CN119153370B - 等离子蚀刻装置及方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体制造技术领域，提供了一种等离子蚀刻装置及方法。该等离子蚀刻装置包括：工艺腔体；晶圆加热装置，当晶圆传送至工艺腔体内时，晶圆加热装置位于晶圆的上方；晶圆加热装置被配置为：在进行等离子蚀刻之前，对工艺腔体进行抽气时，晶圆加热装置对晶圆进行预加热，直至工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值。该等离子蚀刻装置能够有效缩短工艺周期，显著提升机台的整体产能。

Description

等离子蚀刻装置及方法

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种等离子蚀刻装置及方法。

背景技术

在半导体制造过程中，等离子蚀刻是一种广泛应用的工艺技术。该工艺通常通过将各种工艺气体（如C_xF_y、NF₃、O₂和Ar等）在射频激励作用下形成等离子体，使等离子体在工艺腔体内的电场作用下与晶圆表面发生物理轰击和化学反应，从而实现对晶圆表面材料的蚀刻和去除。在诸如干法去胶等工艺流程中，蚀刻过程的效率对设备产能和工艺效果有着重要影响。

然而，在传统的等离子蚀刻工艺中，晶圆通常在常温下传入工艺腔体中，放置于工艺腔体内的热台上后再开始进行加热。然而，由于晶圆温度的提升速度受限，达到工艺所需的温度往往需要较长时间，直接影响了设备的整体生产效率。这种方式导致机台产能降低，无法满足更高的产出需求，尤其在大规模半导体制造中更为明显。

需要说明的是，上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

基于此，本申请实施例提供了一种等离子蚀刻装置及方法，能够有效缩短工艺周期，显著提升机台的整体产能。

根据一些实施例，本申请提供了一种等离子蚀刻装置，包括：

工艺腔体；

晶圆加热装置，当所述晶圆传送至所述工艺腔体内时，所述晶圆加热装置位于所述晶圆的上方；

所述晶圆加热装置被配置为：在进行等离子蚀刻之前，对所述工艺腔体进行抽气时，所述晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热，直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值。

在一些实施例中，所述等离子蚀刻装置还包括：

匀气栅网，与所述工艺腔体相连，且当所述晶圆传送至所述工艺腔体内时，所述匀气栅网位于所述晶圆的上方；

所述晶圆加热装置至少部分地嵌入所述匀气栅网内。

在一些实施例中，所述晶圆加热装置包括加热灯泡。

在一些实施例中，所述等离子蚀刻装置还包括：用于放置晶圆的热台、晶圆顶针及晶圆顶针驱动机构；

所述热台与所述匀气栅网由下至上地依次设置于所述工艺腔体内，且所述热台与所述工艺腔体相连；

所述晶圆顶针设置于所述工艺腔体内，且设置于所述晶圆顶针驱动机构上；

至少部分的所述晶圆顶针驱动机构设置于所述工艺腔体内。

在一些实施例中，所述晶圆顶针被配置为：

在所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中，所述晶圆顶针的上表面高于所述热台的上表面。

在一些实施例中，所述热台开设有晶圆顶针孔，至少部分的所述晶圆顶针插设于所述晶圆顶针孔内。

根据一些实施例，本申请还提供了一种等离子蚀刻方法，包括如下步骤：

提供如上一些实施例中提供的等离子蚀刻装置；

将晶圆传送至工艺腔体内；

对所述工艺腔体进行抽气，并使用晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热，直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值；

进行等离子蚀刻。

在一些实施例中，使用所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中，所述晶圆的目标温度小于预设工艺温度。

在一些实施例中，使用所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中，所述晶圆的目标温度小于250℃。

根据一些实施例，本申请还提供了另一种等离子蚀刻方法，包括如下步骤：

提供如上一些实施例中提供的等离子蚀刻装置；

将晶圆传送至工艺腔体内，并将所述晶圆置于晶圆顶针上；

对所述工艺腔体进行抽气，并使用晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热，直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值；

晶圆顶针驱动机构驱动所述晶圆顶针向下移动，以将所述晶圆放置于所述热台上；

进行等离子蚀刻。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

本申请实施例可以/至少具有以下优点：

本申请通过在晶圆传送至工艺腔体后、进行等离子蚀刻之前，利用位于晶圆上方的晶圆加热装置对晶圆进行预加热。在工艺腔体抽气过程中，由于晶圆加热装置的使用，使得晶圆温度可以在达到预设气压值之前迅速升高至接近预设工艺温度。

