CN1763915A - 薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。

Description

薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序

技术领域

本发明是涉及薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序。详细地讲，是涉及除去在被处理物，例如半导体晶片上形成薄膜时在装置内部形成的附着物的薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，是由CVD(化学气相沉积)等处理，在被处理物，例如半导体晶片上形成氮化硅膜等薄膜的薄膜形成处理。在这样的薄膜形成处理中，例如按照以下的方法在半导体晶片上形成薄膜。

首先，由加热器将热处理装置的反应管内加热到规定的装载温度，装载容纳有多枚半导体晶片的晶片室。接着，由加热器将热处理装置的反应管内加热到规定的处理温度，同时从排气口排出反应管内的气体，将反应管内减压至规定的压力。在反应管内维持在规定的温度及压力，从处理气体导入管向反应管内供给成膜用气体。向反应管内供给成膜用气体后，例如成膜用气体发生热反应，由热反应所生成的反应生成物堆积在半导体晶片的表面，在半导体晶片的表面上形成薄膜。

然而，由薄膜形成处理所生成的反应生成物，不仅是在半导体晶片的表面，而且还会堆积(附着)到例如反应管的内壁及各种工具等热处理装置内部。如果在该反应生成物附着于热处理装置内部的状态下继续进行薄膜形成处理，则反应生成物容易剥离而生成微粒。当这样的微粒附着在半导体晶片上时，会引起所制造的半导体装置的成品率下降。

因此，在进行数次薄膜形成处理后，例如提出了在进行数次薄膜形成处理后，向维持在规定温度的反应管内供给清洗气体，除去反应管的内壁等热处理装置内附着的反应生成物的热处理装置的清洗方法(例如专利文献1)。

专利文献1：特开平3-293726号公报

然而，在热处理装置内附着的反应生成物包含四乙氧基硅烷(TEOS)时，例如通过使用氢氟酸(HF)溶液湿清洗反应管的壁面除去反应生成物。为此，在湿清洗中，需要将热处理装置的部件取出，由手动操作洗净，再次进行组装及调整的操作，必须使热处理装置长时间停止。其结果是发生长时间的停机，使热处理装置的工作效率下降。

此外，在专利文献1所述的热处理装置的清洗方法中，例如是在反应管内的温度下降到100℃以下的低温后，供给清洗气体除去附着的反应生成物。因此，为了进行装置的清洗处理及清洗处理后的薄膜形成处理需要调整反应管的温度的时间，就不能高效率地除去热处理装置内附着的反应生成物，也会引起工作效率下降的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述问题提出的，其目的在于提供能够高效率地除去热处理装置内附着的反应生成物的薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序。

而且，本发明的目的还在于提供能够抑制工作效率的低下，同时能够除去装置内部附着的附着物的薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序。

为达到上述目的，本发明第一观点的薄膜形成装置的洗净方法是向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜后，除去装置内部附着的附着物的薄膜形成装置的洗净方法，其特征在于：

具有向加热到规定温度的反应室内供给含有氟气与氟化氢的洗净气体，将该洗净气体活化，由活化的气体除去上述附着物，对装置内部进行清洗的清洗工序，

上述附着物包括四乙氧基硅烷。

本发明第二观点的薄膜形成装置的洗净方法是向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜后，除去装置内部附着的附着物的薄膜形成装置的洗净方法，其特征在于：

具有向加热到规定温度的反应室内供给包含氟气与氟化氢的洗净气体，将该洗净气体活化，由活化的气体除去上述附着物，对装置内部进行清洗的清洗工序，

在上述清洗工序中，将反应室内加热到400℃～700℃。

在上述清洗工序中，优选将上述反应室内气压维持在13.3Pa～常压，上述装置内的材料优选使用石英。

本发明第三观点的薄膜形成装置是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其特征在于，具有：

将上述反应室加热到规定温度的加热装置；

向上述反应室内供给含有氟气与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；和

控制薄膜形成装置的各部分的控制装置，

上述控制装置控制上述洗净气体供给装置，在控制上述加热装置，将反应室内加热到规定温度的状态下，向该反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由活化的气体除去上述反应室内附着的包括四乙氧基硅烷的附着物，对装置内部进行清洗。

