CN114613865A - 太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅基底、分设在所述硅基底两侧的正面电极与背面电极，所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分，所述第一部分的正面依次层叠设置有隧穿层与掺杂多晶硅层，所述正面电极与掺杂多晶硅层相接触，所述第二部分的正面形成有掺杂层；所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层，所述背面电极设置在所述透明导电层背离所述硅基底一侧的表面上。本申请太阳能电池及其制备方法能够改善电池表面的钝化性能，减小正面电极位置的复合损失与接触电阻，同时减小入射光线的吸收损失，所述掺杂非晶层也能避免背面高温掺杂制程，减少高温可能导致的缺陷，提高电池寿命。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能发电技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着光伏产业的迅速发展，国内外市场对于太阳能电池与光伏组件的效率需求也不断增长，这也促使各大厂商积极进行高效电池的开发与研究。就晶硅电池而言，通过电池结构及相关工艺的创新，提高电池性能与转换效率是业内持续关注的重点课题。
业内有观点认为，TOPCon电池与HJT电池是晶体硅太阳能电池在后PERC时代的主要技术发展路径。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池是在电池背面制备超薄的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，共同形成了钝化接触结构，可以极大地降低背面的表面复合和金属复合，进而大幅度的提升电池的开路电压Voc和转换效率。异质结(Heterojunction，HJT)电池主要是在n型硅片的正/背面沉积本征α-Si:H层后分别沉积p型α-Si:H层和n型α-Si:H层，再进行金属化，其具有高转换效率、低光衰、低温度系数等优势。其中，异质结电池表面的膜层结构吸光相对较为严重，影响入射光线的有效吸收；TOPCon电池的隧穿层与掺杂多晶硅层多设置在电池背面，正面电极位置的复合损失及接触电阻较大，而将上述掺杂多晶硅层用作正面钝化时，其吸光作用同样也会影响入射光线的吸收与转换，导致电池短路电流降低。
鉴于此，有必要提供一种新的太阳能电池及其制备方法。
发明内容
本申请目的在于提供一种太阳能电池及其制备方法，能改善表面钝化性能，降低吸光损失，并能减少电池缺陷，保证电池使用寿命。
为实现上述目的，本申请提供一种太阳能电池，包括硅基底、分设在所述硅基底两侧的正面电极与背面电极，所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分，所述第一部分的正面依次层叠设置有隧穿层与掺杂多晶硅层，所述正面电极与掺杂多晶硅层相接触，所述第二部分的正面形成有掺杂层；所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层，所述背面电极设置在所述透明导电层背离所述硅基底一侧的表面上。
作为本申请的进一步改进，所述正面电极不超出所述掺杂多晶硅层。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂多晶硅层的厚度设置为60～200nm；所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度设置为1E20～6E20cm-3。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂层的掺杂浓度设置为设置为5E18～1E20cm-3。
作为本申请的进一步改进，所述隧穿层设置为氧化硅膜或氮氧化硅膜，所述隧穿层的厚度设置为0.5～3nm。
作为本申请的进一步改进，所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层及掺杂层上的减反射层，所述正面电极穿过所述减反射层并与所述掺杂多晶硅层相接触；所述减反射层包括层叠设置的第一减反射层与第二减反射层，所述第一减反射层设置为富氢氮化硅膜，且所述第一减反射层的厚度设置为3～30nm，折射率2.1～2.4；所述第二减反射层设置为氮化硅膜或氮氧化硅膜或氧化硅膜或由其中至少两种构成的复合膜。
作为本申请的进一步改进，所述本征非晶硅层的厚度设置为5～10nm。
作为本申请的进一步改进，所述本征非晶硅层包括第一本征非晶硅层与层叠设置在所述第一本征非晶硅层背离所述硅基底一侧表面上的第二本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层的氢含量大于所述第一本征非晶硅层的氢含量。
