CN117176102B - 声表面波装置 - Google Patents

Abstract

本申请关于一种声表面波装置，涉及声表面器件领域。本申请将通过连结多根第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，第一包络线的延伸方向与声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角；以及将通过连结多根第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，第二包络线的延伸方向与声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角。在此情况下，通过调节第一包络线的延伸方向与声表面波装置传播方向之间的夹角和第二包络线的延伸方向与声表面波装置传播方向之间的夹角，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力，提供了一种更佳简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波装置。

Description

声表面波装置

技术领域

本申请涉及声表面波装置技术领域，特别涉及一种声表面波装置。

背景技术

声表面波装置已广泛应用于广泛用于手机、通信基站、LTE模块、物联网、智能网联汽车、智能家居及其它射频通讯领域，但是传统的声表面波装置受制于材料本身的限制，Q值和耦合系数较低，不能充分满足移动通讯对器件高性能的要求。基于钽酸锂/铌酸锂压电薄膜的复合多层结构的声表面波装置集低插损、低温漂、大带宽、大功率等优点而备受关注，但是基于压电薄膜的复合多层结构也会引起诸多寄生杂波问题，例如高阶杂波响应，这将恶化滤波器的带外抑制，也会引起双工器或射频模块之间的模式串扰，极大地影响通信装置的性能。

专利文献CN110521117A公开了一种具备压电性基板和设置在所述压电性基板上的倾斜型IDT电极的弹性波装置，能够抑制阻带响应。

专利文献CN110402539B公开了一种在由硅构成的支承基板上层叠有氧化硅膜以及由钽酸锂构成的压电体以及叉指换能器电极的声表面波装置，通过适当设置氧化硅膜的厚度、压电体的厚度和角度以及叉指换能器电极的厚度以实现抑制其具有的第1高阶模式的响应、第2高阶模式的响应以及第3高阶模式的响应中的至少一个。

专利文献CN113794458A公开了一种在具有压电层的复合膜层中设置凹槽阵列图形的声表面波装置，通过调节图形的深度与径向大小，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波。

然而，上述专利文献CN110521117A抑制的是靠近谐振模式(主模)的杂波响应，而并非远离谐振模式(主模)的高阶杂波响应；上述专利文献CN110402539B公开的方案在设计上过于复杂；上述专利文献CN113794458A公开的方案则在工艺上过于复杂，不利于产品的生产成本控制；因此，需要一种能够以抑制高阶杂波的、更佳简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波装置。

发明内容

本申请的目的是提供一种能够抑制高阶杂波响应的声表面波装置，以解决上述现有的基于压电薄膜的声表面波装置存在的设计过于复杂、工艺过于复杂以及生产成本较高问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：

第一方面，本申请提供了一种声表面波装置，包括支承基板、直接地或间接地设置在所述支承基板上的铌酸锂薄膜以及设置在所述铌酸锂薄膜上的叉指换能器电极；

所述铌酸锂薄膜的欧拉角(φ，θ，ψ)为(0°±3°的范围内，θ，0°±3°的范围内)，所述铌酸锂薄膜的欧拉角中的θ为90°≤θ≤154°；

所述叉指换能器电极包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指、相互交错插入的多根第一电极假指和多根第二电极假指，以及在所述第一电极指、所述第一电极假指、所述第二电极指和所述第二电极假指的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多根所述第一电极指、多根所述第一电极假指、多根所述第二电极指和多根所述第二电极假指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极假指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与多根所述第二电极假指的第二端部间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极假指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与多根所述第一电极假指的第二端部间隔对置；

将通过连结多根所述第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，所述第一包络线的延伸方向与所述声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角；

将通过连结多根所述第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，所述第二包络线的延伸方向与所述声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角。

在一种可能实现的方式中，所述铌酸锂薄膜直接地设置在所述支承基板上；或

所述铌酸锂薄膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或

所述铌酸锂薄膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上。

在一种可能实现的方式中，在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述铌酸锂薄膜中传播的体波的声速低；

在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述铌酸锂薄膜中传播的体波的声速高。

在一种可能实现的方式中，所述俘获材料膜由非晶硅、多晶硅、非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成。

