CN117118390B - 弹性波滤波器 - Google Patents
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Abstract
本申请关于一种能够提升带外抑制水平、降低工艺难度的弹性波滤波器，涉及弹性波滤波器领域。本申请通过将沿弹性波传播方向上的第一电极指与第二电极指相互重叠的区域设为叉指换能器交叉区域，叉指换能器交叉区域至少部分设置于非压电材料薄膜之上的设置。在此情况下，相较于现有技术中的IHP型弹性波滤波器，本申请提供了一种基于压电薄膜和非压电基底的压电复合衬底的弹性波滤波器，其具有更好的带外抑制水平以及更低的工艺难度。
Description
技术领域
本申请涉及弹性波滤波器技术领域，特别涉及一种能够提升带外抑制水平、降低工艺难度的弹性波滤波器。
背景技术
弹性波器件具有成本低、体积小和功能多等特点，在雷达、通信、导航等领域获得了广泛的应用。手机和基站通信中最常用的弹性波器件有弹性波滤波器以及由多个弹性波滤波器组合而成的弹性波双工器和弹性波多工器。在任何类型的弹性波滤波器中，都在压电功能材料上设置导电材料薄膜图形，以确定多个叉指换能器和用于实现所述叉指换能器之间电连接的多段导电轨迹，并且都利用叉指换能器的电信号转换成弹性波的转换功能的频率特性来获得带通特性。
现有技术中，基于压电复合衬底的弹性波滤波器(IHP型弹性波滤波器)由于其高Q值性能而获得广泛关注，作为公知常识，我们往往通过增加叉指换能器的方式来提升IHP型弹性波滤波器的矩形度。然而，在常见的IHP型弹性波滤波器中增加的叉指换能器由于其自身的谐振效应将降低滤波器的带外抑制，恶化滤波器的性能，且增加的叉指换能器的周期往往小于其它叉指换能器的周期，这导致了其工艺难度较大，不利于弹性波滤波器的加工及制备。
发明内容
本申请的目的是提供一种弹性波滤波器，其具有更好的带外抑制水平和更低的工艺难度，以解决上述现有技术存在的问题。
为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：
第一方面，本申请提供了一种弹性波滤波器，包括：
压电多层衬底，其至少包括压电薄膜、非压电材料薄膜和非压电衬底；以及
导电材料薄膜图形，其设置于所述压电多层衬底上，所述导电材料薄膜图形形成有多个叉指换能器，所述叉指换能器包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指，以及在所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；
其中，将沿弹性波传播方向上的所述第一电极指与所述第二电极指相互重叠的区域设为叉指换能器交叉区域，所述叉指换能器交叉区域至少部分设置于所述非压电材料薄膜之上。
在一种可能的实现方式中，所述叉指换能器交叉区域至少部分设置于所述压电薄膜之上。
在一种可能的实现方式中，所述压电薄膜为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。
在一种可能的实现方式中，所述非压电衬底包括：
直接地设置于所述压电薄膜下方的支承基板；或
直接地设置于所述压电薄膜下方的低声速材料膜，以及直接地设置于所述低声速材料膜下方的支承基板；或
直接地设置于所述压电薄膜下方的低声速材料膜、直接地设置于所述低声速材料膜下方的俘获材料层，以及直接地设置于所述俘获材料层下方的支承基板。
在一种可能的实现方式中，所述非压电材料薄膜由无压电特性材料中的一种或多种组合形成。
在一种可能的实现方式中，在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述压电薄膜中传播的体波的声速低；
在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述压电薄膜中传播的体波的声速高。
在一种可能的实现方式中，所述俘获材料层由非晶硅、多晶硅、非晶锗、多晶锗中的一种或多种组合形成。
在一种可能的实现方式中，所述导电材料薄膜图形包括第一导电材料薄膜图形和第二导电材料薄膜图形，所述第二导电材料薄膜图形与所述第一导电材料薄膜图形部分重叠，所述第二导电材料薄膜图形具有与所述第一导电材料薄膜图形不同的图形和膜厚。
第二方面，本申请提供了一种弹性波滤波器的制备方法，所述方法适用于如上任一所述的弹性波滤波器，所述方法包括：
