[go: up one dir, main page]

CN1334483A - 电光装置,电光装置用基板及投影型显示装置 - Google Patents

电光装置,电光装置用基板及投影型显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1334483A
CN1334483A CN01123082A CN01123082A CN1334483A CN 1334483 A CN1334483 A CN 1334483A CN 01123082 A CN01123082 A CN 01123082A CN 01123082 A CN01123082 A CN 01123082A CN 1334483 A CN1334483 A CN 1334483A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
electro
film transistor
thin film
shielding layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01123082A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1161648C (zh
Inventor
佐藤尚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1334483A publication Critical patent/CN1334483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1161648C publication Critical patent/CN1161648C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6723—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device having light shields
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明的课题是一种电光装置,它包括在TFT阵列基板上的像素电极,与像素电极相连接的TFT,至少覆盖该TFT的沟道区的遮光层,以及配置在该遮光层和TFT之间、并以形成沟道区的主要材料为主材料的光吸收层。借助于光吸收层能够抑制遮光层的面向TFT侧的内面上的内面反射和多重反射的发生。

Description

电光装置，电光装置用基板 及投影型显示装置
发明背景
1.发明领域
本发明属于有源矩阵驱动型电光装置的技术领域，特别是属于在基板上的叠层结构中包含有作像素开关用的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，以下简称TFT)之形式的电光装置的技术领域。
2.有关技术描述
在TFT有源矩阵驱动型电光装置中，当入射光照射到为各个像素设置的像素开关用TFT的沟道区时，用光激励会产生电流，因而TFT的特性会发生变化。特别是在作投影仪的光阀用的电光装置的场合，由于入射光强度很高，所以对入射到TFT的沟道区及其周边区域的入射光进行遮光是重要的。为此，已往是利用设置在对置基板上的限定各像素的开口区的遮光膜，或者利用横过TFT的、由Al之类的金属膜形成的数据线，构成对有关沟道区及其周边区域的遮光。另外，在特开平9—33944号公报中，公布了利用由折射率大的a—Si(无定形硅)形成的遮光膜，使减少入射到沟道区的光的技术。进而，有时还将由诸如高熔点金属构成的遮光膜设置在TFT阵列基板上的与像素开关用TFT相向的位置(即TFT的下侧)。这样在TFT的下侧设置遮光膜，就可以防止从TFT阵列基板的背面反射以及在经过棱镜等使多个电光装置组合而构成一个光学系统时来自其他电光装置、并穿过棱镜等的投影光入射到该电光装置的TFT上。
发明概述
但是，上述各种遮光技术存在下述问题。
即，首先，如果采用在对置基板上或TFT阵列基板上形成遮光膜的技术，从三维方面看，在遮光膜和沟道区之间，因经过诸如液晶层、电极、层间绝缘膜等而存在相当的距离，因而对向两者间倾斜入射的光的遮蔽是不充分的。特别是在作投影仪光阀用的小型电光装置中，由于入射光是将来自光源的光用透镜会聚的光束，因而含有不可忽视的倾斜入射成分，所以对这样的斜入射光遮光不充分就成了实际问题。
此外，从无遮光膜的区域进入电光装置内的光，经遮光膜和数据线内面(即面向沟道区一侧的面)反射后，有关反射光或者反射光进一步被遮光膜和数据线内面反射的多重反射光最终到达TFT的沟道区的情形也会存在。另外，如果采用用数据线遮光的技术，数据线从平面上看呈与扫描线正交延伸的条形，而且因为必须在两者之间配置厚得足可忽略数据线和沟道区之间电容耦合的不利影响的层间绝缘膜，所以要充分地遮光基本上是困难的。
另外，如果采用特开平9—33944号公报所述的技术，由于在栅极线上形成了a—Si膜，所以为了减小栅极和a—Si膜间的电容耦合的不利影响，必须在两者之间淀积比较厚的层间绝缘膜。其结果是，因附加形成的a—Si膜、层间绝缘膜等，叠层结构变得复杂和庞大，并且对倾斜入射光和内面反射光进行充分遮蔽仍然是困难的。特别是随着近年来对显示图像的高质量化的一般要求，对电光装置高度精细化和像素间距微细化的企求，用上述以往的各种遮光技术就更难以进行充分遮光，因而存在因TFT的晶体管特性的变化而产生的光闪烁等，从而使显示图像质量下降的问题。
还有，虽然可以考虑增大遮光膜的形成区域以提高这种耐光性，但问题是遮光膜形成区域增大，使得提高应使显示图像亮度增加的各个像素的开口率从根本上变得很困难。
鉴于上述问题，本发明研究的问题是，提供既具优良的耐光性，且各个像素的开口率比较高、因而可有高质量图像显示的电光装置。
(1)为解决上述问题，本发明的电光装置包括：一对基板；设置在上述一对基板间的电光物质；在上述一对基板的一方上形成的像素电极；与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的遮光层；以及配置在上述遮光层和上述薄膜晶体管之间的光吸收层。
根据本发明的电光装置，至少是与像素电极连接的薄膜晶体管的沟道区由遮光层进行了遮光。
此处，在通常采用由Al(铝)膜、Cr(铬)膜等遮光性金属膜等形成遮光层的场合，对从设置有遮光层的一侧而来的向薄膜晶体管入射的光，通过由遮光层的非面向薄膜晶体管的一侧的表面(即该电光装置的遮光层的外表面)对光进行反射，可以基本上实现充分遮光。即，若在射向薄膜晶体管的入射光(例如用在投影仪中的投影光)的入射侧设置遮光层，就能够借助遮光层的外表面对该入射光进行遮光。或者，当将遮光层设置在射向薄膜晶体管的入射光出射的一侧时，依靠遮光层的外表面可以遮蔽回射光(例如在投影仪中的背面反射光，或如用于多板式投影仪的情形，将多个电光装置组合用作光阀时，来自其他光阀、并通过合成光学系统的光等)。但是，来自与配置有遮光层的一侧相反一侧的、从薄膜晶体管附近通过的、倾斜射向基板的回射光(例如遮光层配置在薄膜晶体管的光入射侧的场合)，或者入射光(例如遮光层配置在薄膜晶体管的光出射侧的场合)至少部分地被遮光层的面向薄膜晶体管的一侧的表面(即该电光装置的遮光层的内面)反射。这样，在遮光层和薄膜晶体管之间就会产生由这些倾斜入射光和回射光被遮光层内面反射而形成的内面反射光，进而产生由该内面反射光被其他膜反射而致的多重反射。因此，即使对薄膜晶体管只简单地设置遮光层，不论遮光层的形成面大小如何，配置如何，由遮光层内面的反射产生的内面反射光和多重反射光最终会入射到薄膜晶体管上，使该晶体管特性变坏。
然而，根据本发明，来自与设置了这样的遮光层的一侧相反的一侧、从薄膜晶体管附近通过、要斜射到遮光层内面的光和被遮光层内面反射的光会被配置在遮光层和薄膜晶体管之间的光吸收层吸收。其结果是，由于设置了由反射率高的Al膜或Cr膜等金属膜构成的遮光膜，充分地遮蔽了入射至遮光层外表面的光，因而能够有效地防止因光泄漏而引起的晶体管特性变坏。进而，依靠遮光层还能有效地防止因光通过图像显示区域而引起的对比度降低。另一方面，由于因遮光层内面反射而产生的内面反射光和多重反射光被光吸收层吸收，所以能够更加有效地防止由光泄漏而引起的晶体管特性变坏。而且与由例如设置在传统的对置基板上的遮光膜进行这种遮光和光吸收的场合相比较，能够在比较接近薄膜晶体管的地方进行遮光和光吸收，据此，能够避免不必要地将遮光膜形成区域扩大(即无需将各个像素的非开口区徒然变窄)，而提高遮光性能。
以上结果使得各像素开口率高、且高耐光性减少了薄膜晶体管因光泄漏而致的特性变坏，加之对比度高、可有高质量图像显示的电光装置得以实现。
另外，关于本发明的遮光层和光吸收层之间的层间距，可以通过在两者之间不插入任何膜，或者配置极薄的绝缘膜使其变短；也可以在两者之间配置厚的层间绝缘膜使其变长。如以下说明那样，从将遮光层和光吸收层用作一对电容电极而构成存储电容器的观点来看，以及从将在光吸收层内产生的热经遮光层散出的观点来看，这些遮光层和光吸收层之间的层间距以短为宜。
(2)本发明的电光装置的一种形态，其上述光吸收层以形成薄膜晶体管的沟道区的主要材料为主材料。例如，由以硅为主材料，为使硅成为导体而掺入P、B、As的多晶硅膜构成。
另外、薄膜晶体管的沟道是以硅为主材料的多晶硅。在该多晶硅中可以掺入微量的B、P、As等以控制薄膜晶体管的阈电压Vth，或者不进行掺杂。
另外，对沟道和光吸收层也可用无定形硅或单晶硅代替多晶硅。
(3)本发明的电光装置的另一形态，其上述光吸收层由硅薄膜构成。
