JPH1050684A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1050684A JPH1050684A JP20140396A JP20140396A JPH1050684A JP H1050684 A JPH1050684 A JP H1050684A JP 20140396 A JP20140396 A JP 20140396A JP 20140396 A JP20140396 A JP 20140396A JP H1050684 A JPH1050684 A JP H1050684A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ上に異物が発生するのを防止した、半
導体装置の製造方法の提供が望まれている。 【解決手段】 熱処理室１とこの熱処理室１内に配設さ
れた上下複数段のウエハ載置台２とを備えた枚葉式減圧
ＣＶＤ装置の、ウエハ載置台２のそれぞれの段にウエハ
Ｗを載置してこれらを加熱しつつ成膜処理する、半導体
装置の製造方法である。予め所望する熱処理温度に加熱
された熱処理室１に、ウエハＷを挿入した際、ウエハ載
置台２の少なくとも最下段を除く段に載置するウエハＷ
を、直ちに各段に載置することなく、ウエハＷの中心部
が熱処理室１内の温度近傍に上昇するまでウエハＷを熱
処理室１内に放置する。その後、ウエハＷをウエハ載置
台２の所定の段に載置し、成膜処理を行う。
導体装置の製造方法の提供が望まれている。 【解決手段】 熱処理室１とこの熱処理室１内に配設さ
れた上下複数段のウエハ載置台２とを備えた枚葉式減圧
ＣＶＤ装置の、ウエハ載置台２のそれぞれの段にウエハ
Ｗを載置してこれらを加熱しつつ成膜処理する、半導体
装置の製造方法である。予め所望する熱処理温度に加熱
された熱処理室１に、ウエハＷを挿入した際、ウエハ載
置台２の少なくとも最下段を除く段に載置するウエハＷ
を、直ちに各段に載置することなく、ウエハＷの中心部
が熱処理室１内の温度近傍に上昇するまでウエハＷを熱
処理室１内に放置する。その後、ウエハＷをウエハ載置
台２の所定の段に載置し、成膜処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式減圧ＣＶＤ
装置による成膜処理工程を有した半導体装置の製造方法
に係り、詳しくはウエハ上に異物が発生するのを防止し
た、半導体装置の製造方法に関する。
装置による成膜処理工程を有した半導体装置の製造方法
に係り、詳しくはウエハ上に異物が発生するのを防止し
た、半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造するにあたって
は、特にＳｉ3 Ｎ4 膜やポリシリコン膜などを形成する
場合、減圧ＣＶＤ装置がよく用いられている。減圧ＣＶ
Ｄ装置としては、現在のところ縦型のバッチ式ＣＶＤ装
置が主流である。しかし、将来的にウエハの大口径化が
見込まれ、また、開発期間の短縮のために短ＴＡＴ（tu
rn around time）化が必要となってきていることから、
縦型のバッチ式ＣＶＤ装置に代わって枚葉式のＣＶＤ装
置（例えば枚葉式減圧ＣＶＤ装置）が開発され、一部の
半導体デバイス開発ラインに導入されはじめている。
は、特にＳｉ3 Ｎ4 膜やポリシリコン膜などを形成する
場合、減圧ＣＶＤ装置がよく用いられている。減圧ＣＶ
Ｄ装置としては、現在のところ縦型のバッチ式ＣＶＤ装
置が主流である。しかし、将来的にウエハの大口径化が
見込まれ、また、開発期間の短縮のために短ＴＡＴ（tu
rn around time）化が必要となってきていることから、
縦型のバッチ式ＣＶＤ装置に代わって枚葉式のＣＶＤ装
置（例えば枚葉式減圧ＣＶＤ装置）が開発され、一部の
半導体デバイス開発ラインに導入されはじめている。
【０００３】枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、一般に加熱方式
によって分類され、抵抗加熱方式ホットウォール型のも
のと、ランプ加熱方式コールドウォール型のものとの２
種類に大別されている。これらのうち抵抗加熱方式ホッ
トウォール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、従来の縦型減
圧装置が抵抗加熱方式であるため、そのプロセス条件が
縦型減圧ＣＶＤ装置の場合の条件に近く、したがって従
来装置との置き換えが容易であり、しかも温度制御性に
も優れているという利点があることから、ランプ加熱方
式コールドウォール型のものに比べ有利であるとされて
いる。
によって分類され、抵抗加熱方式ホットウォール型のも
のと、ランプ加熱方式コールドウォール型のものとの２
種類に大別されている。これらのうち抵抗加熱方式ホッ
トウォール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、従来の縦型減
圧装置が抵抗加熱方式であるため、そのプロセス条件が
縦型減圧ＣＶＤ装置の場合の条件に近く、したがって従
来装置との置き換えが容易であり、しかも温度制御性に
も優れているという利点があることから、ランプ加熱方
