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CN117712199A - 太阳能电池及光伏组件 - Google Patents

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CN117712199A
CN117712199A CN202211098150.1A CN202211098150A CN117712199A CN 117712199 A CN117712199 A CN 117712199A CN 202211098150 A CN202211098150 A CN 202211098150A CN 117712199 A CN117712199 A CN 117712199A
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CN
China
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substrate
pyramid structure
conductive layer
solar cell
doped conductive
Prior art date
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Pending
Application number
CN202211098150.1A
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English (en)
Inventor
毛杰
王钊
郑霈霆
杨洁
张昕宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Co Ltd
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Publication date
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Priority to AU2022246372A priority patent/AU2022246372B1/en
Priority to EP22199678.8A priority patent/EP4336571B1/en
Priority to US17/960,711 priority patent/US11923468B1/en
Priority to DE202023101201.9U priority patent/DE202023101201U1/de
Priority to NL2034426A priority patent/NL2034426B1/en
Priority to US18/466,805 priority patent/US12154993B2/en
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  • Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract

本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底正面的金属图案区域包括：第一金字塔结构与第二金字塔结构，第一金字塔结构的底部尺寸大于第二金字塔结构的底部尺寸，第一金字塔结构在金属图案区域的面积占比为第一占比；非金属图案区域包括：第三金字塔结构与第四金字塔结构，第三金字塔结构的底部尺寸大于第四金字塔结构的底部尺寸，第三金字塔结构在非金属图案区域的面积占比为第二占比，第一占比大于所述第二占比；位于金属图案区域的基底正面上且在沿背离所述基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层；位于基底背面且在沿背离基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层。

Description

太阳能电池及光伏组件
技术领域
本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
太阳能电池具有较好的光电转换能力，通常，在制备太阳能电池的过程中，需要首先在基底上进行制绒，使得基底正面以及基底背面具有绒面结构。绒面结构对基底吸收入射光线、后续在基底上沉积的膜层的均匀性以及与基底界面的接触性能具有重要的影响，进而还会影响太阳能电池的光线转换性能。
而目前的太阳能电池存在光电转换效率较低的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底；所述基底正面具有金属图案区域以及非金属图案区域，所述金属图案区域包括：第一金字塔结构与第二金字塔结构，所述第一金字塔结构的底部尺寸大于所述第二金字塔结构的底部尺寸，所述第一金字塔结构在金属图案区域对准的基底正面的面积占比为第一占比；所述非金属图案区域包括：第三金字塔结构与第四金字塔结构，所述第三金字塔结构的底部尺寸大于所述第四金字塔结构的底部尺寸，所述第三金字塔结构在非金属图案区域对准的基底正面的面积占比为第二占比，所述第一占比大于所述第二占比；位于与所述金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离所述基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层；位于所述基底背面且在沿背离所述基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层。
另外，所述第一金字塔结构在所述基底正面的面积占比大于所述第二金字塔结构在所述基底正面的面积占比。
另外，所述第一金字塔结构在所述基底正面的面积占比为80％～90％，所述第二金字塔结构在所述基底正面的面积占比为10％～20％。
另外，所述第一金字塔结构的底部一维尺寸为0.7μm～3μm，所述第二金字塔结构的底部一维尺寸小于1μm。
另外，所述第一隧穿层的厚度为0.5nm～5nm，所述第一掺杂导电层的厚度为20nm～300nm。
另外，所述第一掺杂导电层包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，所述第一掺杂元素在所述第一掺杂导电层中的激活率为40％～80％。
另外，所述激活的第一掺杂元素浓度为1×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3。