根据该形态，将要到达遮光层内面的光和被该内面反射的光能够被由硅膜构成的光吸收层吸收。因而能有效地阻止内面反射光和多重反射光的产生。特别是若采用多晶硅膜作为形成薄膜晶体管的沟道区的半导体层，则该光吸收层就有与沟道区的光吸特性(频率响应等)相类似或相同的光吸收特性。这样，以在沟道区进行光吸收而成为光泄漏的原因的光成分为主的光，能够被光吸收层吸收掉，这是非常有利的。
(4)本发明的电光装置的另一形态，其上述遮光层由含金属的膜构成。
根据该形态，借助由含金属的膜构成的遮光层，入射光和回射光能够被遮光层的外表面充分遮蔽。这时，特别是由于内面反射光和多重反射光能够被光吸收层吸收掉，所以可以采用含Al膜之类的反射率极高的金属的膜。另外，除Al膜外，作为含金属的膜的例子，可举出含有Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pb(铅)等高熔点金属中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物以及将它们层叠而成的膜。
(5)本发明的电光装置的另一形态，其上述遮光层配置在上述基板上的上述薄膜晶体管的上侧。
根据该形态，入射光可以被配置在薄膜晶体管的上侧的遮光层的外表面遮蔽。而且，由于要射到遮光层内面的回射光和被遮光层内面反射的光能被光吸收层吸收掉，所以借助这些遮光层和光吸收层能够阻止由遮光层内面的反射产生的内面反射光和多重反射光引起的薄膜晶体管的特性变坏。
(6)上述遮光层配置在上侧的形态，其上述遮光层可由数据线构成。
在这种结构中，由Al膜等形成的数据线，除有作布线的功能外，还有作遮光层的功能，因此，不会招致因附加形成专门的遮光层而导致的层叠结构的复杂化。因此，对求得装置结构和制造工艺的简化十分有利。
(7)上述遮光层配置在上侧的形态，其上述遮光层可由配置在上述数据线和上述薄膜晶体管之间的电容线构成，上述光吸收层可由经电介质膜与上述电容线相向配置、且对每个像素以岛状形式分开的电容电极构成。
在这种结构中，由金属膜或多晶硅膜等构成的电容线，除有作布线的功能外，还有作遮光层的功能；同时，由多晶硅膜等构成的电容线，除有作电极的功能外还有作光吸收层的功能；因此，不会招致因附加形成专门的遮光层和光吸收层而导致的层叠结构的复杂化。因此，对求得装置结构和制造工艺的简化十分有利。
(8)上述遮光层配置在上侧的形态，其上述遮光层可由与上述薄膜晶体管相连接、分别在第1方向延伸的多条数据线以及与上述像素电极相连接、在与上述第1方向交叉的分别在第2方向延伸的多条电容线形成。
在这种结构中，由Al膜等形成的数据线，除有作布线的功能外，还有作部分遮光层的功能；同时，由金属膜或多晶硅膜等构成的电容线，除有作布线的功能外，还有作部分遮光层的功能；因此，不会招致因附加形成专门的遮光层而导致的层叠结构的复杂化。特别是如果在沿数据线方向用数据线作遮光层，在沿电容线或扫描线的方向用电容线作遮光层，可减少布线布局上的浪费。因此，对求得装置结构和制造工艺的简化十分有利。
(9)或者，上述遮光层配置在上侧的形态，其上述遮光层可由具有配置在数据线和上述薄膜晶体管之间的多层结构的电容线的一层构成；上述光吸收层可由上述电容线中位于比上述一层更靠近上述薄膜晶体管一侧的另一层构成。
在这种结构中，借助于具有遮光层和光吸收层两者皆含的多层结构的电容线，能保持遮光功能和光吸收功能这两种功能。另外，随着在光吸收层中的光吸收而产生的热可以经遮光层散出。
(10)进而如上面所述，在具有电容线的各种场合，上述电容线可以呈在图像显示区域内、在与上述数据线交叉的方向延伸的条形形成，并可在位于上述图像显示区域之周围的周边区域与恒定电位源相连接。
在这种结构中，可将电容线放置到周边区域的恒定电位上，该电容线之中的在图像显示区域内与各电容电极相向配置的恒定电位部分，能够很好地起到构成存储电容器的固定电位侧的电容电极的作用。因此，能够提高存储电容器的性能。作为有关的恒定电位源，可以是为驱动薄膜晶体管，向周边驱动电路供电的正电源或负电源的恒定电位源，也可是向对置基板的对置电极供电的恒定电位源。
(11)在这种将电容线连接到恒定电位源的场合，上述电容线可在上述周边区域互相连接，并且可经一个或多个触点合多条为一个整体地与上述恒定电位源相连接。
在这种结构中，可以将图像显示区域的多条呈条形的电容线合为一个整体，通过一个或多个触点(例如设置在基板4个角的触点)连接到周边区域的恒定电位上。
(12)或者，在这样将电容线连接到恒定电位源的场合，上述电容线可在上述周边区域互相连接，并且可经多个触点，冗长地与上述恒定电位源相连接。
在这种结构中，可以将图像显示区域的多条呈条形的电容线，通过冗长设置的多个触点，稳定而可靠地连接到周边区域的恒定电位上。
(13)另外，在上述遮光层配置在上侧的形态中，进而可具有配置在上述基板上的上述薄膜晶体管的下侧、至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的另一遮光层。
在这种结构中，可以借助该另一遮光层对来自薄膜晶体管下侧的回射光进行遮光，因而能从上下对薄膜晶体管进行遮光。这时，特别是将要在两个遮光层之间生成的内面反射光和多重反射光能够被光吸收层吸收掉。而且，另一遮光层可由含诸如Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等高熔点金属中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物或它们的叠层构成。
(14)该场合，进而可以具有配置在上述另一遮光层和上述薄膜晶体管之间、以形成上述薄膜晶体管的沟道区的主要材料(如硅或多晶硅)为主材料的另一光吸收层。
在这种结构中，将要在两个遮光层之间生成的内面反射光和多重反射光能被两个光吸收层更强烈地吸收掉。
(15)本发明的电光装置的另一形态，其上述遮光层配置在上述基板上的上述薄膜晶体管的下侧。
根据该形态，回射光可以被配置在薄膜晶体管下侧的遮光层的外表面遮蔽。而且，由于将要到达遮光层内面的入射光和被遮光层内面反射的光能被光吸收层吸收掉，所以借助这些遮光层和光吸收层能够阻止由遮光层内面的反射产生的内面反射光和多重反射光而引起的薄膜晶体管的特性变坏。而且这样配置在薄膜晶体管下侧的遮光层，可由含诸如Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等高熔点金属中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物或它们的叠层构成。
(16)本发明的电光装置的另一形态，其上述光吸收层包含由过渡连接上述像素电极或数据线和上述薄膜晶体管的中间导电层形成的部分。
根据该形态，除有过渡连接到由多晶硅膜等构成的中间导电层的功能外，还有作部分光吸收层的功能，据此，可以减少因附加形成专门的光吸收层而导致的层叠结构的复杂化。因此，对求得装置结构和制造工艺的简化十分有利。而且，当这样利用中间导电层进行过渡连接时，薄膜晶体管和像素电极之间的间距以及薄膜晶体管和数据线之间的间距即使长些，也可以用两个以上串接的、孔径较小的接触孔将两者很好地连接起来，从而避免用一个接触孔将两者进行连接的技术上的困难。
(17)本发明的电光装置的另一形态，其上述遮光层的热导率比上述光吸收层的高。
根据该形态，伴随光吸收层中的光吸收而产生的热可以经热导率高的遮光层散掉。即，能够减少从光吸收层传递至薄膜晶体管的热量，据此，能够减少在薄膜晶体管中发生的热泄漏。因此，通过利用遮光层和光吸收层来减少光泄漏和热泄漏这两种泄漏，可以使晶体管特性得到显著的提高。
(18)在该形态中，上述薄膜晶体管与上述光吸收层的层间距可比上述光吸收层与上述遮光层的层间距大。
在这种结构中，伴随光吸收层中的光吸收而产生的热，能经配置在该光吸收层附近的遮光层以更高的效率散出。即，就是只在距光吸收层较远处配置，也能减少传递至薄膜晶体管的热量。况且在这些薄膜晶体管和光吸收层之间，以及光吸收层和遮光层之间还设置了层间绝缘膜等。
(19)本发明的电光装置的另一形态，其上述遮光层经绝缘膜层叠在上述光吸收层上，而且从平面上看，它以比上述光吸收层大一圈的形式形成。
根据该形态，在通过比光吸收层大一圈的遮光层对遮光层外表面一侧的光进行遮光的同时，还可以通过比遮光层小一圈的光吸收层对遮光层内面一侧的光进行光吸收。
(20)本发明的电光装置的另一形态，其特征在于：它包括一对基板；在上述一对基板间形成的电光物质；在上述一对基板的一方上形成的像素电极；与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的第1遮光层；以及经上述薄膜晶体管与上述第1遮光层对置的第1光吸收层。
根据该形态，第1遮光层遮蔽了向薄膜晶体管入射的光，且第1光吸收层的光吸收防止了光向薄膜晶体管的反射。
(21)另外，上述第1遮光层可与上述薄膜晶体管相对，设置在光入射侧。
根据该形态，利用第1遮光层能够防止光向薄膜晶体管的直接照射。
(22)进而，可在上述第1遮光层与上述薄膜晶体管之间设置第2光吸收层。
根据该形态，因内部反射等射向第1遮光层的薄膜晶体管侧的光能被第2光吸收层吸收。
(23)进而，可在上述第1光吸收层的与上述薄膜晶体管相反的一侧设置第2遮光层。
根据该形态，因内部反射等射向上述薄膜晶体管的光能被第2遮光层遮蔽。
(24)而且，可在上述第1光吸收层的内侧区域形成上述第2遮光层。
根据该形态，即使倾斜射来的强光照射到了从第2遮光层延伸的第1光吸收层，并且从第1光吸收层泄漏，光也能原样射向外部。
(25)另外，上述第2遮光层的特征在于：它在上述第1遮光层的内侧区域形成。
