CN1385959A - 叠层滤波器、集成器件和通信设备 - Google Patents

Abstract

(目的)为了提供一种包括叠层带通滤波器,至少两个不需要减少带状线的Q因子就构成带通滤波器的带通滤波器。(构造)一种叠层带通滤波器,包括:通过叠加和集成多个连续的电介质层101到110形成的集成器件,形成在集成器件内侧的多个接地导体119、137和142,两个带通滤波器夹在多个接地导体的两个119和137之间,并形成在集成器件的内侧。带通滤波器的一个具有带状线导体128和129,同时另一个具有带状线导体131和132。两个带通滤波器形成在的不同区域,上述区域在相对于直接垂直于所述两个接地导体的预定横截面的这些区域之间具有边界。

Description

叠层滤波器、集成器件和通信设备。

发明的背景技术

发明的领域

本发明涉及一种使用于诸如蜂窝电话等高频无线电设备的叠层滤波器、集成器件和通信设备。

本发明的现有技术

近些年来，由于通信设备在尺寸方面的连续减小，因此在尺寸减小方面有效的电介质叠层滤波器常常作为高频滤波器使用。参照附图将描述这种叠层带通滤波器的一个实例。

图4是一个传统叠层带通滤波器400的剖视图。在该图中，通过叠加和集成多个电介质层形成的叠层带通滤波器400夹在内部接地导体401和402之间。同时第一带通滤波器404形成在内部接地导体401的上表面，在第一带通滤波器上安装有一个内部接地导体403，并在内部接地导体403上形成一个第二带通滤波器405。带状线导体410被直接提供在第一和第二带通滤波器的每一个的厚度方向的中心上。

第一和第二带通滤波器404和405叠加在一起，同时通过内部接地导体403屏蔽，借此减小两个滤波器之间的干扰。

然而，在上述描述的结构中，夹入相应的第一和第二带通滤波器404和405的内部接地导体之间的间隔(也就是在内部接地导体402和403之间的间隔和在内部接地导体401和403之间的间隔)远小于形成在集成器件内部用于单个带通滤波器501的内部接地导体之间的间隔(也就是内部接地导体511和512之间的间隔)。

对于此比较，在图5中示出了具有带通滤波器501的传统叠层带通滤波器500的剖视图。

在图5中，形成在具有厚度d的集成器件内部的单个带通滤波器501被夹在内部接地导体511和512之间。带状线导体510(见图5)被直接提供在带通滤波器501厚度方向的中心上。

发明人已经发现在第一和第二带通滤波器404和405中，与带通滤波器501相比，构成带通滤波器的带状线的Q因子可以减小以增加一个插入损耗到该装置。

更准确地说，如图10中所示描述了当屏蔽是可变时，观察到的基于模拟分析的高频谐振电路的Q因子性能，当高频谐振电路使用1200MHz的频率时，如果屏蔽间隔(相当于前述的厚度)是0.6毫米它的Q因子(1)是38，并且如果屏蔽间隔是0.4毫米减小到(2)是26。这个高频谐振电路同样的构成为前述的(见图5)的叠层带通滤波器，同时，带状线导体被直接提供在带通滤波器厚度方向的中心上。

发明的内容

考虑到上面描述的问题。本发明的一个目的是提供一个小尺寸和小损耗的叠层滤波器、集成器件和通信设备。

本发明的第一个发明是叠层滤波器，它包括：

通过叠加和集成多个连续的电介质层而形成在集成器件内部或外部的多个接地导体；

一个夹在具有屏蔽功能的两个所述接地导体之间的第一滤波器；和

一个夹在两个所述接地导体之间的第二滤波器。

本发明的第二发明是按照第一发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器是一个带通滤波器，和

所述第二滤波器是一个带通滤波器。

本发明的第三发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器和第二滤波器形成在的不同区域，上述区域在相对于直接垂直于所述两个接地导体的预定横截面的这些区域之间具有边界。

本发明的第四发明是按照第三发明的叠层滤波器，进一步包括一个直接在所述预定横截面上形成的屏蔽导体，并连接到所述多个接地导体以屏蔽在第一滤波器和第二滤波器之间的电磁感应。

本发明的第五发明是按照第四发明的叠层滤波器，其中通孔导体被用来把该屏蔽导体与所述接地导体连接在一起。

本发明的第六发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中上述多个接地导体中的一些形成在集成器件的内侧。

所述第一滤波器具有多个在集成器件的内侧和外侧形成的输入和输出终端、一个形成在所述集成器件的内侧和外侧的接地终端、形成在所述集成器件内侧的电容性导体和多个形成在所述集成器件内侧的带状线导体。