另外，所述第一金字塔结构顶部至底部的高度不小于所述第二金字塔结构顶部至底部的高度。
另外，所述第三金字塔结构在所述基底正面的面积占比大于所述第四金字塔结构在所述基底正面的面积占比。
另外，所述第三金字塔结构在所述基底正面的面积占比为50％～70％，所述第四金字塔结构在所述基底正面的面积占比为30％～50％。
另外，所述第三金字塔结构的底部一维尺寸为0.7μm～3μm，所述第四金字塔结构的底部一维尺寸小于1μm。
另外，所述非金属图案区域对准的基底正面的反射率为0.8％～2％。
另外，还包括：第一钝化层，所述第一钝化层的第一部分位于所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面，所述第一钝化层的第二部分位于所述非金属图案区域对准的正面。
另外，所述第一钝化层的第一部分与所述第一钝化层的第二部分不齐平。
另外，还包括：第一电极，所述第一电极设置于所述金属图案区域上，并与所述第一掺杂导电层电连接。
另外，还包括：扩散区，所述扩散区位于所述金属图案区域对准的所述基底中，所述扩散区的顶部与所述第一隧穿层接触，所述扩散区的掺杂元素浓度大于所述基底的掺杂元素浓度。
另外，所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型相同，所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型与所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同。
另外，所述基底为N型基底。
另外，所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层的材料包括碳化硅、非晶硅、微晶硅或多晶硅的至少一种。
相应地，本申请实施例还提供一种光伏组件，包括电池串，电池串由多个上述任一项所述的太阳能电池连接而成；封装层，封装层用于覆盖电池串的表面盖板，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的太阳能电池的技术方案中，尺寸较大的第一金字塔结构在金属图案区域中的面积占比为第一占比，尺寸较大的第三金字塔结构在非金属图案区域中的面积占比为第二占比，第一占比大于第二占比，也就是说，相较于非金属图案区域而言，金属图案区域中，尺寸较大的第一金字塔结构的面积占比更大，使得相较于非金属图案区域而言，金属图案区域中的纹理结构的尺寸均一度较高，且粗糙度更大。如此，在实际沉积第一隧穿层与第一掺杂导电层的步骤中，金属图案区域的不同位置处的沉积概率接近，提高沉积的第一隧穿层以及第一掺杂导电层的厚度均匀性，从而可以减小第一隧穿层与基底正面交界处的界面缺陷，提高基底中的载流子向第一掺杂导电层的迁移率。
另外，非金属图案区域中，尺寸较大的第三金字塔结构的占比较小，即非金属图案区域中，单位面积内的第三金字塔结构与第四金字塔结构的数量更多，而相邻的第三金字塔结构之间或者相邻的第三金字塔结构与第四金字塔结构之间会对入射光线产生漫反射效应，从而减小对入射光线的反射率，且非金属图案区域对准的基底表面未设置第一掺杂导电层，从而可以大大增加非金属图案区域对入射光线的吸收。不难发现，本申请实施例通过设置金属图案区域的大尺寸金字塔结构的占比大于非金属图案区域的大尺寸金字塔结构的占比，实现在提高载流子传输效率的同时，提高正面对入射光线的吸收利用率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖面结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中金属图案区域对准的基底正面的俯视结构SEM图；
图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中金属图案区域对准的基底正面的侧视结构SEM图；
图4为本申请一实施例提供的一种太阳能中非金属图案区域对准的基底正面的俯视结构SEM图；
图5为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中非金属图案区域对准的基底正面的侧视结构SEM图；
图6为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的剖面结构示意图；
图7为本申请另一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前的太阳能电池的光电转换效率较低的问题。
分析发现，导致目前的太阳能电池的光电转换效率较低的原因之一在于，第一，目前在基底的正面通常会采用扩散工艺将部分基底转化成发射极，发射极中具有与基底不同类型的掺杂离子，从而与基底形成PN结。然而，这种结构将会导致基底正面的金属图案区域的载流子复合过大，从而影响太阳能电池的开路电压和转换效率。第二，目前对于基底表面的绒面而言，通常会关注绒面中每一绒面结构的形貌，而较少关注整体绒面结构中的尺寸分布。实际上，整体绒面结构的尺寸分布将对基底表面膜层沉积的均匀性以及膜层与绒面之间的接合质量的好坏具有较大的影响，例如，当膜层与绒面之间的接合质量较差时，会使得膜层与基底表面的接触面不平整，从而会增加基底表面的界面缺陷，进而影响载流子的迁移率，导致太阳能电池的光电转换性能不佳。
本申请实施例提供一种太阳能电池，设置基底正面的金属图案区域中，尺寸较大的第一金字塔结构占比较大，使得金属图案区域中金字塔结构的尺寸均一度较高，使得相较于非金属图案区域而言，金属图案区域中的纹理结构的尺寸均一度较高。如此，在实际沉积第一隧穿层与第一掺杂导电层的步骤中，可以提高沉积的第一隧穿层以及第一掺杂导电层的厚度均匀性，减小第一隧穿层与基底正面交界处的界面缺陷，提高基底中的载流子向第一掺杂导电层的迁移率。此外，非金属图案区域中，尺寸较大的第三金字塔结构的占比较小，使得非金属图案区域中，单位面积内的第三金字塔结构与第四金字塔结构的数量较多，对入射光线的反射率较低，且非金属图案区域对准的基底表面未设置第一掺杂导电层，从而可以大大增加非金属图案区域对入射光线的吸收。本申请实施例中，基于第一隧穿层与第一掺杂导电层仅位于金属图案区域对准的基底正面这一结构，对金属图案区域中第一金字塔结构与第二金字塔结构的尺寸分布以及非金属图案区域中第三金字塔结构与第四金字塔结构的尺寸分布进行设计，实现在提高载流子迁移率的同时，增大基底对入射光线的利用率。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖面结构示意图。