在一种可能实现的方式中，所述叉指换能器电极包括：

由多个不同金属材料薄膜层叠而成的m个子层，其中m≥2。

第二方面，本申请提供了一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂声表面波谐振器以及并联臂声表面波谐振器，所述串联臂声表面波谐振器以及所述并联臂声表面波谐振器中的至少一个声表面波谐振器是上述任一所述的声表面波装置。

第三方面，本申请提供了一种多工器，包括：

天线端子，其与天线连接；以及

多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是上述的滤波器装置。

本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

本申请将通过连结多根第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，第一包络线的延伸方向与声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角；以及将通过连结多根第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，第二包络线的延伸方向与声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角。在此情况下，通过调节第一包络线的延伸方向与声表面波装置传播方向之间的夹角和第二包络线的延伸方向与声表面波装置传播方向之间的夹角，可以减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力，提供了一种更佳简单的、生产成本低的基于压电薄膜的声表面波装置。

附图说明

附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1示出了复合多层结构的声表面波装置在主模工作模式和高阶模式的导纳-频率图；

图2示出了复合多层结构的声表面波装置在主模工作模式和高阶模式时形成的通带图；

图3示出了本申请实施例一提供的声表面波装置的俯视示意图；

图4示出了图3的A-A’剖视示意图；

图5分别示出了本申请实施例一提供的声表面波装置在不同倾斜角时的导纳-频率图；

图6示出了本申请实施例一提供的声表面波装置在不同倾斜角时的相位-频率图；

图7示出了本申请实施例二提供的声表面波装置的俯视示意图；

图8示出了图7的B-B’剖视示意图；

图9分别示出了本申请实施例二提供的声表面波装置在不同倾斜角时的导纳-频率图以及电导-频率图；

图10示出了本申请实施例二提供的声表面波装置在不同倾斜角时的相位-频率图；

图11示出了图10的局部放大图；

图12示出了本申请实施例三提供的声表面波装置的俯视示意图；

图13示出了图12的C-C’剖视示意图；

图14分别示出了本申请实施例三提供的声表面波装置在不同倾斜角时的导纳-频率图以及电导-频率图；

图15示出了本申请实施例三提供的声表面波装置在不同倾斜角时的相位-频率图；

图16示出了本申请实施例三提供的声表面波装置在不同倾斜角和高阶杂波相位的关系图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

其中，相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是本申请说明书附图中的方向，词语“底面”和“顶面”、“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本申请说明书的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。

下面结合附图和实施例对本申请作更进一步的说明。

实施例一

图1示出了复合多层结构的声表面波装置在主模工作模式和高阶模式的导纳-频率图；图2示出了复合多层结构的声表面波装置在主模工作模式和高阶模式时形成的通带图。可以看出，复合多层结构的声表面波装置在高频除存在寄生高阶模式，这就导致了相应滤波器的带外抑制变差，对其它频段产生干扰，引起双工器或射频模块之间的模式串扰，极大地影响通信装置的性能。

图3示出了本申请实施例一提供的声表面波装置100的俯视图；图4示出了图3的A-A’剖视示意图,定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波装置100的高度方向。

详细而言，声表面波装置100包括支承基板102、设置在支承基板102上的铌酸锂薄膜101以及直接设置在铌酸锂薄膜101上的叉指换能器电极103和反射栅电极104。

在本申请实施例中，支承基板102实现为蓝宝石(硅)基底；铌酸锂薄膜101实现为厚300nm的15°YX-铌酸锂薄膜，其欧拉角为(0°，105°，0°)；叉指换能器电极103和反射栅电极104实现为由铜电极构成的电极。

