JP2000265276A - クリーニングガス - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 70
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N bromine fluoride Chemical compound BrF MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N iodine monofluoride Chemical compound IF PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical group [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テトラエトキシシランまたはペンタエトキシ
タンタルを原料として用いたシリコン酸化膜形成装置ま
たはタンタル酸化膜形成装置の反応器、該装置の冶具・
部品、配管等そのものを損傷させることなく該重合物を
除去するためのクリーニングガスを提供する。 【解決手段】 ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ素、塩
化フッ素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素少なくとも
一種のガスとを含有したクリーニングガス。
タンタルを原料として用いたシリコン酸化膜形成装置ま
たはタンタル酸化膜形成装置の反応器、該装置の冶具・
部品、配管等そのものを損傷させることなく該重合物を
除去するためのクリーニングガスを提供する。 【解決手段】 ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ素、塩
化フッ素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素少なくとも
一種のガスとを含有したクリーニングガス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テトラエトキシシ
ランまたはペンタエトキシタンタルを原料として用いた
シリコン酸化膜形成装置またはタンタル酸化膜形成装置
の反応器、該装置の冶具・部品、配管等そのものを損傷
させることなくテトラエトキシシランまたはペンタエト
キシタンタルの重合物を除去するためのクリーニングガ
スに関する。
ランまたはペンタエトキシタンタルを原料として用いた
シリコン酸化膜形成装置またはタンタル酸化膜形成装置
の反応器、該装置の冶具・部品、配管等そのものを損傷
させることなくテトラエトキシシランまたはペンタエト
キシタンタルの重合物を除去するためのクリーニングガ
スに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】テト
ラエトキシシラン（ＴＥＯＳと略す）やペンタエトキシ
タンタル（ＰＥＴａと略す）などのアルコキシドを原料
として用い、ＣＶＤ（熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ）によ
りシリコン酸化膜あるいはタンタル酸化膜を堆積させる
場合、装置器壁、該装置冶具・部品、配管内には、Ｓｉ
やＴａと共にＣ、Ｈ、Ｏを含む化合物（重合物）が付着
もしくは堆積する。これらの化合物が生成することによ
り反応器内部にパーティクルが発生したり、配管のつま
りを引き起こしたりする。そのため、これらの堆積物を
随時除去せねばならない。
ラエトキシシラン（ＴＥＯＳと略す）やペンタエトキシ
タンタル（ＰＥＴａと略す）などのアルコキシドを原料
として用い、ＣＶＤ（熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ）によ
りシリコン酸化膜あるいはタンタル酸化膜を堆積させる
場合、装置器壁、該装置冶具・部品、配管内には、Ｓｉ
やＴａと共にＣ、Ｈ、Ｏを含む化合物（重合物）が付着
もしくは堆積する。これらの化合物が生成することによ
り反応器内部にパーティクルが発生したり、配管のつま
りを引き起こしたりする。そのため、これらの堆積物を
随時除去せねばならない。
【０００３】現状、これらの堆積物を除去する方法とし
ては、装置、配管等を解体し、人力により除去する方法
が一般的に用いられている。また、本出願人は、このテ
トラエトキシシランの重合物を装置や配管の解体、冶具
の取り外しを行うことなく速やかに反応除去する方法と
してＨＦガスでのクリーニング方法を開示した（特開平
５−２１４３３９号公報）。この方法は、ガス温度とＨ
Ｆガス濃度を制御することによりクリーニング時の反応
生成物であるＨ2Ｏを液化させることなく、すなわちフ
ッ化水素酸の生成を起こすことなく該堆積物を除去する
ものである。しかしながら、シリコン酸化膜の堆積速度
を上げるため原料であるＴＥＯＳの流量を増加させた場