本申请通过在工艺腔体抽气阶段对晶圆进行预加热，经过预加热的晶圆可直接进入等离子蚀刻工艺流程，无需额外的加热等待时间。因此，本申请能够有效缩短工艺周期，显著提升机台的整体产能。

由于晶圆在进入工艺阶段时已达到或接近目标温度，通过预加热处理减少了温度不均的情况，因此，本申请还有助于提升等离子蚀刻过程的稳定性和一致性，从而改善蚀刻效果，提升蚀刻精度。

并且，本申请提供的等离子蚀刻装置结构简单、操作便捷，在保持高产能的同时还有效提升了设备的利用率，使得制造成本得到有效控制，适用于大规模生产。

本申请的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本申请的实践中得到教导。本申请的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为本申请一些实施例提供的等离子蚀刻装置的结构示意图；

图2为本申请一些实施例提供的等离子蚀刻装置中，晶圆加热装置和匀气栅网的结构示意图；

图3为本申请一些实施例提供的等离子蚀刻方法的流程示意图；

图4为本申请另一些实施例提供的等离子蚀刻方法的流程示意图。

附图标记说明：

101、工艺腔体；102、晶圆加热装置；103、匀气栅网；103'、出气孔；104、热台；105、晶圆顶针；106、晶圆顶针驱动机构；107、等离子体源线圈介质窗；108、等离子体激发线圈；109、抽气匀气环；200、晶圆。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

空间关系术语例如“…下”、“…上”、“向上…”、“向下…”等，在这里可以用于描述图中所示的一个部件或特征与其它部件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“…下”的部件或特征将取向为在其它部件或特征“…上”。因此，示例性术语“…下”和“…上”均可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向（譬如，旋转90度或其它取向），并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

需要说明的是，当一个部件被认为是与另一个部件“相连”时，它可以是直接连接到另一个部件，或者通过居中部件连接另一个部件。此外，以下实施例中的“相连”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

本申请首先根据一些实施例，提供了一种等离子蚀刻装置。请参阅图1，该等离子蚀刻装置包括：工艺腔体101和晶圆加热装置102。

对于晶圆加热装置102，当晶圆200传送至工艺腔体101内时，晶圆加热装置102位于晶圆200的上方。在进行等离子蚀刻之前，对工艺腔体101进行抽气时，可以利用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热，直至工艺腔体101的内部气压值降低至预设气压值。

其中，预设气压值可以限制为几百帕甚至几个帕（Pa）以下。例如，预设气压值可以为5×10^-5Pa，当工艺腔体101的内部气压值降低至5×10^-5Pa及以下时，可视为工艺腔体101处于真空状态。

作为示例，请继续参阅图1，该等离子蚀刻装置还包括匀气栅网103。利用该匀气栅网103，等离子体能够被有效地引导至晶圆200，使其以高速冲击晶圆200的材料表面。这一过程促使等离子体与晶圆200材料表面的原子或分子发生物理和化学反应，从而实现精确的刻蚀效果。

具体地，如图1所示，匀气栅网103可以与工艺腔体101相连，当晶圆200传送至工艺腔体101内时，匀气栅网103应当位于晶圆200的上方。

为了确保刻蚀气体均匀地作用于晶圆200表面，如图2所示，可以在匀气栅网103上设置多个贯穿式的出气孔103'。当刻蚀气体充盈工艺腔体101后，可经由各出气孔103'扩散，均匀地作用于晶圆200表面，从而实现精确的刻蚀效果。

请继续参阅图2，在一些实施例中，晶圆加热装置102可以至少部分地嵌入匀气栅网103内。

上述实施例将晶圆加热装置102嵌入匀气栅网103内，使匀气栅网103在传输气流、帮助均匀分布刻蚀气体的同时，还能够帮助晶圆加热装置102对晶圆200进行更为均匀的预加热，有效避免了热量集中在晶圆200表面的特定区域，改善晶圆200表面温度分布的均匀性，从而进一步地提升蚀刻工艺的一致性以及蚀刻精度。

并且，将晶圆加热装置102嵌入匀气栅网103还减少了额外独立加热设备的使用，从而节省工艺腔体101内部空间，避免增加设备复杂性，有助于提升等离子蚀刻装置的结构紧凑性，降低制造成本，并简化维护过程。匀气栅网103和晶圆加热装置102合二为一的结构设计，简化了等离子蚀刻装置的整体布局和安装，便于设备的快速维护和部件替换，因此还有助于提升设备的使用可靠性以及运行效率。

