CN116659711B - Mems压力传感器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种MEMS压力传感器及电子设备。所述MEMS压力传感器包括以层叠的方式依次设置的基底、振膜以及背极板，所述背极板包括绝缘层和与所述绝缘层固定连接的导电层，所述导电层包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域和所述第二电极区域分别与所述振膜构成第一电容和第二电容，在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系。本申请所公开的技术方案有利于提高MEMS压力传感器的压力检测的准确性和线性度。
Description
技术领域
本申请涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种MEMS压力传感器及电子设备。
背景技术
传统的电容式压力传感器的结构一般是由两侧金属膜片和一个中心膜片组成，虽然产品的测量量程高，但是测试精度低，成品尺寸大，传感器的应用受到限制。
随着小型化的日益发展，MEMS（Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统）压力传感器也开始经受性能问题。例如，出现不灵敏、不精确以及信号漂移有关的问题。
因此，需要对现有技术进行改进。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种MEMS压力传感器及电子设备。
根据本申请的一方面，本申请提供一种MEMS压力传感器，包括：
以层叠的方式依次设置的基底、振膜以及背极板，所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；
所述背极板包括绝缘层和与所述绝缘层固定连接的导电层，所述导电层包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域构成第一电极，所述第二电极区域构成第二电极，所述振膜构成第三电极，所述第一电极与所述第三电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容；
在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系。
进一步地，以所述振膜的几何中心为圆心，所述第一电极区域上的任意一点到所述振膜的几何中心的轴向距离与所述第二电极区域上的任意一点到所述振膜的几何中心的轴向距离不等。
进一步地，在所述MEMS压力传感器处于非工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容被配置为相等。
在一些实施方式中，在所述基底的厚度方向上，所述第一电极区域和所述第二电极区域均设置在所述振膜的振动区域的投影范围之内。
在一些实施方式中，所述第一电极区域和所述第二电极区域的面积相等。
在一些实施方式中，所述第一电极区域和所述第二电极区域呈同心设置。
在一些实施方式中，所述第一电极区域和所述第二电极区域中的一者被另一者环绕。
在一些实施方式中，所述第一电极区域和所述第二电极区域中的一者包括第一部分和第二部分，所述第一部分被另一者环绕，所述第二部分环绕另一者。
在一些实施方式中，所述第一电极区域位于所述第二电极区域的一侧，
所述第一电极区域和所述第二电极区域相配合形成一环形区域，所述环形区域与所述振膜的振动区域呈偏心设置。
在一些实施方式中，所述第一电极区域与所述第二电极区域呈轴对称设置。
在一些实施方式中，在所述基底的厚度方向上，所述第一电极区域和所述第二电极区域中的一者设置在所述振膜的振动区域的投影范围之内，另一者的部分区域设置在所述振膜的振动区域的投影范围之外。
进一步地，基于调节所述振膜的刚度而调整所述第一电容和所述第二电容的差值与所述施加在所述MEMS压力传感器上的压力之间的线性关系。
在一些实施方式中，所述振膜与所述基底之间具有部分区域贯通的第一绝缘体，所述背极板与所述振膜之间具有部分区域贯通的第二绝缘体。
在一些实施方式中，所述背极板上设置有在厚度方向上贯穿所述背极板的至少一个通孔。
在一些实施方式中，所述背极板的所述绝缘层朝向所述振膜的一侧设置有第一防粘结构；其中，在所述基底的厚度方向上，所述第一防粘结构在所述振膜上的正投影位于所述背腔在所述振膜的正投影的范围之内。
在一些实施方式中，所述第一防粘结构与所述背极板的所述绝缘层一体成型。
在一些实施方式中，还包括信号处理电路芯片，所述信号处理电路芯片分别与所述第一电容和所述第二电容电连接，以接收并处理所述MEMS压力传感器对应各个工作状态的信号输出；
基于所述MEMS压力传感器处于各个工作状态下时，将所对应的所述第一电容和所述第二电容的信号输出值进行预设的差动运算，以得到对应所述MEMS压力传感器的差动输出。
