CN1717139A - 有机电致发光显示设备及其制造方法 - Google Patents
有机电致发光显示设备及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1717139A CN1717139A CNA2005100764707A CN200510076470A CN1717139A CN 1717139 A CN1717139 A CN 1717139A CN A2005100764707 A CNA2005100764707 A CN A2005100764707A CN 200510076470 A CN200510076470 A CN 200510076470A CN 1717139 A CN1717139 A CN 1717139A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode electrode
- organic
- display device
- screened film
- conductive light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种适于改进发光亮度和减少能耗的有机EL显示设备及其制造方法。根据本发明的有机EL显示设备包括多个阳极电极，以及具有导电性并以分开的图形形成在阳极电极上使得阳极电极彼此绝缘的导电光屏蔽膜。
Description
本申请要求于2004年6月14日提交的韩国专利申请No.P2004-43716的权益，在此将其完全包括并作为参考。
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示设备，并且更为具体的涉及适于改进发光亮度和减少能耗的有机电致发光显示设备及其制造方法。
背景技术
近来，开发了能够减少它们的重量和尺寸(在这方面优于阴极射线管CRT)的多种平板显示设备。平板显示设备包括液晶显示LCD、场发射显示器FED、等离子显示面板PDP和电致发光EL显示设备。特别的，EL显示设备具有粘贴到有机发光层的两侧的电极，该有机发光层基本上由空穴运输层、光发射层和电子运输层组成，并且该EL显示设备因为其诸如宽视角、高孔径比和高色度的特性成为下一代平板显示设备的关注中心。
根据使用的材料，EL显示设备大致被分为无机EL显示设备和有机EL显示设备。在有机EL显示设备中，如果将电子电荷注入在空穴注入电极和电子注入电极之间形成的有机EL层，电子和空穴配对，并且之后消亡以发射光线，因此具有能够以相比无机EL显示设备更低的电压驱动的优点。另外，相比PDP或无机ELD，有机EL显示设备能够以不大于10V的低电压驱动，并且在诸如塑料的柔性透明基片上形成器件，而且其能耗相对低且彩色表现很优秀。
图1是表示现有技术的有机EL显示设备的透视图，并且图2是表示如图1所示的有机EL显示设备的、沿着线“I-I”截取的截面图。
如图1和2所示的有机EL显示设备具有在基片2上以彼此交叉的方向形成的阳极电极4和阴极电极。
形成多个阳极电极4以用其间指定的距离彼此分开。在基片2上形成阳极电极4的位置形成具有用于每个EL单元(p)区域的空洞部分的绝缘膜6。阻挡条8位于绝缘膜6上，其中阻挡条分开有机发光层10和将在绝缘膜6上形成的阴极电极12。以横过阳极电极4的方向形成阻挡条8，并且其具有上部部分比下部部分宽的反锥形结构。在其中形成阻挡条8的绝缘膜的整个表面上顺序沉积由有机化合物组成的有机发光层10和阴极电极12。通过沉积包括空穴注入层和空穴运输层的空穴相关层10A、实现彩色的发光层10C、以及包括电子运输层和电子注入层的电子相关层10E来形成有机发光层10。
在有机EL显示设备中，如果将电压加到阳极电极4和阴极电极12，则在阴极电极12产生的电子通过电子相关层10E移动到发光层10C。另外，在阳极电极4产生的空穴通过空穴相关层10A移动到发光层10C。因此，在发光层10C，从电子相关层10E和空穴相关层10A提供的电子和空穴复合以形成激子(exiton)，并且该激子被激励再回到接地状态，因此将固定能量的光线通过阳极电极4发射到外侧。
具有这种配置的有机EL显示设备使得来自外侧的入射光几乎完全透射通过阳极电极4和有机发光层10。结果，当光线不从有机发光层10发射时，从基片2的表面入射的外部光线40通过有机发光层10和透明导电材料的阳极电极4传输，并且由金属电极的阴极电极12反射，如图3A所示。因此，存在对比度恶化的问题。为了解决该问题，如图3B所示，使用反射保护膜30。将反射保护膜30粘贴到有机EL显示设备的基片2以截取在从外侧照射外部光线40之后将反射出有机EL显示设备外的外部光线40。在这里，反射保护膜30包括发射外部光线40中的特定线性偏振的光线并且截取其它偏振分量的偏振器，以及用于将线性偏振的光线转换为圆偏振光的光线的λ/4相差板(phase difference plate)30B。
但是，如果使用这种偏振器30A可以改进对比度，但是在偏振比率不小于99％的情况下因为偏振器30A的光学特性透射率不能大于50％，因此，在有机EL显示面板中产生不小于50％的亮度损失。因此，出现了在有机EL显示设备中应该增加能耗以获得所需亮度的问题。
发明内容
因此，本发明的目的是适于改进发光亮度并减少能耗的有机电致发光显示设备及其制造方法。
为了实现本发明的这些和其它目的，根据本发明的一个方面的有机电致发光显示设备包括多个阳极电极；以及具有导电性并以分开的图形形成在阳极电极上使得阳极电极彼此绝缘的导电光屏蔽膜。
该导电光屏蔽膜部分地暴露阳极电极以定义发光区域。