本申请实施例对于晶圆加热装置102的实现方式并不做具体限定，只要能够实现对晶圆200进行预加热的功能即可。在一些实施例中，晶圆加热装置102包括加热灯泡。

例如，可以在匀气栅网103内嵌入多个加热灯泡，作为晶圆加热装置102。

加热灯泡能够在较短时间内迅速将晶圆200温度提升至目标温度，且能够提供较稳定且均匀的热量，因此尤为适用于在抽气过程中对晶圆200进行预加热，不仅可以有效缩短工艺准备时间，提高整体工艺效率，还能够保持晶圆200表面的温度均匀性，从而保证了后续工艺的稳定性和蚀刻质量的一致性。

并且，加热灯泡还具备成本低、易于采购和更换的优势，且加热灯泡的替换和维护都相对简便，从而使用加热灯泡作为晶圆加热装置102还有助于降低等离子蚀刻装置的运行维护成本。

请继续参阅图1，在一些实施例中，该等离子蚀刻装置还包括：用于放置晶圆200的热台104、晶圆顶针105及晶圆顶针驱动机构106。

其中，热台104与匀气栅网103由下至上地依次设置于工艺腔体101内，且热台104与工艺腔体101相连，可用于将晶圆200加热至预设工艺温度；晶圆顶针105设置于工艺腔体101内，且设置于晶圆顶针驱动机构106上；至少部分的晶圆顶针驱动机构106设置于工艺腔体101内。

考虑到在工艺腔体101抽气的过程中，腔体内气压迅速降低，可能导致晶圆200在热台104上滑动。在一些实施例中，在利用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热的过程中，晶圆顶针105的上表面高于热台104的上表面。如此，通过晶圆顶针105向上顶起晶圆200，可以避免由于抽气带来的气流扰动使晶圆200在热台104上发生滑动，从而保证晶圆200在预加热过程中的位置稳定性，确保工艺精度。

并且，在晶圆200被晶圆顶针105顶起的状态下，晶圆200与热台104的直接接触面积减少，热量主要通过晶圆加热装置102传递至晶圆200，从而提升加热效率。因此，通过晶圆顶针105向上顶起晶圆200还可以加快晶圆200达到目标温度的速度，缩短预热时间，从而进一步地提升工艺产能。

在一些实施例中，热台104可以开设有晶圆顶针孔。至少部分的晶圆顶针105插设于该晶圆顶针孔内。

本申请实施例对于等离子蚀刻装置中晶圆顶针105的数量并不做具体限定。作为示例，该等离子蚀刻装置包括3~6个晶圆顶针105，但并不以此为限。相应的，热台104上亦可以设置有对应数量的晶圆顶针孔。

示例性地，晶圆顶针驱动机构106包括气缸或电机等驱动件。

此外，作为示例，如图1所示，该等离子蚀刻装置还包括：等离子体源线圈介质窗107、等离子体激发线圈108和抽气匀气环109。

等离子体源线圈介质窗107的材料可以选用绝缘性质的非金属材料，例如陶瓷、石英等，但并不以此为限。在一些实施例中，如图1所示，工艺腔体101的上部可以设置有开口，等离子体源线圈介质窗107可以设置于工艺腔体101上部的开口处，并与工艺腔体101紧密连接。

等离子体激发线圈108可以用于产生等离子云团。在一些实施例中，如图1所示，等离子体激发线圈108可以设置于等离子体源线圈介质窗107的外侧。

如图1所示，抽气匀气环109分别与工艺腔体101和热台104相连，以实现刻蚀气体的抽吸和均匀分布。

本领域技术人员可以理解，图1和图2中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的示意图，并不构成对本申请方案所应用于其上的部件的限定，具体的等离子蚀刻装置可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

根据一些实施例，本申请还提供了一种等离子蚀刻方法。请结合图1、图2理解图3，该等离子蚀刻方法包括如下的步骤S110~S140。

S110：提供如上一些实施例中提供的等离子蚀刻装置。

S120：将晶圆200传送至工艺腔体101内。

S130：对工艺腔体101进行抽气，并使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热，直至工艺腔体101的内部气压值降低至预设气压值。

S140：进行等离子蚀刻。

上述等离子蚀刻方法通过在晶圆200传送至工艺腔体101内后、进行等离子蚀刻之前，在对工艺腔体101进行抽气的过程中，使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热，使得晶圆200温度可以在达到预设气压值之前迅速升高至接近目标温度。