式コールドウォール型のものに比べ有利であるとされて
いる。
【０００４】また、このような抵抗加熱方式ホットウォ
ール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置としては、高スループッ
トを得るため、２枚のシリコンウエハ（以下、ウエハと
略称する）を同時に処理することができるものも一部に
市販されている。図２（ａ）、（ｂ）は、このような２
枚のウエハを同時に処理することができる抵抗加熱方式
ホットウォール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置の、熱処理室
の一例を示す図であり、図２（ａ）、（ｂ）中符号１は
熱処理室である。
ール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置としては、高スループッ
トを得るため、２枚のシリコンウエハ（以下、ウエハと
略称する）を同時に処理することができるものも一部に
市販されている。図２（ａ）、（ｂ）は、このような２
枚のウエハを同時に処理することができる抵抗加熱方式
ホットウォール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置の、熱処理室
の一例を示す図であり、図２（ａ）、（ｂ）中符号１は
熱処理室である。
【０００５】この熱処理室１は、成膜処理を行うための
反応室となるもので、その上壁面と下壁面とに接して該
熱処理室の外部にヒータ（図示略）が設けられ、これに
より所望する成膜処理温度に調整可能に構成されたもの
である。また、この熱処理室１には、その内部にウエハ
載置台２が配設されている。このウエハ載置台２は、図
２（ａ）に示すように上段２ａと下段２ｂとからなるも
のであり、これら上段２ａ、下段２ｂは、それぞれ脚体
３と載置板４とからなるものである。上段２ａ、下段２
ｂの載置板４には、それぞれ図２（ｂ）に示すようにウ
エハＷより一回り大きい円形の開口部５が形成されてお
り、この開口部５を形成する周縁には、該開口部５内に
突出するピン６が四方に配設されている。これらピン６
…は、石英ボートによって形成されたもので、載置板４
の上面より下側に配設されたものであり、その先端部で
ウエハＷを支持するよう、互いに対向するピン６、６間
の間隔がウエハＷの径より狭くなるように形成されたも
のである。
反応室となるもので、その上壁面と下壁面とに接して該
熱処理室の外部にヒータ（図示略）が設けられ、これに
より所望する成膜処理温度に調整可能に構成されたもの
である。また、この熱処理室１には、その内部にウエハ
載置台２が配設されている。このウエハ載置台２は、図
２（ａ）に示すように上段２ａと下段２ｂとからなるも
のであり、これら上段２ａ、下段２ｂは、それぞれ脚体
３と載置板４とからなるものである。上段２ａ、下段２
ｂの載置板４には、それぞれ図２（ｂ）に示すようにウ
エハＷより一回り大きい円形の開口部５が形成されてお
り、この開口部５を形成する周縁には、該開口部５内に
突出するピン６が四方に配設されている。これらピン６
…は、石英ボートによって形成されたもので、載置板４
の上面より下側に配設されたものであり、その先端部で
ウエハＷを支持するよう、互いに対向するピン６、６間
の間隔がウエハＷの径より狭くなるように形成されたも
のである。
【０００６】このような構成の熱処理室１を有した減圧
ＣＶＤ装置により、ウエハＷを成膜処理するには、従
来、まず熱処理室１をヒータで加熱して成膜処理温度に
昇温しておく。そして、２枚のウエハＷをそれぞれ搬送
アーム（図示略）に載置して該搬送アームを熱処理室１
の収容口７に挿入し、高スループットを図るため直ちに
ウエハＷを、上段２ａのピン６…上、および下段２ｂの
ピン６…上にそれぞれ載置する。その後、ウエハＷが熱
処理室１内の温度、すなわち成膜処理温度にまで上昇し
たら、図示しない原料ガス導入管より熱処理室１内に原
料ガスを導入し、成膜処理を行う。
ＣＶＤ装置により、ウエハＷを成膜処理するには、従
来、まず熱処理室１をヒータで加熱して成膜処理温度に
昇温しておく。そして、２枚のウエハＷをそれぞれ搬送
アーム（図示略）に載置して該搬送アームを熱処理室１
の収容口７に挿入し、高スループットを図るため直ちに
ウエハＷを、上段２ａのピン６…上、および下段２ｂの
ピン６…上にそれぞれ載置する。その後、ウエハＷが熱
処理室１内の温度、すなわち成膜処理温度にまで上昇し
たら、図示しない原料ガス導入管より熱処理室１内に原
料ガスを導入し、成膜処理を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな成膜方法では、熱処理室内の温度が７００〜８５０
℃になると、下段２ｂに載置されたウエハＷの上面すな
わち成膜面に、多くの異物（パーティクル）が発生する
といった現象が見られ、このような異物の発生に起因し
て、歩留りが低下してしまうといった不都合があった。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、ウエハ上に異物が発生するのを防止した