所述多个接地终端被电气地连接到形成在集成器件内侧的接地导体上，和

所述多个带状线导体每一个的一端电气地连接到所述电容性导体和另一端电气地连接到形成在集成器件内侧的接地导体上。

本发明的第七发明是按照第六发明的叠层滤波器，其中所述多个带状线导体是并行建立的两个带状线导体，和

所述两个并行的带状线导体的另一端彼此并不邻接。

本发明的第八发明是按照第六发明的叠层滤波器，其中所述多个输入和输出终端是在彼此接近建立的两个输入和输出终端，

所述接地终端被提供在彼此接近建立的两个输入和输出终端之间。

本发明的第九发明是按照第六发明的叠层滤波器，其中所述第二滤波器具有多个形成在集成器件内侧或外侧的输入和输出终端，和

所述第一滤波器的多个输入和输出终端和第二滤波器的多个输入和输出终端被提供在所述集成器件的同一层中，并与所述层的中心对称。

本发明的第十发明是按照第六发明的叠层滤波器，进一部包括电气地连接到所述多个输入和输出终端的一个预定电路元件。

本发明的第十一发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器具有一个要求构成谐振器的谐振器电容性导体的层；一个具有连接到输入和输出终端的输入和输出电容性导体的层，和一个具有一个级间电容性导体或一个交叉耦合电容性导体的层，

所述第二滤波器有一个具有要求构成谐振器的谐振器电容性导体的层，一个具有连接到输入和输出终端的输入和输出电容性导体的层，和一个具有一个级间电容性导体或一个交叉耦合电容性导体的层，

(a)具有所述第一滤波器的谐振器电容性导体的层和具有所述第二滤波器的谐振器电容性导体的层在所述集成器件的不同层中出现，(b)具有所述第一滤波器的输入和输出电容性导体的层和具有所述第二滤波器的输入和输出电容性导体的层在所述集成器件的不同层中出现，或(c)具有所述第一滤波器的级间电容性导体或交叉耦合电容性导体的层和具有所述第二滤波器的级间电容性导体或交叉耦合电容性导体的层在所述集成器件的不同层中出现。

本发明的第十二发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中第一滤波器具有多个直接形成在所述集成器件的两个接地导体厚度方向的中间的带状线导体。

本发明的第十三发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器具有多个电容性导体和多个带状线导体，和

多个所述电容性导体、级间电容性导体、交叉耦合电容性导体以及输入和输出电容性导体直接形成在集成器件的所述多个带状线导体和所述两个接地导体的任意一个的厚度方向之间。

本发明的第十四发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中第一滤波器具有多个电容性导体和多个带状线导体，和

电气地并连到所述带状线导体的这些所述多个电容性导体中预定的一个形成在所述两个接地导体中任意一个的对面。

本发明的第十五发明是按照第十四发明的叠层滤波器，进一步包括一个形成的预定电容性导体，而且所述预定电容性导体夹在所述预定接地电容器和所述两个接地导体中的任意一个之间。

本发明的第十六发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器使用不同的频带作为通带。

本发明的第十七发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中使用低频带作为通带的第一和第二滤波器之一在所述集成器件中具有较大的占用体积。

本发明的第十八发明是按照第二发明的叠层滤波器，其中形成所述集成器件电介质层的结晶相具有任意的Al₂o₃、Mgo、SiO₂和用R表示至少La、Ce、Pr、Nd、Sm和Gd之一的Roa，其中a表示依靠所述R的化合价化学计算确定的数值。

本发明的第十九发明是按照第一发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器是一个带通滤波器，而所述第二滤波器是带阻滤波器。