根据本申请的另一方面，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本申请上述任一实施例所述的MEMS压力传感器。
本申请提供的MEMS压力传感器和电子设备，该MEMS压力传感器具有至少一个优点：通过利用第一电容和第二电容的差值作为实际的MEMS压力传感器的感测电容，从而抑制环境电容引起的零点飘移，提高MEMS压力传感器的压力检测的准确性。
进一步地，能够实现在特定的振膜的刚度下解决MEMS压力传感器输出非线性的问题，利用所述第一电容和所述第二电容的差值作为实际感测到的电容值来表征施加在所述MEMS压力传感器上的压力，且与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系，进而实现高精度的，小量程的压力的测量。下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图说明
图1示出了本发明一实施例提供的MEMS压力传感器的结构示意图。
图2为图1中的背极板的俯视结构示意图。
图3是图2中所提供的MEMS压力传感器的剖视结构示意图。
图4A示出了本发明一实施例提供的MEMS压力传感器与信号处理电路芯片电连接的结构示意图。
图4B示出了现有技术中的压力非线性输出与本发明实施例中的压力线性输出的对比示意图。
图5示出了本发明又一实施例提供的MEMS压力传感器中背极板的俯视结构示意图。
图6示出了本发明又一实施例提供的MEMS压力传感器中背极板的俯视结构示意图。
图7示出了本发明另一实施例提供的MEMS压力传感器的结构示意图。
图8为图7中背极板的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面将结合附图以及具体实施例对本发明中的MEMS压力传感器及电子设备做详细阐述。
本发明实施例提供一种MEMS压力传感器，包括：
以层叠的方式依次设置的基底、振膜以及背极板，所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；
所述背极板包括绝缘层和与所述绝缘层固定连接的导电层，所述导电层包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域构成第一电极，所述第二电极区域构成第二电极，所述振膜构成第三电极，所述第一电极与所述第三电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容；
在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈正比。
该MEMS压力传感器具有至少一个优点：旨在通过优化第一电极和第二电极的形状、分布和设计，使得ASIC（Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路）芯片检测到的电容差值随外界压力变化呈线性。能够实现在特定的振膜的刚度下解决MEMS压力传感器输出非线性的问题。
实施例一
图1示出了本发明一实施例提供的MEMS压力传感器的结构示意图，图2为图1中的背极板的俯视结构示意图，图3是图2中所提供的MEMS压力传感器的剖视结构示意图。图4B示出了现有技术中的压力非线性输出与本发明实施例中的压力线性输出的对比示意图。
如图1-图3、图4B所示，所述MEMS压力传感器1000包括：
以层叠的方式依次设置的基底100、振膜300以及背极板600，所述基底100具有在其厚度方向上贯通的背腔11；
所述背极板600包括绝缘层610和与所述绝缘层610固定连接的导电层620，所述导电层620包括相互隔离的第一电极区域621和第二电极区域622，所述第一电极区域621构成第一电极，所述第二电极区域622构成第二电极，所述振膜300构成第三电极，所述第一电极与所述第三电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容；
在所述MEMS压力传感器1000处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容被配置为不相等，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器1000上的压力呈线性关系。
在一些实施例中，所述背极板600包括隔离结构640，所述隔离结构640在厚度方向上贯穿所述导电层620，以将所述导电层620分隔为第一电极区域621和第二电极区域622。具体地，隔离结构640可以是隔离槽，通过所述隔离结构640将所述背极板600的导电层620划分为第一电极区域621和第二电极区域622。
在一些实施例中，所述振膜300与所述基底100之间具有部分区域贯通的第一支撑体200，所述背极板600与所述振膜300之间具有部分区域贯通的第二支撑体400。