参考图1，太阳能电池包括：基底100；基底100正面具有金属图案区域以及非金属图案区域，金属图案区域包括：第一金字塔结构11与第二金字塔结构12，第一金字塔结构11的底部尺寸大于第二金字塔结构12的底部尺寸，第一金字塔结构11在金属图案区域对准的基底100正面的面积占比为第一占比；非金属图案区域包括：第三金字塔结构13与第四金字塔结构14，第三金字塔结构13的底部尺寸大于第四金字塔结构14的底部尺寸，第三金字塔结构13在非金属图案区域对准的基底100正面的面积占比为第二占比，第一占比大于第二占比；位于与金属图案区域对准的基底100正面上且在沿背离基底100方向上依次设置的第一隧穿层110以及第一掺杂导电层120；位于基底100背面且在沿背离基底100方向上依次设置的第二隧穿层130以及第二掺杂导电层140。
本申请实施例中，基于第一隧穿层110与第一掺杂导电层120仅位于金属图案区域对准的基底100正面这一结构，对金属图案区域中第一金字塔结构11与第二金字塔结构12的尺寸分布以及非金属图案区域中第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的尺寸分布进行设计。其中，设置金属图案区域中，尺寸较大的第一金字塔结构11的面积占比较大，使得金属图案区域中的纹理结构的尺寸均一度较高，且粗糙度更大。如此，在实际沉积第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的步骤中，金属图案区域的不同位置处的沉积概率接近，提高沉积的第一隧穿层110以及第一掺杂导电层120的厚度均匀性，使得第一隧穿层110与基底100之间的接触界面较为平整，即第一隧穿层110与基底100之间的接触界面出现空洞的概率较小，从而可以减小第一隧穿层110与基底100正面交界处的界面缺陷，提高基底100中的载流子向第一掺杂导电层120的迁移率。此外，由于金属图案区域对准的基底100正面粗糙度较大，还可以增加第一隧穿层110与基底100正面的接触面积，从而为载流子提供更大的隧穿通道，进一步提高载流子的迁移率。
设置非金属图案区域中，尺寸较大的第三金字塔结构13的占比较小，如此，单位面积内的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的数量更多，从而可以增强对入射光线产生漫反射效应，减小对入射光线的反射率。且非金属图案区域对准的基底100表面未设置第一掺杂导电层120，避免了第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收，从而可以大大增加非金属图案区域对入射光线的吸收。如此，可以实现在提高载流子迁移率的同时，增大基底100对入射光线的利用率。
基底100用于接收入射光线并产生光生载流子，在一些实施例中，基底100可以为硅基底，硅基底的材料可以包括单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。在另一些实施例中，基底100的材料还可以为碳化硅、有机材料或多元化合物。多元化合物可以包括但不限于钙钛矿、砷化镓、碲化镉、铜铟硒等材料。
在一些实施例中，基底100内具有掺杂元素，掺杂元素类型为N型或者P型，N型元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等Ⅴ族元素，P型元素可以为硼(B)元素、铝(Al)元素、镓(Ga)元素或铟(In)元素等Ⅲ族元素。例如，当基底100为P型基底时，其内部掺杂元素类型为P型。或者，当基底100为N型基底时，其内部掺杂元素类型为N型。
基底100的正面和背面均可用于接收入射光线或反射光线。基底100正面的第一隧穿层110与第一掺杂导电层120用于构成基底100正面的钝化接触结构，基底100背面的第二隧穿层130与第二掺杂导电层140用于构成基底100背面的钝化接触结构，在基底100正面以及背面设置钝化接触结构，使得太阳能电池构成双面TOPCON(Tunnel Oxide PassivatedContact，隧穿氧化层钝化接触)电池。如此，使得位于基底100正面以及背面的钝化接触结构可以对基底100正面以及背面均起到降低载流子复合的作用，相较于仅在基底100的其中一个表面形成钝化接触结构而言，大大减小了太阳能电池的载流子损失，从而提高太阳能电池的开路电压以及短路电流。本申请实施例中，仅在金属图案区域对准的基底100正面设置第一隧穿层110与第一掺杂导电层120，从而可以减小第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收，提高非金属对准区域对入射光线的吸收利用率。
通过形成钝化接触结构，可以降低载流子在基底100表面的复合，从而增加太阳能电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。
第一隧穿层110与第二隧穿层130用于实现基底100表面的界面钝化，起到化学钝化的效果，具体通过饱和基底100表面的悬挂键，降低基底100表面的界面缺陷态密度，从而减少基底100表面的复合中心。第一隧穿层110与第二隧穿层130的存在可以使多数载流子隧穿通过基底100界面到达基底100中，实现载流子的选择性传输，具体地，多数载流子通过第一隧穿层110与基底100的接触界面以及第二隧穿层130与基底100的接触界面隧穿至基底100中。
本申请实施例中，设置金属图案区域中尺寸较大的第一金字塔结构11的面积占比大于非金属图案区域中尺寸较大的第三金字塔结构13的面积占比，从而使得金属图案区域的基底100正面的纹理结构粗糙度较大且均一性更高。这样设置，一方面可以提高实际沉积的第一隧穿层110的均匀性，从而提高第一隧穿层110与基底100之间的接触界面的平整度。另一方面，使得第一隧穿层110与基底100正面之间的接触面积，从而可以使得较多的载流子通过第一隧穿层110与基底100之间的接触界面隧穿至基底100中。如此，可以实现在保持非金属图案区域的基底100正面对入射光线的低反射率的同时，提高载流子的迁移率，从而大大提高太阳能电池的开路电压与短路电流，改善太阳能电池的光电转换性能。
在一些实施例中，第一金字塔结构11与第二金字塔结构12可以是四面体、近似四面体、五面体或者近似五面体等结构。