有机电致发光显示设备进一步包括形成在阳极电极上的有机发光层；与阳极电极交叉形成的阻挡条；以及与阳极电极交叉形成并与阳极电极之间具有有机发光层的阴极电极。
导电光屏蔽膜包括不透明材料。
导电光屏蔽膜的电阻率是大约20-200μΩ.cm。
根据本发明另一方案的有机电致发光显示设备的制造方法包括步骤：在基片上形成多个阳极电极；以及在阳极电极上以分开的图形形成导电光屏蔽膜，其中该导电光屏蔽膜具有导电性并使得阳极电极彼此绝缘。
导电光屏蔽膜部分暴露阳极电极以定义发光区域。
该制造方法进一步包括步骤：在阳极电极上形成有机发光层；形成阻挡条以交叉阳极电极；以及形成阴极电极以交叉阳极电极，并且在其间具有有机发光层。
该导电光屏蔽膜包括不透明材料。
附图说明
通过下面结合附图的本发明的实施例的详细描述能够更加清楚的理解本发明的这些和其它目的，在附图中：
图1是简要地表示现有技术的有机EL显示设备的视图；
图2是沿着图1的“I-I”截取的截面图；
图3A是用于解释有机EL显示设备的外部光线的反射的视图；
图3B是用于解释防止外部光线的反射的反射保护膜的视图；
图4是简要地表示根据本发明的有机EL显示设备的视图；
图5是具体表示如图4所示的导电光屏蔽膜的视图；以及
图6A到6D的是一个步骤一个步骤地表示如图4所示的有机EL显示设备的制造方法的视图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述根据本发明的实施例的有机电致发光显示设备。
在下文中，将参考图4到6D详细描述本发明的优选实施例。
图4是表示根据本发明的有机EL显示设备的截面图。
如图4所示的有机EL显示设备包括在基片102上彼此交叉形成的阳极电极104和阴极电极112以及有机发光层110；形成以交叉阳极电极并且平行于阴极电极112的阻挡条(没有示出)；限定在阳极电极104上的发光区域并且截取外部光线的导电光屏蔽膜106；以及形成以覆盖导电光屏蔽膜106并限定发光区域的绝缘膜107。
在基片102上以条形形状形成多个阳极电极104，并且他们中的每一个以在其间的指定距离彼此分开。以横过阳极电极4的方向形成阻挡条(没有示出)，且其具有上部部分比下部部分宽的反锥形结构。通过沉积包括空穴注入层和空穴运输层的空穴相关层110A、实现彩色的发光层110C、以及包括电子运输层和电子注入层的电子相关层110E来形成有机发光层110。
导电光屏蔽膜106部分地暴露阳极电极104以限定发光区域，并且截取和吸收外部光，由此用于改进设备的对比度。
另外，光屏蔽膜106由导电材料形成，由此改进阳极电极104的导电性。
下面是为更为具体的描述。
如图5所示，导电光屏蔽膜106具有比阳极电极宽的宽度以覆盖阳极电极，且其部分地具有暴露阳极电极104的空洞部分106A。另外，导电光屏蔽膜106彼此电气分开，使得在阳极电极104之间不导通。
导电光屏蔽膜106由不透明导电材料形成，由此用于截取或吸收通过透明的基片102和阳极电极104入射的外部光。因此，相比现有技术不需要偏振器，从而当器件发射光线时增加透射率，由此增加亮度并使得能够减少能耗。
另外，导电光屏蔽膜106由导电材料和具有大约20μΩ.cm～200μΩ.cm的电阻率的材料形成，因此导电光屏蔽膜106用于改进由透明电极材料形成的阳极电极104的导电性。因此，降低阳极电极104需要的电压以减少能耗。在这里，导电屏蔽膜106的材料是诸如铬Cr，钼Mo、铝Al、镍Ni、铜Cu、银Ag、金Au、铟In、锡Sn、锌Zn等的金属，或他们的化合物。
在有机EL显示设备中，如果将电压加到阳极电极104和阴极电极112，在阴极电极112产生的电子通过电子相关层110E移动到发光层110C。另外，在阳极电极104产生的空穴通过空穴相关层110A移动到发光层110C。因此，在发光层110C，通过复合从电子相关层110E和空穴相关层110A提供的电子和空穴来形成激子(exiton)，并且该激子被激励回到接地状态，以将固定能量的光线通过阳极电极14发射到外侧。
在下文中，参考图6A到6D描述根据本发明的有机EL显示设备的制造方法。
首先，在通过使用碱石灰或钢化玻璃形成的基片102上沉积透明的导电金属材料之后，通过光刻处理和蚀刻处理构图该透明的导电金属材料，由此形成阳极电极104，如图6A所示。在这里，金属材料是铟锡氧化物ITO或SnO2。
在其中形成阳极电极104的基片上沉积不透明的导电金属材料，通过光刻处理和蚀刻处理构图不透明的导电金属材料，因此以比阳极电极104更宽的宽度形成导电的光屏蔽膜106，如图6C所示，以覆盖阳极电极104，且该导电的光屏蔽膜106具有部分暴露阳极电极104的空洞部分106A。在这里，不透明的导电金属材料是诸如铬Cr、钼Mo、铝Al、镍Ni、铜Cu、银Ag、金Au、铟In、锡Sn、锌Zn等的金属，或它们的化合物。并且，形成以覆盖每个阳极电极104的导电光屏蔽膜是电隔离的。
在其中形成导电光屏蔽膜106的基片102上沉积光敏有机材料之后，通过光刻处理等制图光敏有机材料，由此形成绝缘膜107。并且之后，在沉积光敏有机材料之后，通过光刻处理构图光敏有机材料，由此形成阻挡条(没有示出)。
如图6C所示，通过使用以公共掩膜和金属(或阴影)掩膜，以诸如热沉积、真空沉积等的沉积方法在其中形成阻挡条的基片102上形成有机发光层110。
在其中形成有机发光层110的基片102上沉积金属材料，由此形成阴极电极112，如图6D所示。
以这种方式，根据本发明的有机EL显示设备及其制造方法除去了现有技术的反射保护膜并形成了光屏蔽膜106。因此，当设备发射光线时改进了光透射率，由此增加亮度。