S1、制备非压电衬底；
S2、在所述非压电衬底上制备压电薄膜；
S3、采用MEMS工艺将所述压电薄膜的不需要的部分去除，露出所述非压电衬底；
S4、采用MEMS工艺在上述步骤S3的结构上沉积非压电材料薄膜，采用化学机械抛光工艺处理所述非压电材料薄膜，使上述步骤S3中露出所述非压电衬底的区域填充所述非压电材料薄膜、且使上述步骤S3中未去除的所述压电薄膜重新暴露出来；
S5、采用MEMS工艺在上述步骤S4的结构上制备第一导电材料薄膜图形；
S6、采用MEMS工艺在上述步骤S5的结构上制备第二导电材料薄膜图形，所述第二导电材料薄膜图形具有针对汇流条的加厚图案。
第三方面，本申请提供了一种多工器，包括：
天线端子，其与天线连接；以及
多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是如上任一所述的弹性波滤波器。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过将沿弹性波传播方向上的第一电极指与第二电极指相互重叠的区域设为叉指换能器交叉区域，叉指换能器交叉区域至少部分设置于非压电材料薄膜之上的设置。在此情况下，相较于现有技术中的IHP型弹性波滤波器，本申请提供了一种基于压电薄膜和非压电基底的压电复合衬底的弹性波滤波器(IHP型弹性波滤波器)，其具有更好的带外抑制水平以及更低的工艺难度。
附图说明
附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：
图1(a)示出了公知的IHP型弹性波滤波器100的俯视示意图；
图1(b)示出了图1(a)的A-A’剖视示意图；
图2(a)示出了本申请实施例一提供的弹性波滤波器200的俯视示意图；
图2(b)示出了图2(a)的B-B’剖视示意图；
图3示出了叉指换能器的交叉区域示意图；
图4(a)示出了公知的IHP型弹性波滤波器100的拓扑结构示意图；
图4(b)示出了本申请实施例一提供的弹性波滤波器200的拓扑结构示意图；
图5示出了公知的IHP型弹性波滤波器100和弹性波滤波器200的插入损耗-频率曲线图；
图6(a)示出了公知的IHP型弹性波滤波器100中叉指换能器C1的俯视示意图；
图6(b)示出了本申请实施例一提供的弹性波滤波器200中叉指换能器C2的俯视示意图；
图6(c)示出了图6(a)的C-C’剖视示意图；
图6(d)示出了图6(b)的D-D’剖视示意图；
图7示出了图6(a)中叉指换能器C1和图6(b)中叉指换能器C2的导纳幅值-频率曲线图；
图8示出了本申请实施例二提供的弹性波滤波器的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
其中，相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是本申请说明书附图中的方向，词语“底面”和“顶面”、“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本申请说明书的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
下面结合附图和实施例对本申请作更进一步的说明。
首先，对现有技术提供的弹性波滤波器100进行简单的介绍：
图1(a)示出了公知的IHP型弹性波滤波器100的俯视示意图，图1(b)示出了图1(a)的A-A’剖视示意图。定义图1中平行于坐标系中的x轴的方向为弹性波传播方向，定义图1中平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义图1中平行于坐标系中的z轴的方向为弹性波滤波器100的高度方向。
详细而言，所述IHP型弹性波滤波器100包括非压电衬底、设置在非压电衬底上的压电薄膜101，以及设置在非压电衬底和压电薄膜101二者当中的至少一个上的导电材料薄膜图形。
在本申请实施例中，压电薄膜101实现为厚600nm的170°YX-铌酸锂薄膜。
具体地，非压电衬底设置在压电薄膜101的下方，自上至下地包括低声速材料膜102、俘获材料层103和支承基板104。低声速材料膜102位于压电薄膜101的下方，在低声速材料膜102中传播的体波的声速比在压电薄膜101中传播的体波的声速低；该低声速材料膜102实现为厚500nm的SiO2(二氧化硅)薄膜。俘获材料层103位于低声速材料膜102的下方，俘获材料层103实现为厚1μm的多晶硅薄膜。支承基板104位于俘获材料层103的下方，在支承基板104中传播的体波的声速比在压电薄膜101中传播的体波的声速高，支承基板104实现为厚250μm的Si(硅)衬底。