根据该形态，第2遮光层能够遮避倾斜射来的光。
(26)本发明的电光装置的另一形态，其特征在于：它包括一对基板；在上述一对基板间形成的电光物质；在上述一对基板的一方上形成的像素电极；与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的第1光吸收层；以及经上述薄膜晶体管与上述第1光吸收层对置的第2光吸收层。
根据该形态，特别是倾斜入射来的光，能被第1光吸收层和第2光吸收层吸收掉，因而能减少照射到薄膜晶体管上的光。
(27)另外，在上述像素电极、上述薄膜晶体管和上述第1光吸收层之间分别插入了透光的绝缘膜。
(28)本发明的投影型显示装置的形态，其特征在于它包括：光源；由权利要求1至27的任何一项电光装置构成的光阀；将从上述光源发出的光引至上述光阀的导光构件；以及将由上述光阀调制的光进行投影的光投影构件。
根据该形态，由于光难以进入电光装置内的薄膜晶体管，因而能投影高质量的图像。
(29)本发明的电光装置用基板的形态，其特征在于它包括：像素电极；与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的遮光层；以及配置在上述遮光层与上述薄膜晶体管之间的光吸收层。
(30)另外，本发明的电光装置用基板的形态，其特征在于它包括：像素电极；与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的遮光层；以及经上述薄膜晶体管与上述遮光层对置的光吸收层。
(31)另外，本发明的电光装置用基板的形态，其特征在于它包括：像素电极；与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区的第1光吸收层；以及经上述薄膜晶体管与上述第1光吸收层对置的第2光吸收层。
另外，作为本发明的薄膜晶体管，可以是由部分扫描线构成的栅极位于沟道区上侧的所谓顶栅型，也可以是由部分扫描线构成的栅极位于沟道区下侧的所谓底栅型。而且，像素电极的层间位置可在基板上的扫描线的上方，也可在其下方。
附图简述
图1是设置在构成本发明实施例的电光装置上的图像显示区的矩阵状的多个像素上的各元件，布线等的等效电路。
图2是实施例的电光装置的、形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的多个相邻的像素群的平面图。
图3是图2的A-A’剖面图。
图4是将实施例的上层遮光膜和下层遮光膜抽出表示的TFT阵列基板的像素的平面图。
图5是表示图4的B-B’剖面的遮光和光吸收状况的图解式剖面图(之一)。
图6是表示图4的B-B’剖面的遮光和光吸收状况的图解式剖面图(之二)。
图7是表示变例的图4的B-B’剖面的遮光和光吸收状况的图解式剖面图。
图8是表示另一变例的图4的B-B’剖面的遮光和光吸收状况的图解式剖面图。
图9是一例将电容线300放置在恒定电位源上的结构的平面图。
图10是另一例将电容线300放置在恒定电位源上的结构的平面图。
图11是从其上形成各结构要素的对置基板一侧观察到的实施例的电光装置的TFT阵列基板的平面图。
图12是图11的H-H’剖面图。
图13是表示投影仪结构的平面图。
优选实施例详述
以下根据附图对本发明的实施例进行说明。以下实施例中，本发明的电光装置被应用到液晶装置中。
首先，参照图1至图3，对本发明实施例的电光装置的构成进行说明。图1是构成电光装置图像显示区的、呈矩阵形状形成的多个像素上的各种元件、布线等的等效电路。图2是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的多个相邻的像素群的平面图。图3是图2的A-A’剖面图。另外，为了各层和各构件的尺寸使得能在图上辨别它们，图3中对各层和各构件采用了不同的比例尺。
图1中，在对构成本实施例的电光装置的图像显示区的、呈矩阵形状形成的多个像素，分别形成了像素电极9a与对该像素电极9a进行开关控制的TFT30；提供图像信号的数据线6a电连接到了该TFT30的源上。写入到数据线6a的图像信号S1、S2、---、Sn可按该顺序，依次向数据线提供，也可一组一组地对相邻的多条数据线6a提供。另外，扫描线3a电连接到TFT30的栅极上，脉冲扫描信号G1、G2、---、Gn按给定的时间，依该顺序依次被加到了扫描线3a上。像素电极9a被电连接到了TFT30的漏上，通过仅在一定期间关闭作为开关元件的TFT30，而将由数据线6a提供的图像信号S1、S2、---、Sn按给定的时间写入。经像素电极9a写入到作为电光物质之一例的液晶上的、具有给定电平的图像信号S1、S2、---、Sn能在形成于对置基板(后面述及)上的对置电极(后面述及)之间保持一定的时间。由于液晶分子集合的取向和次序依所加电压电平而变化，所以液晶能对光进行调制，并能进行灰度显示。如果是常白模，入射光的透射率随加在各像素单元上的电压而减小；如果是常黑模，则入射光的透射率随加在各像素单元上的电压而增加；电光装置作为一个整体，它能根据图像信号发出具有对比度的光。这里，为了防止保持在电极上的图像信号的泄漏，对在像素电极9a和对置电极之间形成的液晶电容器又并联了存储电容器70。
在图2中，在电光装置的TFT阵列基板上设置了呈矩阵状的多个透明像素电极9a(虚线部9a’表示其轮廓)。沿着像素电极的纵向和横向边界，分别设置了数据线6a和扫描线3a。
另外，对着图中用向右上方倾斜的斜线表示的半导体层1a的沟道区1a’配置了扫描线3a，扫描线3a具有栅极的功能(特别是在本实施例中，扫描线3a，在它构成该栅极的部分上，很宽地被形成了)。这样，在扫描线3a和数据线6a的交叉处，分别设置了以扫描线3a作栅极、对着沟道区1a’配置的像素开关用TFT30。
如图2和图3所示，在本实施例中，电容线300具有由导电的多晶硅膜等构成的第1膜72和由含高熔点金属的金属硅化物膜等构成的第2膜73层叠而成的多层结构。其中第2膜73，除有作为电容线300或存储电容器70的固定电位侧的电容电极的功能外，还有作为对TFT30遮蔽来自TFT30上侧的入射光的遮光层的功能。此外，第1膜72，除有作为电容线300或存储电容器70的固定电位侧的电容电极的功能外，还有作为配置在作为遮光层的第2膜73和TFT30之间的光吸收层的功能。另一方面，经电介质膜75与电容线300相向配置的过渡层71a，除有作为存储电容器70的像素电位侧的电容电极的功能外，还有作为配置在作为遮光层的第2膜73和TFT30之间的光吸收层的功能，进而还有作为过渡连接像素电极9a和TFT30的高掺杂漏区1e的中间导电层的功能。后面将参照图4至图7对这种遮光和光吸收作详细说明。此外，作为这些光吸收层的第1膜72和过渡层71a，由多晶硅膜之类的、其光吸收率比作为遮光层的第2膜73的高的材料构成。
在本实施例中，存储电容器70，由作为连接至TFT30的高掺杂漏区1e(以及像素电极9a)的像素电位侧的电容电极的过渡层71a和作为固定电位侧的电容电极的电容线300的一部分，经电介质膜75相向配置而形成。
从平面上看，电容线300沿扫描线3a呈条形延伸，且在与TFT30重叠的地方，在图中呈上下突出状。而且，通过分别在图2中的纵向延伸的数据线6a和分别在图2中的横向延伸的电容线300相互交叉，在TFT阵列基板10上的TFT30的上侧，构成了从平面上看呈网格状的遮光层，并规定了各像素的开口区域。
另一方面，在TFT阵列基板10上的TFT30的下侧，设置了网格状的下侧遮光膜11a。
在本实施例中，网格状的下侧遮光膜11a的形成区域，位于同样是网格状的上侧遮光层(即电容线300和数据线6a)的形成区内(即小一圈状形成的下侧遮光膜11a，以宽度比电容线300和数据线6a为窄的方式形成)。然后，使包含TFT30的低掺杂源区1b和低掺杂漏区1c(即LDD区)的连接部的TFT30的沟道区1a’位于这种网格状的下侧遮光膜11a的交叉区域内(从而也位于网格状的上侧遮光膜的交叉区域内)。
构成这类遮光层之一例的第2膜73和下侧遮光膜11a分别由包含诸如Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pb等高熔点金属中的至少一种的金属单质，合金、金属硅化物、多晶硅化物或它们的层叠物等构成。另外，由于以包含这种第2膜73的方式形成的电容线300具有多层结构，且该第1膜72是导电的多晶硅膜，所以有关的第2膜73没有必要用导电材料形成，但是如果不仅第1膜72，而且第2膜73也由导电膜形成，那么就能使电容线300有更低的电阻。
另外，在图3中，配置在用作电容电极的过渡层71a和电容线300之间的电介质膜75，由例如膜厚约5—200nm的比较薄的HTO膜、LTO膜等类氧化硅膜或者氮化硅膜等构成。从增大存储电容器70的容量的观点来看，在可以充分获得膜的可靠性的限度内，电介质膜75越薄越好。
不仅具有作为光吸收层的功能，而且还构成电容线300的一部分的第1膜72，可由例如膜厚约150nm的多晶硅膜构成。此外，不仅具有作为遮光层的功能，而且还构成电容线300的另一部分的第2膜73，可由例如膜厚约150nm的硅化钨膜构成。这样，通过用多晶硅膜构成配置在靠近电介质膜75一侧的第1膜72，以及用多晶硅膜构成与电介质膜75相邻的过渡层71a，能够阻止电介质膜75变坏。例如，若采取使金属硅化物膜与电介质膜相接触的结构，重金属等金属则会进入电介质膜75中，从而使电介质膜75的性能变坏。进而，在电介质膜75上形成该电容线300时，如果在电介质膜75形成后，不进入光致抗蚀剂工序，而连续地形成电容线300，就能提高电介质膜75的质量，因此可以使该电介质膜75形成较薄的膜，最后增大存储电容器70的容量。