本发明的第二十发明是按照第一发明的叠层滤波器，其中所述第一滤波器是一个带阻滤波器，和

所述第二滤波器是带阻滤波器。

本发明的第二十一发明是一个集成器件，其包括：

所述集成器件包括按照第一发明的叠层滤波器，和

安装在集成器件上的集成电路。

本发明的第二十二发明是一个通信装置，包括：

执行发射和/或接收的发射和接收装置，和

按照第一发明的叠层滤波器过滤被用于所述发射的发射信号和/或被用于所述接收的接收信号。

附图的简述

图1是按照本发明第一实施例的叠层带通滤波器的分解透视图。

图2(a)是按照本发明第一和第二实施例的带通滤波器的等效电路图，

和图(b)是按照本发明第一和第三实施例的带通滤波器的等效电路图，

图3是按照本发明第二实施例的叠层带通滤波器的分解透视图。

图4是一个传统带通叠层带通滤波器400的刨视图。

图5是一个传统带通叠层带通滤波器500的刨视图。

图6是按照本发明第三实施例的叠层带通滤波器的分解透视图。

图7是按照本发明第三实施例的带阻滤波器的等效电路图。

图8描述的是按照本发明第一实施例的叠层带通滤波器的层装结构的另一个实例框图。

图9示出的是按照本发明一个实施例的通信装置的结构图。

图10是一个表，描述的是当屏蔽间隔是可变时，性能被观察的基于模拟的高频谐振电路Q因子性能的分析。

符号的说明

101到110，301到311  电介质层

111到114，312到315  输入和输出终端

115到118，316到319  接地终端

119，137，142，320，340，343内部接地导体

120到127，133到136，139到141，321到328，334到339，341，342  电容性导体

128到132，329到333  带状线导体

201到204，208到212，216  电容

205，206，211，212导体

207，215互感器

本发明的优选实施例

下文将参照附图描述按照本发明实施例的一个叠层带通滤波器。

(实施例1)

图1是按照本发明第一实施例的叠层带通滤波器的分解透视图。

该实施例的叠层带通滤波器特征在于它可以提供这样一种设计：a(1)第一带通滤波器(在图中的左边)具有带状线导体128、129，它们在一个给定的间隔上隔开，并彼此电气地连接在一起，和a(2)第二带通滤波器(在图中右边)具有带状线导体131和132，它们在一个给定的间隔上隔开，并彼此电气地连接在一起，上述滤波器不但安装在分层方向上，而且在垂直方向上，所以在夹在第一和第二带通滤波器之间并起防护层作用的最外层内部接地导体119和142之间有足够的间隔，借此阻止每一个带状线导体128、129、131和132的Q因子下降。

如图1所示，按照本发明实施例1的叠层带通滤波器包括连续的叠层电介质层101到110、具有5.0×5.0毫米的尺寸以及0.8毫米高度的集成器件。此外，每一个电介质层由具有电介质常量为7的结晶相和玻璃相构成。结晶相由Mg₂SiO₄构成，反之玻璃相是由Si-Ba-B-O系统组成。集成器件具有输入和输出终端111到114和形成在底面地接地终端115到118。

电介质层101、107和109分别具有安装在顶面的内部接地导体119、137和142，并经由通孔导体连接到接地终端115到118。电介质层102具有安装在顶面的电容性导体120到123和分别经由通孔导体连接到输入和输出终端111到114。电介质层103具有安装在顶面的电容性导体124到127，而电介质层104具有安装在顶面的带状线导体128到132。此外，电介质层105具有安装在顶面的电容性导体133到134，而电介质层106具有安装在顶面的电容性导体135和136，同时电介质层108具有安装在顶面的电容性导体138到141。

此外，带状线导体128具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体119的一端，另一端经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体124、135和138。同样的，带状线导体129具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体119的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体125、133、139的另一端。带状线导体131具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体119的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体126、134、140的另一端。带状线导体132具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体119的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体127和140的另一端。

此外，电容性导体136安装在电容性导体134的对面，并经由一个通孔导体连接到输入和输出终端134。经由三个形成在第一和第二带通滤波器之间的边界通路孔的导体，带状线导体130连接到内部接地导体137。

带状线导体130相当于按照本发明的屏蔽导体，同时输入和输出终端111和114相当于按照本发明的输入和输出终端。接地终端115到118相当于按照本发明的接地终端，电容性导体120到127、133到136和139到141相当于按照本发明的电容性导体，和带状线导体128到132相当于按照本发明的带状线导体。此外，电介质层101到110相当于按照本发明的电介质层，内部接地导体119、137和142相当于按照本发明的接地导体，而内部接地导体119和142相当于按照本发明具有屏蔽功能的两个接地导体。

在这种情况下，内部接地导体137不用于屏蔽也不是必须的。然而，内部接地导体137电容性的连接到电容性导体138到141，同时即使堆栈被使用在高频带，它也具有保持电容性导体138到141足够电容的功能。

如图1所示，作为屏蔽导体操作的带状线导体130被提供在带状线导体128和129以及带状线导体131和132之间，每对带状导体构成相应的带通滤波器。当确保这些带通滤波器彼此独立时，这样的安排阻止了叠层带通滤波器之间的影响。

此外，构成两个叠层带通滤波器的带状线导体128、129、131和132主要的安装在内部接地导体119和137之间的中间。这样的安排阻止了带状线导体的Q因子的减少，借此提供一个经历小的插入损耗的叠层带通滤波器。

此外，形成电容201和202以及209和210的电容性导体120到127主要的安装在带状线导体层和内部接地导体119之间的中间，而形成电容208和216的电容性导体133到136主要的安装在带状线导体层和内部接地导体137之间的中间。这样的安排阻止了每一个电容性导体提供的电容Q因子的减少，借此提供一个经历小的插入损耗的叠层带通滤波器。