具体地，叉指换能器电极103包括相互交错插入的多根第一电极指103A和多根第二电极指103B、相互交错插入的多根第一电极假指103C和多根第二电极假指103D，以及在第一电极指103A、第一电极假指103C、第二电极指103B和第二电极假指103D的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条103E和第二汇流条103F，多根第一电极指103A、多根第二电极指103B、多根第一电极假指103C和多根第二电极假指103D都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指103A的第一端部与第一汇流条103E直接连接，多根第二电极假指103D的第一端部与第二汇流条103F直接连接，多根第一电极指103A的第二端部与多根第二电极假指103D的第二端部间隔对置；多根第二电极指103B的第一端部与第二汇流条103F直接连接，多根第一电极假指103C的第一端部与第一汇流条103E直接连接，多根第二电极指103B的第二端部与多根第一电极假指103C的第二端部间隔对置。

进一步地，反射栅电极104包括反射栅电极一104A和反射栅电极二104B，每一个反射栅电极104都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。

在此情况下，将通过连结多根第一电极指103A的第二端部而形成的假想线设为第一包络线A1，将通过连结多根第二电极指103B的第二端部而形成的假想线设为第二包络线B1。

在本实施例中，第一包络线A1与第二包络线B1平行，定义第一包络线A1的延伸方向与声表面波装置的传播方向的夹角为倾斜角β。

在本实施例中，上述反射栅电极一104A和反射栅电极二104B的反射栅电极指根数均为20根。

在本实施例中，叉指换能器电极103中的电极指周期λ为2μm；多根第一电极指103A和多根第二电极指103B的总数量为89根，所述多根第一电极指103A和多根第二电极指103B均实现为180nm厚、声孔径为19λ的铜电极构成的多层复合电极。

图5和图6分别示出了本申请实施例一提供的声表面波装置100倾斜角β为0°、25°以及35°的导纳-频率曲线图和相位-频率曲线图。可以看出，该系列的声表面波装置100的主模工作模式的谐振频率约为1300MHz，而在2800MHz附近呈现高阶杂波。

值得注意的是，当声表面波装置100的倾斜角β为35°时，声表面波装置100在2800MHz附近的高阶杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述声表面波装置100的倾斜角β设置为35°。优选地，上述声表面波装置的倾斜角β设置为35°。

可以理解的是，包含这种声表面波装置的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过声表面波装置的倾斜角度来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。

实施例二

请参阅图7至图8，图7示出了本申请实施例二提供的声表面波装置300的俯视图；图8示出了图7的B-B’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波装置300的高度方向。

如图8所示，在本申请的实施例中，声表面波装置300包括支承基板303、直接设置在支承基板303上的低声速材料膜302、直接设置在低声速材料膜302上的铌酸锂薄膜301以及直接设置在铌酸锂薄膜301上的叉指换能器电极304和反射栅电极305。

在本申请实施例中，支承基板303实现为Si(硅)基底；低声速材料膜302实现为500nm的SiO₂(二氧化硅)薄膜；铌酸锂薄膜301实现为厚300nm的15°YX-铌酸锂薄膜，其欧拉角为(0°，105°，0°)；叉指换能器电极304和反射栅电极305实现为由铝电极构成的电极。

具体地，叉指换能器电极304包括相互交错插入的多根第一电极指304A和多根第二电极指304B、相互交错插入的多根第一电极假指304C和多根第二电极假指304D，以及在第一电极指304A、第一电极假指304C、第二电极指304B和第二电极假指304D的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条304E和第二汇流条304F，多根第一电极指304A、多根第二电极指304B、多根第一电极假指304C和多根第二电极假指304D都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指304A的第一端部与第一汇流条304E直接连接，多根第二电极假指304D的第一端部与第二汇流条304F直接连接，多根第一电极指304A的第二端部与多根第二电极假指304D的第二端部间隔对置；多根第二电极指304B的第一端部与第二汇流条304F直接连接，多根第一电极假指304C的第一端部与第一汇流条304E直接连接，多根第二电极指304B的第二端部与多根第一电极假指304C的第二端部间隔对置。

进一步地，反射栅电极305包括反射栅电极一305A和反射栅电极二305B，每一个反射栅电极305都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。

在此情况下，将通过连结多根第一电极指304A的第二端部而形成的假想线设为第一包络线A3，将通过连结多根第二电极指304B的第二端部而形成的假想线设为第二包络线B3。