另外，导电材料薄膜图形设置在压电薄膜101的上方，具体为图1(a)中的压电薄膜101的虚线矩形框内的所有图形。导电材料薄膜图形包括多个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C1)，信号输入焊盘106，信号输出焊盘107，接地焊盘(108、109)，以及多段导电轨迹(110、111、112、113、114、115、116、117)。
进一步地，如图1(a)所示，每一个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C1)都具有相互交错插入的多个第一电极指和多个第二电极指，在第一电极指、第二电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多个第一电极指具有两组端部，其中一组端部与第一汇流条电连接，另一组端部与第二汇流条隔着间隙而对置；多个第二电极指具有两组端部，其中一组端部与第二汇流条电连接，另一组端部与第一汇流条隔着间隙而对置。多个第一电极指和多个第二电极指包括分别由钛材料薄膜和铝材料薄膜层叠而成的两个子层。钛材料薄膜子层直接位于压电薄膜101上，钛材料薄膜子层的厚度为5nm；铝材料薄膜子层直接位于钛材料薄膜子层上，铝材料薄膜子层的厚度为220nm。
在图1(a)中省略未示出的，在每一个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C1)的沿弹性波传播方向的两侧都各自设置有一个反射栅电极。每一个反射栅电极均包括多个反射栅电极指以及在多个反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多个反射栅电极指的其中一组端部与第三汇流条直接连接，另一组端部与第四汇流条直接连接。
请参阅图1(b)，可以看出，压电薄膜101布满整个低声速材料膜102区域。
事实上，压电薄膜101存在于图1(a)中的整个区域，即多个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C1)、信号输入焊盘106、信号输出焊盘107、接地焊盘(108、109)、多段导电轨迹(110、111、112、113、114、115、116、117)的下方，以及它们之间的区域内均存在压电薄膜101。
相同地，在每一个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C1)的沿弹性波传播方向的两侧都各自设置有一个反射栅电极，多个反射栅电极在图1(b)中省略未示出。
图4(a)示出了公知的IHP型弹性波滤波器100的拓扑结构示意图，叉指换能器(S1、S2、S3、S4)为串联的叉指换能器，叉指换能器(P1、P2、P3、P4)为并联的叉指换能器，叉指换能器C1为下方压电薄膜未缺失的叉指电容，由于压电效应的存在，可将叉指换能器C1想象为与叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4)类似的谐振器，但叉指换能器C1仅起到电容的作用。
为了更清晰的展示叉指换能器C1部分的局部结构，图6(a)示出了公知的IHP型弹性波滤波器100中叉指换能器C1的俯视示意图，图6(c)示出了图6(a)的C-C’剖视示意图。定义图6中平行于坐标系中的x轴的方向为弹性波传播方向，定义图6中平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义图6中平行于坐标系中的z轴的方向为叉指换能器C1的高度方向。需要注意的是，图6(a)和图6(c)中叉指换能器C1为图1中弹性波滤波器100的一部分，它的参数与图1保持一致。
实施例一：
图2(a)示出了本申请实施例一提供的弹性波滤波器200的俯视示意图，图2(b)示出了图2(a)的B-B’剖视示意图。定义图2中平行于坐标系中的x轴的方向为弹性波传播方向，定义图2中平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义图2中平行于坐标系中的z轴的方向为弹性波滤波器200的高度方向。