而且，电容性导体138到141安装在接地导体137和142的对面，而电容性导体138到141夹在两个接地导体137和142地中间，这样的安排允许省略一个电容性的导体层以减少器件的重量，和也允许形成一个大的电容以增加设计的自由度。

此外，接地终端115提供在第一带通滤波器的输入和输出终端111和112之间，而接地终端116提供在第二带通滤波器的输入和输出终端113和114之间以保证在带通滤波器的输入和输出之间的独立。此外，成对的第一带通滤波器的输入和输出终端111和112以及成对的第二带通滤波器的输入和输出终端113和114相对于集成器件的中心对称的安装，借此保证两对带通滤波器彼此独立。

然后，如上所述构成的叠层带通滤波器的电路排布将参照图2(a)到图2(b)进行描述。

图2(a)和图2(b)分别示出了图1中第一和第二带通滤波器的等效电路。在图2(a)和图2(b)中对应于图1中的这些元件通过相同的参考数字表示。

先前的电路排布(见图2(a))在通带的低频侧形成一个衰落级，反之近来的电路排布(见图2(b))在通带的高频侧形成一个衰落级。因此，在这个实施例中，先前的电路排布(见图2(a))用来做第一带通滤波器，反之近来的电路排布(见图2(b))用来做第二带通滤波器。然而，本发明不局限于此，而且它可以被体现，例如先前的电路排布(见图2(a))可以用作所有的第一和第二带通滤波器。

首先，将描述具有图2(a)的等效电路的第一带通滤波器的结构。

电容201是一个通过电容性导体120和124(见图1)形成的输入和输出电容器导体。此外，电容202是一个通过电容性导体121和125(见图1)形成的输入和输出电容器导体。

电容208是在电容导体133和135(见图1)附近的级间电容导体。

电容202是通过安装在接地导体137和142之间的接地导体137(见图1)、接地导体142(见图1)和电容性导体138(见图1)形成的谐振器电容性导体。此外，电容204是通过安装在接地导体137和142之间的接地导体137(见图1)、接地导体142(见图1)和电容性导体139(见图1)形成的谐振器电容性导体。

电感线圈205和206是通过带状线导体128和129(见图1)形成的。

而且，电容201和202分别连接到输入和输出终端111和112(见图1)。此外，电感线圈205和电容203并联连接，电感线圈206和电容204并联连接，同时这些电容和电感线圈通过电容208和级间电容导体共同连接以构成一个两级级化的带通滤波器。此外，共同的互感器207在电感线圈205和206之间起作用，同时并联到互感器207的电容208构成一个谐振电路。

在这种方式下，衰落极在通带的低频侧形成以构成第一带通滤波器，其在图2(a)中具有等效电路。

然后，将描述具有图2(b)的等效电路的第二带通滤波器。

电容209是一个通过电容性导体122和126(见图1)形成的输入和输出电容性导体。此外，电容210是一个通过电容性导体123和127(见图1)形成的输入和输出电容性导体。

电容216是通过接地导体134和136(见图1)形成的交叉耦合电容性导体。

电容211是通过安装在接地导体137和142之间的接地导体137(见图1)、接地导体142(见图1)和电容性导体140(见图1)形成的谐振器电容性导体。此外，电容212是通过安装在接地导体137和142之间的接地导体137(见图1)、接地导体142(见图1)和电容性导体141(见图1)形成的谐振器电容性导体。

电感线圈213和214是通过带状线导体131和132(见图1)形成的。此外，电容209和210分别连接到输入和输出终端113和114(见图1)。此外，电感213和电容212并联连接，借此构成一个两级级化的带通滤波器。此外，互感器215在电感213和214之间起作用，同时形成电容216的电容导体136(见图1)、交叉耦合电容性导体被连接到输入和输出终端(见图1)以构成一个谐振电路。

在这种方式下，衰落极在通带的高频侧形成以构成第二带通滤波器，其在图2(b)中具有等效电路。

此外，在电介质层104上形成的带状线导体130经由多个通孔导体接地，以作为抑制在构成第一带通滤波器的带状线导体128和129和构成第二带通滤波器的带状线导体131和132之间电磁耦合的屏蔽导体。

如上所述，按照实施例1，具有两个带通滤波器的叠层带通滤波器不需要减小内部接地导体之间的间隔就可以构成。这种结构阻止了构成两个带通滤波器地带状线导体Q因子的减小，同时提供了拥有两个小损耗带通滤波器的一个叠层带通滤波器。

在上述描述的实施例中，起屏蔽导体作用的带状线导体130经由三个通孔导体(见图1)连接到内部接地导体137。然而，本发明不局限于此，而且起屏蔽导体作用的带状线导体130可以经由外部导体接地。