本发明第四观点的薄膜形成装置是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其特征在于，具有：

将上述反应室加热到规定温度的加热装置；

向上述反应室内供给含有氟气与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；和

控制薄膜形成装置的各部分的控制装置，

上述控制装置控制上述洗净气体供给装置，在控制上述加热装置，将反应室内加热到400℃～700℃的状态下，向反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由活化的气体除去反应室内附着的附着物，对装置内部进行清洗。

上述控制装置优选在将上述反应室内压力维持为13.3Pa～常压的状态下，控制上述洗净气体供给装置，使其向反应室内供给洗净气体。优选上述装置内部至少暴露于上述清洗气体的材料是石英。

本发明第五观点的程序使得薄膜形成装置发挥向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的功能，其中，通过计算机使以下装置发挥功能：

将上述反应室加热到规定温度的加热装置；

向上述反应室内供给含有氟气与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；和

控制上述清洗气体的供给装置，在控制上述加热装置并将反应室内加热到规定温度的状态下，向反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由活化的气体除去反应室内附着的包括四乙氧基硅烷的附着物，对装置内部进行清洗的控制装置。

本发明第六观点的程序使得薄膜形成装置发挥向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的功能，其中，通过计算机使以下装置发挥功能：

将上述反应室加热到规定温度的加热装置；

向上述反应室内供给含有氟气与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；和

控制上述清洗气体的供给装置，在控制上述加热装置并将反应室内加热到400℃～700℃的状态下，向反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由活化的气体除去反应室内附着的附着物，对装置内部进行清洗的控制装置。

上述控制装置优选在将上述反应室内的压力维持为13.3Pa～常压的状态下，控制上述洗净气体供给装置，使其向反应室内供给洗净气体。优选上述装置内部至少暴露于上述清洗气体的材料是石英。

根据本发明，能够有效地除去热处理装置内附着的反应生成物。

附图说明

图1是表示本发明实施方式的热处理装置的图。

图2是表示图1的控制部结构的图。

图3是表示成膜处理的方法图。

图4是表示清洗处理的方法图。

图5是表示清洗工序中清洗条件的表。

图6是表示在图5的各条件下对TEOS及石英的蚀刻速度的图。

图7是表示在图5条件下的选择比的图。

具体实施方式

下面以图1所示的分批式纵型热处理装置1为例，对本发明的实施方式中的薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序进行说明。

如图1所示，热处理装置1设置有长方向为垂直方向的大体圆筒状的反应管2。反应管2是由耐热及耐腐蚀性优异的材料，例如由石英所构成。

在反应管2的上端，例如，以向着上端收缩的方式设置有大体圆锥状的顶部3。在顶部3的中央，设置有为了将反应管2内的气体排出的排气口4，排气口4与排气管5气密性地相连。在排气管5上设置有未图示的阀及后述的真空泵127等压力调整装置，将反应管2内控制在规定的压力(真空度)。

在反应管2的下方，设置有盖体6。盖体6是由耐热及耐腐蚀性优异的材料，例如由石英所构成。此外，盖体6可以通过后述的晶片室升降机128上下移动。这样，在由晶片室升降机128使盖体6上升时，反应管2的下方侧(炉口部分)关闭，在由晶片室升降机128使盖体6下降时，反应管2的下方侧(炉口部分)打开。

在盖体6的上部设置有保温筒7。保温筒7主要是由加热器8和支承体9构成，该加热器8是为了防止从反应管2的炉口部分使反应管2的温度下降的电阻发热体组成的平板状的加热器8，该支承体9是筒状，从盖体6的上面将该加热器8支承到规定高度。

在保温筒7的上方设置有旋转台10。旋转台10具有作为可旋转地装载容纳有被处理体，例如半导体晶片W的晶片室11的装载台的功能。具体来说，在旋转台10的下部设置有旋转支柱12，旋转支柱12贯通加热器8的中央部，与使得旋转台10旋转的旋转机构13相连接。旋转机构13主要由未图示的马达与旋转导入部15构成，该旋转导入部15设置有气密状态下，从盖体6的下面侧到上面侧贯通导入的旋转轴14。旋转轴14与旋转台10的旋转支柱12连接，通过旋转支柱12将马达的旋转力传送到旋转台10。因此，在由旋转机构13的马达使旋转轴14旋转时，旋转轴14的旋转力传递到旋转支柱12，旋转台10旋转。