作为本申请的进一步改进，所述第一本征非晶硅层的厚度设置为1～3nm，折射率设置为4～4.3；所述第二本征非晶硅层的厚度设置为3～8nm，折射率设置为3.8～4.1。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂非晶层的厚度设置为5～10nm；且所述掺杂非晶层的掺杂浓度为1E18～5E20cm-3。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂非晶层包括第一掺杂非晶层与层叠设置在所述第一掺杂非晶层背离所述硅基底一侧表面上的第二掺杂非晶层，所述第二掺杂非晶层的掺杂浓度大于所述第一掺杂非晶层的掺杂浓度。
作为本申请的进一步改进，所述透明导电层的厚度设置为70～120nm。
作为本申请的进一步改进，所述硅基底为N型硅片；所述掺杂层与掺杂多晶硅层的掺杂类型相一致且两者的掺杂元素均为磷；所述掺杂非晶层为硼掺杂非晶层。
本申请还提供一种太阳能电池的制备方法，主要包括：
在硅基底的正面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分；
去除第二部分表面的掺杂多晶硅层与隧穿层；
在所述第二部分的正面制备掺杂层；
在所述掺杂层与掺杂多晶硅层上制备减反射层；
在硅基底的背面依次制备本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层；
在所述减反射层的既定区域进行开槽；
在所述减反射层的开槽位置制备正面电极；
在所述透明导电层上制备背面电极。
作为本申请的进一步改进，所述“开槽”是指采用激光刻蚀去除既定区域的减反射层，使得所述掺杂多晶硅层向外暴露。
作为本申请的进一步改进，所述正面电极与背面电极均采用低温固化银浆印刷、烘干得到，烘干温度介于150～250℃。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂多晶硅层采用离子注入方法制得；或，
采用LPCVD方法或HWCVD方法在所述隧穿层表面沉积得到，沉积温度设置为500～700℃，反应气体包括SiH4、PH3、H2，其中，SiH4、PH3两者的流量比设置为1:0.1～1:0.001，SiH4、H2两者的流量比设置为1:10～1:250。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂层采用热扩散方法或离子注入方法制得，并控制所述掺杂层的掺杂浓度介于5E18～1E20cm-3；且当所述掺杂层制备完成时，所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度介于1E20～6E20cm-3。
作为本申请的进一步改进，所述本征非晶硅层的制备包括在所述硅基底的背面依次沉积第一本征非晶硅层与第二本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层的氢含量大于所述第一本征非晶硅层的氢含量；其中，所述第一本征非晶硅层的厚度设置为1～3nm，折射率设置为4～4.3；所述第二本征非晶硅层的厚度设置为3～8nm，折射率设置为3.8～4.1。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂非晶层的厚度设置为5～10nm；所述掺杂非晶层的掺杂浓度为1E18～5E20cm-3。
作为本申请的进一步改进，所述掺杂非晶层的制备包括在所述本征非晶硅层表面依次沉积第一掺杂非晶层与第二掺杂非晶层，所述第二掺杂非晶层的掺杂浓度大于所述第一掺杂非晶层的掺杂浓度；其中，所述第一掺杂非晶层的掺杂浓度为1E18～1E19cm-3；所述第二掺杂非晶层的掺杂浓度为1E19～5E20cm-3。
作为本申请的进一步改进，所述透明导电层采用磁控溅射方法沉积，并在180～220℃温度条件退火处理得到。
作为本申请的进一步改进，所述制备方法还包括在完成正面电极与背面电极的制备后，再进行光注入或电注入处理。
本申请的有益效果是：采用本申请太阳能电池及其制备方法，采用本申请太阳能电池，改善表面钝化性能，减小正面电极位置的复合损失与接触电阻，并保证对入射光线的吸收与转换，所述掺杂非晶层也能避免背面高温掺杂制程，减少高温可能导致的缺陷，提高电池寿命。
附图说明
图1是本申请太阳能电池一较佳实施例的结构示意图；
图2是本申请太阳能电池另一较佳实施例的结构示意图；
图3是本申请太阳能电池的制备方法的主要流程示意图。
100-太阳能电池；1-硅基底；11-掺杂层；2-隧穿层；3-掺杂多晶硅层；4-减反射层；41-第一减反射层；42-第二减反射层；5-本征非晶硅层；51-第一本征非晶硅层；52-第二本征非晶硅层；6-掺杂非晶层；61-第一掺杂非晶层；62-第二掺杂非晶层；7-透明导电层；81-正面电极；82-背面电极。