此外，在上述的实施例中，安装在同一侧的带状线导体128和129的那些端点被连接到内部接地导体119(见图1)。然而本发明不局限于此，安装在不同侧的带状线导体128和129的那些端点也可以被连接到内部接地导体119(见图1)。因而假如安装在不同侧的带状线导体128和129的那些端点也连接到内部接地导体119，与安装在同一侧的带状线导体128和129的那些端点被连接到内部接地导体119的情况相比，可利用的频带加宽了。

(实施例2)

下文将参照附图描述按照本发明实施例2的一个叠层带通滤波器。

图3是按照本发明第二实施例的叠层滤波器的分解透视图。如图所示，按照本发明实施例2的叠层带通滤波器顺序的包括叠层电介质层301到311和具有5.0×5.0毫米的尺寸以及0.8毫米高度的集成器件。此外，每一个电介质层由具有电介质常量为7的结晶相和玻璃相构成。结晶相由Mg₂SiO₄构成，反之玻璃相是由Si-Ba-B-O系统组成。集成器件具有输入和输出终端312到315和形成在底面的接地终端316到319。

电介质层301、308和310分别具有安装在顶面的内部接地导体320、340和343，并经由通孔导体连接到接地终端316到319。电介质层302具有安装在顶面的电容性导体321到322，而电介质层303具有安装在顶面的电容性导体323到325。所有的这些电容性导体分别经由通孔导体连接到输入和输出终端312到314。

电介质层304具有安装在顶面的电容性导体326到328，而电介质层305具有安装在顶面的带状线导体329到333。此外，电介质层306具有安装在顶面的电容性导体334到336，而电介质层307具有安装在顶面的电容性导体337到339，同时电介质层309具有安装在顶面的电容性导体341到342。

此外，带状线导体329具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体320的一端，另一端经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体326、337和341。同样的，带状线导体330具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体320的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体327、334、342的另一端。带状线导体332具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体320的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体321、328、335的另一端。带状线导体333具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体320的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体322和336的另一端。

此外，电容性导体338和339安装在电容性导体335和336的对面，并经由一个通孔导体分别连接到输入和输出终端315和314。带状线导体331经由三个通路导体连接到内部接地导体340。

带状线导体331相当于按照本发明的屏蔽导体，同时输入和输出终端312到315相当于按照本发明的输入和输出终端。接地终端316到319相当于按照本发明的接地终端，电容性导体321到328、334到339、341和342相当于按照本发明的电容性导体，和带状线导体329到333相当于按照本发明的带状线导体。此外，电介质层301到311相当于按照本发明的电介质层，内部接地导体320、340和343相当于按照本发明的接地导体，而内部接地导体320和343相当于按照本发明具有屏蔽功能的两个接地导体。

图3中的叠层带通滤波器的等效电路与实施例1在图2(a)和图2(b)中示出的类似。

该电路不同于实施例1，因为具有相似电路功能的两个带通滤波器的电容性导体安装在不同平面上。

也就是说，形成电容203和204的电容性导体341到342、第一带通滤波器的谐振器电容性导体都安装在电介质层309上，而形成电容211和212的电容性导体321和322、第二带通滤波器的谐振器电容性导体安装在电介质层302上。此外，电容201和202、第一带通滤波器的输入和输出电容性导体都安装在电介质层304上，而电容209和210、第二带通滤波器的输入和输出电容性导体都安装在电介质层307上。

如上所述，按照实施例2，不仅产生了与本发明实施例1相似的效果，而且具有相似电路功能的电容性导体形成在不同电介质层上，借此允许在构成两个带通滤波器的电容性导体之间的干扰减小，以保证两个带通滤波器彼此独立。

(实施例3)

下面将参照附图描述按照本发明实施例3的一个叠层带通滤波器。

图6是按照本发明第三实施例的叠层滤波器的分解透视图。

在这个实施例中，第一滤波器(在图的左边)由带阻滤波器构成，而第二滤波器(在图的右边)由带通滤波器构成。

如图6所示，按照本发明实施例3的叠层滤波器顺序的包括叠层电介质层701到711。

这里，集成器件具有5.0×5.0毫米的尺寸以及0.8毫米高度。此外，每一个电介质层由具有电介质常量εr为7的结晶相和玻璃相构成。结晶相由Mg₂SiO₄构成，而玻璃相是由Si-Ba-B-O系统组成。

集成器件具有形成在底面的输入和输出终端712到715和接地终端716到719。

电介质层701、708和710分别具有安装在顶面的内部接地导体720、740和743，并经由通孔导体连接到接地终端716到719。电介质层702具有安装在顶面的电容性导体721到724，并经由通孔导体连接到接地终端712到714