晶片室11能够在垂直方向上以规定的间隔容纳有多枚、例如100枚半导体晶片W。晶片室11例如由石英形成。由于晶片室11装载在旋转台10上，所以旋转台10旋转时晶片室11旋转，晶片室11上容纳的半导体晶片W旋转。

在反应管2的周围，设置有例如由电阻发热体所构成的升温用加热器16，包围反应管2。由该升温用加热器16将反应管2的内部加热到规定的温度，其结果是，半导体晶片W也被加热到规定的温度。

在反应管2的下侧附近的侧面上，插有向反应管2内导入处理气体(例如成膜用气体、清洗用气体)的处理气体导入管17。处理气体导入管17通过后述的质量流量控制器(MFC)125与未图示的处理气体供给源连接。作为成膜用气体，例如在半导体晶片W上形成四乙氧基硅烷(TEOS)膜(CVD氧化膜)时，使用TEOS。清洗用气体是能够除去由成膜附着在热处理装置1的内部的附着物的气体，使用含有氟(F₂)与氟化氢(HF)的气体。还有，图1中虽然仅描述了一个处理气体导入管17，但在本实施方式中，可以根据反应管2内导入气体的种类而插入多个处理气体导入管17。具体地，可以在反应管2的下侧附近的侧面上插入向反应管2内导入成膜气体的成膜气体导入管、向反应管2内导入清洗气体的清洗气体导入管。

再者，在反应管2的下侧附近的侧面上，插有净化气体供给管18。在净化气体供给管18上，通过后述的MFC125与未图示的净化气体供给源相连接，向反应管2内供给规定量的净化气体。

热处理装置1设置有对装置的各部分进行控制的控制部100。图2表示了控制部100的结构。如图2所示，控制部100上连接有操作面板121，温度传感器(群)122，压力计(群)123，加热控制器124，MFC125，阀控制部126，真空泵127，以及晶片室升降机128等。

操作面板121设置有显示画面与操作按钮，将操作者的操作指示传送到控制部100，将来自控制部100的各种信息在显示面板上显示。

温度传感器(群)122测定反应管2内及排气管5内各部分的温度，将该测定值传送到控制部100。

压力计(群)123测定反应管2内及排气管5内各部分的压力，将该测定值传送到控制部100。

加热控制器124是分别控制加热器8及升温用加热器16的控制器，响应来自控制部100的指示，对加热器8及升温用加热器16进行通电加热，而且，分别测定加热器8及升温用加热器16所消耗的电力，将结果传送到控制部100。

MFC125配置于处理气体导入管17及净化气体供给管18等各配管中，将流过各管道的气体的流量控制为控制部100所指示的量，同时测定实际流过的气体的量，将结果传送到控制部100。

阀控制部126配置于各配管，将各配管中配置的阀门的打开程度控制为控制部100所指示的值。真空泵127与排气管5相连接，排出反应管2内的气体。

晶片室升降机128通过盖体6的上升，使旋转台10上装载的晶片室11(半导体晶片W)装载于反应管2内，通过盖体6的下降，使旋转台10上装载的晶片室11(半导体晶片W)从反应管2内卸载。

控制部100由方法记忆部111、ROM112、RAM113、I/O板114、CPU115、以及将它们相互连接的总线116构成。

在方法记忆部111中记忆有设置用方法与多个程序用方法。热处理装置1的制造初期仅容纳有设置用方法。设置用方法是生成对应于各热处理装置的热模型时所实行的方法。程序用方法是针对用户实际进行的每个热处理(工序)准备的，例如，如后述的图3所示，规定从半导体晶片W向反应管2的装载，至处理完了的半导体晶片W从反应管2的卸载期间的各部分的温度变化，反应管2内的压力变化，处理气体的供给开始及停止的时刻及供给量等。