半導体装置の製造方法を提供することにある。
うな成膜方法では、熱処理室内の温度が７００〜８５０
℃になると、下段２ｂに載置されたウエハＷの上面すな
わち成膜面に、多くの異物（パーティクル）が発生する
といった現象が見られ、このような異物の発生に起因し
て、歩留りが低下してしまうといった不都合があった。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、ウエハ上に異物が発生するのを防止した
半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく鋭意研究を重ねた結果、前述した異物の発生
現象は、ウエハを熱処理室に挿入しこれをウエハ載置台
の各段のピン上に載置した際、ウエハを支持する石英ボ
ートのピンとウエハとがこすれることによって起こると
の考えに到った。
達成すべく鋭意研究を重ねた結果、前述した異物の発生
現象は、ウエハを熱処理室に挿入しこれをウエハ載置台
の各段のピン上に載置した際、ウエハを支持する石英ボ
ートのピンとウエハとがこすれることによって起こると
の考えに到った。
【０００９】すなわち、ウエハは熱処理室に挿入されて
ウエハ載置台に載置されると、室温から急激に熱処理室
内の高温に曝されることにより、特にピンに接触する部
分などその周辺部が先に温度上昇して熱膨張し、これに
続いて徐々に中心部も熱膨張する。したがって、ウエハ
は周辺部と中心部との熱膨張の時間的ずれから、これに
起因して変形（反り）を生じることになり、この変形に
伴って石英ボートのピンとこれに接触するウエハの部分
とがこすれ、異物を発生する。そして、特にこの現象が
ウエハ載置台の上の段で起こると、図３に示すように発
生した異物Ｐが下の段に載置されたウエハＷの成膜面上
に落下し、前述したように成膜面に多くの異物（パーテ
ィクル）が発生するといった現象となってしまうのであ
る。
ウエハ載置台に載置されると、室温から急激に熱処理室
内の高温に曝されることにより、特にピンに接触する部
分などその周辺部が先に温度上昇して熱膨張し、これに
続いて徐々に中心部も熱膨張する。したがって、ウエハ
は周辺部と中心部との熱膨張の時間的ずれから、これに
起因して変形（反り）を生じることになり、この変形に
伴って石英ボートのピンとこれに接触するウエハの部分
とがこすれ、異物を発生する。そして、特にこの現象が
ウエハ載置台の上の段で起こると、図３に示すように発
生した異物Ｐが下の段に載置されたウエハＷの成膜面上
に落下し、前述したように成膜面に多くの異物（パーテ
ィクル）が発生するといった現象となってしまうのであ
る。
【００１０】そこで、本発明の半導体装置の製造方法で
は、このような現象を防止すべく、予め所望する熱処理
温度に加熱された熱処理室に、ウエハを挿入した際、ウ
エハ載置台の少なくとも最下段を除く段に載置するウエ
ハを、直ちに該段に載置することなく、該ウエハの中心
部が熱処理室内の温度近傍に上昇するまで該ウエハを熱
処理室内に放置し、その後、該ウエハをウエハ載置台の
所定の段に載置して成膜処理を行うようにした。
は、このような現象を防止すべく、予め所望する熱処理
温度に加熱された熱処理室に、ウエハを挿入した際、ウ
エハ載置台の少なくとも最下段を除く段に載置するウエ
ハを、直ちに該段に載置することなく、該ウエハの中心
部が熱処理室内の温度近傍に上昇するまで該ウエハを熱
処理室内に放置し、その後、該ウエハをウエハ載置台の
所定の段に載置して成膜処理を行うようにした。
【００１１】この製造方法によれば、搬送アーム等によ
って熱処理室にウエハを挿入した際、直ちにウエハをウ
エハ載置台の所定の段に載置することなく、該ウエハの
中心部が熱処理室内の温度近傍に上昇するまで該ウエハ
を熱処理室内に放置し、その後、該ウエハをウエハ載置
台の所定の段に載置するので、熱膨張に起因する変形が
搬送アーム等に保持されて熱処理室内に放置された状態
のときに起こり、ウエハ載置台に載置されるときにはそ
の変形がほとんどなくなることから、この変形に伴って
ウエハとウエハ載置台との間でこすれが起こることが防
止される。
って熱処理室にウエハを挿入した際、直ちにウエハをウ
エハ載置台の所定の段に載置することなく、該ウエハの
中心部が熱処理室内の温度近傍に上昇するまで該ウエハ
を熱処理室内に放置し、その後、該ウエハをウエハ載置
台の所定の段に載置するので、熱膨張に起因する変形が
搬送アーム等に保持されて熱処理室内に放置された状態
のときに起こり、ウエハ載置台に載置されるときにはそ
の変形がほとんどなくなることから、この変形に伴って
ウエハとウエハ載置台との間でこすれが起こることが防
止される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法を、Ｓｉ
3 Ｎ4 膜の形成に適用した場合の実施形態例に基づいて
詳しく説明する。本実施形態例が先に述べた従来の成膜
方法と異なるところは、ウエハを熱処理室１に挿入した
際、これを直ちにウエハ載置台１に載置することなく、
熱処理室１内に一時放置する点にある。すなわち、本実
施形態例では、枚葉式減圧ＣＶＤ装置でウエハＷを成膜
処理するにあたり、まず、従来と同様に熱処理室１をヒ