电介质层703具有安装在顶面的电容性导体725到728，而电介质层704具有安装在顶面的电容性导体729和730。此外，电介质层705具有安装在顶面的带状线导体731到735，同时电介质层706具有安装在顶面的电容性导体736和737。此外，电介质层707具有安装在顶面的电容性导体738和739，同时电介质层709具有安装在顶面的电容性导体741和742。

带状线导体731具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体720的一端，另一端经由一个通孔导体连接到电容性导体729。此外，带状线导体732具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体720的一端，和经由一个通孔导体连接到电容性导体730的另一端。此外，带状线导体734具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体720的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体727、737、741的另一端。而且，带状线导体735具有经由一个通孔导体连接到内部接地导体720的一端，和经由一个通孔导体连接到每一个电容性导体728、739和742的另一端。

电容性导体725经由一个通孔导体连接到内部接地导体736，同时电容性导体726经由一个通孔导体连接到内部接地导体738。此外，电容性导体739安装在电容性导体737的对面，并经由一个通孔导体连接到输入和输出终端714。而且，带状线导体733经由三个通路导体连接到内部接地导体740。

现在，如上所述构成的叠层滤波器的电路排布将参照附图图2(b)和图7进行描述。

该电路不同于先前描述的实施例1和2，因为其中两个带通滤波器中的一个是由带阻滤波器构成。也就是说，在该实施例的叠层滤波器中(见图6)，第一滤波器(在图的左边)由带阻滤波器构成，而第二滤波器(在图的右边)由带通滤波器构成。

电容7701通过电容性导体721和725形成，同时电容7702通过电容性导体722和726形成。此外，电容7708通过电容性导体736和738形成。而且，电容7703通过电容性导体726和730形成。在这种情况下，电容性导体725被共享以形成电容7701和7703，同时，电容性导体726被共享以形成电容7702和7704，借此减少了所需部件的数量。

此外，电感7705和7706通过带状线导体731和732形成。

电容7701和7702分别连接到输入和输出终端712和713。此外，电感7705和电容7703串连在一起，电感7706和电容7706串连在一起，这些电感和电容通过电容7708连接在一起以构成一个两级带阻滤波器。

互感器7707在电感7705和7706之间起作用，同时和并联到互感器7707的电容7708构成谐振电路。因此，一个阻带被形成以形成具有图7中等效电路的一个第一滤波器(带阻滤波器)。

下一步，电容209是通过电容性导体723和727形成的，同时电容210是通过电容性导体724和728形成的。此外，电容216是通过电容性导体737和739形成的。此外，电容211是通过内部接地导体740和743以及形成在内部接地导体740和743之间的电容性导体741形成的。而且，电容212是通过内部接地导体740和743以及形成在内部接地导体740和743之间的电容性导体742形成的。

电感线圈213和214分别是通过带状线导体734和735形成的。此外，电容209和210分别连接到分别连接到输入和输出终端215和214。而且，电感213和电容212并联连接，同时电感214和电容212并联连接，借此构成一个两级级化的带通滤波器。

互感器215在电感213和214之间起作用，构成交叉耦合电容216的电容性导体被连接到输入和输出终端714以构成一个谐振电路。因此，一个衰落级点形成在通带的高频侧以形成一个具有图2(b)的等效电路的第二滤波器(带通滤波器)。

在电介质层105上形成的带状线导体733经由多个通孔导体接地，以作为抑制在构成两个独立滤波器的带状线导体731和732以及状线导体734和735之间电磁耦合的屏蔽导体。

带状线导体733相当于按照本发明的屏蔽导体，同时输入和输出终端712到715相当于按照本发明的输入和输出终端。接地终端716到719相当于按照本发明的接地终端，电容性导体721到730、736到739、741和742相当于按照本发明的电容性导体，和带状线导体731到735相当于按照本发明的带状线导体。此外，电介质层701到711相当于按照本发明的电介质层，内部接地导体720、740和743相当于按照本发明的接地导体，而内部接地导体720和743相当于按照本发明具有屏蔽功能的两个接地导体。

如上所述，按照本发明的实施例3不仅产生了与上述描述的实施例1、2相似的效果，而且允许具有不同电路排布和电路功能的两个滤波器安装在一个器件中，借此增加了系统设计的自由度。