在一些实施例中，第一金字塔结构11在基底100正面的面积占比大于第二金字塔结构12在基底100正面的面积占比。也就是说，本申请实施例中，通过对金属图案区域对准的基底100正面中第一金字塔结构11与第二金字塔结构12的尺寸分布进行设计，使得在金属图案区域对准的基底100正面，尺寸较大的第一金字塔结构11占多数。由于第一金字塔结构11的尺寸较大，相较于设置尺寸较小的第二金字塔结构12的面积占比更大而言，相同的面积所需要的第一金字塔结构11的数量更少，因此，更容易实现尺寸的均一性。并且，设置第一金字塔结构11的数量较少，可以减小纹理结构对基底100正面的损伤，从而减小基底100正面的界面态缺陷，减小载流子复合中心的产生。也就是说，不仅相较于非金属图案区域而言，金属图案区域对准的基底100正面的纹理结构的尺寸均一性更大，还使得金属图案区域本身的纹理结构的尺寸均一性进一步增大，从而进一步提高第一隧穿层110与基底100的接触界面的平整度，且还使得第一隧穿层110与基底100正面的接触面积进一步增大，进而进一步减少基底100的界面态缺陷，提高载流子的迁移率。
在一些实施例中，第一金字塔结构11在基底100正面的面积占比为80％～90％，例如可以是80％～82％、82％～83％、83％～85％、85％～87％、87％～89％或者89％～90％；第二金字塔结构12在基底100正面的面积占比为10％～20％，例如可以是10％～12％、12％～14％、14％～15％、15％～17％、17％～19％或者19％～20％。也就是说，第一金字塔结构11在基底100正面的面积占比接近于1，从而可以实现金属图案区域对准的基底100正面的纹理结构尺寸的高度均一性，实现在实际沉积第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的步骤中，所沉积的第一隧穿层110以及第一掺杂导电层120较高的厚度均匀性，减小第一隧穿层110与基底100交界处的界面缺陷，减少界面处的载流子复合中心的产生。另外，在这个范围内，使得金属图案区域对准的基底100正面的粗糙度大大提高，进而使得第一隧穿层110与基底100正面的接触面积大大增加，实现在提升非金属图案区域对入射光线的利用率的同时，提高载流子的迁移率，改善太阳能电池的光电转换性能。
参考图2至图3，值得注意的是，在金属图案区域对准的基底100正面，第一金字塔结构11以及第二金字塔结构12的数量为多个，不同的第一金字塔结构11之间以及不同的第二金字塔结构12之间会存在微小的尺寸差异，但是每一第一金字塔结构11的整体尺寸大致接近，以及每一第二金字塔结构12的整体尺寸大致接近。本申请实施例中关于第一金字塔结构11、第二金字塔结构12、第三金字塔结构13以及第四金字塔结构14的尺寸为抽样区域内的平均尺寸。具体地，在一些实施例中，第一金字塔结构11的底部一维尺寸可以为0.7μm～3μm，例如可以为0.7μm～0.9μm、0.9μm～1μm、1μm～1.2μm、1.2μm～1.4μm、1.4μm～1.5μm、1.5μm～1.7μm、1.7μm～1.9μm、1.9μm～2μm、2μm～2.3μm、2.3μm～2.5μm、2.5μm～2.8μm或者2.8μm～3μm；第二金字塔结构12的底部一维尺寸可以小于1μm，例如可以是0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或者1μm。在这个范围内，不仅可以增加金属图案区域对准的基底100正面的粗糙度，还可以在保持第一金字塔结构11的面积占比不变的情况下，减少第一金字塔结构11的数量，从而可以减小不同第一金字塔结构11之间的微小尺寸差异带来的尺寸不均问题。另一方面，设置第二金字塔结构12的尺寸较小，使得在金属图案区域中，第二金字塔结构12所在的基底100正面的粗糙度较小，从而使得沉积于该部分基底100正面的第一掺杂导电层120的表面粗糙度较小，进而使得该部分的第一掺杂导电层120表面对入射光线具有较强的反射效果，有利于减小第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收。也就是说，在金属图案区域对准的基底100正面对尺寸较大的第一金字塔结构11以及尺寸较小的第二金字塔结构12进行尺寸分布设计，使得在实现提高载流子迁移率的同时，减小第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收。
可以理解的是，这里的第一金字塔结构11的底部一维尺寸大于第二金字塔结构12的底部一维尺寸是指，在沿同一方向上，第一金字塔结构11的底部一维尺寸大于第二金字塔结构12的底部一维尺寸。第三金字塔结构13的底部一维尺寸大于第四金字塔结构14的底部一维尺寸是指，在沿同一方向上，第三金字塔结构13的底部一维尺寸大于第四金字塔结构14的底部一维尺寸。
在一些实施例中，第一金字塔结构11顶部至底部的高度不小于第二金字塔结构12顶部至底部的高度。具体地，在一些实施例中，第一金字塔结构11顶部至底部的高度大于第二金字塔结构12顶部至底部的高度，如此，使得第一金字塔结构11所在的基底100正面的凹凸程度大于第二金字塔结构12所在的基底100正面的凹凸程度，从而使得第一金字塔结构11所在的基底100正面的比表面积较大，进一步增大第一隧穿层110与基底100正面的接触面积，提高载流子的迁移率。同时，设置第二金字塔结构12所在的基底100正面的凹凸程度较小，还可以使得与第二金字塔结构12正对的第一掺杂导电层120表面对入射光线的反射率较高，从而进一步减小第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收。
具体地，在一些实施例中，第一金字塔结构11的顶部至底部的高度尺寸可以为0.5μm～3.2μm，0.5μm～0.7μm、0.7μm～0.8μm、0.8μm～1μm、1μm～1.2μm、1.5μm～1.7μm、1.7μm～1.9μm、1.9μm～2μm、2μm～2.2μm、2.2μm～2.4μm、2.4μm～2.6μm、2.6μm～2.9μm或者2.9μm～3.2μm；第二金字塔结构12的顶部至底部的高度尺寸可以不大于1.2μm。例如可以为0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm或者1.2μm。
第一掺杂导电层120以及第二掺杂导电层140用于起到场钝化作用，使少数载流子逃离界面，从而降低少数载流子浓度，使得基底100界面处的载流子复合速率较低，从而使太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子较大，改善太阳能电池的光电转换性能。