ータで加熱して成膜処理温度、この例では７５０℃に昇
温しておく。次に、上下に配置された二つの搬送アーム
にそれぞれウエハＷを保持させ、その状態で図１に示す
ように搬送アーム８、８を熱処理室１内に挿入する。
3 Ｎ4 膜の形成に適用した場合の実施形態例に基づいて
詳しく説明する。本実施形態例が先に述べた従来の成膜
方法と異なるところは、ウエハを熱処理室１に挿入した
際、これを直ちにウエハ載置台１に載置することなく、
熱処理室１内に一時放置する点にある。すなわち、本実
施形態例では、枚葉式減圧ＣＶＤ装置でウエハＷを成膜
処理するにあたり、まず、従来と同様に熱処理室１をヒ
ータで加熱して成膜処理温度、この例では７５０℃に昇
温しておく。次に、上下に配置された二つの搬送アーム
にそれぞれウエハＷを保持させ、その状態で図１に示す
ように搬送アーム８、８を熱処理室１内に挿入する。
【００１３】そして、この状態、すなわち搬送アーム
８、８にそれぞれ保持された状態のままでウエハＷ、Ｗ
を、予め設定した所定時間、すなわち、室温にあったウ
エハＷが、熱処理室１内に放置されることによってその
中心部の温度が熱処理室１内の温度（成膜処理温度）に
ほぼ一致するまでの時間、該ウエハを熱処理室内に放置
する。ここで、この放置時間については、予め実験等に
よって求めておくものとし、本実施形態例では２分間〜
４分間程度としている。
８、８にそれぞれ保持された状態のままでウエハＷ、Ｗ
を、予め設定した所定時間、すなわち、室温にあったウ
エハＷが、熱処理室１内に放置されることによってその
中心部の温度が熱処理室１内の温度（成膜処理温度）に
ほぼ一致するまでの時間、該ウエハを熱処理室内に放置
する。ここで、この放置時間については、予め実験等に
よって求めておくものとし、本実施形態例では２分間〜
４分間程度としている。
【００１４】このようにしてウエハＷ、Ｗを熱処理室１
内の温度（成膜処理温度）にほぼ一致させたら、搬送ア
ーム８、８を降下させ、ウエハＷ、Ｗをそれぞれ、ウエ
ハ載置台２における上段２ａ、下段２ｂのピン６…上に
載置する。そして、搬送アーム８、８を収容口７から引
き出した後、真空ポンプ（図示略）によって熱処理室１
内を６０Ｐａに減圧し、原料ガス導入管（図示略）より
熱処理室１内に原料ガス、この例ではＮＨ3 を２００sc
cmの流量で、またＳｉＨ2Ｃｌ2 を２０sccmの流量でそ
れぞれ導入し、成膜レート約３ｎｍ／ｍｉｎで成膜処理
を行う。
内の温度（成膜処理温度）にほぼ一致させたら、搬送ア
ーム８、８を降下させ、ウエハＷ、Ｗをそれぞれ、ウエ
ハ載置台２における上段２ａ、下段２ｂのピン６…上に
載置する。そして、搬送アーム８、８を収容口７から引
き出した後、真空ポンプ（図示略）によって熱処理室１
内を６０Ｐａに減圧し、原料ガス導入管（図示略）より
熱処理室１内に原料ガス、この例ではＮＨ3 を２００sc
cmの流量で、またＳｉＨ2Ｃｌ2 を２０sccmの流量でそ
れぞれ導入し、成膜レート約３ｎｍ／ｍｉｎで成膜処理
を行う。
【００１５】このようにして所望する膜厚のポリシリコ
ン膜を形成したら、真空ポンプによって熱処理室１内を
排気し、その後、熱処理室１内からウエハＷを取り出
す。取り出したウエハＷのポリシリコン膜を観察したと
ころ、異物（パーティクル）はほとんど見られず、した
がって異物の発生が抑えられたことが確認された。
ン膜を形成したら、真空ポンプによって熱処理室１内を
排気し、その後、熱処理室１内からウエハＷを取り出
す。取り出したウエハＷのポリシリコン膜を観察したと
ころ、異物（パーティクル）はほとんど見られず、した
がって異物の発生が抑えられたことが確認された。
【００１６】このような製造方法にあっては、搬送アー
ム８、８によって熱処理室１にウエハＷ、Ｗを挿入した
際、これらを直ちにウエハ載置台２の各段に載置するこ
となく、該ウエハＷ、Ｗの中心部が熱処理室内の温度に
ほぼ一致するまで熱処理室１内に放置するので、ウエハ
Ｗが、ウエハ載置台２に載置された状態で熱膨張に起因
して変形することを防止することができ、したがって、
この変形に伴ってウエハＷとウエハ載置台２のピン６…
との間でこすれが起こり、このこすれにより異物が発生
してこれが下段２ｂに載置されたウエハＷ上に落下し、
結果として、このウエハＷの成膜面上に多くの異物が発
生するといった現象を防止することができる。
ム８、８によって熱処理室１にウエハＷ、Ｗを挿入した
際、これらを直ちにウエハ載置台２の各段に載置するこ
となく、該ウエハＷ、Ｗの中心部が熱処理室内の温度に
ほぼ一致するまで熱処理室１内に放置するので、ウエハ
Ｗが、ウエハ載置台２に載置された状態で熱膨張に起因
して変形することを防止することができ、したがって、
この変形に伴ってウエハＷとウエハ載置台２のピン６…
との間でこすれが起こり、このこすれにより異物が発生
してこれが下段２ｂに載置されたウエハＷ上に落下し、
結果として、このウエハＷの成膜面上に多くの異物が発
生するといった現象を防止することができる。
【００１７】なお、前記実施形態例では、本発明をＳｉ
3 Ｎ4 膜の形成に適用した場合について説明したが、本
発明はこれに限定されることなく、例えば原料ガス種を
