理室22(图2)。接下来，搬送机构127将涂布处理室22的基板W顺次搬送至热处理单元PHP(图6)、冷却单元CP(图6)、涂布处理室21(图2)、热处理单元PHP(图6)及基板载置部PASS5(图9)。
在该情况下，在密接强化处理单元PAHP中对基板W进行了密接强化处理之后，在冷却单元CP中，使基板W冷却至适于形成防反射膜的温度。接下来，在涂布处理室22中，通过防反射膜用涂布处理单元129b(图2)在基板W上形成防反射膜。接着，在热处理单元PHP中进行了基板W的热处理之后，在冷却单元CP中，使基板W冷却至适于形成抗蚀膜的温度。接下来，在涂布处理室21中，通过抗蚀膜用涂布处理单元129a(图2)，在基板W上形成抗蚀膜。然后，在热处理单元PHP中，进行基板W的热处理，并且将该基板W载置于基板载置部PASS5。
此外，搬送机构127将已载置于基板载置部PASS6(图9)的普通显影处理后的基板W搬送至基板载置部PASS2(图9)。
搬送机构128(图9)是将已载置于基板载置部PASS3的未处理的基板W顺次搬送至密接强化处理单元PAHP(图6)、冷却单元CP(图6)及涂布处理室24(图2)。接下来，搬送机构128将涂布处理室24的基板W顺次搬送至热处理单元PHP(图6)、冷却单元CP(图6)、涂布处理室23(图2)、热处理单元PHP(图6)及基板载置部PASS7(图9)。
此外，搬送机构128(图9)是将已载置于基板载置部PASS8(图9)的普通显影处理后的基板W搬送至基板载置部PASS4(图9)。涂布处理室23、24(图2)及下层热处理部302(图6)中的基板W的处理内容分别与上述涂布处理室21、22(图2)及上层热处理部301(图6)中的基板W的处理内容相同。
在第二处理区13中，搬送机构137(图9)将已载置于基板载置部PASS5的形成抗蚀膜后的基板W搬送至载置兼缓冲部P-BF1(图9)。
此外，搬送机构137(图9)从与清洗干燥处理区14A邻接的热处理单元PHP(图6)中取出通常曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构137将该基板W顺次搬送至冷却单元CP(图6)、显影处理室31、32(图6)的其中任一方、热处理单元PHP(图6)及基板载置部PASS6(图9)。
在该情况下，在冷却单元CP中使基板W冷却至适于普通显影处理的温度之后，在显影处理室31、32的其中任一方，通过显影处理单元139进行基板W的普通显影处理。然后，在热处理单元PHP中，进行基板W的热处理，并且使该基板W载置于基板载置部PASS6。
搬送机构138(图9)将已载置于基板载置部PASS7的形成抗蚀膜后的基板W搬送至载置兼缓冲部P-BF2(图9)。
此外，搬送机构138(图9)从与接口区14邻接的热处理单元PHP(图6)中取出通常曝光处理后且热处理后的基板W。搬送机构138将该基板W顺次搬送至冷却单元CP(图6)、显影处理室33、34(图2)的其中任一方、热处理单元PHP(图6)及基板载置部PASS8(图9)。显影处理室33、34及下层热处理部304中的基板W的处理内容分别与上述显影处理室31、32及上层热处理部303中的基板W的处理内容形同。
在清洗干燥处理区14A中，搬送机构142(图1)将已载置于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图9)的基板W搬送至金属除去单元MR(图6)。此外，搬送机构142将金属除去单元MR的基板W搬送至载置兼缓冲部P-BF1(图9)或载置兼缓冲部P-BF2(图9)。搬送机构141(图1)将从金属除去单元MR搬送至载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2的基板W顺次搬送至清洗干燥处理单元BSS图(2)及载置兼冷却部P-CP(图9)。
在该情况下，在金属除去单元MR中，除去在基板W的周缘部及背面残留的金属成分。此外，在清洗干燥处理单元BSS中，对基板W的周缘部及背面进行清洗以及干燥处理。然后，在载置兼冷却部P-CP中使基板W冷却至适于由曝光装置15(图1)进行的通常曝光处理的温度。