具体实施方式
以下将结合附图所示的实施方式对本申请进行详细描述。但该实施方式并不限制本申请，本领域的普通技术人员根据该实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本申请的保护范围内。
参图1所示，本申请提供的太阳能电池100包括硅基底1，所述硅基底1具有相邻的第一部分与第二部分，所述第一部分的正面依次层叠设置有隧穿层2与掺杂多晶硅层3，所述第二部分的正面形成有掺杂层11；所述硅基底1的正面还具有覆设于所述掺杂层11与所述掺杂多晶硅层3表面的减反射层4。所述太阳能电池100还包括依次层叠设置在所述硅基底1背面的本征非晶硅层5、掺杂非晶层6、透明导电层7以及分设在所述硅基底1两侧的正面电极81与背面电极82。所述正面电极81穿过所述减反射层4并与所述掺杂多晶硅层3相接触；所述背面电极82设置在所述透明导电层7背离所述硅基底1一侧的表面上。
所述第一部分、第二部分分别对应于所述硅基底1正面的电极区域与非电极区域，通过在所述硅基底1正面的电极区域设置前述掺杂多晶硅层3，而在非电极区域采用前述掺杂层11，能够有效减少非电极区域即受光区域的光线吸收损失。优选地，所述正面电极81设置不超出所述掺杂多晶硅层3，即所述正面电极81不与所述掺杂层11接触。所述掺杂多晶硅层3的图案与正面电极81相匹配，实际生产中，考虑正面电极81制备过程中的工艺偏差及其自身的宽度波动，所述掺杂多晶硅层3的设置尺寸通常略大于正面电极81的尺寸。
所述硅基底1为N型硅片，且所述硅基底1的电阻率设置为0.5～7Ω·cm，优选为1～2Ω·cm。所述硅基底1的正面通常采用碱制绒形成既定的金字塔绒面结构，所述绒面尺寸设置为1～5μm，优选为2～3μm。
所述隧穿层2设置为氧化硅膜或氮氧化硅膜或由两者组成的复合膜，所述隧穿层2的厚度设置为1～3nm，通常可采用化学氧化或热氧化或臭氧氧化方法制得。所述掺杂多晶硅层3的厚度设置为60～200nm，优选设置为100～150nm；所述掺杂层11与掺杂多晶硅层3的掺杂类型相一致且两者的掺杂元素均为磷，所述掺杂层11与掺杂多晶硅层3两者可视作设置在所述硅基底1正面的N+层，所述太阳能电池100为背结电池。
所述掺杂多晶硅层3的掺杂浓度设置为1E20～6E20cm-3，方阻为20～100Ω/sq；所述掺杂层11的掺杂浓度设置为设置为5E18～1E20cm-3。所述掺杂多晶硅层3为重掺杂区，通过上述设计，能够进一步降低所述正面电极81与掺杂多晶硅层3的接触电阻。
所述减反射层4通常可采用氮化硅膜，厚度设置为70～100nm，且可通过气体流量、反应时间、温度等工艺参数的调节，提高所述减反射层4的膜层性能与减反射效果。
所述本征非晶硅层5的厚度设置为5～10nm；所述掺杂非晶层6是指掺杂非晶硅膜层或掺杂非晶氧化硅膜层。在此，所述掺杂非晶层6设置为硼掺杂非晶层，所述掺杂非晶层6的厚度设置为5～10nm，且所述掺杂非晶层6的掺杂浓度为1E18～5E20cm-3，优选地，所述掺杂非晶层6的掺杂浓度为1E19～1E20cm-3。所述透明导电层7的厚度设置为70～120nm，优选为90～100nm，所述透明导电层7通常是指透明导电氧化物膜层，作为示例地，所述透明导电层7可设置为ITO膜层。
参图2所示，为进一步提高膜层性能与电池效率，所述减反射层4包括层叠设置的第一减反射层41与第二减反射层42，所述第一减反射层41设置为富氢氮化硅膜，且所述第一减反射层的厚度设置为3～30nm，折射率设置为2.1～2.4；所述第二减反射层42设置为氮化硅膜或氮氧化硅膜或氧化硅膜或由其中至少两种构成的复合膜。并且，所述减反射层4还可设置呈渐变的膜层结构，此处不再详述。
所述本征非晶硅层5包括第一本征非晶硅层51与层叠设置在所述第一本征非晶硅层51背离所述硅基底1一侧表面上的第二本征非晶硅层52，所述第二本征非晶硅层52的氢含量大于所述第一本征非晶硅层51的氢含量。具体地，所述第一本征非晶硅层51的厚度设置为1～3nm，折射率设置为4～4.3；所述第二本征非晶硅层52的厚度设置为3～8nm，折射率设置为3.8～4.1。通过上述设计，能够实现更好地钝化效果。
所述掺杂非晶层6包括第一掺杂非晶层61与层叠设置在所述第一掺杂非晶层61背离所述硅基底1一侧表面上的第二掺杂非晶层62，所述第二掺杂非晶层62的掺杂浓度大于所述第一掺杂非晶层61的掺杂浓度。其中，内侧低浓度的第一掺杂非晶层61可有效降低界面处的复合，外侧高浓度的第二掺杂非晶层62则能与所述透明导电层形成良好的接触。
本申请太阳能电池100结合异质结电池设计与多晶硅钝化技术，有效控制电池生产成本，并能减少正面膜层结构对入射光线的吸收。所述太阳能电池100通过硼掺杂非晶层的设计，无需进行高温硼扩散制程(950～1050℃)，避免在高温制程中可能演化生成的晶体缺陷。进一步地，所述正面电极81、背面电极82均采用低温固化银浆制得，无需高温烧结；所述正面电极81还可以采用电镀铜、镍等金属材料得到。