上述等离子蚀刻方法通过在工艺腔体101抽气阶段对晶圆200进行预加热，经过预加热的晶圆200可直接执行步骤S140进行等离子蚀刻，无需额外的加热等待时间。因此，上述等离子蚀刻方法能够有效缩短工艺周期，显著提升机台的整体产能。

由于晶圆200在进入工艺阶段时已达到或接近目标温度，通过预加热处理减少了温度不均的情况，因此，上述等离子蚀刻方法还有助于提升等离子蚀刻过程的稳定性和一致性，从而改善蚀刻效果，提升蚀刻精度。

并且，上述等离子蚀刻方法步骤简单、操作便捷，在保持高产能的同时还有效提升了设备的利用率，使得制造成本得到有效控制，适用于大规模生产。

本申请实施例对于目标温度的大小并不做具体限定。在一些实施例中，使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热的过程中，晶圆200的目标温度小于预设工艺温度。

在上述实施例中，通过将预加热过程中晶圆200的目标温度设置为小于预设工艺温度，可以避免晶圆200表面在预加热阶段受到过多的热冲击，防止材料出现微裂纹、膨胀或其他热应力损害。

并且，将预加热过程中晶圆200的目标温度设置为低于预设工艺温度，可以在保证预热效果的前提下节省加热能量，减少设备的整体能耗，从而提升能效，降低生产成本。

考虑到在诸如干法去胶等工艺流程中，工艺所需的温度为250℃左右。在一些实施例中，使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热的过程中，晶圆200的目标温度小于250℃。

在上述实施例中，通过将预加热过程中晶圆200的目标温度限制在250℃以下，可以保护晶圆200中的温度敏感材料，例如薄膜层、掺杂层等，避免因高温引发的分解、变形或其它结构损伤。同时，将预加热过程中晶圆200的目标温度限制在250℃以下也有利于保护敏感的电路和金属互连层，确保晶圆200在加工前的结构完整性。

可以理解，晶圆200在加工过程中需要严格的温度控制，以保证各层薄膜和微结构的完整性。在预加热过程中，如果晶圆200温度超过目标温度，可能导致晶圆200表面出现过热现象，进而影响蚀刻或去胶的效果。例如，某些区域可能会发生过度蚀刻或反应速率增快，导致工艺结果的精度下降。

考虑到此，在一些实施例中，当晶圆200达到预设的目标温度时，晶圆加热装置102可自动停止加热，确保晶圆200在达到所需的目标温度后不再继续升温，避免晶圆200在预加热过程中出现过热现象，进而提升该等离子蚀刻方法的加工精度和生产良率。

根据一些实施例，本申请还提供了另一种等离子蚀刻方法。请结合图1、图2理解图4，该等离子蚀刻方法包括如下的步骤S210~S250。

S210：提供如上一些实施例中提供的等离子蚀刻装置。

S220：将晶圆200传送至工艺腔体101内，并将晶圆200置于晶圆顶针105上。

S230：对工艺腔体101进行抽气，并使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热，直至工艺腔体101的内部气压值降低至预设气压值。

S240：晶圆顶针驱动机构106驱动晶圆顶针105向下移动，以将晶圆200放置于热台104上。

S250：进行等离子蚀刻。

上述等离子蚀刻方法通过在晶圆200传送至工艺腔体101内后、进行等离子蚀刻之前，在对工艺腔体101进行抽气的过程中，使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热，使得晶圆200温度可以在达到预设气压值之前迅速升高至接近目标温度。

上述等离子蚀刻方法通过在工艺腔体101抽气阶段对晶圆200进行预加热，经过预加热的晶圆200可直接执行步骤S140进行等离子蚀刻，无需额外的加热等待时间。因此，上述等离子蚀刻方法能够有效缩短工艺周期，显著提升机台的整体产能。

由于晶圆200在进入工艺阶段时已达到或接近目标温度，通过预加热处理减少了温度不均的情况，因此，上述等离子蚀刻方法还有助于提升等离子蚀刻过程的稳定性和一致性，从而改善蚀刻效果，提升蚀刻精度。

并且，上述等离子蚀刻方法步骤简单、操作便捷，在保持高产能的同时还有效提升了设备的利用率，使得制造成本得到有效控制，适用于大规模生产。

在一些实施例中，在执行步骤S220~S230将晶圆200置于晶圆顶针105上，以及利用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热的过程中，可以使晶圆顶针105的上表面高于热台104的上表面。如此，通过晶圆顶针105向上顶起晶圆200，可以避免由于抽气带来的气流扰动使晶圆200在热台104上发生滑动，从而保证晶圆200在预加热过程中的位置稳定性，确保工艺精度。