可以理解的是，在实际形成第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的过程中，第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的厚度越小，第一隧穿层110顶面的形貌与第一掺杂导电层120顶面的形貌将越接近于基底100正面的第一金字塔结构11以及第二金字塔结构12的形貌。反之，随着第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的厚度越大，第一隧穿层110顶面的形貌与第一掺杂导电层120顶面的形貌将与基底100正面的第一金字塔结构11与第二金字塔结构12的形貌相差越大，且第一隧穿层110顶面与第一掺杂导电层120顶面的粗糙程度将越小。基于此，在一些实施例中，设置第一隧穿层110的厚度为0.5nm～5nm，例如可以为0.5nm～1nm、1nm～1.5nm、1.5nm～2nm、2nm～2.5nm、2.5nm～3nm、3nm～3.5nm、3.5nm～4nm、4nm～4.5nm或者4.5nm～5nm；第一掺杂导电层120的厚度为20nm～300nm，例如可以为20nm～50nm、50nm～nm、nm～150nm、150nm～200nm、200nm～250nm或者250nm～30nm。在这个范围内，使得第一隧穿层110以及第一掺杂导电层120的厚度较大，从而使得第一掺杂导电层120顶面的粗糙度较小，使得第一掺杂导电层120对入射光线的反射程度较大，如此，一方面可以减小第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收，另一方面，从第一掺杂导电层120顶面反射出去的入射光线可以通过周围环境被衍射至非金属图案区域对准的基底100正面，再次被吸收利用，提高入射光线的二次利用率。另一方面，在这个范围内，第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的厚度也不至于过大，从而可以防止发生由于第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的厚度过大造成对基底100正面的应力过大从而造成对基底100正面的机械损伤的问题，减小基底100正面的界面态缺陷。
此外，设置第一隧穿层110的厚度在这个范围内，可以使得第一隧穿层110的厚度与第一金字塔结构11以及第二金字塔结构12的尺寸相匹配，从而使得在实际沉积第一隧穿层110的步骤中，当沉积的第一隧穿层110达到该厚度范围内时，第一隧穿层110与基底100正面的接触界面较为平整，减小基底100界面的缺陷，进而增加载流子的迁移率。
可以理解的是，在实际对第一掺杂导电层120进行掺杂时，是通过扩散工艺将掺杂元素扩散至第一掺杂导电层120中，当第一掺杂导电层120的厚度越大时，掺杂元素的扩散路径越长，而当第一掺杂导电层120的厚度越小时，掺杂元素的扩散路径越短。当掺杂元素的扩散路径过短时，掺杂元素可能会堆积在基底100界面处，这些堆积在基底100界面处的掺杂元素在实际退火过程中不容易被激活，从而产生“死层”，“死层”的存在将会影响基底100中的载流子向第一掺杂导电层120中传输的数量以及速率，从而对太阳能电池的光电转换性能产生影响。
由上述分析可知，第一掺杂导电层120中第一掺杂元素的激活率与第一掺杂导电层120的厚度相关。基于此，在一些实施例中，当第一掺杂导电层120的厚度为20nm～300nm时，设置第一掺杂导电层120包括第一掺杂元素，第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，第一掺杂元素在第一掺杂导电层120中的激活率为40％～80％，例如可以为40％～50％、50％～55％、55％～65％、65％～70％或者70％～80％。在这个范围内，可以使得第一掺杂元素的激活率与第一掺杂导电层120的厚度相匹配，防止过多的第一掺杂元素在基底100界面处堆积而形成“死层”。
在一些实施例中，激活的第一掺杂元素浓度为1×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3，例如可以为1×1020atom/cm3～2×1020atom/cm3、2×1020atom/cm3～3×1020atom/cm3、3×1020atom/cm3～4×1020atom/cm3、4×1020atom/cm3～5×1020atom/cm3或者5×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3。在这个范围内，一方面使得第一掺杂元素的浓度不至于过大，从而使得在实际向第一掺杂导电层120注入的总的第一掺杂元素的浓度不至于过高，如此，可以进一步防止第一掺杂元素在基底100界面处堆积较多的问题。另一方面，在这个范围内，第一掺杂元素的浓度也不至于过小，有利于保持第一掺杂导电层120较低的方阻，改善第一掺杂导电层120与金属电极之间的欧姆接触，减小金属接触复合损失，提高金属电极对载流子的收集能力。
相较于金属图案区域而言，非金属图案区域中，尺寸较大的第三金字塔结构13的面积占比较小，如此，单位面积内的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的数量更多，而当入射光线照射至相邻的第三金字塔结构13之间、相邻的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14或者相邻的第四金字塔结构14之间时，会被第三金字塔结构13的侧面或者第四金字塔结构14的侧面多次反射，最终照射至基底100内，即可以增强对入射光线产生漫反射效应，从而减小对入射光线的反射率。且非金属图案区域对准的基底100表面未设置第一掺杂导电层120，从而可以大大增加非金属图案区域对入射光线的吸收。如此，可以实现在提高载流子迁移率的同时，增大基底100对入射光线的利用率。
在一些实施例中，第三金字塔结构13与第四金字塔结构14可以是四面体、近似四面体、五面体或者近似五面体等结构。
在一些实施例中，第三金字塔结构13在基底100正面的面积占比大于第四金字塔结构14在基底100正面的面积占比。也就是说，本申请实施例中，通过对非金属图案区域对准的基底100正面中的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的尺寸分布进行设计，使得在非金属图案区域对准的基底100正面，尺寸较大的第三金字塔结构13占多数。如此，相较于尺寸较小的第四金字塔结构14占多数而言，使得非金属图案区域对准的基底100正面中，单位面积内的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的数量更少，从而可以减小第三金字塔结构13与第四金字塔结构14对基底100正面造成的损伤，进而减小非金属图案区域对准的基底100正面的界面态缺陷。不难发现，由于非金属图案区域未设置第一隧穿层110与第一掺杂导电层120，使得对非金属图案区域对准的基底100正面的钝化能力较弱。因此，减小非金属图案区域对准的基底100正面的界面态缺陷，从而减小非金属图案区域对准的基底100正面的载流子复合对保证非金属图案区域的基底100正面的钝化性能具有重要的作用，可以实现在减小对入射光线的反射的同时，保证非金属图案区域的基底100正面的载流子复合不过于严重，从而有利于提升太阳能电池的整体的光电转换性能。