ＳｉＨ4 に変えるのことにより、ポリシリコンの成膜に
も適用することができるなど、減圧ＣＶＤにより成膜可
能なプロセスには全て適用することができる。また、前
記実施形態例では、上段２ａに載置するウエハＷだけで
なく、下段２ｂに載置するウエハＷについてもその温度
が熱処理室１内の温度に達するまで放置したが、下段２
ｂについては従来通りに直ちにウエハＷを載置し、上段
２ａに載置するウエハＷについてのみ放置を行うように
してもよい。さらに、前記実施形態例では、ウエハ載置
台として上段と下段とからなる二段のものを用いた例に
ついて述べたが、三段あるいはこれ以上のウエハ載置台
を用いてもよく、その場合には、少なくとも最下段を除
く段に載置するウエハを、熱処理室内に放置するように
すればよい。
3 Ｎ4 膜の形成に適用した場合について説明したが、本
発明はこれに限定されることなく、例えば原料ガス種を
ＳｉＨ4 に変えるのことにより、ポリシリコンの成膜に
も適用することができるなど、減圧ＣＶＤにより成膜可
能なプロセスには全て適用することができる。また、前
記実施形態例では、上段２ａに載置するウエハＷだけで
なく、下段２ｂに載置するウエハＷについてもその温度
が熱処理室１内の温度に達するまで放置したが、下段２
ｂについては従来通りに直ちにウエハＷを載置し、上段
２ａに載置するウエハＷについてのみ放置を行うように
してもよい。さらに、前記実施形態例では、ウエハ載置
台として上段と下段とからなる二段のものを用いた例に
ついて述べたが、三段あるいはこれ以上のウエハ載置台
を用いてもよく、その場合には、少なくとも最下段を除
く段に載置するウエハを、熱処理室内に放置するように
すればよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法は、搬送アーム等によって熱処理室にウエハ
を挿入した際、直ちにウエハをウエハ載置台の所定の段
に載置することなく、該ウエハの中心部が熱処理室内の
温度近傍に上昇するまで該ウエハを熱処理室内に放置
し、その後、該ウエハをウエハ載置台の所定の段に載置
するようにしたものであるから、ウエハが、ウエハ載置
台に載置された状態で熱膨張に起因して変形することを
防止することができ、したがって、この変形に伴ってウ
エハとウエハ載置台との間でこすれが起こり、このこす
れにより異物が発生してこれが下の段に載置されたウエ
ハ上に落下し、結果として、このウエハの成膜面上に多
くの異物が発生するといった現象を防止することができ
る。
の製造方法は、搬送アーム等によって熱処理室にウエハ
を挿入した際、直ちにウエハをウエハ載置台の所定の段
に載置することなく、該ウエハの中心部が熱処理室内の
温度近傍に上昇するまで該ウエハを熱処理室内に放置
し、その後、該ウエハをウエハ載置台の所定の段に載置
するようにしたものであるから、ウエハが、ウエハ載置
台に載置された状態で熱膨張に起因して変形することを
防止することができ、したがって、この変形に伴ってウ
エハとウエハ載置台との間でこすれが起こり、このこす
れにより異物が発生してこれが下の段に載置されたウエ
ハ上に落下し、結果として、このウエハの成膜面上に多
くの異物が発生するといった現象を防止することができ
る。
【図１】本発明の製造方法の一実施形態例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は本発明に係る熱処理室の概略
構成を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図
である。
構成を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図
である。
【図３】従来の課題を説明するための図である。
１ 熱処理室 ２ ウエハ載置台 ２ａ 上段
２ｂ 下段 ６ ピン ８ 搬送アーム Ｗ ウエハ
２ｂ 下段 ６ ピン ８ 搬送アーム Ｗ ウエハ
フロントページの続き (72)発明者 板谷 秀治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 熱処理室とこの熱処理室内に配設された
上下複数段のウエハ載置台とを備えた枚葉式減圧ＣＶＤ
装置の、前記ウエハ載置台のそれぞれの段にウエハを載
置してこれらを加熱しつつ成膜処理する工程、を有した
半導体装置の製造方法において、 予め所望する熱処理温度に加熱された熱処理室に、ウエ
ハを挿入した際、ウエハ載置台の少なくとも最下段を除
く段に載置するウエハを、直ちに該段に載置することな
く、該ウエハの中心部が熱処理室内の温度近傍に上昇す
るまで該ウエハを熱処理室内に放置し、その後、該ウエ
ハをウエハ載置台の所定の段に載置して成膜処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20140396A JPH1050684A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