搬送机构142(图1)将已载置于基板载置部PASS9(图9)的通常曝光处理后的基板W搬送至上层热处理部303或下层热处理部304的热处理单元PHP(图6)。在该情况下，在热处理单元PHP中进行曝光后烘烤(PEB)处理。
在搬入搬出区14B中，搬送机构146(图1)将已载置于载置兼冷却部P-CP(图6)的通常曝光处理前的基板W搬送至曝光装置15(图1)的基板搬入部。此外，搬送机构146从曝光装置15的基板搬出部中取出通常曝光处理后的基板W，并且将该基板W搬送至基板载置部PASS9(图9)。在曝光装置15中，通过具有极短的波长的EUV对基板W进行通常曝光处理。在该情况下，由于在基板W上的抗蚀膜中含有金属成分，所以通过高效地进行EUV光的吸收，能够以高分辨率在抗蚀膜上形成微细的曝光图案。另外，曝光方法不限于此，也可以利用其他的方法来对基板W进行通常曝光处理。
在本实施方式中，可以并行进行设置于上层的涂布处理室21、22、显影处理室31、32及上层热处理部301、303中的基板W的处理、以及设置于下层的涂布处理室23、24、显影处理室33、34及下层热处理部302、304中的基板W的处理。由此，不用增加占用空间就可以提高产能。
(7)功效
在本实施方式的基板处理装置100中，在基板上形成有抗蚀膜之后且在基板W搬送至曝光装置15之前，进行基板W上的抗蚀膜的边缘曝光处理及边缘显影处理。由此，可以从基板W的周缘部适当地除去抗蚀膜。因此，能防止金属成分残留在基板W的周缘部。结果，能充分地防止因残留在基板W的周缘部上的金属成分而在基板处理装置100及曝光装置15中引起金属污染的发生。
此外，在本实施方式中，在抗蚀膜用涂布处理单元129a中一边通过旋转卡盘25使基板W旋转，一边顺次进行由涂布液喷嘴28进行的抗蚀液的涂布、由边缘曝光部41进行的边缘曝光处理、由加热部42进行的边缘加热处理、以及由显影液喷嘴43进行的边缘显影处理。由此，可以在共用的空间中进行抗蚀膜的形成、边缘曝光处理、边缘加热处理及边缘显影处理。因此，可以抑制装置成本的增加及基板处理装置100的大型化。
[2]第二实施方式
针对本发明的第二实施方式，说明与上述第一实施方式的不同点。图11是用于说明第二实施方式中的抗蚀膜用涂布处理单元129a的结构的示意图。图11的抗蚀膜用涂布处理单元129a与图3的抗蚀膜用涂布处理单元129a的不同点在于，未设置有加热部42及显影液喷嘴43。由此，在图11的抗蚀膜用涂布处理单元129a中不在边缘曝光处理后进行边缘加热处理及边缘显影处理。
图9的搬送机构127与第一实施方式同样，将涂布处理室21中的边缘曝光处理后的基板W顺次搬送至热处理单元PHP(图6)及基板载置部PASS5(图9)。此外，图9的搬送机构128将涂布处理室23中的边缘曝光处理后的基板W顺次搬送至热处理单元PHP(图6)及基板载置部PASS7(图9)。在该情况下，在各热处理单元PHP中，基板W的整体被加热。因此，与上述边缘加热处理同样，对基板W的周缘部上的抗蚀膜的部分进行加热处理。
图9的搬送机构137将已载置于基板载置部PASS5的热处理后的基板W搬送至显影处理室31、32的其中任一个。此外，图9的搬送机构138将已载置于基板载置部PASS7的热处理后的基板W搬送至显影处理室33、34的其中任一个。在显影处理室31至34中，对热处理后的基板W的周缘部供给显影液。由此，进行基板W的边缘显影处理。在该情况下，可以从图1的狭缝喷嘴38仅对基板W的周缘部供给显影液，也可以与图3的显影液喷嘴43同样地个别地设置有以朝向基板W的周缘部的方式配置的喷嘴。
图9的搬送机构137将边缘显影处理后的基板W从显影处理室31、32的其中任一个搬送至载置兼缓冲部P-BF1(图9)。此外，图9的搬送机构138是将边缘显影处理后的基板W从显影处理室33、34的其中任一个搬送至载置兼缓冲部P-BF2(图9)。然后，与上述第一实施方式同样，将基板W搬送至曝光装置15(图1)，并且进行基板W的通常曝光处理。