合など重合物の堆積量が非常に多量になると、反応器内
部や配管内のガス温度を精密に制御することが困難にな
る。そのため、特にＣ、Ｈ、Ｏの含有率の高いものが多
量に付着している場合や液状の重合物が存在する場合
は、フッ化水素酸の生成により金属材料等の腐蝕を引き
起こす場合がある。従って、温度やＨＦガス濃度の精密
な制御を必要とせず、またフッ化水素酸による金属腐蝕
を起こさずにクリーニングするガスや方法が望まれてい
る。
ては、装置、配管等を解体し、人力により除去する方法
が一般的に用いられている。また、本出願人は、このテ
トラエトキシシランの重合物を装置や配管の解体、冶具
の取り外しを行うことなく速やかに反応除去する方法と
してＨＦガスでのクリーニング方法を開示した（特開平
５−２１４３３９号公報）。この方法は、ガス温度とＨ
Ｆガス濃度を制御することによりクリーニング時の反応
生成物であるＨ2Ｏを液化させることなく、すなわちフ
ッ化水素酸の生成を起こすことなく該堆積物を除去する
ものである。しかしながら、シリコン酸化膜の堆積速度
を上げるため原料であるＴＥＯＳの流量を増加させた場
合など重合物の堆積量が非常に多量になると、反応器内
部や配管内のガス温度を精密に制御することが困難にな
る。そのため、特にＣ、Ｈ、Ｏの含有率の高いものが多
量に付着している場合や液状の重合物が存在する場合
は、フッ化水素酸の生成により金属材料等の腐蝕を引き
起こす場合がある。従って、温度やＨＦガス濃度の精密
な制御を必要とせず、またフッ化水素酸による金属腐蝕
を起こさずにクリーニングするガスや方法が望まれてい
る。
【０００４】また、本出願人は、上記問題を解決するた
めに、まず酸素を系内に導入し、ＴＥＯＳ分解物を酸化
させた後、ＨＦガスでクリーニングする方法も開示した
（特開平９−１２９５８６号公報）。しかし、該方法
は、Ｏ2処理とＨＦ処理を２段で行わなければ成らず非
効率的であった。また、ペンタエトキシタンタルの分解
物については、ＣｌＦ3やＦ2で除去できる方法（特開平
９−３０１７１８号公報）も開示されているが、該方法
は強力なフッ素化剤を使用するため、マスフローコント
ローラの故障や真空ポンプ、圧力制御バルブの故障によ
る大量のＣｌＦ3等やあるいは高圧力でＣｌＦ3等が系内
に流通した場合に発火を起こす危険性があった。また、
ＴＥＯＳについては、ＨＦとＣｌＦ3との混合ガスにつ
いては、特開平６−１７３０１２号公報において開示し
ている。
めに、まず酸素を系内に導入し、ＴＥＯＳ分解物を酸化
させた後、ＨＦガスでクリーニングする方法も開示した
（特開平９−１２９５８６号公報）。しかし、該方法
は、Ｏ2処理とＨＦ処理を２段で行わなければ成らず非
効率的であった。また、ペンタエトキシタンタルの分解
物については、ＣｌＦ3やＦ2で除去できる方法（特開平
９−３０１７１８号公報）も開示されているが、該方法
は強力なフッ素化剤を使用するため、マスフローコント
ローラの故障や真空ポンプ、圧力制御バルブの故障によ
る大量のＣｌＦ3等やあるいは高圧力でＣｌＦ3等が系内
に流通した場合に発火を起こす危険性があった。また、
ＴＥＯＳについては、ＨＦとＣｌＦ3との混合ガスにつ
いては、特開平６−１７３０１２号公報において開示し
ている。
【０００５】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者等は、鋭
意検討の結果、ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ素、塩
化フッ素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素の少なくと
も一種のガスとを含有した混合ガスを用いることにより
効率的かつ安全にアルコキシドの分解物（重合物）を除
去できるクリーニングガス組成物を見出し、本発明に到
達したものである。
意検討の結果、ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ素、塩
化フッ素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素の少なくと
も一種のガスとを含有した混合ガスを用いることにより
効率的かつ安全にアルコキシドの分解物（重合物）を除
去できるクリーニングガス組成物を見出し、本発明に到
達したものである。
【０００６】すなわち本発明は、ペンタエトキシタンタ
ルの熱分解による薄膜形成装置の中に生成した不要な堆
積物を除去するためのガスであって、ＨＦガスと、酸素
含有ガス、フッ素、塩化フッ素、臭化フッ素、またはヨ
ウ化フッ素の少なくとも一種のガスとを含有したクリー
ニングガス、またはテトラエトキシシランの熱分解によ
る薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積物を除去する
ためのガスであって、ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ
素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素の少なくとも一種
のガスとを含有したクリーニングガスを提供するもので
ある。
ルの熱分解による薄膜形成装置の中に生成した不要な堆
積物を除去するためのガスであって、ＨＦガスと、酸素
含有ガス、フッ素、塩化フッ素、臭化フッ素、またはヨ
ウ化フッ素の少なくとも一種のガスとを含有したクリー
ニングガス、またはテトラエトキシシランの熱分解によ
る薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積物を除去する
ためのガスであって、ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ
素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素の少なくとも一種
のガスとを含有したクリーニングガスを提供するもので
ある。
【０００７】本発明のガスの対象となる物質は、アルコ
キシドの熱分解により生成した分解物組成が、ＴＥＯＳ
の場合、（ＳｉＣｘＨｙＯｚ）ｎ［Ｘ＝０．１〜８，Ｙ
＝１〜２０，Ｚ＝０．１〜１１，ｎ＞０］なる組成物で
あり、ＰＥＴａの場合、（ＴａＣｘＨｙＯｚ）ｎ［Ｘ＝
０．１〜１０，Ｙ＝１〜２５，Ｚ＝０．１〜１１，ｎ＞
０］なる組成物である。
キシドの熱分解により生成した分解物組成が、ＴＥＯＳ
の場合、（ＳｉＣｘＨｙＯｚ）ｎ［Ｘ＝０．１〜８，Ｙ
＝１〜２０，Ｚ＝０．１〜１１，ｎ＞０］なる組成物で
あり、ＰＥＴａの場合、（ＴａＣｘＨｙＯｚ）ｎ［Ｘ＝
０．１〜１０，Ｙ＝１〜２５，Ｚ＝０．１〜１１，ｎ＞
０］なる組成物である。
【０００８】また、本発明で用いる酸素含有ガスとは、
Ｏ2、Ｏ3、Ｎ2Ｏ、ＮＯまたはＣＯ、であり、塩化フッ
素は、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＣｌＦ5を示し、臭化フッ素
は、ＢｒＦ、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5を示し、ヨウ化フッ素
は、ＩＦ、ＩＦ3、ＩＦ5、ＩＦ7をそれぞれ示す。
Ｏ2、Ｏ3、Ｎ2Ｏ、ＮＯまたはＣＯ、であり、塩化フッ
素は、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＣｌＦ5を示し、臭化フッ素
は、ＢｒＦ、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5を示し、ヨウ化フッ素
は、ＩＦ、ＩＦ3、ＩＦ5、ＩＦ7をそれぞれ示す。
【０００９】本発明において、酸素含有ガスを用いる場
合、混合した酸素によりアルコキシド重合物の酸化を促
進させ、反応で生成する水蒸気量を低減させることによ
り金属腐食を抑制すると共にＨＦガスで金属をフッ素化
することにより不要な堆積物を反応除去できる。
合、混合した酸素によりアルコキシド重合物の酸化を促
進させ、反応で生成する水蒸気量を低減させることによ
り金属腐食を抑制すると共にＨＦガスで金属をフッ素化
することにより不要な堆積物を反応除去できる。
【００１０】本発明においては、Ｏ2、Ｏ3、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、ＣＯ等の酸素含有ガスを使用した場合、そのガス濃
度が５〜８０％の範囲、及びＨＦガス濃度が１０〜９５
％の範囲であることが好ましい。この濃度より酸素含有
ガスが少ないと堆積物の酸化促進効果十分に得られず、
またＨＦガス濃度がこの濃度より低いとＨＦによるエッ
チング効果よりも酸素含有ガスによる酸化効果が上回る
ためクリーニングに時間がかかるという問題がある。ま
た、酸素含有ガス濃度が８０％を超えると酸化が進みす
ぎるために好ましくなく、またＨＦガス濃度が９５％を
超えると単位時間当たりの水蒸気発生量が多くなるため
好ましくない。
Ｏ、ＣＯ等の酸素含有ガスを使用した場合、そのガス濃
度が５〜８０％の範囲、及びＨＦガス濃度が１０〜９５
％の範囲であることが好ましい。この濃度より酸素含有
ガスが少ないと堆積物の酸化促進効果十分に得られず、
またＨＦガス濃度がこの濃度より低いとＨＦによるエッ
チング効果よりも酸素含有ガスによる酸化効果が上回る
ためクリーニングに時間がかかるという問題がある。ま
た、酸素含有ガス濃度が８０％を超えると酸化が進みす
ぎるために好ましくなく、またＨＦガス濃度が９５％を
超えると単位時間当たりの水蒸気発生量が多くなるため
好ましくない。
【００１１】クリーニングする温度は、２０〜２００℃
の範囲が好ましく、最適には、５０〜１５０℃の範囲が
好ましい。２０℃未満では、配管中などにＨＦが液化す
る可能性があり好ましくなく、また２００℃を超えると
配管等に使用されているＯリングなどの樹脂を損傷させ
るため好ましくない。