| PCT/JP1997/002666 WO1998005061A1 (fr) | 1996-07-31 | 1997-07-31 | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| US09/043,989 US6306183B1 (en) | 1996-07-31 | 1997-07-31 | Method of forming manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20140396A JPH1050684A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050684A true JPH1050684A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16440518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20140396A Pending JPH1050684A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6306183B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1050684A (ja) |
| WO (1) | WO1998005061A1 (ja) |
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| US6521503B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-02-18 | Asm America, Inc. | High temperature drop-off of a substrate |
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| DE102021110305A1 (de) | 2021-04-22 | 2022-10-27 | Aixtron Se | CVD-Reaktor und Verfahren zu dessen Beladung |
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| JPS6381933A (ja) | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 枚葉式薄膜形成方法 |
| JPH0573936A (ja) | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Sony Corp | トラツキングエラーの検出方法およびその検出回路 |
| JPH0573936U (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | 国際電気株式会社 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
| US5516732A (en) * | 1992-12-04 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus |
| JPH07249672A (ja) | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板搬送方法 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20140396A patent/JPH1050684A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-31 WO PCT/JP1997/002666 patent/WO1998005061A1/ja active Application Filing
- 1997-07-31 US US09/043,989 patent/US6306183B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004313992A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Daiyanitorikkusu Kk | アクリロニトリル合成用触媒 |
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| JP2012245484A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Asahi Kasei Chemicals Corp | アンモ酸化用触媒、その製造方法及びアクリロニトリル又はメタクリロニトリルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1998005061A1 (fr) | 1998-02-05 |
| US6306183B1 (en) | 2001-10-23 |
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