如此，在第二实施方式中，在热处理单元PHP中进行基板W的加热处理时，边缘曝光处理后的基板W的周缘部上的抗蚀膜的部分也被加热。由此，不用个别地进行边缘加热处理，就可以适当地进行之后的边缘显影处理。因此，与个别地进行边缘加热处理的情况相比，能够减少基板W的处理时间。此外，由于没有必要设置图4的加热部42，因此能够削减装置成本，并且不需要确保加热部42的设置空间。
此外，在本实施方式中，在共用的显影处理单元139中，分别进行基板W的边缘显影处理及普通显影处理。由此，由于没有必要设置图4的显影液喷嘴43，因此能够削减装置成本，并且不需要确保显影液喷嘴43的设置空间。
[3]其他实施方式
(1)在上述实施方式中，用于对基板W的周缘部供给金属用除去液的金属除去单元MR设置在接口区14中，但本发明不限于此。例如，也可以在抗蚀膜用涂布处理单元129a中设置有能够对基板W的周缘部喷出金属用除去液的喷嘴。此外，在能够通过边缘显影处理来充分地除去基板W的周缘部的金属成分的情况下，也可以不设置金属除去单元MR。
(2)在上述实施方式中，对边缘曝光处理后且边缘显影处理前的基板W进行边缘加热处理，但本发明不限于此。也可以根据抗蚀膜中所含的感光性材料的种类，不用在边缘曝光处理后进行边缘加热处理就能够适当地进行边缘显影处理。
(3)在上述实施方式中，在抗蚀膜用涂布处理单元129a中对基板W进行边缘曝光处理，但本发明不限于此。也可以将对形成抗蚀膜后的基板W进行边缘曝光处理的单元与抗蚀膜用涂布处理单元129a分别地设置。
(4)在上述实施方式中，在抗蚀膜用涂布处理单元129a或显影处理单元139中对基板W进行边缘显影处理，但本发明不限于此。也可以将对边缘曝光处理后的基板W进行边缘显影处理的单元与抗蚀膜用涂布处理单元129a及显影处理单元139分别地设置。
(5)在上述第一实施方式中，在边缘加热处理时通过加热部42来加热基板W的周缘部。在该情况下，若应进行通常曝光处理的抗蚀膜的部分被不均匀地加热，则基板W的处理精度会降低。因此，也可以在基板W的周缘部以外的部分设置供给冷却用气体的冷却气体供给部。图12是示出冷却气体供给部的一例的示意图。在图12的例子中，在由旋转卡盘25保持的基板W的下方设置冷却气体供给部46。冷却气体供给部46向由旋转卡盘25保持的基板W的背面供给冷却用气体。由此，能抑制应进行通常曝光处理的抗蚀膜的部分的温度上升，从而改善对抗蚀膜的该部分进行的热处理的均匀性。由此，可以提高基板W的处理精度。
(6)在上述实施方式中，在涂布处理室21～24中设置有两个旋转卡盘25，在显影处理室31～34中设置有三个旋转卡盘35，但本发明不限于此。也可以在涂布处理室21～24中设置一个或三个以上的旋转卡盘25。此外，也可以在显影处理室31～34中设置有两个以下或四个以上的旋转卡盘35。
(7)在上述实施方式中，搬送机构127、128、137、138、141的机械手H1～H3用于保持基板W的外周部，但本发明不限于此。搬送机构127、128、137、138、141的机械手H1～H3也可以通过吸附基板W来保持基板W的背面。
[4]权利要求的各结构要素与实施方式的各要素的对应关系
下面说明权利要求的各结构要素与实施方式的各要素的对应的例子，但是本发明不限于下述的例子。
在上述的实施方式中，基板处理装置100为基板处理装置的一例，基板W为基板的一例，曝光装置15为曝光装置的一例，抗蚀膜用涂布处理单元129a为膜形成单元的一例，抗蚀膜为含金属感光性膜的一例，边缘曝光部41为边缘曝光部的一例，显影液喷嘴43为边缘显影处理部的一例，搬送机构146为搬送机构的一例，显影处理单元139为显影处理单元的一例。
此外，旋转卡盘25为旋转保持部的一例，涂布液喷嘴28为液体供给部的一例，边缘冲洗喷嘴44为第一除去液供给部的一例，加热部42为加热部的一例，狭缝喷嘴38为显影液喷嘴的一例，热处理单元PHP为热处理单元的一例，周缘部清洗喷嘴8为第二除去液供给部的一例。
作为权利要求的各结构要素，也可以使用具有权利要求所记载的结构或功能的其他各种要素。
(工业实用性)