实施例1到3已经进行了详细的描述。

在上述描述的实施例中，借助于实施例，每一个电介质层是具有电介质常量εr为7的结晶相和电解质损耗tanδ为2.0×10^-4以及玻璃相构成的电介质层。然而，通过使用包括电介质常量εr为5到10的结晶相和玻璃相的电介质层可以产生相似的效果。此外，借助于实施例，结晶相是Mg₂SiO₄，而玻璃相是Si-Ba-B-O系统。通过使用包括至少一个Al₂o₃、Mgo、SiO₂和Roa的结晶相和玻璃相，可以产生相似的效果。这里，在Roa中，R表示从包括La、Ce、Pr、Nd、Sm和Gd的组中选择的一个元素，而a表示依靠所述R的化合价化学计算确定的数值。此外，在上述描述中，借助于实施例，集成器件具有5.0×5.0毫米的尺寸以及0.8毫米高度。而且不需要考虑集成器件的尺寸或高度，可以产生相似的效果。

此外，在在本发明的实施例1中，例如，(1)具有电容201和202(见图2(a))、第一带通滤波器的输入和输出电容性导体的层以及具有电容209和210(见图2(b))、第二带通滤波器的输入和输出电容性导体的层可以在集成器件的同一层中出现，和(2)具有电容208(见图2(a))、第一带通滤波器的级间电容性导体的层和具有电容216(见图2(b))、第二带通滤波器的交叉耦合电容性导体的层可以在集成器件的同一层中出现。然而，本发明不局限于此，如图8所述，示出了按照本发明第一实施例的叠层带通滤波器的层装结构的另一个实例，(1)具有电容201和202、第一带通滤波器BPF1的输入和输出电容性导体的层以及具有电容209和210、第二带通滤波器BPF2的输入和输出电容性导体的层可以在集成器件的不同层中出现，和(2)具有电容208、级间电容性导体的层和具有电容216、交叉耦合电容性导体的层可以在集成器件的不同层中出现(在图8中，电容201和202以及电容216安装在它们之间具有足够距离D1的同一层中，反之电容208和209以及电容210安装在它们之间具有足够距离D2的同一层中)。因此，假如具有相似功能的电容性导体安装在不同的电介质层中，则在构成两个滤波器的电容性导体之间的干扰可以进一步的减小，借此，保证两个滤波器之间彼此独立。当然，假如至少本发明的第一和第二滤波器中的一个是一个带阻滤波器，则相似的安装可以进一步保证两个滤波器之间彼此独立。

此外，在上述描述的每一个实施例中的叠层滤波器中的两个滤波器可以具有不同的频率特性。假如两个滤波器具有不同的频率特性，则使用低频作为通带构成滤波器的导体比构成其它滤波器的导体具有更大的占用体积。然而，假如本发明的第一和第二滤波器是同一类型的(例如，假如第一和第二滤波器都是带阻滤波器)，相似于上述一种描述的安排期望去改善滤波器特性，假如本发明的第一和第二滤波器是不同类型的(例如，假如第一是带通滤波器，而第二滤波器都是带阻滤波器)，因为电路排布是不同的，所以这种安排没有任何影响。更特别的，假如使用带通滤波器，则滤波器特性的上述描述的改善是在通带损耗方面的减少，假如使用带阻滤波器，，则滤波器特性的上述描述的改善是在阻带中有足够的衰落量。

此外，诸如电容或电感等电路元件匹配到LNA(低噪声放大器)或前述混频器或随后每一个上述实施例的叠层滤波器，所以叠层滤波器的两个滤波器的输入和输出终端被电气地连接到电路元件。

一种具有IC(集成电路)的集成器件属于本发明，通过安装包括LNA或混频器地IC形成器件，在器件上包括本发明的叠层滤波器，并连接IC到叠层滤波器。

此外，一个例如图9所示、描述按照本发明一个实施例的通信装置结构图的通信装置属于本发明，该装置包括发射电路1001，用于使用放大器1002、开关1004和天线1005执行发射；一个接收电路1008，用于使用天线1005、开关1004和放大器1007执行接收，一个带通滤波器1003，用于滤波用于发射的代发射信号，和一个带通滤波器1006，用于滤波用于接收的接收信号。

如上述描述所看到的，本发明具有能够提供一种小尺寸和低损耗的叠层滤波器、集成器件和通信装置的优点。

Claims (22)

1.一种叠层滤波器，包括

多个通过连续的叠加和集成多个电介质层形成在集成器件内侧或外侧的接地导体；

一个夹在具有屏蔽功能的上述接地导体中的两个之间的第一滤波器；

一个夹在上述接地导体中的两个之间的第二滤波器；

2.按照权利要求1的叠层滤波器，其中所述第一滤波器是一个带通滤波器，和所述第二滤波器是一个带通滤波器。

3.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述第一和第二滤波器被形成在不同的区域，在这些对应于预定的垂直于所述两个接地导体的横截面的区域间具有边界。