ROM112由EEPROM、瞬时存储器、硬盘等所构成，是记录CPU115的动作程序等的记忆介质。RAM113具有作为CPU115的工作区域的功能。

I/O板114与操作面板121、温度传感器122、压力计123、加热控制器124、MFC125、阀控制部126、真空泵127、以及晶片室升降机128等相连接，控制数据及信号的输入与输出。

CPU(中央处理器)115构成控制部100的中枢，执行ROM112中所记忆的控制程序，根据来自操作面板121的指示，沿着方法记忆部111中所记忆的方法(程序用方法)，控制热处理装置1的动作。即，CPU 115由温度传感器(群)122、压力计(群)123、MFC125等来测定反应管2及排气管5内各部分的温度、压力、流量等，基于该测定数据，向加热控制器124、MFC125、阀控制部126、及真空泵127等输出控制信号，上述各部分根据程序用方法进行控制。

总线116传送各部分之间的信息。

接着，说明具有以上结构的热处理装置1的清洗方法。在本实施方式中，是以使用四乙氧基硅烷(TEOS)作为成膜用气体，通过在半导体晶片W上形成TEOS膜(CVD氧化膜)，除去热处理装置1内附着的TEOS(清洗)为例，参照图4所示的方法说明热处理装置1的清洗方法。还有，在本实施方式中，也说明了在半导体晶片W上形成TEOS膜的成膜处理。此外，在以下的说明中，构成热处理装置1的各部分的动作，由控制部100(CPU 115)控制。而且，如上所述，通过控制部100(CPU 115)对加热控制器124(加热器8、升温用加热器16)、MFC125(处理气体导入管17、净化气体供给管18)、阀控制部126、以及真空泵127的控制，使各处理中反应管2内的温度、压力、气体的流量等成为遵从图3、图4所示的方法条件。

首先，参照图3所示的方法，说明成膜处理。

由升温用加热器16将反应管2内加热到规定的温度，例如，如图3(a)所示，加热到300℃。此外，在从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气(N₂)之后，将容纳有半导体晶片W的晶片室11装在盖体6(旋转台10)之上，由晶片室升降机128使盖体6上升，将晶片室11装载于反应管2内。由此，将半导体晶片W容纳于反应管2内，同时密闭反应管2(装载工序)。

接着，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气，同时由升温用加热器16将反应管2内加热到规定的成膜温度(处理温度)，例如，如图3(a)所示，加热到580℃。此外，将反应管2内的气体排出，将反应管2内压力减小到规定的值，例如，如图3(b)所示，减小到266Pa(2Torr)。然后，将该减压及加热操作，进行到反应管2在规定的压力及温度下稳定的状态(稳定化工序)。

再者，控制旋转机构13的马达，使旋转台10旋转，旋转晶片室11。通过旋转晶片室11，使晶片室11上容纳的半导体晶片W也旋转，均匀加热半导体晶片W。

反应管2内部在规定的温度及压力下稳定后，停止从净化气体供给管18供给氮气。而且，从处理气体导入管17向反应管2内导入规定量的作为成膜用气体的TEOS，例如，如图3(d)所示的0.15L/min，以及规定量的作为稀释气体的氮气(N₂)，例如，如图3(c)所示为0.15L/min。由此，在半导体晶片W上形成TEOS膜(成膜工序)。

在半导体晶片W上形成规定厚度的TEOS膜之后，停止来自处理气体导入管17的TEOS及氮气的供给。而且，将反应管2内的气体排出，同时从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气，将反应管2内的气体经排气管5排出(净化工序)。还有，为了确保将反应管2内的气体排出，优选能够重复进行多次反应管2内的气体排出及氮气供给的循环净化。

之后，由升温用加热器16将反应管2内加热到规定的温度，例如，如图3(a)所示，加热到300℃，同时从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气，如图3(b)所示，使反应管2内的压力恢复常压。最后，通过由晶片室升降机128使盖体6下降，进行卸载(卸载工序)。

在进行多次上述成膜处理后，TEOS不仅是在半导体晶片W的表面，而且会在反应管2的内壁等处堆积(附着)。因此，在进行数次成膜处理后，实行本发明的热处理装置1的清洗方法。以下参照图4说明热处理装置1的清洗方法。