示例性地，在本申请实施例中，所述基底100靠近所述振膜300的一侧设置有用于支撑所述振膜300的第一支撑体200，所述振膜300远离所述基底100的一侧设置有用于支撑所述背极板600的第二支撑体400，所述第一支撑体200和所述第二支撑体400为绝缘支撑体，例如可为氧化硅或者氮化硅等。
示例性地，所述第一支撑体200位于所述基底100的边缘以支撑所述振膜300，使得所述振膜300悬空于所述背腔11的上方，在此，所述振膜300包括振动区域和支撑区域，其中，所述支撑区域通过所述第一支撑体200将所述振膜300架空于所述背腔11的上方。第二支撑体400位于所述振膜300的边缘，使得所述背极板600悬空于所述振膜300的上方，并与所述振膜300绝缘间隔。上述的第一支撑体200和第二支撑体400的厚度在2~3um之间，例如，在2.5um附近。使得所述振膜300上的第三电极分别和所述背极板600上的第一电极、第二电极相对且间隔设置，以使得所述背极板600与所述振膜300之间形成供振膜300振动的振荡声腔。
需要说明的是，本申请实施例中的所述振膜300是位于所述背腔11正上方的一个平面膜结构，一般地，MEMS压力传感器在受到外力作用时，所述振膜300发生变形，并且沿着所述振膜300的几何中心向外的方向，所述振膜300的形变量（振膜变形的幅度）依次减小。
为了实现在特定振膜的刚度下，解决MEMS压力传感器输出非线性的问题，当所述MEMS压力传感器处于非工作状态下（不受压）时，通过优化设计第一电容和第二电容各自所对应的第一电极区域和第二电极区域的形状和分布，当所述MEMS压力传感器处于工作状态下（受压）时，通过将所述第一电容和所述第二电容被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系。进而实现高精度的，小量程的压力的测量，并且还能够抑制环境电容引起的MEMS压力传感器的零点漂移。
示例性地，以穿过所述振膜300的几何中心为轴线，所述第一电极区域621上的任意一点到所述振膜300的几何中心的轴向距离与所述第二电极区域622上的任意一点到所述振膜300的几何中心的轴向距离不等。使得在所述MEMS压力传感器1000处于工作状态下（受压）时，与所述第一电极区域621相对应位置处的振膜的形变量和与所述第二电极区域622相对应位置处振膜的形变量出现不等，实现了与所述第一电极区域621对应的第一电容和与所述第二电极区域622对应的第二电容不相等，从而利用所述第一电容和所述第二电容的差值作为实际感测到的电容值来表征施加在所述MEMS压力传感器上的压力。
进一步地，在所述MEMS压力传感器处于非工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容被配置为相等。应理解，本发明实施例中的“相等”指的是所述第一电容和所述第二电容的初始电容值尽可能地接近或者在一定的误差范围之内，而非要求完全相等，从而可以实现在非工作状态下对MEMS压力传感器的校准工作。
进一步地，在所述基底100的厚度方向上，所述第一电极区域621和所述第二电极区域622均设置在所述振膜300的振动区域的投影范围之内。
在本实施例中，由于所述第一电容和所述第二电容的介电常数相等（均为空气介质），所构成的平板电容间距也是相等的，故通过所述第一电极区域621和所述第二电极区域622的面积相等，以保证各自所对应的所述第一电容和所述第二电容的初始电容值设置为相等。
在一些实施例中，所述第一电极区域621和所述第二电极区域622呈同心设置。
示例性地，所述第一电极区域621和所述第二电极区域中的一者被另一者环绕。例如，所述第一电极区域621为内圆电极，所述第二电极区域622为环绕所述第一电极区域621的外环电极。
本文中的“第一”和“第二”旨在区分不同的对象，而非意在对对象进行排序和限制对象的数量，另外，本文仅对第一电极区域和第二电极区域的相对位置进行了限定，并不对第一电极区域和第二电极区域的相对位置进行任何限制，而且第一电极区域和第二电极区域的形状可以是矩形、圆形、环状或其它多边形。本申请实施例在此不做限制。
在一些实施例中，所述背极板600上设置有在厚度方向上贯穿所述背极板600的至少一个通孔601，所述至少一个通孔601与背腔11相连通，以使得气流从所述至少一个通孔601中透过。
进一步地，在一些实施例中，所述背极板600的所述绝缘层610朝向所述振膜300的一侧设置有第一防粘结构613；其中，在所述基底100的厚度方向上，所述第一防粘结构613在所述振膜300上的正投影位于所述背腔11在所述振膜300上的正投影的范围之内。
进一步地，在一些实施例中，所述第一防粘结构613与所述背极板600的所述绝缘层610一体成型。具体地，所述第一防粘结构613与所述绝缘层610采用同一种绝缘材料制作而成，然后在所述绝缘层610朝向所述振膜300的一侧表面刻蚀形成第一防粘结构613。