の範囲が好ましく、最適には、５０〜１５０℃の範囲が
好ましい。２０℃未満では、配管中などにＨＦが液化す
る可能性があり好ましくなく、また２００℃を超えると
配管等に使用されているＯリングなどの樹脂を損傷させ
るため好ましくない。
【００１２】また、本発明において、フッ素、塩化フッ
素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素を用いる場合、そ
のガス濃度を２０％以下で用いる必要がある。最適に
は、０．１〜２０％の範囲が好ましい。２０％以上にな
るとアルコキシド重合物が燃焼するためと思われるが、
粉体状のＳｉＯ2やＴａ2Ｏ5が発生し反応器内のパーテ
ィクル量が増加したり、粉体のポンプ内やバルブ内への
堆積により故障する場合があり、好ましくない。また、
０．１％未満だと分解物への酸化効果があまり得られな
い。ＨＦガス濃度は、５〜９９．９％の範囲が好まし
い。５％未満だと十分なクリーニングの効果が得られず
好ましくない。
素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素を用いる場合、そ
のガス濃度を２０％以下で用いる必要がある。最適に
は、０．１〜２０％の範囲が好ましい。２０％以上にな
るとアルコキシド重合物が燃焼するためと思われるが、
粉体状のＳｉＯ2やＴａ2Ｏ5が発生し反応器内のパーテ
ィクル量が増加したり、粉体のポンプ内やバルブ内への
堆積により故障する場合があり、好ましくない。また、
０．１％未満だと分解物への酸化効果があまり得られな
い。ＨＦガス濃度は、５〜９９．９％の範囲が好まし
い。５％未満だと十分なクリーニングの効果が得られず
好ましくない。
【００１３】クリーニングする温度は、２０〜２００℃
の範囲が好ましく、最適には、５０〜１５０℃の範囲が
好ましい。２０℃未満では、配管中などにＨＦが液化す
る可能性があり好ましくなく、また２００℃を超えると
配管等に使用されているＯリングなどの樹脂を損傷させ
るため好ましくない。さらにＣｌＦ3等による金属の腐
食を受ける場合もあり好ましくない。
の範囲が好ましく、最適には、５０〜１５０℃の範囲が
好ましい。２０℃未満では、配管中などにＨＦが液化す
る可能性があり好ましくなく、また２００℃を超えると
配管等に使用されているＯリングなどの樹脂を損傷させ
るため好ましくない。さらにＣｌＦ3等による金属の腐
食を受ける場合もあり好ましくない。
【００１４】本発明おいては、クリーニングガスの第３
成分としてＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、ＣＯ2などの不活性ガスを
混合しても良い。
成分としてＡｒ、Ｈｅ、Ｎ2、ＣＯ2などの不活性ガスを
混合しても良い。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
【００１６】実施例１〜６、比較例１〜２ ＴＥＯＳを原料として熱ＣＶＤ（流量：３ＳＬＭ、４５
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＳｉＣ
0.8Ｈ6Ｏ9であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、Ｏ2とＨＦ
の混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリーニ
ングした。クリーニングした後、配管内を観察した結果
を表１に記す。但し、表１中のＨＦとＯ2濃度の合計が
１００％未満の例については、希釈ガスとしてＡｒを用
いたものである。また、酸素含有ガスをＯ3、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、ＣＯに変えても同様の結果が得られた。
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＳｉＣ
0.8Ｈ6Ｏ9であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、Ｏ2とＨＦ
の混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリーニ
ングした。クリーニングした後、配管内を観察した結果
を表１に記す。但し、表１中のＨＦとＯ2濃度の合計が
１００％未満の例については、希釈ガスとしてＡｒを用
いたものである。また、酸素含有ガスをＯ3、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、ＣＯに変えても同様の結果が得られた。
【００１７】
【表１】
【００１８】実施例７〜１２、比較例３〜４ ＰＥＴａを原料として熱ＣＶＤ（流量：３ＳＬＭ、５５
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＴａＣ
0.2Ｈ8Ｏ10であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、Ｏ2とＨＦ