首先，由升温用加热器16将反应管2内维持在规定的温度，例如，如图4(a)所示的300℃。此外，在从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气之后，将未容纳半导体晶片W的晶片室11装在盖体6之上，由晶片室升降机128使盖体6上升，将晶片室11装载于反应管2内(装载工序)。

接着，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气，同时由升温用加热器16将反应管2内加热到规定的清洗温度，例如，如图4(a)所示，加热到450℃。此外，将反应管2内的气体排出，将反应管2内压力减小到规定的值，例如，如图4(b)所示，减小到33250Pa(250Torr)。并且，将该减压及加热操作，进行到反应管2在规定的压力及温度稳定的状态(稳定化工序)。

反应管2内在规定的温度及压力状态下稳定后，从处理气体导入管17向反应管2内导入清洗气体。在本实施方式中，是向反应管2内导入由规定量的氟化氢(HF)，例如如图4(d)所示的2L/min；规定量的氟气(F₂)，例如如图4(e)所示的2L/min；以及规定量的作为稀释气体的氮气、例如如图4(c)所示的8L/min所组成的清洗气体。导入的清洗气体在反应管2内被加热，使清洗气体中的氟活化，即形成具有反应性的自由原子是多数的状态。通过该活化的氟与反应管2的内壁上附着的TEOS相接触蚀刻该TEOS。其结果是能够除去热处理装置1内部附着的TEOS(清洗工序)。

这里，优选清洗工序中反应管2内的温度为400℃～700℃。这是由于当反应管2内的温度低于400℃时，对于TEOS的蚀刻速度降低，有可能无法高效率地蚀刻TEOS。而且，对构成反应管2的石英等的蚀刻速度比对TEOS的蚀刻速度要高，所以有选择比下降的可能性。另一方面，当反应管2内的温度高于700℃时，例如有对排气管5等构成热处理装置1的部件造成腐蚀的危险。

清洗工序中反应管2内的温度更优选为400℃～500℃。在此温度范围内，能够提高蚀刻速度与选择比，同时还能够提高蚀刻的均匀性。特别是，如果反应管2内的温度为425℃～475℃，则能够提高蚀刻速度与选择比，同时还能够提高蚀刻的均匀性。在本实施方式中，如图4(a)所示，温度为450℃。

此外，通过将反应管2内设置为此温度，没有必要像以往那样将反应管2内的温度降低到100℃以下的低温，所以能够缩短反应管2内的温度调整时间。因此，能够高效率地除去热处理装置1的内部所附着的TEOS。此外，还能够抑制工作效率的降低。

清洗工序中反应管2内的压力优选为13.3Pa(0.1Torr)～常压。特别的，清洗工序中反应管2内的压力更优选为20000Pa(150Torr)～53200Pa(400Torr)，在该温度范围内，能够提高蚀刻速度与选择比，同时还能够提高蚀刻的均匀性。再者，将反应管2内的压力设为33250Pa(250Torr)～53200Pa(400Torr)，能够提高蚀刻速度与选择比，同时还能够提高蚀刻的均匀性。在本实施方式中，如图4(b)所示，压力为33250Pa(250Torr)。

除去热处理装置1的内部所附着的TEOS后，停止从处理气体导入管17的清洗气体的导入。而且，在排出反应管2内的气体的同时，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气，将反应管2内的气体排出到排气管5(净化工序)。

从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气，如图4(b)所示，使反应管2内的压力恢复常压，同时由升温用加热器16将反应管2内维持为规定的温度，例如，如图4(a)所示，温度维持为300℃。最后，通过由晶片室升降机128使盖体6下降，进行卸载(卸载工序)。

由以上的清洗方法将热处理装置1清洗后，能够由晶片室升降机使盖体6下降，通过将容纳有半导体晶片W的晶片室11装载于盖体6，再次进行在半导体晶片W上形成TEOS膜的成膜处理。