并且，在晶圆200被晶圆顶针105顶起的状态下，晶圆200与热台104的直接接触面积减少，热量主要通过晶圆加热装置102传递至晶圆200，从而提升加热效率。因此，通过晶圆顶针105向上顶起晶圆200还可以加快晶圆200达到目标温度的速度，缩短预热时间，从而进一步地提升工艺产能。

以下结合图1至图4，对本申请一些可能的实施例进行描述和说明：

在等离子蚀刻装置开始加工时，工艺腔体101内部气压处于大气状态，工艺腔体101内没有晶圆200。此时，晶圆顶针驱动机构106带动晶圆顶针105向下移动，使晶圆顶针105的上表面低于热台104的上表面。

晶圆200由搬运机器人通过晶圆载具传送至工艺腔体101内，晶圆顶针驱动机构106带动晶圆顶针105向上移动，使晶圆顶针105顶起晶圆200。

对工艺腔体101进行抽气，工艺腔体101的内部气压由大气状态开始下降，同时晶圆加热装置102（例如加热灯泡）开始工作对晶圆200进行预加热，使用晶圆加热装置102对晶圆200进行预加热的过程中，控制晶圆200的目标温度小于预设工艺温度（例如250℃）。

直至工艺腔体101的内部气压值降低至预设气压值（例如工艺腔体101抽至真空），晶圆加热装置102停止工作，晶圆顶针驱动机构106带动晶圆顶针105向下移动，使晶圆200落在热台104上，开始进行等离子蚀刻，直至等离子蚀刻工艺结束，晶圆200被传送出工艺腔体101。

需要注意的是，本申请实施例中的等离子蚀刻装置均可用于实施对应的等离子蚀刻方法，故而方法实施例与装置实施例之间的技术特征，在不产生冲突的前提下可以相互替换及补充，以使得本领域技术人员能够获悉本申请的技术内容。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种等离子蚀刻装置，其特征在于，包括：

工艺腔体；

匀气栅网，与所述工艺腔体相连，且当晶圆传送至所述工艺腔体内时，所述匀气栅网位于所述晶圆的上方，所述匀气栅网上设置有多个贯穿式的出气孔；

晶圆加热装置，当所述晶圆传送至所述工艺腔体内时，所述晶圆加热装置位于所述晶圆的上方，且所述晶圆加热装置至少部分地嵌入所述匀气栅网内；

所述晶圆加热装置被配置为：在进行等离子蚀刻之前，对所述工艺腔体进行抽气时，所述晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热，直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值；

所述等离子蚀刻装置还包括：用于放置晶圆的热台、晶圆顶针及晶圆顶针驱动机构；

所述热台与所述匀气栅网由下至上地依次设置于所述工艺腔体内，且所述热台与所述工艺腔体相连；

所述晶圆顶针设置于所述工艺腔体内，且设置于所述晶圆顶针驱动机构上；所述晶圆顶针被配置为：在所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中，所述晶圆顶针的上表面高于所述热台的上表面；

至少部分的所述晶圆顶针驱动机构设置于所述工艺腔体内。

2.根据权利要求1所述的等离子蚀刻装置，其特征在于，所述晶圆加热装置包括加热灯泡。

3.一种等离子蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供如权利要求1或2所述的等离子蚀刻装置；

将晶圆传送至工艺腔体内；

对所述工艺腔体进行抽气，并使用晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热，直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值；

进行等离子蚀刻。

4.根据权利要求3所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，使用所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中，所述晶圆的目标温度小于预设工艺温度。

5.根据权利要求4所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，使用所述晶圆加热装置对所述晶圆进行所述预加热的过程中，所述晶圆的目标温度小于250℃。

6.一种等离子蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供如权利要求1或2中任一项所述的等离子蚀刻装置；

将晶圆传送至工艺腔体内，并将所述晶圆置于晶圆顶针上；

对所述工艺腔体进行抽气，并使用晶圆加热装置对所述晶圆进行预加热，直至所述工艺腔体的内部气压值降低至预设气压值；

晶圆顶针驱动机构驱动所述晶圆顶针向下移动，以将所述晶圆放置于所述热台上；

进行等离子蚀刻。