另外，导电光屏蔽膜106由具有导电性的材料形成以改进阳极电极104的导电性。因此，降低了加到阳极电极104的电压，由此使得能够减小能耗。
如上所述，根据本发明的有机EL显示设备及其制造方法除去了现有技术的反射保护膜并形成了导电光屏蔽膜，由此改进了亮度并减少能耗。
虽然通过如上所述的附图中所示的实施例解释了本发明，本领域普通技术人员应该理解本发明不限于实施例，而是在不脱离本发明的精神的情况下可以做出多种修改或变更。因此，本发明的范围应该仅由所附的权利要求及其等效物所确定。
Claims (9)
1.一种有机电致发光显示设备，其包括：
多个阳极电极；以及
导电光屏蔽膜，其具有导电性并以分开的图形形成在阳极电极上使得阳极电极彼此绝缘。
2.如权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其中，该导电光屏蔽膜部分地暴露阳极电极以限定发光区域。
3.如权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其进一步包括：
有机发光层，其形成在阳极电极上；
阻挡条，其与阳极电极交叉形成；以及
阴极电极，其与阳极电极交叉形成，且在其和阳极电极之间具有有机发光层。
4.如权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其中，该导电光屏蔽膜包括不透明的材料。
5.如权利要求1所述的有机电致发光显示设备，其中，该导电光屏蔽膜的电阻率是大约20-200μΩ.cm。
6.一种有机电致发光显示设备的制造方法，其包括下列步骤：
在基片上形成多个阳极电极；以及
在阳极电极上以分开的图形形成导电光屏蔽膜，其中该导电光屏蔽膜具有导电性并使得阳极电极彼此绝缘。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中，该导电光屏蔽膜部分地暴露阳极电极以限定发光区域。
8.如权利要求6所述的制造方法，其进一步包括步骤：
在阳极电极上形成有机发光层；
形成阻挡条以与阳极电极交叉；以及
形成阴极电极以与阳极电极交叉，并且在其间具有有机发光层。
9.如权利要求6所述的制造方法，其中，该导导电光屏蔽膜包括不透明材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040043716 | 2004-06-14 | ||
| KR1020040043716A KR100620851B1 (ko) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1717139A true CN1717139A (zh) | 2006-01-04 |
| CN100456520C CN100456520C (zh) | 2009-01-28 |
Family
ID=35004347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100764707A Active CN100456520C (zh) | 2004-06-14 | 2005-06-14 | 有机电致发光显示设备及其制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7589462B2 (zh) |
| EP (1) | EP1608017B1 (zh) |
| JP (1) | JP5089867B2 (zh) |
| KR (1) | KR100620851B1 (zh) |
| CN (1) | CN100456520C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106450019A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI333389B (en) * | 2006-08-16 | 2010-11-11 | Au Optronics Corp | Low-reflection self-illumination unit display |
| JP2008135318A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| US20110186905A1 (en) * | 2008-10-02 | 2011-08-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Oled device with covered shunt line |
| JP5010698B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | 照明装置及びその製造方法 |
| KR20120119091A (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법 |
| WO2013047621A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR101905779B1 (ko) | 2011-10-24 | 2018-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JPWO2013190636A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-02-08 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| KR102336004B1 (ko) | 2015-04-28 | 2021-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10308286A (ja) | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ発光装置 |