接着，确认由以上的热处理装置的清洗方法能否除去热处理装置1内部附着的TEOS。具体地，如图5所示，改变清洗工序中反应管2内的温度及压力，求出各条件下的TEOS，构成反应管2的石英的蚀刻速度，及TEOS与石英的选择比(TEOS/石英)。

在本例中，在晶片室11内容纳有由石英构成的试验片，及在石英片上形成有4μm厚的TEOS膜的试验片等两种试验片，在晶片室11容纳于反应管2内之后，向反应管2内供给清洗气体，对各试验片实施清洗处理，求出对于各试验片的蚀刻速度及选择比。蚀刻速度是测定清洗前后试验片的重量，从清洗前后带来的重量变化计算得出的。各条件下TEOS及石英的蚀刻速度如图6所示，各条件下的选择比如图7所示。

如图6所示，在各实施例中，都能够确认具有充分的蚀刻速度。而且，如图7所示，能够确认各实施例中的选择比都在1以上。还有，本实施例中虽然难以说选择比得到了提高，但是由于没有1以下的选择比，即没有逆选择比，所以可以认为具有充分的选择比。

如以上的说明，根据本实施方式，通过向反应管2内供给含有氟气(F₂)与氟化氢(HF)的清洗气体能够除去附着在反应管2的反应生成物。因此，能够高效率地除去热处理装置1的内部附着的反应生成物。而且，还能够抑制工作效率的降低。

此外，本实施方式中，将反应管2内温度设定为400℃～700℃，所以能够提高对TEOS的蚀刻速度，能够高效率地除去TEOS。

再者，根据本实施方式，由于没有必要如以往将反应管2内维持在100℃以下的低温，所以能够缩短反应管2内的温度调整时间。因此，能够高效率地除去热处理装置1的内部所附着的TEOS。此外，还能够抑制工作效率的降低。

还有，本发明并不限于上述实施方式，还可以有各种变形与应用。以下对本发明所适用的其它实施方式加以说明。

在上述实施方式中，是以除去由在半导体晶片W上形成TEOS膜在反应管2内所附着的TEOS的情况为例对本发明进行说明的，但本发明并不限于此。例如，也可以是通过除去由形成HCD(DCS)-氮化硅(SiN)膜与TEOS膜的层叠膜，及BTBAS-SiN与BTBAS-SiO膜的层叠膜在反应管2内所附着的附着物的情况。在这种情况下，也能够高效率地除去热处理装置1的内部附着的反应生成物。

在上述实施方式中，是以反应管2及盖体6是由石英所形成的情况为例说明本发明的，但是，例如也可以是由碳化硅(SiC)形成。此时，也能够高效率地除去反应管2内等所附着的反应生成物。

在上述实施方式中，是以在清洗气体中使用氟气、氟化氢与氮气的混合气体的情况为例说明本发明的，但是，清洗气体也可以是包含氟、氟化氢，能够除去热处理装置1的内部所附着的附着物的气体。此外，氟、氟化氢与氮的混合比例及供给量，只要是能够除去装置内部所附着的附着物的比例及量即可，可以任意的设定。

在上述实施方式中，是以含有作为稀释气体的氮气的情况为例说明本发明的，但是，也可以不含稀释气体。由于含有稀释气体时能够容易设定处理时间，所以优选含有稀释气体。作为稀释气体，优选是惰性气体，除了氮气之外，也可以使用氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等。

在上述实施方式中，是以对每种处理气体设置处理气体导入管17的情况为例说明本发明的，但是，也可以是对每种处理气体的种类(氟气、氟化氢、TEOS与氮气4种)设置处理气体导入管17。进而，也可以是在反应管2的下端附近的侧面插入多条处理气体导入管17，从多条管道导入相同的气体。此时，从多条处理气体导入管17向反应管2供给处理气体，能够将处理气体均匀的导入反应管2内。

在本实施方式中，作为热处理装置，是以单管结构的分批式热处理装置为例说明本发明的，但是，也可以使用反应管2是由内管与外管所构成的二重管结构的分批式纵式热处理装置。此外，本发明也可以适用于单片式的热处理装置。再者，被处理体也不限于半导体晶片W，例如也可以是LCD用玻璃基板。