本发明可以被有效地利用于各种基板的处理中。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，被配置为与对基板进行曝光处理的曝光装置邻接，所述基板处理装置具有：
膜形成单元，用于在基板的被处理面上形成含金属感光性膜，所述含金属感光性膜包含金属成分及感光性材料；
边缘曝光部，用于对形成含金属感光性膜后的基板的周缘部照射光；
边缘显影处理部，通过对基板的周缘部供给显影液，由此对已经被所述边缘曝光部照射光的含金属感光性膜的部分进行显影处理；
搬送机构，用于将由所述边缘显影处理部进行显影处理后的基板搬送至所述曝光装置；以及
显影处理单元，通过对在所述曝光装置中进行曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述膜形成单元包括：
旋转保持部，用于保持基板并使所述基板旋转；以及
液体供给部，用于对由所述旋转保持部旋转的基板的所述被处理面供给含金属感光性膜用的涂布液，
所述边缘曝光部构成为，在由所述液体供给部供给涂布液后，对由所述旋转保持部旋转的基板的周缘部照射光。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述膜形成单元还包括：
第一除去液供给部，用于在由所述液体供给部供给涂布液后，对由所述旋转保持部旋转的基板的周缘部供给使所述涂布液溶解的第一除去液。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，
所述边缘显影处理部构成为，在由所述边缘曝光部照射光后，对由所述旋转保持部旋转的基板的周缘部喷出显影液。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还具有：
加热部，所述加热部构成为，在由所述边缘曝光部照射光后、且在由所述边缘显影处理部进行显影处理前，对由所述旋转保持部旋转的基板的周缘部进行加热。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述边缘显影处理部设置在所述显影处理单元中。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述边缘显影处理部及所述显影处理单元具有能够喷出显影液的共用的显影液喷嘴。
8.根据权利要求1～3、6、7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还具有：
热处理单元，用于对由所述边缘曝光部照射光后、且由所述边缘显影处理部进行显影处理前的基板进行加热处理。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还具有：
第二除去液供给部，用于在由所述边缘显影处理部进行显影处理后，对基板的周缘部供给使金属成分溶解的第二除去液。
10.一种基板处理方法，具有：
由膜形成单元在基板的被处理面上形成含金属感光性膜的步骤，所述含金属感光性膜包含金属成分及感光性材料；
由边缘曝光部对形成含金属感光性膜后的基板的周缘部照射光的步骤；
由边缘显影处理部对基板的周缘部供给显影液，由此对已经被所述边缘曝光部照射光的含金属感光性膜的部分进行显影处理的步骤；
将由所述边缘显影处理部进行显影处理后的基板搬送至曝光装置的步骤；以及
在显影处理单元中对在所述曝光装置中进行曝光处理后的基板供给显影液，由此进行含金属感光性膜的显影处理的步骤。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，形成所述含金属感光性膜的步骤包括：
由液体供给部对由旋转保持部旋转的基板的所述被处理面供给含金属感光性膜用的涂布液的步骤，
对所述基板的周缘部照射光的步骤包括：
在由所述液体供给部供给涂布液后，由所述边缘曝光部对由所述旋转保持部旋转的基板的周缘部照射光。
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