详细而言，该弹性波滤波器200包括非压电衬底、设置在非压电衬底上大部分区域内存在的压电薄膜201a，以及设置在非压电材料薄膜201b和压电薄膜201a二者当中的至少一个上的导电材料薄膜图形。
值得注意的是，该弹性波滤波器200与前述的弹性波滤波器100的结构区别技术特征包括：如图2(a)所示，在非压电衬底上的大部分区域内具有压电薄膜201a，但在叉指换能器C2的交叉区域218内具有非压电材料薄膜201b；交叉区域218内的压电薄膜缺失情况可以在图2(b)的对应区域更明白地看到。并且本实施例二中的叉指换能器C2比公知技术中的叉指换能器C1的电极指更宽。如图3所示，沿弹性波传播方向观察，第一电极指和第二电极指相互重叠的区域设为叉指换能器交叉区域。
在本申请实施例中，非压电材料薄膜201b实现为600nm的二氧化硅薄膜。压电薄膜201a实现为厚600nm的170°YX-铌酸锂薄膜。
进一步地，如图2(a)所示，非压电衬底设置在压电薄膜201a的下方，自上至下地包括低声速材料膜202、俘获材料层203和支承基板204。低声速材料膜202位于压电薄膜201a的下方，在低声速材料膜202中传播的体波的声速比在压电薄膜201a中传播的体波的声速低；该低声速材料膜202实现为厚500nm的SiO2(二氧化硅)薄膜。俘获材料层203位于低声速材料膜202的下方，俘获材料层203实现为厚1μm的多晶硅薄膜。支承基板204位于俘获材料层203的下方，在支承基板204中传播的体波的声速比在压电薄膜201a中传播的体波的声速高，支承基板204实现为厚250μm的Si(硅)衬底。
另外，导电材料薄膜图形设置在压电功能薄膜201的上方，具体为图2(a)中的压电功能薄膜201的虚线矩形框内的所有图形。导电材料薄膜图形包括多个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C2)，信号输入焊盘206，信号输出焊盘207，接地焊盘(208、209)，以及多段导电轨迹(210、211、212、213、214、215、216、217)。
更进一步地，如图2(a)所示，每一个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C2)都具有相互交错插入的多个第一电极指和多个第二电极指，在第一电极指、第二电极指延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多个第一电极指具有两组端部，其中一组端部与第一汇流条电连接，另一组端部与第二汇流条隔着间隙而对置；多个第二电极指具有两组端部，其中一组端部与第二汇流条电连接，另一组端部与第一汇流条隔着间隙而对置。多个第一电极指和多个第二电极指包括分别由钛材料薄膜和铝材料薄膜层叠而成的两个子层。钛材料薄膜子层直接位于压电薄膜101上，钛材料薄膜子层的厚度为5nm；铝材料薄膜子层直接位于钛材料薄膜子层上，铝材料薄膜子层的厚度为220nm。
在图2(a)中省略未示出的，在每一个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4)的沿弹性波传播方向的两侧都各自设置有一个反射栅电极。每一个反射栅电极均包括多个反射栅电极指以及在多个反射栅电极指延伸方向上相互对置的第五汇流条和第六汇流条，多个反射栅电极指的其中一组端部与第五汇流条直接连接，另一组端部与第六汇流条直接连接。叉指换能器C2的反射栅电极可有可无。
请参阅图2(b)，可以看出，压电薄膜201布满整个低声速材料膜202区域。
事实上，压电功能薄膜201存在于图2(a)中的整个区域，即多个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C2)、信号输入焊盘206、信号输出焊盘207、接地焊盘(208、209)、多段导电轨迹(210、211、212、213、214、215、216、217)的下方，以及它们之间的区域内均存在压电功能薄膜201。
相同地，在每一个叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4、C2)的沿弹性波传播方向的两侧都各自设置有一个反射栅电极，多个反射栅电极在图2(b)中省略未示出。