本发明的实施方式中的控制部100不是专用的系统，可以使用通常的计算机系统来实现。例如，可以通过在通用计算机中从容纳有实行上述处理程序的记录介质(软盘、CD-ROM等)安装该程序，就能够构成进行上述处理的控制部100。

而且，供给这些程序的装置也是任意的。除了通过上述规定的记录介质来供给之外，例如还可以通过通信线路、通信网络、通信系统等供给。此时，例如可以是在通信网络的BBS上公布该程序，通过网络将其与传送波重叠提供。而且，通过启动这样的供给程序，在OS的控制下，与其它应用程序同样实行，就能够进行上述处理。

Claims (12)

1.一种薄膜形成装置的洗净方法，是向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜后，除去装置内部附着的附着物的薄膜形成装置的洗净方法，其中，

具有向加热到规定温度的反应室内供给含有氟与氟化氢的洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去所述附着物，对装置内部进行清洗的工序，

所述附着物含有四乙氧基硅烷。

2.一种薄膜形成装置的洗净方法，是向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜后，除去装置内部附着的附着物的薄膜形成装置的洗净方法，其中，

具有向加热到规定温度的反应室内供给包含氟与氟化氢的洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去所述附着物，对装置内部进行清洗的工序，

在所述清洗工序中，将反应室内加热到400℃～700℃。

3.如权利要求1或2所述的薄膜形成装置的洗净方法，其特征在于：所述清洗工序中，将所述反应室的气压维持为13.3Pa～常压。

4.如权利要求1或2所述的薄膜形成装置的洗净方法，其特征在于：所述装置内部的材料使用石英。

5.一种薄膜形成装置，是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其中，具有：

将所述反应室加热到规定温度的加热装置；

向所述反应室内供给含有氟与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；和

控制薄膜形成装置的各部分的控制装置，

所述控制装置控制所述洗净气体供给装置，在控制所述加热装置，将反应室内加热到规定温度的状态下，向该反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去所述反应室内附着的包含四乙氧基硅烷的附着物，对装置内部进行清洗。

6.一种薄膜形成装置，是向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的薄膜形成装置，其中，具有：

将所述反应室加热到规定温度的加热装置；

向所述反应室内供给含有氟与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；和

控制薄膜形成装置的各部分的控制装置，

所述控制装置控制所述洗净气体供给装置，在控制所述加热装置并将反应室内加热到400℃～700℃的状态下，向该反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去所述反应室内附着的附着物，对装置内部进行清洗。

7.如权利要求5或6所述的薄膜形成装置，其特征在于：在将所述反应室内的压力维持为13.3Pa～常压的状态下，所述控制装置控制所述洗净气体供给装置，使其向反应室内供给洗净气体。

8.如权利要求5或6所述的薄膜形成装置，其特征在于：所述装置内部至少是暴露于所述清洗气体的材料是石英。

9.一种程序，使得薄膜形成装置发挥向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的功能，其中：通过计算机使以下装置发挥功能：

将所述反应室加热到规定温度的加热装置；

向所述反应室内供给含有氟与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；

控制所述清洗气体供给装置的控制装置，使其在控制所述加热装置并将反应室内加热到规定温度的状态下，向该反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去所述反应室内附着的包含四乙氧基硅烷的附着物，对装置内部进行清洗。

10.一种程序，使得薄膜形成装置发挥向容纳有被处理体的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜的功能，其中，通过计算机使以下装置发挥功能：

将所述反应室加热到规定温度的加热装置；

向所述反应室内供给含有氟与氟化氢的洗净气体的洗净气体供给装置；

控制所述清洗气体供给装置的控制装置，使其在控制所述加热装置并将反应室内加热到400℃～700℃的状态下，向该反应室内供给洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去反应室内附着的附着物，对装置内部进行清洗。

11.如权利要求9或10所述的程序，其特征在于：在将所述反应室内气压维持为13.3Pa～常压的状态下，所述控制装置控制所述洗净气体供给装置，使其向反应室内供给洗净气体。

12.如权利要求9或10所述的程序，其特征在于：所述装置内部至少暴露于所述清洗气体的材料是石英。

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