特别地，所述硅基底1还可以采用P型硅片，所述掺杂多晶硅层3同样设置为磷掺杂多晶硅层，所述掺杂层11也采用磷掺杂，所述掺杂层11、掺杂多晶硅层3与硅基底1之间均形成相应的PN结。所述掺杂非晶层6同样设置为硼掺杂非晶层，其作为背面P+层，在此不再详述。
结合图3所示，所述太阳能电池100的制备方法包括：
提供硅基底1，并对所述硅基底1进行表面处理，所述硅基底1具有相邻的第一部分与第二部分；
在硅基底1的正面依次制备隧穿层2与掺杂多晶硅层3；
去除第二部分表面的掺杂多晶硅层3与隧穿层2，使得第二部分的硅基底1向外暴露；
采用热扩散方法或离子注入方法在所述第二部分的正面制备形成掺杂层11；
在所述掺杂层11与掺杂多晶硅层3上制备减反射层4；
背面清洗；
在硅基底1的背面依次制备本征非晶硅层5、掺杂非晶层6与透明导电层7；
在所述减反射层4的既定区域进行开槽；
在所述减反射层4的开槽位置制备正面电极81，使得所述正面电极81穿过减反射层4并与所述掺杂多晶硅层3相接触；
在所述透明导电层7上制备背面电极82。
所述“表面处理”步骤包括先采用KOH或NaOH或TMAH的水溶液对硅基底1进行双面碱制绒，控制所述硅基底1表面的金字塔高度介于1～5μm，优选为2～3μm。实际生产中，还可以在上述溶液中添加既定的制绒添加剂，改善硅基底1的绒面质量。
所述掺杂多晶硅层3采用离子注入方法制得；或，采用LPCVD方法或HWCVD方法在所述隧穿层2表面沉积得到，沉积温度设置为500～700℃，反应气体包括SiH4、PH3、H2，其中，SiH4、PH3两者的流量比设置为1:0.1～1:0.001，SiH4、H2两者的流量比设置为1:10～1:250。
前述“去除第二部分表面的掺杂多晶硅层3与隧穿层2”包括在第一部分的掺杂多晶硅层3上制备一层掩膜，再对所述硅基底1进行二次制绒，使得第二部分正面重新形成金字塔状态的晶体硅绒面。
所述掺杂层11完成制备时，控制所述掺杂层11的掺杂浓度介于5E18～1E20cm-3；并且，所述掺杂层11的制备过程是针对所述硅基底1的正面所有区域进行的，即所述掺杂层11制备过程中，所述掺杂多晶硅层3的掺杂浓度会有所提升，但所述掺杂多晶硅层3的最终掺杂浓度介于1E20～6E20cm-3。
所述减反射层4通常采用PECVD方法沉积制得，通过反应气体流量、沉积温度等工艺条件进行调整，可得到既定厚度、折射率的减反射层4。并且，所述减反射层4制备之前，需要对所述硅基底1的正面进行表面清洗，去除表面磷硅玻璃层。
所述“背面清洗”步骤可以采HF与HNO3的混合溶液或碱溶液对所述硅基底1的背面进行抛光与清洗。
所述本征非晶硅层5、掺杂非晶层6同样采用PECVD方法制得。所述本征非晶硅层5的制备包括在所述硅基底1的背面依次沉积第一本征非晶硅层51与第二本征非晶硅层52，所述第二本征非晶硅层52的氢含量大于所述第一本征非晶硅层51的氢含量；所述掺杂非晶层6的制备包括在所述第二本征非晶硅层52表面依次沉积第一掺杂非晶层61与第二掺杂非晶层62，所述第二掺杂非晶层62的掺杂浓度大于所述第一掺杂非晶层61的掺杂浓度。
具体地，所述第一本征非晶硅层51的沉积过程采用硅烷作为气源，不通氢气，所述第一本征非晶硅层51的厚度设置为1～3nm，折射率设置为4～4.3；所述第二本征非晶硅层52则采用高氢稀释比的硅烷作为气源，气体流量比设置为SiH4:H2＝1:10～1:500，所述第二本征非晶硅层52的厚度设置为3～8nm，折射率设置为3.8～4.1。所述第一掺杂非晶层61的掺杂浓度为1E18～5E19cm-3；所述第二掺杂非晶层62的掺杂浓度为1E19～5E20cm-3。
所述透明导电层7采用磁控溅射方法沉积，并在180～220℃温度条件退火处理得到，所述退火温度优选为190～210℃。
所述“开槽”是指采用激光刻蚀去除既定区域的减反射层4，使得所述掺杂多晶硅层3向外暴露。所述减反射层4可以按照光学效果最优化进行设计，不需要考虑正面电极81的烧穿接触问题，对正面金属化要求更低。所述开槽过程优选可采用波长较短如355nm的激光束，以更好地控制激光束不要蚀穿所述掺杂多晶硅层3。
所述正面电极81与背面电极82均采用低温固化银浆印刷、烘干得到，所述正面电极81的印刷位置与前述开槽位置相对应，使得低温固化浆料与所述掺杂多晶硅层3直接接触；上述烘干的温度通常设置为150～250℃。
除此，所述制备方法还包括在完成正面电极81与背面电极82的制备后，再对硅基底1进行光注入或电注入处理，减少内部缺陷，降低后续衰减。为进一步说明本申请太阳能电池100的电学性能，参下表：
| Group | Voc(mV) | Isc(A) | FF(％) | Rs(mΩ) | Rsh(Ω) | EFF(％) |