如图4(b)示出了本申请实施例一提供的弹性波滤波器200的拓扑结构示意图，叉指换能器(S1、S2、S3、S4)为串联的叉指换能器，叉指换能器(P1、P2、P3、P4)为并联的叉指换能器，叉指换能器C2的下方压电薄膜缺失，由于不存在压电效应，该叉指换能器的电容值不随频率的变化而变化，可将叉指换能器C2想象成一个电容值恒定的平板电容，即叉指电容。
为了更清晰的展示叉指换能器C2部分的局部结构，图6(b)示出了本申请实施例一提供的弹性波滤波器200中叉指换能器C2的俯视示意图，图6(d)示出了图6(b)的D-D’剖视示意图。定义图6中平行于坐标系中的x轴的方向为弹性波传播方向，定义图6中平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义图6中平行于坐标系中的z轴的方向为叉指换能器C2的高度方向。需要注意的是，图6(b)和图6(d)中叉指换能器C2为图2中弹性波滤波器200的一部分，它的参数与图2保持一致。
效果验证：
图5示出了公知的IHP型弹性波滤波器100和弹性波滤波器200的插入损耗-频率曲线图。其中，虚线为IHP型弹性波滤波器100的插入损耗-频率曲线，实线为实施例一提供的弹性波滤波器200的插入损耗-频率曲线。
可以看出，弹性波滤波器100中的叉指换能器C1放置在压电薄膜101上，由于它的谐振响应，导致了弹性波滤波器100的在800MHz左右处产生一个较大的杂散模式，这将会恶化滤波器的带外抑制；而弹性波滤波器200中的叉指换能器C2由于放置在非压电材料薄膜201b上，因此没有压电效应致使电信号转化为机械信号而发生谐振，从而能够抑制弹性波滤波器100在800MHz左右处所产生的杂散模式，这将能够提升滤波器的带外抑制水平。通过对比，800MHz左右处弹性波滤波器200的带外抑制比弹性波滤波器100提升了大约10dB。
图7示出了图6(a)中叉指换能器C1和图6(b)中叉指换能器C2的导纳幅值-频率曲线图。其中，虚线为图6(a)中叉指换能器C1的导纳幅值-频率曲线，实线为图6(b)中叉指换能器C2的导纳幅值-频率曲线。
可以看出，如图5分析的一样，弹性波滤波器100中叉指换能器C1由于谐振效应，在800MHz左右处会产生较大的阻抗变化，这种较大的阻抗变化也是导致弹性波滤波器100带外抑制减弱的主要原因。而通过对比，弹性波滤波器200中叉指换能器C2由于放置在非压电材料膜201b上，不会产生谐振效应导致的阻抗变化，它的导纳幅值-频率曲线光滑而平坦，从而能够使弹性波滤波器200的带外抑制相较弹性波滤波器100得到提升。
接下来，针对本申请可实现的有益效果，即关于降低工艺难度的原理，作如下说明：
根据上述效果验证，图1(a)和图1(b)中叉指换能器C1的谐振频率(图6)远远大于公知的IHP型弹性波滤波器100的中心频率，因此，为了满足这个频率要求，叉指换能器C1的线宽往往小于叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4)的线宽，这无疑加大了公知的IHP型弹性波滤波器100在MEMS工艺中的制备难度。
然而，图2(a)和图2(b)中叉指换能器C2由于不产生谐振，仅需电容值满足设计要求即可，因此叉指换能器C2的线宽不需要小于叉指换能器(S1、S2、S3、S4、P1、P2、P3、P4)的线宽，它的电容可以通过调整叉指电容的电极数目以及电介质功能薄膜201b的相对介电常数来实现，从而能够降低公知的IHP型弹性波滤波器100在MEMS工艺中的制备难度。
实施例二：
图8示出了本申请实施例三提供的弹性波滤波器的制备方法的流程图，该方法适用于实施例一中所述的弹性波滤波器，该方法包括：
步骤S1、制备非压电衬底；
步骤S2、在非压电衬底上制备压电薄膜；
步骤S3、采用MEMS工艺将压电薄膜的不需要的部分去除，露出非压电衬底；
步骤S4、采用MEMS工艺在上述步骤S3的结构上沉积非压电材料薄膜，采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺处理非压电材料薄膜，使上述步骤S3中露出非压电衬底的区域填充非压电材料薄膜、且使上述步骤S3中未去除的压电薄膜重新暴露出来；
步骤S5、采用MEMS工艺在上述步骤S4的结构上制备第一导电材料薄膜图形；
步骤S6、采用MEMS工艺在上述步骤S5的结构上制备第二导电材料薄膜图形，第二导电材料薄膜图形具有针对汇流条的加厚图案。