在一些实施例中，第三金字塔结构13在基底100正面的面积占比为50％～70％，例如可以是50％～55％、55％～60％、60％～65％或者65％～70％；第四金字塔结构14在基底100正面的面积占比为30％～50％，例如可以是30％～35％、35％～40％、40％～45％或者45％～50％。在这个范围内，不仅能使得第三金字塔结构13的面积占比相较于第四金字塔结构14的占比较大，从而可以防止单位面积内的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的数量过多而造成对非金属图案区域的基底100正面产生较大的损伤而造成非金属图案区域的基底100正面的缺陷过多的问题，保持非金属图案区域的基底100正面的载流子复合较少。此外，还使得第三金字塔结构13的面积占比相较于第四金字塔结构14的占比不至于过大，从而保证非金属图案区域对准的基底100正面上，单位面积内的第三金字塔结构13的数量与第四金字塔结构14的数量较多，有利于增强对入射光线产生漫反射效应，从而减小非金属区域对入射光线的反射率。
值得注意的是，在非金属图案区域对准的基底100正面，第三金字塔结构13以及第四参考图4以及图5，金字塔结构14的数量为多个，不同的第三金字塔结构13之间以及不同的第四金字塔结构14之间会存在微小的尺寸差异，但是每一第三金字塔结构13的整体尺寸大致接近，以及每一第四金字塔结构14的整体尺寸大致接近。具体地，在一些实施例中，第三金字塔结构13的底部一维尺寸为0.7μm～3μm，例如可以为0.7μm～0.9μm、0.9μm～1μm、1μm～1.2μm、1.2μm～1.4μm、1.4μm～1.5μm、1.5μm～1.7μm、1.7μm～1.9μm、1.9μm～2μm、2μm～2.3μm、2.3μm～2.5μm、2.5μm～2.8μm或者2.8μm～3μm；第四金字塔结构14的底部一维尺寸小于1μm，例如可以是0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或者1μm。
不难发现，第一金字塔结构11的尺寸与第三金字塔结构13的尺寸相近，且第二金字塔结构12的尺寸与第四金字塔结构14的尺寸接近。也就是说，本申请实施例中，仅仅是对金属图案区域中的第一金字塔结构11、第二金字塔结构12以及非金属图案区域中第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的尺寸分布进行设计，使得金属图案区域中的尺寸较大的第一金字塔结构11的占比较大，而非金属图案区域中尺寸较大的第三金字塔结构13的占比较小，从而可以实现提升双面TOPCON电池的载流子迁移率的同时，提高对入射光线的吸收利用率。
本申请实施例不对第一金字塔结构11与第三金字塔结构13以及第二金字塔结构12与第四金字塔结构14的具体大小关系进行限定，是因为，设置第一金字塔结构11的底部一维尺寸以及第三金字塔结构13的底部一维尺寸在0.7μm～3μm范围内，以及设置第二金字塔结构12的底部一维尺寸以及第四金字塔结构14的底部一维尺寸小于1μm时，可以减小第一金字塔结构11、第二金字塔结构12、第三金字塔结构13以及第四金字塔结构14对基底100正面的损伤，减小整体基底100正面的缺陷态密度，有利于保持基底100界面较低的载流子复合率。
在一些实施例中，第三金字塔结构13的顶部至底部的高度尺寸可以为0.5μm～3.2μm，0.5μm～0.7μm、0.7μm～0.8μm、0.8μm～1μm、1μm～1.2μm、1.5μm～1.7μm、1.7μm～1.9μm、1.9μm～2μm、2μm～2.2μm、2.2μm～2.4μm、2.4μm～2.6μm、2.6μm～2.9μm或者2.9μm～3.2μm；第四金字塔结构14的顶部至底部的高度尺寸可以不大于1.2μm。例如可以为0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm或者1.2μm。
在一些实施例中，非金属图案区域对准的基底100正面的反射率为0.8％～2％，例如可以为0.8％～0.9％、0.9％～1％、1％～1.2％、1.2％～1.4％、1.4％～1.6％、1.6％～1.8％或者1.8％～2％。在这个范围内，使得非金属图案区域对准的基底100正面的反射率较低，有利于增强非金属图案区域的基底100对入射光线的利用率，从而提升载流子数量，提高短路电流以及开路电压，增大太阳能电池的光电转换性能。
在一些实施例中，还包括：第一钝化层150，第一钝化层150的第一部分位于第一掺杂导电层120远离基底100的表面，第一钝化层150的第二部分位于非金属图案区域对准的正面。第一钝化层150可以对基底100的正面起到良好的钝化效果，例如可以对基底100正面的悬挂键进行较好的化学钝化，降低基底100正面的缺陷态密度，较好地抑制基底100正面的载流子复合。第一部分的第一钝化层150直接与基底100正面接触，使得第一部分的第一钝化层150与基底100之间不具有第一隧穿层110以及第一掺杂导电层120，如此，可以减小第一掺杂导电层120对入射光线的寄生吸收问题。
在一些实施例中，第一钝化层150的第一部分与第一钝化层150的第二部分不齐平。具体地，第一钝化层150的第一部分顶面可以低于第一钝化层150的第二部分顶面，如此，使得位于基底100正面的第一部分的厚度不至于过厚，防止由于第一部分的厚度较大而导致对基底100正面产生应力损伤，从而使得基底100正面产生较多界面态缺陷而导致产生较多载流子复合中心的问题。并且，相较于金属图案区域而言，非金属图案区域对准的基底100正面中，尺寸较大的第三金字塔结构13的面积占比较小，使得非金属图案区域对准的基底100正面的凹凸程度不至于过大。如此，在实际沉积第一钝化层150的步骤中，第一钝化层150表面的凹凸程度也不至于过大，可以提高第一钝化层150的平整度，从而提升第一钝化层150的钝化性能。