| 实施例1 | 726.8 | 9.906 | 83.27 | 1.03 | 2439.8 | 24.35％ |
| 实施例2 | 728.8 | 9.912 | 83.31 | 0.92 | 2357.9 | 24.44％ |
| 对比例1 | 712.9 | 9.932 | 82.86 | 1.21 | 2427.1 | 23.83％ |
| 对比例2 | 737.9 | 9.774 | 83.36 | 0.89 | 2327.1 | 24.42％ |
其中，实施例1、实施例2的区别在于：实施例1中的掺杂层11采用POCl3气态源扩散制得，所述掺杂多晶硅层3采用LPCVD方法生长得到；实施例2中的掺杂层11、掺杂多晶硅层3均采用离子注入方法制得。此处，对比例1为采用同样规格的N型硅片所制得的TOPCon电池；对比例2则为采用同样规格的N型硅片所制得的HJT电池，且所述HJT电池的背面膜层结构与本申请太阳能电池100的背面膜层结构相同。可以看出，本申请太阳能电池100较之现有TOPCon电池，其开路电压、填充因子及转换效率均有明显提升；较之现有的HJT电池，开路电压略有降低，但短路电流则有所提升，两者转换效率基本相当。
综上所述，本申请太阳能电池100及其制备方法，改善电池表面钝化性能，减小正面电极下的复合损失与接触电阻，并保证电池正面对入射光线的吸收；通过减少高温处理步骤尤其是硼扩高温制程，减少硅基底1内可能演化出现的缺陷，提高电池性能与使用寿命。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本申请的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本申请的保护范围，凡未脱离本申请技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (23)
1.一种太阳能电池，包括硅基底、分设在所述硅基底两侧的正面电极与背面电极，所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分，其特征在于：所述第一部分的正面依次层叠设置有隧穿层与掺杂多晶硅层，所述正面电极与掺杂多晶硅层相接触，所述第二部分的正面形成有掺杂层；所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层，所述背面电极设置在所述透明导电层背离所述硅基底一侧的表面上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面电极不超出所述掺杂多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂多晶硅层的厚度设置为60～200nm；所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度设置为1E20～6E20cm-3。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂层的掺杂浓度设置为设置为5E18～1E20cm-3。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿层设置为氧化硅膜或氮氧化硅膜，所述隧穿层的厚度设置为0.5～3nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池还包括设置在所述掺杂多晶硅层及掺杂层上的减反射层，所述正面电极穿过所述减反射层并与所述掺杂多晶硅层相接触；所述减反射层包括层叠设置的第一减反射层与第二减反射层，所述第一减反射层设置为富氢氮化硅膜，且所述第一减反射层的厚度设置为3～30nm，折射率2.1～2.4；所述第二减反射层设置为氮化硅膜或氮氧化硅膜或氧化硅膜或由其中至少两种构成的复合膜。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述本征非晶硅层的厚度设置为5～10nm。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述本征非晶硅层包括第一本征非晶硅层与层叠设置在所述第一本征非晶硅层背离所述硅基底一侧表面上的第二本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层的氢含量大于所述第一本征非晶硅层的氢含量。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层的厚度设置为1～3nm，折射率设置为4～4.3；所述第二本征非晶硅层的厚度设置为3～8nm，折射率设置为3.8～4.1。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂非晶层的厚度设置为5～10nm；且所述掺杂非晶层的掺杂浓度为1E18～5E20cm-3。