| JPH1131590A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
| TW471239B (en) * | 1999-01-22 | 2002-01-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent display screen for displaying fixed and segmented patterns, and method of manufacturing such an electroluminescent display screen |
| JP2001043981A (ja) * | 1999-05-24 | 2001-02-16 | Toray Ind Inc | 表示装置およびその製造方法 |
| US20030096197A1 (en) | 1999-06-25 | 2003-05-22 | Lee Joo Hyeon | Method for manufacturing organic electroluminescence device |
| JP4399753B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2010-01-20 | 荒川化学工業株式会社 | 陽イオン性熱硬化性樹脂水溶液の製造方法 |
| JP2001155867A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2001185363A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法とその素子を用いた表示パネル |
| JP4693262B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2011-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パッシブマトリクス型の発光装置 |
| US7301276B2 (en) * | 2000-03-27 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| TW499622B (en) | 2000-04-26 | 2002-08-21 | Ritdisplay Corp | Method for fabricating an anti-glare pixel-defining layer on an OLED panel |
| JP3910864B2 (ja) | 2002-03-04 | 2007-04-25 | ローム株式会社 | 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法 |
| US6833671B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-12-21 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device with efficient heat dissipation and method for manufacturing the same |
| JP2004103519A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 色変換カラーフィルタ基板およびこれを用いた有機カラーディスプレイ |
| CN100395607C (zh) * | 2002-09-20 | 2008-06-18 | 株式会社日立显示器 | 半透过反射型液晶显示器件 |
| JP2004140267A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US6995508B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-02-07 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device with efficient heat dissipation and method for manufacturing the same |
-
2004
- 2004-06-14 KR KR1020040043716A patent/KR100620851B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-13 US US11/150,249 patent/US7589462B2/en active Active
- 2005-06-14 JP JP2005173856A patent/JP5089867B2/ja active Active
- 2005-06-14 CN CNB2005100764707A patent/CN100456520C/zh active Active