在本实施例中，第一包络线A3与第二包络线B3平行，定义第一包络线A3的延伸方向与声表面波装置的传播方向的夹角为倾斜角β。

在本实施例中，上述反射栅电极一305A和反射栅电极二305B的反射栅电极指根数均为30根。

在本实施例中，叉指换能器电极304中的电极指周期λ为2μm；多根第一电极指304A和多根第二电极指304B的总数量为200根，多根第一电极指304A和多根第二电极指304B均实现为190nm厚，声孔径为20λ的铝电极构成的多层复合电极。

图9和图10分别示出了本申请实施例二提供的声表面波装置300倾斜角β为0°、24°以及35°的导纳-频率曲线图和相位-频率曲线图，图11为图10的局部放大图。可以看出，该系列的声表面波装置300的谐振频率约为1700MHz，在2650MHz附近呈现较小的高阶杂波，在2750MHz以上的频率呈现高阶杂波。

值得注意的是，当声表面波装置300的倾斜角β为25°和35°时，声表面波装置300在2750MHz以上的高阶杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述声表面波装置300的倾斜角β设置为25°和35°。优选地，上述声表面波装置的倾斜角β设置为35°。

可以理解的是，包含这种声表面波装置的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过声表面波装置的倾斜角度来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。

实施例三

请参阅图12至图13，图12示出了本申请实施例三提供的声表面波装置400的俯视图；图13示出了图12的C-C’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为声表面波装置400的高度方向。

如图13所示，在本申请的实施例中，声表面波装置400包括支承基板404、直接设置在支承基板404上的俘获材料膜403，直接设置在俘获材料膜403上的低声速材料膜402、直接设置在低声速材料膜402上的铌酸锂薄膜401以及直接设置在铌酸锂薄膜401上的叉指换能器电极405和反射栅电极406。

在本申请实施例中，支承基板404实现为Si(硅)基底；俘获材料膜403实现为1000nm的多晶硅薄膜；低声速材料膜402实现为200nm的SiO₂(二氧化硅)薄膜；铌酸锂薄膜401实现为厚300nm的32°YX-铌酸锂薄膜，其欧拉角为(0°，122°，0°)；叉指换能器电极405和反射栅电极406实现为由铝电极构成的电极。

具体地，叉指换能器电极405包括相互交错插入的多根第一电极指405A和多根第二电极指405B、相互交错插入的多根第一电极假指405C和多根第二电极假指405D，以及在第一电极指405A、第一电极假指405C、第二电极指405B和第二电极假指405D的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条405E和第二汇流条405F，多根第一电极指405A、多根第二电极指405B、多根第一电极假指405C和多根第二电极假指405D都具有各自的第一端部和第二端部；多根第一电极指405A的第一端部与第一汇流条405E直接连接，多根第二电极假指405D的第一端部与第二汇流条405F直接连接，多根第一电极指405A的第二端部与多根第二电极假指405D的第二端部间隔对置；多根第二电极指405B的第一端部与第二汇流条405F直接连接，多根第一电极假指405C的第一端部与第一汇流条405E直接连接，多根第二电极指405B的第二端部与多根第一电极假指405C的第二端部间隔对置。

进一步地，反射栅电极406包括反射栅电极一406A和反射栅电极二406B，每一个反射栅电极406都包括多根反射栅电极指以及在多根反射栅电极指延伸方向上相互对置的第三汇流条和第四汇流条，多根反射栅电极指都具有各自的第一端部和第二端部，反射栅电极指的第一端部与第三汇流条直接连接，反射栅电极指的第二端部与第四汇流条直接连接。

在此情况下，将通过连结多根第一电极指405A的第二端部而形成的假想线设为第一包络线A4，将通过连结多根第二电极指405B的第二端部而形成的假想线设为第二包络线B4。

在本实施例中，第一包络线A4与第二包络线B4平行，定义第一包络线A4的延伸方向与声表面波装置的传播方向的夹角为倾斜角β。

在本实施例中，上述反射栅电极一406A和反射栅电极二406B的反射栅电极指根数均为30根。

在本实施例中，叉指换能器电极405中的电极指周期λ为2μm；多根第一电极指405A和多根第二电极指405B的总数量为200根，所述多根第一电极指405A和多根第二电极指405B均实现为180nm厚，声孔径为15λ的铝电极。