如图2和图3所示，数据线6a经接触孔81与过渡连接用的过渡层71b相连接，进而，过渡层71b经接触孔82与由例如多晶硅膜构成的半导体层1a之中的高掺杂源区1d进行了电连接。而且，过渡层71b可以同时由与具有上述诸功能的过渡层71a相同的膜形成。
此外，电容线300可以从配置有像素电极9a的图像显示区域延伸设置至其周围，并与恒定电位源电连接，形成固定电位。关于这一点，后面将参照图8和图9进行详述。
像素电极9a，通过过渡层71a、经接触孔83和85与半导体层1a中的高掺杂漏区1e电连接。即，在本实施例中，过渡层71a除有作为存储电容器70的像素电位侧的电容电极的功能和作为光吸收层的功能外，还起着将像素电极9a过渡连接到TFT30的作用。当这样利用过渡层71a和71b作为过渡层时，层间距即使长达例如约2000nm，也能够用两个以上串接的、孔径较小的接触孔将两者很好地连接起来，从而避免用一个接触孔将两者进行连接时的技术上的困难，并能提高像素的开口率，和起到防止在接触孔开孔时被刻蚀透的作用。
图2和图3上的电光装置，包括透明的TFT阵列基板10和与它相向配置的、透明的对置基板20。TFT阵列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20由例如玻璃基板或石英基板构成。
在TFT阵列基板10上，开掘了从平面上看呈网格状的沟槽10cv(图2中用向右下倾斜的斜线区表示)。扫描线3a、数据线6a、TFT30等布线和元件等都嵌埋在该沟槽10cv内。据此，能够减低有布线、元件等存在的区域和无布线、元件的区域之间的台阶，最终减少由台阶引起的液晶取向不良等的图像变差。
如图3所示，在TFT阵列基板10上，设置了像素电极9a，并在其上侧设置了进行过摩擦处理等设定的取向处理的取向膜16。像素电极9a由诸如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)膜等透明导电膜构成。另外，取向膜16由例如聚酰亚胺膜等有机膜构成。
另一方面，在对置基板20上设置了遍及其整个表面的对置电极21，并在其下侧设置了进行过摩擦处理等设定的取向处理的取向膜22。对置电极21由诸如ITO膜等透明导电膜构成。此外，取向膜22由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
在对置基板20上，可以设置网格状或条带状的遮光膜。采取这种构成时，借助如前所述的构成遮光层的电容线300和数据线6a，以及该对置基板20上的遮光膜，能更可靠地阻止从对置基板20侧而来的入射光进入沟道区1a’、低掺杂源区1b和低掺杂漏区1c。进而，这种对置基板20上的遮光膜，借助于至少它的被入射光照射的面用高反射率膜来形成，就能起到防止电光装置温度升高的作用。而且，如此对置基板20上的遮光膜最好是以从平面上看位于由电容线300和数据线6a构成的遮光层的内侧的形式形成。据此，依靠对置基板20上的遮光膜，可不降低各个像素的开口率，而得到这种遮光和防止温升的效果。
在这样构成的、与像素电极9a和对置电极21相向配置的TFT阵列基板10与对置基板20之间，在被下面将述及的密封剂包围的空间，封入作为电光物质之一例的液晶，就形成了液晶层50。在未施加来自像素电极9a的电场的状态下，液晶层50处于由取向膜16和22设定的取向状态。液晶层50由例如由一种或几种向列液晶混合的液晶组成。为了使TFT阵列基板10和对置基板20在其周边进行贴合，密封剂为由诸如光固化树脂或热固化树脂构成的粘结剂，并掺入为使两基板间的距离成为给定值的玻璃纤维、玻璃小球等间隙材料。
进而，在像素开关用TFT30的下方设置了基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除有使TFT30与下侧遮光膜11a进行层间绝缘的功能外，通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，还有防止由研磨TFT阵列基板10的表面时引起的凹凸不平、洗净后残留的污渍等所造成的像素开关用TFT30的特性变坏的功能。
在图3中，像素开关用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)结构，并且包括扫描线3a、被来自该扫描线3a的电场形成了沟道的半导体层1a的沟道区1a’、包含使扫描线3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘薄膜2、半导体层1a的低掺杂源区1b和低掺杂漏区1c以及半导体层1a的高掺杂源区1d和高掺杂漏区1e。
在扫描线3a上形成了分别开出通向高掺杂源区1d的接触孔82和通向高掺杂漏区1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上，形成了过渡层71a和71b，以及电容线300，在它们的上面又形成了分别开出分别通向过渡层71a和71b的接触孔81和接触孔85的第2层间绝缘膜42。
另外，在本实施例中，可以通过对第1层间绝缘膜41进行1000℃焙烧，使注入到构成半导体层1a和扫描线3a的多晶硅膜中的离子得到激活。另一方面，对第2层间绝缘膜42可不进行这样的焙烧以求减缓在电容线300界面附近产生的应力。
在第2层间绝缘膜42上形成了数据线6a，在它们的上面又形成了第3层间绝缘膜43，其上形成有通向过渡层71a的接触孔85。像素电极9a就设置在这样构成的第3层间绝缘膜43的上表面上。
光吸收层72、71a用比基底绝缘膜12和各层间绝缘膜41、42、43更具光吸收性的材料形成。
根据以上这样构成的本实施例，入射光要从对置基板20向TFT30的沟道区1a’及其附近入射时，由数据线6a及电容线300(特别是其第2膜73)构成的网格状遮光层就会进行遮光。另一方面，回射光要从TFT阵列基板10向TFT30的沟道区1a’及其附近入射时，下侧遮光膜11a就会进行遮光(特别是在多板式彩色显示用投影仪等内，由经棱镜等组合多个电光装置而构成一个光学系统的场合，因为由来自其他电光装置、并穿过棱镜等的投影光部分构成的回射光很强，所以遮光很有效)。而且，由倾斜的回射光向由高反射率Al膜构成的数据线6a和由反射率较高的高熔点金属膜构成的第2膜73的内面(即朝向TFT30的一侧的表面)入射而产生的内面反射光、多重反射光等就会被作为光吸收层的第1膜72和过渡层71a吸收掉。这些作用的结果是，TFT30的特性几乎不会因光泄漏而变坏，因而该电光装置可具有非常好的耐光性。
特别是在本实施例中，由于作为光吸收层的第1膜72和过渡层71a由成为导体的多晶硅膜(或无定形硅等硅膜)构成，为了控制阈值电压Vth，沟道区要由掺入P、B、As等的、或者什么杂质也不掺的多晶硅膜(或无定形硅等硅膜)构成，所以该光吸收层具有与沟道区的光吸收特性(频率响应等)类似或相同的光吸收特性。因而，理想状况是，以沟道区1a’进行光吸收时成为光泄漏原因的频率成分为主的光，能够被第1膜72和过渡层71a吸收掉。即，通过用相同于TFT沟道的主材料形成光吸收层，提高了光吸收效果。
下面，参照图4至图7对本实施例的遮光和光吸收进一步加以说明。这里，图4是将图像显示区的上侧遮光膜和下侧遮光膜抽出、并加以放大表示的图解式平面图，图5和图6是表示图4的B-B’剖面的遮光和光吸收状况的图解式剖面图。此外，图7是表示变例中同为图4的B-B’剖面的遮光和光吸收状况的图解式剖面图。
如图4所示，在本实施例中，各像素的非开口区主要被由电容线300和(为形成接触孔81和82而将电容线中断的地方的)数据线6a构成的遮光层规定为网格状。因此，利用这些电容线300和数据线6a能够有效地防止因光泄漏而引起的对比度下降。这里，在TFT30的上侧，存在那些呈网格状的电容线300和数据线6a，而在TFT30的下侧，存在配置成网格状的下侧遮光膜11a，下侧遮光膜11a的形成区域位于由电容线300和数据线6a构成的网格状遮光层的形成区域内。
这样，如图5所示，对于从该光电装置的上侧(即入射光的入射侧)入射的入射光LI，电容线300的第2膜73和数据线6a具有作为遮光层的功能。因此，可以防止该入射光LI到达TFT30。进而，由于下侧遮光膜11a以比位于上侧的遮光层(即电容线300的第2膜73和数据线6a)小一圈的形式形成，所以能够减少由入射光LI中包含的倾斜成分从上侧遮光层(电容线300和数据线6a)的附近通过，然后被下侧遮光膜11a的内面反射而引起的内面反射光和多重反射光的发生。
另一方面，如图6所示，对从该电光装置下侧(即入射光的出射侧)入射的回射光L2，下侧遮光膜11a具有作为遮光层的功能。因此，能够防止该回射光L2到达TFT30。这里，由于下侧遮光膜11a以比处于上侧的遮光层(即电容线300的第2膜73和数据线6a)小一圈的形式形成，所以回射光L2中包含的倾斜成分的一部分，从下侧遮光膜11a的附近穿过，射向位于上侧的遮光层的内面(特别是电容线300的内面)。但是，由于在位于上侧的遮光层(即电容线300的第2膜73和数据线6a)和TFT30之间存在光吸收层(即电容线300的第1膜72和过渡层71a)，所以由该回射光L2中所含的倾斜成分以及有关成分在上侧遮光层(即电容线300的第2膜73和数据线6a)的内面的反射产生的内面反射光L3和多重反射光L4能被光吸收层吸收掉。
以上结果，在本实施例中，能够通过提高各像素的开口率和提高耐光性来减少由光泄漏引起的作像素开关用的TFT30的特性变坏，最后使对比度高并且明亮的高质量图像显示成为可能。