在一些实施例中，第一钝化层150可以是单层结构，在另一些实施例中，第一钝化层150也可以是多层结构。在一些实施例中，第一钝化层150的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，基底100的背面具有平台凸起结构15，平台凸起结构15的底部一维尺寸大于第一金字塔底部的一维尺寸以及大于第三金字塔结构13底部的一维尺寸，且平台凸起结构15的高度尺寸小于第一金字塔结构11的高度尺寸以及小于第三金字塔结构13的高度尺寸。具体地，平台凸起结构15为金字塔结构的塔基部分。
也就是说，位于基底100正面的金字塔结构的凹凸程度大于位于基底100背面的平台凸起结构15的凹凸程度，如此，使得基底100正面的粗糙度大于基底100背面的粗糙度。使得在一些实施例中，由于基底100正面接收到的入射光线较多，为了增强基底100正面对入射光线的吸收能力，设置基底100的正面具有金字塔结构，金字塔结构具有较大的比表面积，因此可以增强基底100正面入射光线的漫反射效应，从而使得基底100正面对入射光线的利用率较大。而由于基底100背面接收到的入射光线较少，因此，可以设置基底100的背面具有平台凸起结构15，使得基底100背面的粗糙度小于基底100正面的粗糙度。即相较于基底100正面而言，基底100的背面形貌较为平坦，如此，使得在基底100背面形成的第二隧穿层130、第二掺杂导电层140以及第二钝化层具有平整的形貌，并且可以在基底100背面均匀地形成，有利于提高第二隧穿层130、第二掺杂导电层140以及第二钝化层对基底100背面的钝化效果，进一步降低背面的缺陷态密度。如此，可以实现在提高对入射光线利用率的同时，提高对基底100的钝化效果，整体改善太阳能电池的光电转化性能。
由于基底100背面形成了背结，因此，设置基底100的背面具有较平坦的形貌，使得第二隧穿层130与基底100背面可以结合地更为紧密，从而使得PN结产生的光生载流子可以顺利地被传输至基底100中，从而进一步提高载流子的传输效率。
在一些实施例中，还包括：第二钝化层160，第二钝化层160覆盖第二掺杂导电层140远离基底100的表面。第二钝化层160用于对基底100的背面起到良好的钝化效果，降低基底100背面的缺陷态密度，较好地抑制基底100背面的载流子复合。在一些实施例中，第二钝化层160可以是单层结构，在另一些实施例中，第二钝化层160也可以是多层结构。在一些实施例中，第二钝化层160的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，第一掺杂导电层120的掺杂元素类型与基底100的掺杂元素类型相同，第二掺杂导电层140的掺杂元素类型与第一掺杂导电层120的掺杂元素类型不同。也就是说，第二掺杂导电层140与基底100形成PN结。也就是说，正面的第一掺杂导电层120与基底100不形成PN结，从而可以避免形成的PN结导致正面的预设区域载流子复合严重的问题。并且，背面的第二隧穿层130与第二掺杂导电层140为整面覆盖于基底100的背面，使得第二掺杂导电层140与基底100形成的PN结的面积较大，从而使得产生的光生载流子的数量较多，增加第二掺杂导电层140中以及基底100中载流子的载流子浓度。
具体地，在一些实施例中，基底100为N型基底。基于此，可以设置第一掺杂导电层120为N型掺杂导电层，第二掺杂导电层140为P型掺杂导电层。P型的第二掺杂导电层140与N型的基底100形成PN结，从而形成背结。
在另一些实施例中，基底100也可以为P型半导体基底，第一掺杂导电层120为P型掺杂导电层，第二掺杂导电层140为N型掺杂导电层。
在一些实施例中，第一掺杂导电层120和第二掺杂导电层140的材料包括碳化硅、非晶硅、微晶硅或多晶硅的至少一种。
在一些实施例中，还包括：第一电极170，第一电极170设置于金属图案区域上，并与第一掺杂导电层120电连接。基底100背面形成的PN结用于接收入射光线并产生光生载流子，产生的光生载流子由基底100传输至第一掺杂导电层120，再被传输至第一电极170中，第一电极170用于对光生载流子进行收集。由于第一掺杂导电层120的掺杂离子类型与基底100的掺杂离子类型相同，降低了第一电极170与第一掺杂导电层120之间的金属接触复合损失，进而可以降低第一电极170与第一掺杂导电层120之间的载流子接触复合，提高短路电流以及太阳能电池的光电转换性能。在一些实施例中，第一电极170设置于金属图案区域对准的基底100正面一侧。
在一些实施例中，还包括：扩散区190，扩散区190位于金属图案区域对准的基底100中，扩散区190的顶部与第一隧穿层110接触，扩散区190的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度。扩散区190可以作为载流子传输通道，仅在金属图案区域对准的基底100中形成扩散区190，使得基底100中的载流子可以较容易地通过扩散区190被传输至掺杂导电层中，即扩散区190起到载流子传输通道的作用。并且，由于仅在金属图案区域对准的基底100中设置扩散区190，使得基底100中的载流子可以被集中传输至扩散区190中，再经由扩散区190被传输至第一掺杂导电层120中，从而可以大大提高第一掺杂导电层120中的载流子浓度。值得注意的是，本申请实施例中，在非金属图案区域对准的基底100中不设置扩散区190，从而使得非金属图案区域对准的基底100正面的载流子浓度不至于过大，防止非金属图案区域对准的基底100正面发生载流子严重复合的问题。此外，还可以防止基底100中的载流子被传输至非金属图案区域对准的基底100正面，进而可以避免载流子在非金属图案区域对准的基底100正面堆积而造成在非金属图案区域对准的基底100正面产生“死层”从而使得载流子复合过多的问题，整体提高太阳能电池的光电转换性能。
在一些实施例中，还包括：第二电极180，第二电极180位于基底100的背面，背面电极穿透第二钝化层160与第二掺杂导电层140电接触。
上述实施例提供的太阳能电池中，设置基底100正面的金属图案区域中，尺寸较大的第一金字塔结构11占比较大，使得金属图案区域中金字塔结构的尺寸均一度较高，使得相较于非金属图案区域而言，金属图案区域中的纹理结构的尺寸均一度较高。如此，在实际沉积第一隧穿层110与第一掺杂导电层120的步骤中，可以提高沉积的第一隧穿层110以及第一掺杂导电层120的厚度均匀性，减小第一隧穿层110与基底100正面交界处的界面缺陷，提高基底100中的载流子向第一掺杂导电层120的迁移率。此外，非金属图案区域中，尺寸较大的第三金字塔结构13的占比较小，使得非金属图案区域中，单位面积内的第三金字塔结构13与第四金字塔结构14的数来那个较多，对入射光线的反射率较低，且非金属图案区域对准的基底100表面未设置第一掺杂导电层120，从而可以大大增加非金属图案区域对入射光线的吸收。