综上所述，本申请通过将沿弹性波传播方向上的第一电极指与第二电极指相互重叠的区域设为叉指换能器交叉区域，叉指换能器交叉区域至少部分设置于非压电材料薄膜之上的设置。在此情况下，相较于现有技术中的IHP型弹性波滤波器，本申请提供了一种基于压电薄膜和非压电基底的压电复合衬底的弹性波滤波器(IHP型弹性波滤波器)，其具有更好的带外抑制水平以及更低的工艺难度。
在本申请公开的实施例中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明公开的实施例中的具体含义。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种弹性波滤波器，其特征在于，包括：
压电多层衬底，其至少包括压电薄膜、非压电材料薄膜和非压电衬底；以及
导电材料薄膜图形，其设置于所述压电多层衬底上，所述导电材料薄膜图形形成有多个叉指换能器，所述叉指换能器包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指，以及在所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；
其中，将沿弹性波传播方向上的所述第一电极指与所述第二电极指相互重叠的区域设为叉指换能器交叉区域，所述叉指换能器交叉区域至少部分设置于所述非压电材料薄膜之上。
2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其特征在于：
所述叉指换能器交叉区域至少部分设置于所述压电薄膜之上。
3.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其特征在于：
所述压电薄膜为钽酸锂薄膜或铌酸锂薄膜。
4.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其特征在于：
所述非压电衬底包括：
直接地设置于所述压电薄膜下方的支承基板；或
直接地设置于所述压电薄膜下方的低声速材料膜，以及直接地设置于所述低声速材料膜下方的支承基板；或
直接地设置于所述压电薄膜下方的低声速材料膜、直接地设置于所述低声速材料膜下方的俘获材料层，以及直接地设置于所述俘获材料层下方的支承基板。
5.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其特征在于：
所述非压电材料薄膜由无压电特性材料中的一种或多种组合形成。
6.根据权利要求4所述的弹性波滤波器，其特征在于：
在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述压电薄膜中传播的体波的声速低；
在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述压电薄膜中传播的体波的声速高。
7.根据权利要求4所述的弹性波滤波器，其特征在于：
所述俘获材料层由非晶硅、多晶硅、非晶锗、多晶锗中的一种或多种组合形成。
8.根据权利要求1所述的弹性波滤波器，其特征在于：
所述导电材料薄膜图形包括第一导电材料薄膜图形和第二导电材料薄膜图形，所述第二导电材料薄膜图形与所述第一导电材料薄膜图形部分重叠，所述第二导电材料薄膜图形具有与所述第一导电材料薄膜图形不同的图形和膜厚。
9.一种弹性波滤波器的制备方法，所述方法适用于权利要求1至8中任一所述的弹性波滤波器，其特征在于，所述方法包括：
S1、制备非压电衬底；
S2、在所述非压电衬底上制备压电薄膜；
S3、采用MEMS工艺将所述压电薄膜的不需要的部分去除，露出所述非压电衬底；
S4、采用MEMS工艺在上述步骤S3的结构上沉积非压电材料薄膜，采用化学机械抛光工艺处理所述非压电材料薄膜，使上述步骤S3中露出所述非压电衬底的区域填充所述非压电材料薄膜、且使上述步骤S3中未去除的所述压电薄膜重新暴露出来；
S5、采用MEMS工艺在上述步骤S4的结构上制备第一导电材料薄膜图形；
S6、采用MEMS工艺在上述步骤S5的结构上制备第二导电材料薄膜图形，所述第二导电材料薄膜图形具有针对汇流条的加厚图案。
10.一种多工器，包括：
天线端子，其与天线连接；以及
多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是权利要求1至8中任一所述的弹性波滤波器。
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