在本实施例中，构成遮光层的第2膜73的热导率最好是比构成光吸收层的第1膜72和过渡层71a的高。这样，伴随第1膜72和过渡层71a中的光吸收而产生的热量能经热导率高的第2膜73散出。即，能够减少从第1膜72和过渡层71a传递至TFT30的热量，因此，能减少在TFT30中发生的热泄漏。这些结果，通过减少光泄漏和热泄漏这两种泄漏，能使TFT30的晶体管特性得到显著的提高。
进而，从减少TFT30的热泄漏的观点看，夹在作为光吸收层的过渡层71a和TFT30之间的第1层间绝缘膜41，最好设定得比夹在作为光吸收层的过渡层71a和具有上述散热功能的电容线300之间的电介质膜75大些。这样的设定，能够使伴随作为光吸收层的过渡层71a中的光吸收而产生的热量经电容线300更为有效地散出。
另外，在图4到图6所示的实施例中，由于下侧遮光膜11a以比位于上侧的遮光膜(即电容线300的第2膜73和数据线6a)小一圈的形式形成，所以形成了入射光L1中所含的倾斜成分难以到达下侧遮光膜11a的内面的结构。但是，随装置规格(例如，下侧遮光膜11a小的程度，入射光角度的倾斜程度)的不同，由下侧遮光膜11a的内面对倾斜入射光L1的反射而产生的内面反射光和多重反射光会成为问题。
在这种场合，如图7所示的变例，可在下侧遮光膜11a的内面设置光吸收层11b。在这种结构中，到达下侧遮光膜11a的内面的倾斜入射光L1以及由它产生的内面反射光L3或多重反射光L4能被光吸收层11b吸收掉。形成光吸收层11b的主材料最好是与形成沟道区的材料相同的材料。
另外，作为另一变例，可以是图8所示的变例。下侧遮光膜11a比上侧遮光膜73和数据线6a在更内侧形成。下侧吸收层11b以比下侧遮光膜11a有更宽的宽度而形成。在这种结构中，倾斜入射光L1可以被下侧吸收层11b或上侧吸收层71a、72吸收掉。另外，由于透过下侧吸收层11b的倾斜入射光L1能不被下侧遮光膜11a反射而通过，所以它不能到达TFT30的半导体层。
在图8的变例中示出的下侧吸收层11b，虽然其宽度与上侧吸收层71a、72的大致相同，但也可比上侧吸收层71a、72在更内侧形成，宽度也可比它们的宽。
下面对以电容线300作固定电位的结构，参照图9和图10进行说明。这里，图9是一例将电容线300放置在恒定电位源上的结构的平面图，图10是另一例将电容线300放置在恒定电位源上的结构的平面图。
如图9和图10所示，在图像显示区域10a内，以大致呈条形形成的电容线300最好是延伸设置至处于图像显示区域10a的周围的周边区域，并使其合拢在一起。这样，如图9所示，电容线300可以例如通过设置在TFT阵列基板10的4个角的接触孔302，在周边区域合拢，并连接到恒定电位布线303上，或者也可如图10所示，通过冗长设置的多个接触孔302’连接到恒定电位布线303’上。而且图9和图10中的恒定电位布线303和303’最好由与数据线6a相同的低阻Al膜形成。
另外，作为该恒定电位布线303和303’所连接的恒定电位源，可以是为向扫描线3a提供用于驱动TFT30的扫描信号的扫描线驱动电路(下面将述及)，或控制向数据线6a提供图像信号的取样电路的数据线驱动电路(下面将述及)供电的正电源或负电源的恒定电位源，也可是为对置基板20的对置电极21供电的恒定电位源。
另外，关于设置在TFT30之下侧的下侧遮光膜11a，为避免该电位变化对TFT30产生的不良影响，可像电容线300那样，将它从图像显示区域延伸设置至该区域的周围，与恒定电位源相连接。
以上说明的实施例中，虽然可通过在TFT阵列基板10上开掘沟槽10cv来减小如图3所示的因层叠多个导电层而在沿像素电极9a的基底面(即第3层间绝缘膜43的表面)上的数据线6a和扫描线3a的区域产生的台阶，但也可通过取代沟槽10cv，或除沟槽10cv之外，在基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42、第3层间绝缘膜43上开掘沟槽，并将数据线6a等布线和TFT30等埋入而进行平面化处理；或者通过用CPM(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)处理等方法研磨第3层间绝缘膜43和第2层间绝缘膜42上的台阶，或通过用有机SOG使其变平，而进行该平面化处理。
进而，在以上说明的实施例中，像素开关用TFT30虽然最好是具有如图3所示的LDD结构，但是也可以具有在低掺杂源区1b和低掺杂漏区1c不进行杂质掺入的偏位结构，或者也可是以由扫描线3a的一部分构成的栅极作掩模、高浓度地掺入杂质，以自对准的方式形成高掺杂源区和漏区的自对准型的TFT。此外，在本实施例中，虽然形成了在高掺杂源区1d和高掺杂漏区1e之间只配置了1个像素开关用TFT30的栅极的单栅极结构，但是在它们之间也可配置2个以上的栅极。这样用双栅极、三栅极或更多栅极来构成TFT，能够防止沟道与源和漏区的接合部的泄漏电流，从而减小TFT关闭时的电流。
(电光装置的整体结构)
参照图11和图12对各实施例中如上构成的电光装置的整体结构进行说明。图11是从其上形成各结构要素的对置基板20一侧观察到的TFT阵列基板10的平面图，图12是图11的H-H’剖面图。
在图12中，在TFT阵列基板10上，沿其边缘设置了密封剂52，在该密封剂的内侧，与其平行，设置了作为规定图像显示区域10a之周边的边框的遮光摸53。在密封剂52的外侧区域，沿TFT阵列基板10的一个边设置了通过按给定的时间对数据线6a提供图像信号而驱动数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端点102，沿与该边相邻的2个边设置了通过按给定的时间对扫描线3a提供扫描信号而驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。如果向扫描线3a提供的扫描信号的延迟不成为问题，不言而喻，扫描线驱动电路104也可只在一侧设置。另外，数据线驱动电路101也可沿图像显示区域10a的边排列在两侧。进而，在TFT阵列基板10的剩余的一个边，设置了用于连接设置在图像显示区10a的两侧的扫描线驱动电路104的多条布线105。另外，在对置基板20的角中的至少一个角上，设置了为使TFT阵列基板10和对置基板20之间进行电导通的导电材料106，然后，如图12所示，与图11所示密封剂52有大致相同的轮廓的对置基板20被该密封剂52固定到了TFT阵列基板10上。
此外，在TFT阵列基板10上，除上述数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等之外，还可形成按给定时间向多条数据线6a输入图像信号的取样电路、在图像信号之前分别向多条数据线6a提供具有给定电平的予充电信号的予充电电路、为在制造过程中或出厂时检测该电光装置的质量和缺陷等用的检测电路等。
在以上参照图1至图12进行了说明的实施例中，可以不是将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上，而是例如将它们经设置在TFT阵列基板10的周边部分的各向异性导电膜，电连接和机械连接到安装在TAB(Tape Automated Bonding，带式自动键合)基板上的驱动用LSI上。另外，可分别在对置基板20的投影光入射的一侧和TFT阵列基板10的出射光出射的一侧，根据例如TN模、VA(Vertically Aligned，垂直取向)模、PDLC(PolymerDispersed Liquid Crystal，聚合物散布液晶)模等工作模式，以及常白模/常黑模的不同，在设定的方向配置偏振膜、延迟膜、偏振片等。
以上进行了说明的实施例中的电光装置，例如，可作为光阀用在投影仪中。
图13是表示该投影仪之结构的平面图。如该图所示，在投影仪2100内部，设置了由卤素灯等白色光源构成的照明器单元2102。从该照明器单元2102射出的投影光，被配置在内部的3块反射镜2106和2块分光镜2108分离成RGB三原色，三原色分别被传送至与各原色对应的光阀100R、100G和100B上。这里，光阀100R、100G和100B的构成与上述实施例中涉及的液晶面板100的相同，并分别被输入有图像信号的处理电路(图中被省略)所提供的R、G、B原色信号驱动。另外，由于与R色或G色光相比较，B色光的光程长，所以为防止由此带来的损失，它经由入射透镜2122、中继透镜2123和出射透镜2124组成的中继透镜系统2121而被传播。
另外，分别被光阀100R、100G、100B调制的光，从3个方向入射到分光棱镜2112上。然后，在该分光棱镜2122中，R色和B色光被折射90度，而G色光则直线前进。因此，在各色图像合成后，彩色图像就被投影透镜2114投影到了屏幕2120上。
还有，由于对应于R、G、B各原色的光被分光镜2108入射到光阀100R、100G和100B上，所以没有必要如上所述那样设置滤色片。另外，通过光阀100R、100B的像被分光镜2112反射后进行了投影，而通过光阀100G的像却是直接投影，因此相对于光阀100G形成的显示像，光阀100R、100B形成的显示像被左右倒置了。
在上述各实施例中，未在对置基板20上设置滤色片。但是，可以在对置基板20上的与像素电极9a相向的指定区域形成RGB的滤色片及其保护膜。这样一来，在除投影仪之外的直观式或反射式电光装置中，都可以用各实施例的电光装置。
另外，也可以在对置基板20上，一个像素对应一个地形成微透镜。或者也可以在TFT阵列基板上的、与RGB相向的像素电极9a的下面用防染色剂等形成滤色层。这样，由于入射光的聚光效率得到了提高，所以能够得到明亮的电光装置。进而，也可通过在对置基板20上层叠多层折射率不同的干涉层，形成利用光的干涉产生RGB色的分光滤色片。利用具有这种分光滤色片的对置基板，可以实现更为明亮的彩色电光装置。
作为其他应用例子，它也可用于以便携式个人计算机的显示器和移动电话的显示器为首的诸如液晶电视、取景器型和监控直视型录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事簿、计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、数码相机、具有触摸屏的电子装置等之中。
本发明不限于上述实施例，在不违反从权利要求范围和全部说明书中读得的本发明的要旨或思想的范围内，可作适当变更，伴随该变更的电光装置及其制造方法也包括在本发明的技术范围内。

Claims (31)

1.一种电光装置，其特征在于：
包括一对基板；
设置在上述一对基板之间的电光物质；
在上述一对基板的一片上形成的像素电极；
与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；
至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的遮光层；以及
配置在上述遮光层和上述薄膜晶体管之间的光吸收层。
2.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述光吸收层以形成上述薄膜晶体管的沟道区域的主要材料为主材料。
3.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述光吸收层由硅膜构成。
4.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述遮光层由含金属的膜构成。
5.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述遮光层配置在上述基板上的上述薄膜晶体管的上侧。
6.如权利要求5的电光装置，其特征在于：
上述遮光层由数据线构成。
7.如权利要求5的电光装置，其特征在于：
上述遮光层由配置在上述数据线和上述薄膜晶体管之间的电容线构成，
上述光吸收层由经过电介质膜与上述电容线相向配置、并且对每个像素以岛状形式分开的电容电极构成。
8.如权利要求5的电光装置，其特征在于：
上述遮光层由与上述薄膜晶体管相连接、分别在第1方向延伸的多条数据线；以及
与上述像素电极相连接、分别在与上述第1方向相交叉的第2方向延伸的多条电容线构成。
9.如权利要求5的电光装置，其特征在于：
上述遮光层由具有配置在数据线和上述薄膜晶体管之间的多层结构的电容线的一层构成，
上述光吸收层由上述电容线中位于比上述一层更靠近上述薄膜晶体管处的另一层构成。
10.如权利要求7的电光装置，其特征在于：
上述电容线呈在图像显示区域内在与上述数据线交叉的方向延伸的条形形成，并且在位于上述图像显示区域之周围的周边区域与恒定电位源相连接。
11.如权利要求10的电光装置，其特征在于：
上述电容线在上述周边区域互相连接，并且经过一个或多个触点合多条为一个整体地与上述恒定电位源相连接。
12.如权利要求10的电光装置，其特征在于：
上述电容线在上述周边区域互相连接，并且经过多个触点冗长地与上述恒定电位源相连接。
13.如权利要求5的电光装置，其特征在于：
进而备有配置在上述基板上的上述薄膜晶体管的下侧、至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的另一遮光层。
14.如权利要求13的电光装置，其特征在于：
进而备有配置在上述另一遮光层和上述薄膜晶体管之间、以形成上述薄膜晶体管的沟道区域的主要材料为主材料的另一光吸收层。
15.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述遮光层配置在上述基板上的上述薄膜晶体管的下侧。
16.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述光吸收层包含由过渡连接上述像素电极或数据线与上述薄膜晶体管的中间导电层构成的部分。
17.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述遮光层的热导率比上述光吸收层为高。
18.如权利要求17的电光装置，其特征在于：
上述薄膜晶体管与上述光吸收层的层间距比上述光吸收层与上述遮光层的层间距大。
19.如权利要求1的电光装置，其特征在于：
上述遮光层经绝缘膜层叠在上述光吸收层上，而且从平面上看，它比上述光吸收层大一圈。
20.一种电光装置，其特征在于：
包括一对基板；
在上述一对基板之间形成的电光物质；
在上述一对基板的一片上形成的像素电极；
与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；
至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的第1遮光层；以及
经过上述薄膜晶体管与上述第1遮光层相向的第1光吸收层。
21.如权利要求20的电光装置，其特征在于：
对于上述薄膜晶体管，在光入射一侧设置了上述第1遮光层。
22.如权利要求20的电光装置，其特征在于：
进而在上述第1遮光层与上述薄膜晶体管之间设置了第2光吸收层。
23.如权利要求20的电光装置，其特征在于：
进而在与上述第1光吸收层的上述薄膜晶体管相反的一侧，设置了第2遮光层。
24.如权利要求23的电光装置，其特征在于：
在上述第1光吸收层的内侧区域形成了上述第2遮光层。
25.如权利要求24的电光装置，其特征在于：
在上述第1遮光层的内侧区域形成了上述第2遮光层。
26.一种电光装置，其特征在于：
包括一对基板；
在上述一对基板之间形成的电光物质；
在上述一对基板的一片上形成的像素电极；
与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；
至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的第1光吸收层；以及
经过上述薄膜晶体管与上述第1光吸收层相向的第2光吸收层。
27.如权利要求26的电光装置，其特征在于：
在上述像素电极、上述薄膜晶体管和上述第1光吸收层之间分别插入透光的绝缘膜。
28.一种投影型显示装置，其特征在于：
包括光源；
由权利要求1至27的任何一种电光装置构成的光阀；
将从上述光源发出的光引至上述光阀的导光构件；以及
使由上述光阀调制的光进行投影的投影光学构件。
29.一种电光装置用基板，其特征在于：
包括像素电极；
与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；
至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的遮光层；以及
配置在上述遮光层与上述薄膜晶体管之间的光吸收层。
30.一种电光装置用基板，其特征在于：
包括像素电极；
与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；
至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的遮光层；以及
经过上述薄膜晶体管与上述遮光层相向的光吸收层。
31.一种电光装置用的基板，其特征在于：
包括像素电极；
与上述像素电极相连接的薄膜晶体管；
至少覆盖上述薄膜晶体管的沟道区域的第1光吸收层；以及
经过上述薄膜晶体管与上述第1光吸收层相向的第2光吸收层。
CNB011230827A 2000-07-26 2001-07-25 电光装置，电光装置用基板及投影型显示装置 Expired - Fee Related CN1161648C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000225419 2000-07-26
JP225419/2000 2000-07-26
JP2001138816A JP2002108248A (ja) 2000-07-26 2001-05-09 電気光学装置、電気光学装置用基板及び投射型表示装置
JP138816/2001 2001-05-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1334483A true CN1334483A (zh) 2002-02-06
CN1161648C CN1161648C (zh) 2004-08-11

Family

ID=26596707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011230827A Expired - Fee Related CN1161648C (zh) 2000-07-26 2001-07-25 电光装置，电光装置用基板及投影型显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6770908B2 (zh)
JP (1) JP2002108248A (zh)
KR (1) KR100442217B1 (zh)
CN (1) CN1161648C (zh)
TW (1) TWI291588B (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100394612C (zh) * 2003-02-17 2008-06-11 友达光电股份有限公司 顶部发光型主动式有机发光显示元件及其制造方法
CN100413085C (zh) * 2003-04-24 2008-08-20 统宝光电股份有限公司 上发光型全彩有机发光显示器结构
CN100541811C (zh) * 2002-03-04 2009-09-16 株式会社日立制作所 有机电致发光显示装置
CN101424847B (zh) * 2007-10-29 2010-06-02 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构及其制造方法
US8031300B2 (en) 2006-02-07 2011-10-04 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and projector
CN1802750B (zh) * 2003-04-10 2012-04-18 微米技术有限公司 经改进的成像装置的遮光层
CN103926739A (zh) * 2013-12-31 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN105390527A (zh) * 2014-09-03 2016-03-09 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置以及电子设备
CN105990371A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 群创光电股份有限公司 显示面板
WO2017000502A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and method of manufacturing thereof
CN108630725A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN108630726A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN108855266A (zh) * 2018-07-23 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 液滴移动装置、微流控系统及其工作方法
WO2018233405A1 (zh) * 2017-06-19 2018-12-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
US10613400B2 (en) 2015-02-09 2020-04-07 Innolux Corporation Display panel
CN111190306A (zh) * 2020-02-27 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 显示装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7027109B2 (en) 2001-08-03 2006-04-11 Nec Corporation TFT array substrate and active-matrix addressing liquid-crystal display device
JP4798907B2 (ja) * 2001-09-26 2011-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3870897B2 (ja) * 2002-01-07 2007-01-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2003307746A (ja) * 2002-02-12 2003-10-31 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP3788387B2 (ja) * 2002-05-10 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電気光学装置の製造方法
US7133088B2 (en) * 2002-12-23 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
JP2005051223A (ja) * 2003-07-11 2005-02-24 Nec Corp 薄膜トランジスタ、ｔｆｔ基板、液晶表示装置、及び、薄膜トランジスタの製造方法
US7123314B2 (en) 2003-07-11 2006-10-17 Nec Corporation Thin-film transistor with set trap level densities, and method of manufactures
US20060054889A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Jang-Soo Kim Thin film transistor array panel
JP4586732B2 (ja) * 2006-01-06 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
KR20080011829A (ko) * 2006-07-31 2008-02-11 삼성전자주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9313883B2 (en) 2011-03-28 2016-04-12 Lg Chem, Ltd. Conductive substrate and touch screen having same
JP6303748B2 (ja) * 2014-04-14 2018-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、光学ユニット、及び電子機器
KR102230943B1 (ko) * 2014-08-14 2021-03-24 엘지디스플레이 주식회사 광흡수층을 포함하는 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20160028587A (ko) * 2014-09-03 2016-03-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102599536B1 (ko) * 2017-01-26 2023-11-08 삼성전자 주식회사 생체 센서를 갖는 전자 장치
CN108169947B (zh) * 2018-01-31 2023-04-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、触控显示装置
JP6702387B2 (ja) 2018-10-08 2020-06-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
KR20200110573A (ko) * 2019-03-15 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210021769A (ko) 2019-08-19 2021-03-02 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
CN111208687A (zh) * 2020-01-13 2020-05-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20220033612A (ko) * 2020-09-08 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03269415A (ja) 1990-03-20 1991-12-02 Asahi Glass Co Ltd アクティブマトリックス光変調素子
JPH041728A (ja) 1990-04-19 1992-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP3062698B2 (ja) 1990-09-25 2000-07-12 セイコーインスツルメンツ株式会社 光弁基板用単結晶薄膜半導体装置
JP2806741B2 (ja) 1993-05-24 1998-09-30 日本電気株式会社 カラー液晶ディスプレイ
JPH07302912A (ja) * 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
DE69633994D1 (de) 1995-02-17 2005-01-13 Citizen Watch Co Ltd Flüssigkristallanzeigeelement
JPH0933944A (ja) 1995-07-14 1997-02-07 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH09171196A (ja) 1995-10-16 1997-06-30 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH09318935A (ja) 1996-05-24 1997-12-12 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH1090716A (ja) 1996-09-10 1998-04-10 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH10206889A (ja) 1997-01-22 1998-08-07 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP3799829B2 (ja) 1997-09-11 2006-07-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置
JP3690119B2 (ja) 1998-06-23 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び投射型表示装置
JP2000174282A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR100411678B1 (ko) 1999-01-28 2003-12-18 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 패널, 투사형 표시 장치 및 전기 광학 패널의제조 방법
JP2000269473A (ja) 1999-03-17 2000-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6171901B1 (en) * 1999-07-16 2001-01-09 National Semiconductor Corporation Process for forming silicided capacitor utilizing oxidation barrier layer

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100541811C (zh) * 2002-03-04 2009-09-16 株式会社日立制作所 有机电致发光显示装置
CN100394612C (zh) * 2003-02-17 2008-06-11 友达光电股份有限公司 顶部发光型主动式有机发光显示元件及其制造方法
CN1802750B (zh) * 2003-04-10 2012-04-18 微米技术有限公司 经改进的成像装置的遮光层
CN100413085C (zh) * 2003-04-24 2008-08-20 统宝光电股份有限公司 上发光型全彩有机发光显示器结构
US8031300B2 (en) 2006-02-07 2011-10-04 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and projector
CN101424847B (zh) * 2007-10-29 2010-06-02 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd像素结构及其制造方法
CN103926739A (zh) * 2013-12-31 2014-07-16 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN105390527A (zh) * 2014-09-03 2016-03-09 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置以及电子设备
CN105390527B (zh) * 2014-09-03 2020-09-04 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置以及电子设备
US10613400B2 (en) 2015-02-09 2020-04-07 Innolux Corporation Display panel
CN112786624A (zh) * 2015-02-09 2021-05-11 群创光电股份有限公司 显示面板
CN112786624B (zh) * 2015-02-09 2025-02-07 群创光电股份有限公司 显示面板
CN105990371A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 群创光电股份有限公司 显示面板
CN105990371B (zh) * 2015-02-09 2021-03-19 群创光电股份有限公司 显示面板
US10096801B2 (en) 2015-06-29 2018-10-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and method of manufacturing thereof
WO2017000502A1 (en) * 2015-06-29 2017-01-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display device and method of manufacturing thereof
CN108630725A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN108630726A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
WO2018233405A1 (zh) * 2017-06-19 2018-12-27 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
US10910497B2 (en) 2017-06-19 2021-02-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Thin film transistor having light shielding layer
CN108855266A (zh) * 2018-07-23 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 液滴移动装置、微流控系统及其工作方法
CN111190306B (zh) * 2020-02-27 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
CN111190306A (zh) * 2020-02-27 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6770908B2 (en) 2004-08-03
CN1161648C (zh) 2004-08-11
KR20020010501A (ko) 2002-02-04
US20020014627A1 (en) 2002-02-07
KR100442217B1 (ko) 2004-07-30
TWI291588B (en) 2007-12-21
JP2002108248A (ja) 2002-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1161648C (zh) 电光装置，电光装置用基板及投影型显示装置
CN1251014C (zh) 电光装置和电子设备
CN1161647C (zh) 电光学装置
CN2625931Y (zh) 电光装置以及电子设备
CN1238756C (zh) 有源矩阵衬底、光电装置、电子设备
CN1591145A (zh) 电光装置和电子设备
CN1831902A (zh) 电光装置及其制造方法、以及电子设备
CN2702338Y (zh) 电光学装置和电子设备
TWI274309B (en) Electro-optical device and electronic machine
CN1713059A (zh) 电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法
CN1933166A (zh) 电光装置、其制造方法、电子设备以及电容器
JP3608531B2 (ja) 電気光学装置及び投射型表示装置
CN1211699C (zh) 电光装置和电子设备
JP2002215064A (ja) 電気光学装置
CN1573438A (zh) 电光装置和电子设备及投射型显示装置
CN1213326C (zh) 电光装置及电子机器
CN1773334A (zh) 电光装置和电子设备
CN1991937A (zh) 电光装置及其制造方法以及电子设备
JP2002244155A (ja) 電気光学装置及び投射型表示装置
JP3965935B2 (ja) 電気光学装置及び投射型表示装置
JP2003337553A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP3736330B2 (ja) 電気光学装置
JP4154965B2 (ja) 電気光学基板、並びにこれを具備する電気光学装置及び電子機器
CN100345039C (zh) 半透过反射型电光装置和使用其的电子设备
JP4760818B2 (ja) 電気光学基板、並びにこれを具備する電気光学装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040811

Termination date: 20180725