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述掺杂非晶层包括第一掺杂非晶层与层叠设置在所述第一掺杂非晶层背离所述硅基底一侧表面上的第二掺杂非晶层，所述第二掺杂非晶层的掺杂浓度大于所述第一掺杂非晶层的掺杂浓度。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述透明导电层的厚度设置为70～120nm。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述硅基底为N型硅片；所述掺杂层与掺杂多晶硅层的掺杂类型相一致且两者的掺杂元素均为磷；所述掺杂非晶层为硼掺杂非晶层。
14.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：
在硅基底的正面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，所述硅基底具有相邻的第一部分与第二部分；
去除第二部分表面的掺杂多晶硅层与隧穿层；
在所述第二部分的正面制备掺杂层；
在所述掺杂层与掺杂多晶硅层上制备减反射层；
在硅基底的背面依次制备本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层；
在所述减反射层的既定区域进行开槽；
在所述减反射层的开槽位置制备正面电极；
在所述透明导电层上制备背面电极。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述“开槽”是指采用激光刻蚀去除既定区域的减反射层，使得所述掺杂多晶硅层向外暴露。
16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述正面电极与背面电极均采用低温固化银浆印刷、烘干得到，烘干温度介于150～250℃。
17.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述掺杂多晶硅层采用离子注入方法制得；或，
采用LPCVD方法或HWCVD方法在所述隧穿层表面沉积得到，沉积温度设置为500～700℃，反应气体包括SiH4、PH3、H2，其中，SiH4、PH3两者的流量比设置为1:0.1～1:0.001，SiH4、H2两者的流量比设置为1:10～1:250。
18.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述掺杂层采用热扩散方法或离子注入方法制得，并控制所述掺杂层的掺杂浓度介于5E18～1E20cm-3；且当所述掺杂层制备完成时，所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度介于1E20～6E20cm-3。
19.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述本征非晶硅层的制备包括在所述硅基底的背面依次沉积第一本征非晶硅层与第二本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层的氢含量大于所述第一本征非晶硅层的氢含量；其中，所述第一本征非晶硅层的厚度设置为1～3nm，折射率设置为4～4.3；所述第二本征非晶硅层的厚度设置为3～8nm，折射率设置为3.8～4.1。
20.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述掺杂非晶层的厚度设置为5～10nm；所述掺杂非晶层的掺杂浓度为1E18～5E20cm-3。
21.根据权利要求14或20所述的制备方法，其特征在于：所述掺杂非晶层的制备包括在所述本征非晶硅层表面依次沉积第一掺杂非晶层与第二掺杂非晶层，所述第二掺杂非晶层的掺杂浓度大于所述第一掺杂非晶层的掺杂浓度；其中，所述第一掺杂非晶层的掺杂浓度为1E18～1E19cm-3；所述第二掺杂非晶层的掺杂浓度为1E19～5E20cm-3。
22.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述透明导电层采用磁控溅射方法沉积，并在180～220℃温度条件退火处理得到。
23.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在完成正面电极与背面电极的制备后，再进行光注入或电注入处理。
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220610 |
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