の混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリーニ
ングした。クリーニングした後、配管内を観察した結果
を表２に記す。但し、表２中のＨＦとＯ2濃度の合計が
１００％未満の例については、希釈ガスとしてＡｒを用
いたものである。また、酸素含有ガスをＯ3、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、ＣＯに変えても同様の結果が得られた。
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＴａＣ
0.2Ｈ8Ｏ10であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、Ｏ2とＨＦ
の混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリーニ
ングした。クリーニングした後、配管内を観察した結果
を表２に記す。但し、表２中のＨＦとＯ2濃度の合計が
１００％未満の例については、希釈ガスとしてＡｒを用
いたものである。また、酸素含有ガスをＯ3、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、ＣＯに変えても同様の結果が得られた。
【００１９】
【表２】
【００２０】実施例１３〜１５、比較例５ ＴＥＯＳを原料として熱ＣＶＤ（流量：３ＳＬＭ、４５
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＳｉＣ
0.8Ｈ6Ｏ9であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、ＢｒＦ5と
ＨＦの混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリ
ーニングした。クリーニングした後、配管内を観察した
結果を表３に記す。また、ＢｒＦ5ガスをＦ2、ＩＦ7に
変えても同様の結果が得られた。
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＳｉＣ
0.8Ｈ6Ｏ9であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、ＢｒＦ5と
ＨＦの混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリ
ーニングした。クリーニングした後、配管内を観察した
結果を表３に記す。また、ＢｒＦ5ガスをＦ2、ＩＦ7に
変えても同様の結果が得られた。
【００２１】
【表３】
【００２２】実施例１６〜１８、比較例６ ＰＥＴａを原料として熱ＣＶＤ（流量：３ＳＬＭ、４５
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＴａＣ
0.2Ｈ8Ｏ10であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、ＣｌＦ3と
ＨＦの混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリ
ーニングした。クリーニングした後、配管内を観察した
結果を表４に記す。また、ＣｌＦ3ガスをＦ2、Ｂｒ
Ｆ5、ＩＦ7に変えても同様の結果が得られた。
０℃、７６０Ｔｏｒｒ）を行った装置の排気系配管内及
び反応器内のフランジ部には液状のアルコキシド重合物
を含有した透明ガラス状（堆積膜厚:約５ｍｍ）物質が
付着していた。元素分析の結果、この組成は、ＴａＣ
0.2Ｈ8Ｏ10であった。この配管部分を取り外し、該配管
に新たにガス供給系と排ガス系を取り付け、ＣｌＦ3と
ＨＦの混合ガスを全圧７６０Ｔｏｒｒで１時間流しクリ
ーニングした。クリーニングした後、配管内を観察した
結果を表４に記す。また、ＣｌＦ3ガスをＦ2、Ｂｒ
Ｆ5、ＩＦ7に変えても同様の結果が得られた。
【００２３】
【表４】
【００２４】
【発明の効果】本発明のクリーニングガスを用いること
により、薄膜形成装置、配管等を損傷することなく容易
にクリーニングを行うことができる。
により、薄膜形成装置、配管等を損傷することなく容易
にクリーニングを行うことができる。
フロントページの続き (72)発明者 大橋 満也 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 川島 忠幸 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA11 BA17 DA06 FA10 4K057 WB01 5F045 AA04 AA06 AA08 AB32 AB40 AC01 AC07 EB05 EB06
Claims (3)
- 【請求項１】 ペンタエトキシタンタルの熱分解による
薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積物を除去するた
めのガスであって、ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ
素、塩化フッ素、臭化フッ素、またはヨウ化フッ素の少
なくとも一種のガスとを含有したことを特徴とするクリ
ーニングガス。 - 【請求項２】 テトラエトキシシランの熱分解による薄
膜形成装置の中に生成した不要な堆積物を除去するため
のガスであって、ＨＦガスと、酸素含有ガス、フッ素、
臭化フッ素、またはヨウ化フッ素の少なくとも一種のガ
スとを含有したことを特徴とするクリーニングガス。 - 【請求項３】 酸素含有ガスが、Ｏ2、Ｏ3、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、またはＣＯであることを特徴とする請求項１または
請求項２記載のクリーニングガス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11289190A JP2000265276A (ja) | 1999-01-12 | 1999-10-12 | クリーニングガス |
| TW088123417A TW577916B (en) | 1999-01-12 | 1999-12-31 | Cleaning gas |
| SG200000081A SG97829A1 (en) | 1999-01-12 | 2000-01-06 | Cleaning gas |
| US09/479,057 US6147006A (en) | 1999-01-12 | 2000-01-07 | Cleaning gas |
| KR1020000001226A KR100335174B1 (ko) | 1999-01-12 | 2000-01-11 | 세정 기체 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-4809 | 1999-01-12 | ||
| JP480999 | 1999-01-12 | ||
| JP11289190A JP2000265276A (ja) | 1999-01-12 | 1999-10-12 | クリーニングガス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265276A true JP2000265276A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=26338647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11289190A Pending JP2000265276A (ja) | 1999-01-12 | 1999-10-12 | クリーニングガス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6147006A (ja) |
| JP (1) | JP2000265276A (ja) |
| KR (1) | KR100335174B1 (ja) |
| SG (1) | SG97829A1 (ja) |
| TW (1) | TW577916B (ja) |
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1999
- 1999-10-12 JP JP11289190A patent/JP2000265276A/ja active Pending
- 1999-12-31 TW TW088123417A patent/TW577916B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-01-06 SG SG200000081A patent/SG97829A1/en unknown
- 2000-01-07 US US09/479,057 patent/US6147006A/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-11 KR KR1020000001226A patent/KR100335174B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000057741A (ko) | 2000-09-25 |
| KR100335174B1 (ko) | 2002-05-04 |
| US6147006A (en) | 2000-11-14 |
| TW577916B (en) | 2004-03-01 |
| SG97829A1 (en) | 2003-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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