4.按照权利要求3的叠层滤波器，进一步包括一个主要在所述预定横截面上形成的屏蔽导体，并连接到所述多个接地导体以屏蔽在所述第一滤波器和所述第二滤波器之间的电磁感应。

5.按照权利要求4的叠层滤波器，其中通孔导体被用于连接屏蔽导体到所述接地导体。

6.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述多个接地导体的一些形成在所述集成器件的内侧，

所述第一滤波器有多个形成在集成器件内侧或外侧的输入和输出终端，一个形成在所述集成器件内侧或外侧的接地导体，一个形成在集成器件内侧的电容性导体，和多个形成在所述集成器件内侧的带状线导体，

所述接地终端被电气地连接到形成在所述集成器件内侧的接地导体，和

所述多个带状线导体每一个具有电气地连接到所述电容性导体的一端和电气地连接到形成在所述集成器件内侧的接地导体的另一端。

7.按照权利要求6的叠层滤波器，其中所述多个带状线导体是两个并联的带状线导体，和

所述两个并联的带状线导体的另一端彼此不邻接。

8.按照权利要求6的叠层滤波器，其中所述多个输入和输出终端是两个彼此接近建立的输入和输出终端，

所述接地终端被提供在两个彼此接近建立的输入和输出终端之间。

9.按照权利要求6的叠层滤波器，其中所述第二滤波器有多个形成在集成器件内侧或外侧的输入和输出终端，和

多个所述第一滤波器的输入和输出终端和多个所述第二滤波器的输入和输出终端被提供在所述集成器件的同一层中，并与所述层的中心对称。

10.按照权利要求6的叠层滤波器，进一步包括电气地连接到所述多个输入和输出终端的预定电路元件。

11.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述第一滤波器有一个具有要求构成谐振器的谐振器电容性导体的层，一个具有连接到输入和输出终端的输入和输出电容性导体的层，和具有级间电容性导体或交叉耦合电容性导体的层，

所述第二滤波器有一个具有要求构成谐振器的谐振器电容性导体的层，一个具有连接到输入和输出终端的输入和输出电容性导体的层，和具有级间电容性导体和交叉耦合电容性导体的层，

(a)具有所述第一滤波器的谐振器电容性导体的层和具有所述第二滤波器的谐振器电容性导体的层出现在所述集成器件的不同层中，(b)具有所述第一滤波器的输入和输出的电容性导体的层和具有所述第二滤波器的输入和输出的电容性导体的层出现在所述集成器件的不同层中，或(c)具有所述第一滤波器的级间电容性导体或交叉耦合电容性导体的层和具有所述第二滤波器的级间电容性导体或交叉耦合电容性导体的层出现在所述集成器件的不同层中。

12.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述第一滤波器具有多个在所述集成器件的厚度方向上的两个接地导体之间的中间形成的带状线导体。

13.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述第一滤波器具有多个电容性导体和多个带状线导体，和

所述多个电容性导体、级间电容性导体、交叉耦合电容性导体和输入和输出电容性导体主要形成在任一所述两个接地导体和所述多个带状线导体之间的所述集成器件的厚度方向的中间。

14.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述第一滤波器具有多个电容性导体和多个带状线导体，和

被电气地并联到所述带状线导体的这些所述多个电容性导体中预定的一个被形成在任一所述两个接地导体的对面。

15.按照权利要求14的叠层滤波器，进一步包括形成的一个预定的接地导体，所以所述预定的电容性导体夹在所述预定接地导体和所述两个接地导体的任意一个之间。

16.按照权利要求2的叠层滤波器，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器使用不同的频带作为通带。

17.按照权利要求16的叠层滤波器，其中使用较低频带作为通带的所述第一和第二滤波器中的一个在所述集成器件中具有更大的占用体积。

18.按照权利要求2的叠层滤波器，其中形成所述集成器件的电介质层的结晶相具有有任意的Al₂o₃、MgO、SiO₂和用R表示至少La、Ce、Pr、Nd、Sm和Gd之一的RO_a，其中a表示依靠所述R的化合价化学计算确定的数值。

19.按照权利要求1的叠层滤波器，其中所述第一滤波器是一个带通滤波器，而所述第二滤波器是带阻滤波器。

20.按照权利要求1的叠层滤波器，其中所述第一滤波器是一个带阻滤波器，和

所述第二滤波器是带阻滤波器。

21.一种集成器件，包括：

所述集成器件包括按照权利要求1的叠层滤波器，和

安装在所述集成器件上的集成电路。

22.一种通信装置，包括：

执行发射和/或接收的发射和接收装置，和

按照权利要求1的叠层滤波器，它过滤被用于所述发射的发射信号和/或被用于所述接收的接收信号。

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