相应地，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，参考图7，光伏组件包括：电池串，电池串由多个上述实施例提供的的太阳能电池101连接而成；封装层102，封装层102用于覆盖电池串的表面；盖板103，盖板103用于覆盖封装层102远离电池串的表面。太阳能电池101以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。
具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带104电连接。封装层102覆盖太阳能电池101的正面以及背面，具体地，封装层102可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜等有机封装胶膜。在一些实施例中，盖板103可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板103。具体地，盖板103朝向封装层102的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底；所述基底正面具有金属图案区域以及非金属图案区域，所述金属图案区域包括：第一金字塔结构与第二金字塔结构，所述第一金字塔结构的底部尺寸大于所述第二金字塔结构的底部尺寸，所述第一金字塔结构在金属图案区域对准的基底正面的面积占比为第一占比；所述非金属图案区域包括：第三金字塔结构与第四金字塔结构，所述第三金字塔结构的底部尺寸大于所述第四金字塔结构的底部尺寸，所述第三金字塔结构在非金属图案区域对准的基底正面的面积占比为第二占比，所述第一占比大于所述第二占比；
位于与所述金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离所述基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层；
位于所述基底背面且在沿背离所述基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金字塔结构在所述基底正面的面积占比大于所述第二金字塔结构在所述基底正面的面积占比。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金字塔结构在所述基底正面的面积占比为80％～90％，所述第二金字塔结构在所述基底正面的面积占比为10％～20％。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金字塔结构的底部一维尺寸为0.7μm～3μm，所述第二金字塔结构的底部一维尺寸小于1μm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿层的厚度为0.5nm～5nm，所述第一掺杂导电层的厚度为20nm～300nm。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，所述第一掺杂元素在所述第一掺杂导电层中的激活率为40％～80％。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素浓度为1×1020atom/cm3～6×1020atom/cm3。
8.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金字塔结构顶部至底部的高度不小于所述第二金字塔结构顶部至底部的高度。
9.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三金字塔结构在所述基底正面的面积占比大于所述第四金字塔结构在所述基底正面的面积占比。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三金字塔结构在所述基底正面的面积占比为50％～70％，所述第四金字塔结构在所述基底正面的面积占比为30％～50％。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三金字塔结构的底部一维尺寸为0.7μm～3μm，所述第四金字塔结构的底部一维尺寸小于1μm。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述非金属图案区域对准的基底正面的反射率为0.8％～2％。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第一钝化层，所述第一钝化层的第一部分位于所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面，所述第一钝化层的第二部分位于所述非金属图案区域对准的正面。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的第一部分与所述第一钝化层的第二部分不齐平。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第一电极，所述第一电极设置于所述金属图案区域上，并与所述第一掺杂导电层电连接。
16.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：扩散区，所述扩散区位于所述金属图案区域对准的所述基底中，所述扩散区的顶部与所述第一隧穿层接触，所述扩散区的掺杂元素浓度大于所述基底的掺杂元素浓度。
17.根据权利要求1或16所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型相同，所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型与所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底为N型基底。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层和所述第二掺杂导电层的材料包括碳化硅、非晶硅、微晶硅或多晶硅的至少一种。
20.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池串，所述电池串由多个权利要求1至19中任一项所述的太阳能电池连接而成；
封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
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