- 2005-06-14 EP EP05012737.2A patent/EP1608017B1/en active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106450019A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及制备方法、显示装置 |
| CN106450019B (zh) * | 2016-11-11 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及制备方法、显示装置 |
| US10388671B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-08-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7589462B2 (en) | 2009-09-15 |
| EP1608017B1 (en) | 2016-08-10 |
| KR20050118562A (ko) | 2005-12-19 |
| US20050275345A1 (en) | 2005-12-15 |
| EP1608017A3 (en) | 2007-04-18 |
| KR100620851B1 (ko) | 2006-09-19 |
| JP2006004930A (ja) | 2006-01-05 |
| JP5089867B2 (ja) | 2012-12-05 |
| EP1608017A2 (en) | 2005-12-21 |
| CN100456520C (zh) | 2009-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1186684C (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN1429056A (zh) | 带有黑矩阵的平板显示装置及其制造方法 | |
| CN1487779A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
| CN1496202A (zh) | 有机电致发光显示器及其制造方法 | |
| CN1273760A (zh) | 电发光元件 | |
| CN1309429A (zh) | 有机电致发光显示板及其封装方法 | |
| CN1604702A (zh) | 平板显示器以及其制造方法 | |
| CN1983622A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
| CN1450197A (zh) | 蒸镀方法及显示装置的制造方法 | |
| CN1578569A (zh) | 有机发光装置 | |
| CN1826028A (zh) | 显示装置及其制备方法 | |
| CN100592530C (zh) | 有机电致发光显示设备及其制造方法 | |
| CN1717139A (zh) | 有机电致发光显示设备及其制造方法 | |
| CN106856203A (zh) | 一种顶发射显示发光器件及其制备方法 | |
| CN1592510A (zh) | 电致发光装置 | |
| CN1640201A (zh) | 有机场致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN103000814A (zh) | 顶发光型有机电致发光器件、其制备方法及显示装置 | |
| CN101055886A (zh) | 发光设备及其制造方法 | |
| CN110534660A (zh) | 一种显示基板及制备方法、显示装置 | |
| CN1582072A (zh) | 有机发光双面显示元件 | |
| CN1406101A (zh) | 有机电致发光装置 | |
| CN1773718A (zh) | 有机电致发光显示设备及其制造方法 | |
| EP1469518B1 (en) | Organic electroluminescence display panel and method for fabricating the same | |
| CN1484477A (zh) | 有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
| CN104393183A (zh) | 一种有机电致发光装置及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: LG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LG ELECTRONIC CO., LTD. Effective date: 20080627 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20080627 Address after: Seoul, South Kerean Applicant after: LG Display Co., Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Applicant before: LG Electronics Inc. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |