CN1272948A - 固体电解质电容器的电极箔,电极箔的制造方法和固体电解质电容器 - Google Patents
固体电解质电容器的电极箔,电极箔的制造方法和固体电解质电容器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1272948A CN1272948A CN99800913A CN99800913A CN1272948A CN 1272948 A CN1272948 A CN 1272948A CN 99800913 A CN99800913 A CN 99800913A CN 99800913 A CN99800913 A CN 99800913A CN 1272948 A CN1272948 A CN 1272948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode foil
- porous membrane
- aluminium foil
- cut
- foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title abstract description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims description 67
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 64
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 58
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 52
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 6
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- MWEMXEWFLIDTSJ-UHFFFAOYSA-M sodium;3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCN1CCOCC1 MWEMXEWFLIDTSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 3
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical group O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 2-benzothiophene Chemical compound C1=CC=CC2=CSC=C21 LYTMVABTDYMBQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229960002645 boric acid Drugs 0.000 description 2
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- QVLTXCYWHPZMCA-UHFFFAOYSA-N po4-po4 Chemical compound OP(O)(O)=O.OP(O)(O)=O QVLTXCYWHPZMCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOBXVSNBBMBPGZ-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1.CN1C=CC=C1 JOBXVSNBBMBPGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTOZNOWMMLUVTP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.O1CCOC2=CSC=C21 JTOZNOWMMLUVTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- ILFFFKFZHRGICY-UHFFFAOYSA-N anthracene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(S(=O)(=O)O)=CC=CC3=CC2=C1 ILFFFKFZHRGICY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O.OB(O)O GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000027950 fever generation Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- YVSCCMNRWFOKDU-UHFFFAOYSA-N hexanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O.OC(=O)CCCCC(O)=O YVSCCMNRWFOKDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- NIFHFRBCEUSGEE-UHFFFAOYSA-N oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O.OC(=O)C(O)=O NIFHFRBCEUSGEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000004151 quinonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N so4-so4 Chemical compound OS(O)(=O)=O.OS(O)(=O)=O CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940055237 sodium 1-naphthalenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-M sodium 2-anthraquinonesulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DVFFDTYHFQEBLC-UHFFFAOYSA-M sodium;anthracene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C=C3C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC3=CC2=C1 DVFFDTYHFQEBLC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HIEHAIZHJZLEPQ-UHFFFAOYSA-M sodium;naphthalene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1 HIEHAIZHJZLEPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本发明涉及在固体电解质电容器中使用的一种铝电极箔。另外,本发明还提供了该固体电解质电容器用的一种电极箔;制造该电极箔的一种方法;和使用在其切断端部分上,耐电压和耐热性能得到改善,而又不使电极箔的有效面积减小的这种电极箔的一种固体电解质电容器。根据如本发明所述的固体电解质电容器的电极箔的制造方法,在该电极箔10的切断端部分5的表面上,形成厚度大约为该阻挡薄膜3的厚度的5～100倍的一个多孔薄膜11。另外,本发明还提供了根据上述制造方法制造的一个电极箔,和使用该电极箔的一个固体电解质电容器。
Description
本申请要求基于美国专利申请60/107001号的早先申请(1998年11月4日提出)的优先权。
本发明涉及一种固体电解质电容器的电极箔，其包括一个成形的铝箔，并且在该铝箔的切断端部分上，具有改善的耐电压和耐热性能。本发明还涉及一种制造该电极箔的方法，和使用该电极箔的固体电解质电容器。
固体电解质电容器使用一个电极箔，该电极箔是通过形成包括在一个铝箔表面上的阳极氧化物薄膜的电介质层而得出的。通常，该电极箔是通过将一个铝箔浸入一种酸性的电解溶液中，借助利用该铝箔作为阳极的阳极氧化过程，在该铝箔表面上进行成形处理；再将该铝箔切成预先确定的尺寸，这样制造的。近年来，在电子设备领域中，低电压用途的电解质电容器的尺寸正在减小。为了适应这种情况，要求单位面积上的静电电容要大。因此，在生产低电压用途的电极箔时，通常要进行成形处理。如图3所示，在进行成形处理时，要在包含有(例如)氯化物离子的电解溶液中，通过交流腐蚀铝箔，对该铝箔进行表面粗糙化处理，在该铝箔表面上形成大量孔径约为0.2微米的孔2，使该铝箔的有效表面积增大。然后，在包括这些孔的内表面在内的该铝箔的每一个表面上，形成很少有缺陷，厚度大约为0.01～0.1微米的一层薄而密实、均匀的阻挡薄膜(阳极氧化物薄膜)3。在这样得出的成形铝箔中，在包括一个金属铝芯的芯子部分1的二个表面上，和有效面积被上述孔增大的每一个表面上，形成大量的孔2；并且形成作为电介质层的很少有缺陷的密实而均匀的阻挡薄膜3。
将所得到的成形铝箔，切成低电压用途的、相应的小的固体电解质电容器预先确定的尺寸；再将切断的铝箔用作该固体电解质电容器的电极箔。这时，在该电极箔的切断端部分5处，该金属铝芯露出；而该电极不能与固体电解质电容器作成一个整体，但必须绝缘。通常是通过再次将该成形的铝箔切口进行成形处理(以后称为“切断端成形”)，在该切断端部分5形成一个阻挡薄膜，从而使该切断端部分5绝缘。
通常，要利用刀刃的剪切力，将上述成形铝箔切断；因此，该金属铝芯露出，并在该切断端部分5处会削尖，形成一个尖峰部分6。如果在这种状态下，使该切断端部分作切断端成形，在该切断端部分5上形成一个阻挡薄膜；则由于在加电压过程中，该尖峰形状使电流集中。结果造成局部发热；热应力可能使该阻挡薄膜破坏，或造成其他不利的结果。这样，该固体电解质电容器的耐电压和耐热性能大大降低。另外，如果利用上述同样的方法，在高电压下，进行表面粗糙化处理或切断端成形，则在切断端部分5处，电介质层增强的情况下，已经在成形铝箔每一个表面上形成的阻挡薄膜3可能被破坏。
因此，已经提出了利用树脂等覆盖，而不形成阳极氧化物薄膜，使该切断端部分绝缘的方法(例如，参见经过审查的日本实用新型公布Hei 6-14465号)。然而，根据这种方法，树脂层也要延伸至该电极箔的表面，这样会使该电容器的静电电容减小，这是违背减小电容器尺寸的要求的。另外，该方法比较复杂，生产成本高。
本发明是为了解决上述问题而提出的。因此，本发明的目的是要提供一种通过只在切断端部分上形成一个耐电压和耐热的薄膜，而不减小该电极箔的有效面积，来制造一个固体电解质电容器的电极箔的廉价方法。另外，本发明的目的还要提供用这种方法制造的固体电解质电容器的一个电极箔，和使用该电极箔的一种固体电解质电容器。
为了解决上述问题，本发明提供了一种制造固体电解质电容器的电极箔的方法，该方法包括：腐蚀一个铝箔，使铝箔表面变得粗糙；对该铝箔进行成形处理，在其每一个粗糙的表面上形成作为电介质层的一个阻挡薄膜；将该成形的铝箔切成预先确定的尺寸；和对成形铝箔的切口进行成形处理，以便在该铝箔的切断端部分上，形成一个多孔薄膜；该多孔薄膜为一个多孔的氧化物薄膜，其厚度大约为所述阻挡薄膜厚度的5～100倍。在这个方法中，最好对所述形成的多孔薄膜，再进行成形处理，以便在该多孔薄膜的基底层上，形成一个切断端阻挡薄膜。
本发明还提供了利用上述制造方法中的任何一种方法制造的固体电解质电容器的一个电极箔；和利用该固体电解质电容器的电极箔制造的一个固体电解质电容器。
以后，该固体电解质电容器的电极箔，和该固体电解质电容器，分别称为“电极箔”和“电容器”。
图1为表示本发明的电极箔的一个例子的横截面图；
图2为表示本发明的电极箔的另一个例子的横截面图；
图3为表示一个切断的成形电极箔的横截面图。
下面来说实现本发明的一个优选实施例。
在制造本发明的电极箔时，首先利用与通常技术中相同的方法，腐蚀铝箔，使其表面变得粗糙。然后，对该铝箔进行成形处理，在该铝箔的每一个粗糙表面上，形成作为电介质层的一个阻挡薄膜，这样，就生产出一块成形的铝箔。将所得出的该成形铝箔，切成电容器的电极箔所要求的预先确定的尺寸。
对该成形铝箔的切口进行成形处理(切断端成形)，以便在该切断端部分上，形成一个多孔的薄膜。该多孔薄膜是一个多孔的氧化物薄膜，其厚度大约为该阻挡薄膜厚度的5～100倍，最好是大约为20～100倍。
在本发明中，上述切断端成形，是通过将该成形铝箔切口，浸入含有诸如磷酸，草酸和硫酸一类的一种酸的电解溶液中，并利用构成该铝箔的金属铝芯的芯子部分作为阳极，将恒定的电流通入该电解质溶液中，这样进行的。
如图1所示，本发明的这样得出的电极箔10的结构是这样的：在包括金属铝芯的芯子部分1的表面上，形成大量的孔2；并且在每一个有效面积都被上述这些孔增大的该芯子部分的二个表面上，形成作为电介质层的阻挡薄膜3。在该切断端部分5上，形成一个多孔薄膜11。该薄膜是一层氧化物薄膜，它覆盖露出金属铝芯，和呈柱状的、由氧化物薄膜构成的氧化铝的表面。在每一个柱的中心都有一个孔。这样，该多孔薄膜11在该切断端部分5上形成一个厚的覆盖物。该多孔薄膜11的厚度tp为上述阻挡薄膜3的厚度tb的约5～100倍，最好为约20～100倍。
已经发现，通过进行上述的切断端成形，图3所示的尖峰部分6的部分，从上述电极箔10的切断端部分5上消失；并且，该切断端部分的尖峰形状变平滑了。这是因为，在进行本发明的切断端成形过程中，在该切断端部分5上，形成上述多孔薄膜11之前，至少该尖峰部分的一部分，在上述酸性电解溶液中被溶解了。
该多孔薄膜11，是通过利用该成形铝箔的铝芯部分1作为阳极，接通电流而形成的。因此，如果适当选择接通电流的条件，则可以只在露出该切断端部分5处的金属铝芯的部分上，有选择地形成该多孔薄膜，而不会损坏在该成形铝箔的有效表面上形成的上述阻挡薄膜3。结果，甚至当形成该多孔薄膜11时，用于电容器的该电极箔10的有效面积不会减小，或绝缘特性不会降低。
在该电极箔10中，上述切断端部分5的尖峰形状变平滑了；而且，在该切断端部分5上形成的该多孔薄膜11的厚度，与原来的阻挡薄膜厚度比较，大大的增加了。另外，该多孔薄膜11，对在该薄膜上形成的固体电解质层和导电层，有缓冲作用。因此，该电极箔10不但具有良好的绝缘特性，而且能很好地耐受机械应力或热应力的作用。由于这样，电容器可以防止由于该切断端部分5引起的耐电压或耐热性能的降低。
根据图2所示的电极箔15所表示的本发明的一个更为优选的实施例，在形成该多孔薄膜11以后，上述切断端部分5还要进行成形处理，以便在该多孔薄膜11的基底层上，形成一个阻挡薄膜(切断端阻挡薄膜)12。这种成形处理，(例如)可以通过将在其上形成该多孔薄膜11的上述电极箔10，浸入含有诸如己二酸、硼酸或磷酸一类的一种酸的电解溶液中；然后，利用上述铝芯部分1作为阳极，将恒定电流加在该电解溶液中，这样来进行。在进行这种阳极氧化时，上述电解溶液渗入该多孔薄膜11形成的、象晶体一样的柱的孔13中，在该多孔薄膜11的基底层上，形成一个切断端阻挡薄膜12。该切断端阻挡薄膜12的耐电压性能，基本上与上述阻挡薄膜3的耐电压性能相等。
在所得到的电极箔15中，该切断端部分5被双重覆盖：没有缺陷的密实而均匀的切断端阻挡薄膜12；以及1对该切断端阻挡薄膜起缓冲作用，并使该切断端阻挡薄膜厚度增加的多孔薄膜1。因此，该切断端阻挡薄膜所起的保护作用增强，并且其耐电压和耐热的性能明显改善。特别是在不使用电解溶液的固体电解质电容器的情况下，该切断端阻挡薄膜的保护作用增强是很重要的，因为该切断端阻挡薄膜几乎是不能够自行补修的。
在制造使用上述电极箔10或15的电容器时，只需重复该简单的阳极氧化过程，就可以使该切断端部分5的尖峰部分变得平滑，可以形成具有很好的缓冲作用和厚度大的多孔薄膜11；并且还可在该多孔薄膜的基底层上，形成很少有缺陷的、密实的、强度高和均匀的切断端阻挡薄膜12。因此，电容器的制成成本可以降低，并且，电容器的耐电压，耐热性能很好，抗冲击强度高，静电电容不会减小，可以满足减小尺寸的要求。
根据本发明的电极箔，可应用在固体电解质电容器中，并且可以按照众所周知的方法，形成固体电解质。最好是使用一种导电聚合物，并可以采用化学聚合或电解聚合方法。
最好，在化学聚合方法中，在通过浸入聚合物的单体溶液和氧化溶液中来制造聚合物的情况下，增加聚合物的耐热应力和耐机械应力。
另外，可以使用任何具有掺杂能力的化合物作为掺杂剂，例如：有机磺酸，无机磺酸，有机羧酸及它们的盐。特别是，作为可使电容器具有非常好的性质的一种化合物，可以使用在一个分子中具有一个或多个磺酸基(sulfonic acid group)和醌结构(quinone structure)的化合物，杂环磺酸(heterrocyclic sulfonic acid)，单蒽磺酸(anthracenemonosulfonic acid)及它们的盐。
下面将更详细地来描述本发明。
在制造本发明的电极箔时，首先要使该铝箔的表面变粗糙。使表面变粗糙的方法是人所共知的。特别是在制造用于低电压的小尺寸的固体电解质电容器的电极箔时，可以用交流方法，在包含氯离子(例如，盐酸或氯化铝)的电解溶液中，腐蚀例如宽度为500mm，厚度为100μm(微米)的一个轧制铝箔，在该铝箔的二个表面上，形成深度大约为35微米，平均孔径大约为0.2微米的许多孔，使该铝箔的有效面积增大大约100倍。
然后，利用较弱的酸性电解溶液，例如，己二酸(adipic acid)，硼酸(boricacid)或磷酸(phosphoric acid)，根据一种普通的方法，对该表面变粗糙的铝箔进行成形处理，在其被许多孔2增大的表面上，形成厚度大约为0.03微米的一阻挡薄膜3。再将该成形铝箔切成电极箔的预先确定的尺寸。
再对该成形铝箔的切口进行切断端成形处理。在本发明中，形成多孔薄膜11的切断端成形，是在如下条件下进行的：使得暴露金属铝芯的表面厚度大约为该阻挡薄膜3的厚度的5～100倍，最好为20～100倍。然而，形成该多孔薄膜11的成形条件并没有特别的限制；例如，利用恒定电流进行的该成形处理，可在包含从磷酸(phosphoric acid)、草酸(oxalic acid)和硫酸(sulfuric acid)中选择的至少一种酸的电解溶液中，利用该成形铝箔的芯子部分1作为阳极，在电解溶液浓度为0.1～30重量％，温度为0～80℃，电流密度为0.1～1000mA/cm2，和成形处理时间为100分钟或更少的条件下进行。最好，切断端成形处理的条件选择为：电解溶液浓度为1～20重量％，温度为20～50℃，电流密度为1～400mA/cm2，和成形处理时间为60分钟或更少。在这种条件下进行成形处理，可得出厚度大约为0.5微米至几微米的多孔薄膜11。
上述的成形处理条件，对工业方法而言是较好的。然而，只要在该成形铝箔表面上形成的阻挡薄膜3不破裂或质量不降低，可以自由选择各种不同的条件，例如：电解溶液的种类，电解溶液的浓度，温度，电流密度和成形处理时间。
多孔薄膜11的厚度，大约为在该成形铝箔表面上形成的该阻挡薄膜3的厚度的5～100倍。如果该多孔薄膜的厚度小于该阻挡薄膜厚度的5倍，则形成该多孔薄膜产生的效果表现不出来；而如果该多孔薄膜的厚度，超过该阻挡薄膜厚度的100倍，则上述效果也不会加强；相反，可能产生一些工业上不利的效果，因为很难选择不使在该成形铝箔上的阻挡薄膜破裂或质量降低的，形成厚的膜的条件。当选择多孔薄膜11的厚度为该阻挡薄膜3的厚度的大约20～100倍时，所得到的电极箔的耐电压和耐热性能明显改善。
为了在中等电压或高电压的铝电解质电容器的铝箔的有效表面上，形成耐电压性能很好的阻挡薄膜，可以方便地利用一个多孔薄膜作为一个中间装置，例如，参见未经审查而公布的日本专利申请Hei 1-184912号，和经过审查的日本专利申请Hei 3-65010号。然而，所有这二个专利中所述的电容器，都是液体电解质电容器；并且，由于所形成的多孔薄膜的孔13(见图2)，大部分都充满了氧化物，因此，该多孔薄膜不再是多孔的，不具有缓冲作用等。本发明的电极箔可使该多孔薄膜仍是多孔的，并具有缓冲作用。因此，从这一点来看，本发明的电极箔与通常方法制造的电极箔有很大的不同。
根据本发明的权利要求2，在形成该多孔薄膜11以后，该切断端部分5还要进行成形处理，以便在该多孔薄膜的基底层上，形成一个切断端阻挡薄膜12。然而，这种成形处理的条件没有特别的限制；例如，利用恒定电流进行的成形处理，可在包含从己二酸、硼酸和磷酸中选择的至少一种酸的电解溶液中，利用成型铝箔的芯子部分1作为阳极，在该电解溶液浓度为0.05～20重量％，温度为0～90℃，电流密度为0.1～2000mA/cm2，和成形处理时间为60分钟或更少的条件下进行。最好，这些条件选择为：电解溶液浓度为0.1～15重量％，温度为20～70℃，电流密度为1～1200mA/cm2，和成形处理时间为30分钟或更少。
上述的成形处理条件，对工业方法而言是较好的。然而，由于在该切断端部分5上，形成了其耐电压性能与在该电极箔的有效表面上形成的阻挡薄膜3的耐电压性能相等，或比后者还大的切断端阻挡薄膜12，因此，只要在该成形铝箔的表面上形成的该阻挡薄膜3不破裂，或质量不降低，则可以自由选择各种不同的条件，例如：电解溶液种类，电解溶液浓度，温度，电流密度，和成形处理时间。
在上述二种成形处理中的每种成形处理之前或之后，还可将该铝箔浸入磷酸中进行处理，以改善耐水性；或者，如果希望的话，还可对该铝箔进行热处理，或浸入沸水中进行处理以增强上述的阻挡薄膜。这些附带的处理，即上述的阻挡薄膜成形处理，和上述多孔薄膜的成形处理，可以单独地或组合地重复。
以上，虽然是针对低电压的固体电解质电容器来说明本发明的，但本发明也可应用于中等或高电压的固体电解质电容器。
例1
在32伏电压下，对利用交流腐蚀，使表面变得粗糙的铝箔，在己二酸铵的水溶液中，进行成形处理。将所得到的、供低电压电容器用的成形铝箔，切成3×7mm大小的尺寸。将这个成形铝箔试件的短侧边部分中的一个短侧边，与一个电极杆(一块金属板)焊接在一起；而在距离与该焊接部分相对的一端5mm处，在该铝箔的全周掩蔽宽度为0.6mm的绝缘树脂。在下列条件下，对掩蔽部分之下的其余三个侧边，进行成形处理，以形成一个多孔薄膜。
电解溶液：含有7.5重量％的草酸的水溶液。
温度：35℃
电压：32伏
电流密度：180mA/cm2
成形处理时间：13分钟。
然后，在350℃下，对该试件进行热处理30分钟，再在下列条件下，对该试件进行成形处理，以形成在该多孔薄膜基底层上的切断端阻挡薄膜。
电解溶液：含有10重量％的己二酸的水溶液。
温度：45℃
电压：32伏
电流密度：180mA/cm2
成形处理时间：10分钟。
所得出的电极箔表面，在清洗和干燥后，浸入3，4-乙撑二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)的浓度为1摩尔/升的异丙醇(isopropyl)溶液中，并干燥2分钟；然后再浸入45℃的氧化剂(过硫酸铵(ammonium persulfate)，浓度为1.8摩尔/升)和掺杂剂(4-吗啉丙烷磺酸钠(sodium 4-morpholinepropanesulfonate)；浓度为0.06摩尔/升)的混合水溶液中5分钟。通过重复这个过程25次，并清洗，就形成了一个导电的聚合物层。然后，再顺序地叠置碳浆和银浆，在该聚合物层上形成导电层。接着，将这个铝箔试件与上述电极杆分开、在施加银浆的部分叠置有四层、制作阴极、然后连接于一个引线框架上。其次，将没有上述导电聚合物层的部分，与该引线框架焊接，制成阳极。另外，将整个电容器元件用环氧树脂封闭起来，并在20伏电压和105℃的温度下，老化处理3小时，制成例1的电容器。
例2
除了将在该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间改为10分钟，而不是如例1中那样的13分钟以外，例2的电容器可以用与例1相同的方法制造。
例3
除了将在该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间，改为7分钟，而不是如例1那样的13分钟以外，例3的电容器可用与例1相同的方法制造。
例4
除了将在该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间，改为4分钟，而不是如例1那样的13分钟以外，例4的电容器，可用与例1相同的方法制造。
例5
除了将在该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间，改为2分钟，而不是如例1那样的13分钟以外，例5的电容器，可用与例1相同的方法制造。
例6
除了具有由交流腐蚀变粗糙的表面的铝箔，在23伏电压下，在己二酸铵(ammonium adipate)的水溶液中进行成形处理，和在该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间改为9分钟以外，例6的电容器可用与例1相同的方法制造。
例7
除了将在该多孔薄膜成形过程中的成形时间改为7分钟，而不是如例6中那样的9分钟以外，例7的电容器可用与例6相同的方法制造。
例8
除了将在该多孔薄膜成形处理过程中的成形时间改为4分钟，而不是如例6中那样的9分钟以外，例8的电容器可用与例6相同的方法制造。
例9
除了将该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间改为2分钟，而不是如例6中那样的9分钟以外，例9的电容器可用与例6相同的方法制造。
例10
除了将该多孔薄膜成形处理过程中的成形时间改为1分钟，而不是如例6那样的9分钟以外，例10的电容器可用与例6相同的方法制造。
例11
利用蒽醌-2-磺酸钠(sodium 4-morpholinepropanesulfonate)代替例1的掺杂剂中的4-吗啉丙烷磺酸钠(sodium anthraquinone-2-sulfonate)。此外，例11的电容器可用与例1相同的方法制造。
例12
利用N-甲基吡咯(N-methylpyrrole)代替例1中的3，4-乙撑二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)，和利用1-萘磺酸钠(sodium 1-naphthalenesulfonate)代替掺杂剂中的4-吗啉丙烷磺酸钠(sodium 4-morpholinepropanesulfonate)。此外，例12的电容器可用与例1相同的方法制造。
例13
利用异硫茚(isothianaphthene)代替例1中的3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ehylenedioxythiophene)，和利用氧化剂(2，3-二氯-5，6-双氰胺苯醌(2，3-dichloro-5，6-dicyanobenzoquinone)，浓度为1.8摩尔/升)二噁烷(dioxane)溶液和掺杂剂(蒽-1-磺酸钠(sodium anthracene-1-sulfonate)；浓度为0.06摩尔/升)的水溶液的混合物，代替氧化剂(过硫酸铵；溶度为1.8摩尔/升)和掺杂剂(4-吗啉丙烷磺酸钠(sodium 4-morpholinepropanesulfonate)，浓度为0.06摩尔/升)的混合水溶液。此外，例13的电容器可用与例1相同的方法制造。
例14
在23伏电压下，在己二酸铵溶液中，用交流腐蚀方法，形成表面变粗糙的铝箔，并且，在上述多孔薄膜成形过程中，成形时间为9分钟。此外，例14的电容器可用与例11相同的方法制造。
例15
在23伏电压下，在己二酸铵溶液中，用交流腐蚀，形成表面变粗糙的铝箔；并且，在上述多孔薄膜形成过程中，成形时间为9分钟。此外，例15的电容器可用与例12相同的方法制造。
例16
在23伏电压下，在己二酸铵溶液中，用交流腐蚀，形成表面变粗糙的铝箔；并且，在上述多孔薄膜形成过程中，成形时间为9分钟。此外，例16的电容器可用与例13相同的方法制造。
比较例1
除了省去多孔薄膜成形处理过程以外，比较例1的电容器，可用与例1相同的方法制造。
比较例2
除了将该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间改为20秒，而不是如例1中那样的13分钟，比较例2的电容器，可用与例1相同的方法制造。
比较例3
除了将该多孔薄膜成形处理过程中的成形处理时间，改为20分钟，而不是如例1那样的13分钟以外，比较例3的电容器可用与例1相同的方法制造。
所得出的每一个电容器都要测量该多孔薄膜的厚度(用扫描电子显微镜测量)，多孔薄膜厚度相对于阻挡薄膜厚度的倍数，耐电压性能的故障率，和回流焊故障率。
关于耐电压性能的故障率是这样决定的。取20个电容器，在85℃下，加上额定电压1.25倍的电压，将充电30秒和放电30秒的循环重复1000次以后，如果所有电容器的泄漏电流等于或大于0.04CV(μA)(CV(μA)为标称静电电容C(μF)和额定电压V(伏)的乘积)，则是次品。耐电压性能故障率用(故障数目/测试样件数目)表示。关于回流焊故障率是这样决定的。取30个电容器，在利用回流炉，在230℃下处理30秒以后，如果电容器的泄漏电流等于或大于0.04CV(μA)，则认为是次品。回流焊故障率用(次品数目/测试样件数目)表示。
测试结果如表1所示。
| 多孔薄膜厚度(μm) | 厚度倍数(倍) | 耐电压故障率 | 回流焊故障率 | |
| 实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5 | 3.92.92.01.20.6 | 9369482914 | 0/200/200/200/200/20 | 0/300/300/300/301/30 |
| 实施例6实施例7实施例8实施例9实施例10 | 2.71.91.20.70.3 | 9063402310 | 0/200/200/200/201/20 | 0/300/300/300/301/30 |
| 实施例11实施例12实施例13实施例14实施例15实施例16 | 3.83.63.22.52.42.1 | 908682888680 | 0/200/200/200/200/200/20 | 0/300/300/300/300/300/30 |
| 比较例1比较例2比较例3 | 0.00.16.0 | 02.5143 | 13/207/200/20 | 4/304/301/30 |
在例1～5，例11～13和比较例1～3中的任何一个例子中，在供低电压用的电容器所使用的成形铝箔表面上，形成阻挡薄膜的过程，是在32伏电压下进行的；而在例6～10和例14～16的任何一个例子中，在供低电用的电容器所使用的成形铝箔表面上，形成阻挡薄膜的过程，是在23伏电压下进行的。从表1中可以看出，在该多孔薄膜的厚度，为该阻挡薄膜厚度的大约5～100倍的例1～16中，与不形成该多孔薄膜的比较例1，或厚度倍数小于大约5倍的比较例2比较，在耐电压性能故障率和回流焊故障率方面，结果是非常好的。特别是在厚度倍数为大约20～100倍的例1～4和例6～9中，耐电压性能的故障率和回流焊故障率均为零；因此，与比较例1和2比较，可得到明显的效果。
在多孔薄膜成形处理时间很长的比较例3中，厚度倍数超过100倍。虽然，各个例子中的电容器性能没有什么差别，但比较例3中的薄膜形成条件不能在工业上应用，因为该条件下的成本与性能的平衡关系不好。
本发明的固体电解质电容器用的电极箔的结构是，在铝箔芯子切断端部分上，形成厚度为在该电极箔表面上形成的阻挡薄膜厚度的大约5～100倍的一个多孔薄膜。因此，利用一种简单而价廉的制造方法，可以不需要减小电极箔的有效面积，即可得到耐电压和耐热性能都明显改善的一种固体电解质电容器。这种固体电解质电容器，可以用作电气装置等的电容器。
Claims (4)
1.一种制造固体电解质电容器的电极箔的方法，包括：腐蚀一个铝箔，使铝箔表面变得粗糙；对该铝箔进行成形处理，在其每一个粗糙的表面上形成作为电介质层的一个阻挡薄膜；将该成形的铝箔切成预先确定的尺寸；和对成形铝箔的切口进行成形处理，以便在该铝箔的切断端部分上，形成一个多孔薄膜；该多孔薄膜为一个多孔的氧化物薄膜，其厚度大约为所述阻挡薄膜厚度的5～100倍。
2.如权利要求1所述的制造固体电解质电容器的电极箔的方法，其中，对所述形成的多孔薄膜进行进一步的成形处理，以便在该多孔薄膜的基底层上，形成一个切断端阻挡薄膜。
3.利用权利要求1或2所述的制造方法生产的固体电解质电容器的电极箔。
4.利用权利要求3所述的固体电解质电容器的电极箔制造的固体电解质电容器。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP161133/1998 | 1998-06-09 | ||
| JP16113398 | 1998-06-09 | ||
| US10700198P | 1998-11-04 | 1998-11-04 | |
| US60/107,001 | 1998-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1272948A true CN1272948A (zh) | 2000-11-08 |
| CN1142566C CN1142566C (zh) | 2004-03-17 |
Family
ID=26487380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB99800913XA Expired - Lifetime CN1142566C (zh) | 1998-06-09 | 1999-06-02 | 固体电解质电容器、电极箔及其制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6243256B1 (zh) |
| EP (1) | EP1028441A4 (zh) |
| KR (1) | KR100532686B1 (zh) |
| CN (1) | CN1142566C (zh) |
| AU (1) | AU4058299A (zh) |
| WO (1) | WO1999065043A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110366764A (zh) * | 2017-02-09 | 2019-10-22 | 日本轻金属株式会社 | 铝电解电容器用电极及其制造方法 |
| CN110517891A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-29 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种铝电解电容器制作方法及铝电解电容器 |
| CN110892497A (zh) * | 2017-07-10 | 2020-03-17 | 株式会社村田制作所 | 用于制造电容元件及其他装置的采用表面面积放大的基底 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063645A1 (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Showa Denko K.K. | Method for producing aluminum foil for capacitor and solid electrolytic capacitor |
| US6548324B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-04-15 | Kemet Electronics Corporation | Edge formation process without anodizing for aluminum solid electrolytic capacitor |
| US6562652B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-05-13 | Kemet Electronics Corporation | Edge formation process with anodizing for aluminum solid electrolytic capacitor |
| US6785123B2 (en) * | 2001-09-24 | 2004-08-31 | Intel Corporation | High surface area porous aluminum electrode in electrolytic capacitors using solid freeform fabrication |
| JP4608871B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2011-01-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 電気化学キャパシタ用電極及びその製造方法、並びに電気化学キャパシタ及びその製造方法 |
| JP4739982B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-08-03 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| WO2007001076A1 (en) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and production method thereof |
| JP2007258611A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Asahi Glass Co Ltd | 電気二重層キャパシタ用電極の製造方法及び該電極を用いた電気二重層キャパシタの製造方法 |
| KR100775023B1 (ko) * | 2006-08-02 | 2007-11-09 | 주식회사 디지털텍 | 적층형 고분자 콘덴서의 제조 방법 |
| WO2008132829A1 (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Fujitsu Limited | 電極箔及びその製造方法,並びに電解コンデンサ |
| JP4429346B2 (ja) | 2007-08-31 | 2010-03-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2009051295A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Young Joo Oh | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
| WO2009051296A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Young Joo Oh | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
| WO2009051297A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Young Joo Oh | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
| KR101012930B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2011-02-08 | 오영주 | 금속 커패시터 제조방법 |
| WO2009051294A1 (en) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Young Joo Oh | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
| JP4719823B2 (ja) | 2008-07-29 | 2011-07-06 | 昭和電工株式会社 | ニオブ固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2011049347A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US8305734B2 (en) * | 2010-10-19 | 2012-11-06 | Apaq Technology Co., Ltd. | Insulating encapsulation structure for solid chip electrolytic capacitor |
| JP6043133B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2016-12-14 | 日本軽金属株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極の製造方法 |
| KR102457061B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2022-10-19 | 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 | 전극박, 권회형 콘덴서, 전극박의 제조 방법, 및 권회형 콘덴서의 제조 방법 |
| JP1595451S (zh) * | 2017-06-20 | 2018-01-22 | ||
| WO2019167773A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔および電解コンデンサ、ならびに、それらの製造方法 |
| EP4318513A1 (en) * | 2022-08-04 | 2024-02-07 | ECPE Engineering Center for Power Electronics GmbH | Method for manufacturing a polymer electrolytic (pedot/pss) anodic capacitor |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812836B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1996-02-07 | 松下電器産業株式会社 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH01105525A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US4920457A (en) * | 1988-01-12 | 1990-04-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Aluminum electrolyte capacitor and method for the manufacture thereof |
| JPH01184912A (ja) | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔及びその製造方法 |
| JPH01232712A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Marcon Electron Co Ltd | 固定電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH02114506A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Hitachi Condenser Co Ltd | アルミ電解コンデンサの製造方法 |
| JP2744958B2 (ja) | 1989-07-31 | 1998-04-28 | 矢崎総業株式会社 | エアダクト回路体及びその製造方法 |
| JP2964345B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1999-10-18 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US5062025A (en) * | 1990-05-25 | 1991-10-29 | Iowa State University Research Foundation | Electrolytic capacitor and large surface area electrode element therefor |
| JP3139834B2 (ja) | 1992-06-24 | 2001-03-05 | 東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社 | 系統連系保護装置 |
| JPH0774055A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-03-17 | Elna Co Ltd | 電解コンデンサおよびそのタブ端子 |
| JP3534349B2 (ja) * | 1993-07-23 | 2004-06-07 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| JP3396265B2 (ja) * | 1993-08-04 | 2003-04-14 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| JP2536458B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ジスルホン酸化合物、それをド―パントとする導電性高分子、導電材およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
| US5968210A (en) * | 1997-11-12 | 1999-10-19 | Pacesetter, Inc. | Electrolytic capacitor and method of manufacture |
-
1999
- 1999-06-02 WO PCT/JP1999/002937 patent/WO1999065043A1/ja active IP Right Grant
- 1999-06-02 EP EP99923862A patent/EP1028441A4/en not_active Ceased
- 1999-06-02 KR KR10-2000-7001357A patent/KR100532686B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-02 AU AU40582/99A patent/AU4058299A/en not_active Abandoned
- 1999-06-02 CN CNB99800913XA patent/CN1142566C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-04 US US09/433,582 patent/US6243256B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110366764A (zh) * | 2017-02-09 | 2019-10-22 | 日本轻金属株式会社 | 铝电解电容器用电极及其制造方法 |
| CN110892497A (zh) * | 2017-07-10 | 2020-03-17 | 株式会社村田制作所 | 用于制造电容元件及其他装置的采用表面面积放大的基底 |
| CN110892497B (zh) * | 2017-07-10 | 2022-01-07 | 株式会社村田制作所 | 用于制造电容元件及其他装置的采用表面面积放大的基底 |
| CN110517891A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-11-29 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种铝电解电容器制作方法及铝电解电容器 |
| CN110517891B (zh) * | 2019-08-16 | 2021-12-03 | 东莞东阳光科研发有限公司 | 一种铝电解电容器制作方法及铝电解电容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6243256B1 (en) | 2001-06-05 |
| EP1028441A4 (en) | 2006-12-13 |
| KR100532686B1 (ko) | 2005-11-30 |
| AU4058299A (en) | 1999-12-30 |
| EP1028441A1 (en) | 2000-08-16 |
| KR20010022757A (ko) | 2001-03-26 |
| CN1142566C (zh) | 2004-03-17 |
| WO1999065043A1 (fr) | 1999-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1272948A (zh) | 固体电解质电容器的电极箔,电极箔的制造方法和固体电解质电容器 | |
| EP0336299B1 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same | |
| CN1310261C (zh) | 电解电容器及其制造方法 | |
| CN1210736C (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
| CN1158683C (zh) | 电解电容器 | |
| CN1530979A (zh) | 用于电解电容器的电解溶液及电解电容器 | |
| CN1297236A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
| CN1215216A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法和制造设备 | |
| CN102893350A (zh) | 固态电解电容器 | |
| CN1853245A (zh) | 用于电解电容器的工作电解液 | |
| JPWO2009113285A1 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| CN1539031A (zh) | 酸土金属的合金构成的金属箔和具备该金属箔的电容器 | |
| CN101065816A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
| CN1901113A (zh) | 固体片式铝电解电容器的导电高分子阴极材料的制备方法 | |
| CN108962606B (zh) | 一种高压固态铝电容器的阳极化成电解液及其化成方法 | |
| CN1990914A (zh) | 降低铝电解电容器阳极箔升压时间化成工艺 | |
| JP3411237B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び固体電解コンデンサ | |
| US20020125143A1 (en) | Method of aqueous anodizing aluminum substrates of solid capacitors | |
| CN1198298C (zh) | 电容器及其制造方法 | |
| CN1836297A (zh) | 片式固体电解电容器及其制造方法 | |
| CN1371108A (zh) | 固体电解电容器的制造方法及其制造装置 | |
| CN1860566A (zh) | 电容器的制备方法 | |
| JP2002536547A (ja) | 含浸性電解コンデンサー陽極を処理する方法 | |
| KR100765840B1 (ko) | 적층형 알루미늄 고체 전해 콘덴서 제조 방법 | |
| JP4198796B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: MURATA MANUFACTURING CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: SHOWA DENKO K. K. Effective date: 20100416 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: TOKYO, JAPAN TO: KYOTO PREFECTURE,JAPAN |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100416 Address after: Kyoto Japan Patentee after: Murata Manufacturing Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan, Japan Patentee before: Showa Denko K. K. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040317 |