图14和图15分别示出了本申请实施例三提供的声表面波装置400倾斜角β为0°、24°以及40°的导纳-频率曲线图和相位-频率曲线图，图16示出了倾斜角β为0°至45°的相位曲线图。可以看出，该系列的声表面波装置400的主模工作模式谐振频率约为1750MHz，在2750MHz以上的频率呈现高阶杂波。

值得注意的是，当声表面波装置400的倾斜角β为24°至45°时，声表面波装置400在2750MHz以上的高端杂波得到了明显抑制。在一个示例中，上述声表面波装置400的倾斜角β设置为大于等于24°且小于等于45°。优选地，上述声表面波装置的倾斜角β设置为大于等于24°且小于等于45°。

可以理解的是，包含这种声表面波装置的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以通过声表面波装置的倾斜角度来减小甚至消除不同频段的高阶杂波，有效提高阻带抑制能力。

综上所述，对于基于铌酸锂薄膜/支承基板层叠结构、铌酸锂薄膜/低声速材料膜/支承基板层叠结构、铌酸锂薄膜/低声速材料膜/俘获材料膜/支承基板层叠结构的声表面波谐振器，无论叉指换能器电极采用铜电极还是铝电极，当设置倾斜角β为24°至45°范围内时，均能有效抑制声表面波装置在远离谐振频率处的高端杂波，很好地佐证了本申请结构的有效性，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广应用。

在本申请公开的实施例中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明公开的实施例中的具体含义。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (7)

1.一种声表面波装置，包括支承基板、直接地或间接地设置在所述支承基板上的铌酸锂薄膜以及设置在所述铌酸锂薄膜上的叉指换能器电极，其特征在于：

所述铌酸锂薄膜的欧拉角为(0°±3°，θ±3°，0°±3°)，所述铌酸锂薄膜的欧拉角中的θ为90°≤θ≤154°；

所述叉指换能器电极包括相互交错插入的多根第一电极指和多根第二电极指、相互交错插入的多根第一电极假指和多根第二电极假指，以及在所述第一电极指、所述第一电极假指、所述第二电极指和所述第二电极假指的指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多根所述第一电极指、多根所述第一电极假指、多根所述第二电极指和多根所述第二电极假指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极假指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与多根所述第二电极假指的第二端部间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第一电极假指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与多根所述第一电极假指的第二端部间隔对置；

将通过连结多根所述第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，将通过连结多根所述第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，所述第一包络线与所述第二包络线相互平行，且所述第一包络线和所述第二包络线的延伸方向与所述声表面波装置的传播方向呈大于等于24°且小于等于45°的夹角。

2.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于：

所述铌酸锂薄膜直接地设置在所述支承基板上；或

所述铌酸锂薄膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在所述支承基板上；或

所述铌酸锂薄膜直接地设置在低声速材料膜上，所述低声速材料膜直接地设置在俘获材料膜上，所述俘获材料膜直接地设置在所述支承基板上。

3.根据权利要求2所述的声表面波装置，其特征在于：

在所述低声速材料膜中传播的体波的声速比在所述铌酸锂薄膜中传播的体波的声速低；

在所述支承基板中传播的体波的声速比在所述铌酸锂薄膜中传播的体波的声速高。

4.根据权利要求2所述的声表面波装置，其特征在于：

所述俘获材料膜由非晶硅、多晶硅、非晶锗或多晶锗中的一种材料或多种材料组合形成。

5.根据权利要求1所述的声表面波装置，其特征在于，所述叉指换能器电极包括：

由多个不同金属材料薄膜层叠而成的m个子层，其中m≥2。

6.一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂声表面波谐振器以及并联臂声表面波谐振器，所述串联臂声表面波谐振器以及所述并联臂声表面波谐振器中的至少一个声表面波谐振器是权利要求1至5中任一所述的声表面波装置。

7.一种多工器，包括：

天线端子，其与天线连接；以及

多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是权利要求6所述的滤波器装置。