进一步地，如图4A所示，所述MEMS压力传感器还包括信号处理电路芯片800，所述信号处理电路芯片800分别与所述第一电容和所述第二电容电连接，以接收并处理所述MEMS压力传感器对应各个工作状态的信号输出；基于所述MEMS压力传感器处于各个工作状态下时，将所对应的所述第一电容和所述第二电容的信号输出值进行预设的差动运算，以得到对应所述MEMS压力传感器的差动输出。
其中，为了清晰表达微机电结构与信号处理电路芯片800之间的电连接关系，图4A中并未示出MEMS压力传感器的封装结构。
示例性地，如图4A所示，所述信号处理电路芯片800包括信号放大的ASIC（Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路）芯片。在一些实施例中，MEMS压力传感器还可以包括封装结构，例如MEMS结构与信号处理电路芯片800的基板（例如PCB基板）、与基板共同限定容置腔的壳体，其中，MEMS结构与信号处理电路芯片800均位于该容置腔中。然而本发明实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对MEMS压力传感器的封装结构的功能进行其他设置。
在一些实施例中，所述导电层620包括第一焊盘71、第二焊盘72以及第三焊盘73；所述第一焊盘71与所述第一电极电连接，用于接收或者发送所述第一电极的电信号；所述第二焊盘72与所述第二电极电连接，用于接收或者发送所述第二电极的电信号；所述第三焊盘73与所述第三电极310电连接，用于接收或者发送所述第三电极的电信号。
应理解，在一些实施例中，可通过在所述背极板600和所述第二支撑体400设置贯穿其厚度的开口，以实现第三焊盘73与所述第三电极的电连接。
实施例二
图5示出了本发明又一实施例提供的MEMS压力传感器中背极板的俯视结构示意图。
如图5所示，在本实施例中，与实施例一不同的是，所述第一电极区域621和所述第二电极区域622中的一者包括第一部分6211和第二部分6212，所述第一部分6211被另一者环绕，所述第二部分6212环绕另一者。
也即，所述第一电极区域621和所述第二电极区域622两者之间相互缠绕，通过优化对所述第一电极区域621和所述第二电极区域622的形状和分布，同样也能够实现在所述MEMS压力传感器处于非工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容被配置为相等，在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容被配置为不相等，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系。
实施例三
图6示出了本发明又一实施例提供的MEMS压力传感器中背极板的俯视结构示意图。
如图6所示，在本实施例中，与实施例一、实施例二不同的是，所述第一电极区域621位于所述第二电极区域622的一侧，所述第一电极区域621和所述第二电极区域622相配合形成一环形区域623，所述环形区域623与所述振膜300的振动区域呈偏心设置。
示例性地，通过调整了环形区域623的几何中心位置A点相对于振膜的几何中心位置B点有偏移，换句话说，环形区域623的几何中心A点与振膜的几何中心B点之间有错位，使得在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电极区域621构成的第一电容和所述第二电极区域622构成的第二电容之间的变化是不同的，最终通过调节所述第一电容和所述第二电容的差值使之能够与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系。可根据实际应用需求调整A点和B点之间的偏移距离，本申请实施例在此不做限制。
在一些实施方式中，所述第一电极区域621与所述第二电极区域622呈轴对称设置。
实施例四
图7示出了本发明另一实施例提供的MEMS压力传感器的结构示意图，图8为图7中背极板的俯视结构示意图。
如图7和图8所示，与实施例一~实施例三不同的是，在本实施例中，在所述基底100的厚度方向上，所述第一电极区域621和所述第二电极区域622中的一者设置在所述振膜300的振动区域的投影范围之内，另一者的部分区域设置在所述振膜300的振动区域的投影范围之外。
在一些实施例中，所述第二电极区域622的部分区域设置在所述振膜300的振动区域的投影范围之外。也即，所述第二电极区域622在所述振膜300上的正投影位于所述振膜300的固定边界的附近。换言之，所述第一电极区域621正对所述振膜300的振动敏感区，所述第二电极区域622正对所述振膜300的非振动敏感区。故在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，由所述第三电极与所述第一电极所构成的第一电容和由所述第三电极与所述第二电极所构成的第二电容之间会存在差异。
通常MEMS压力传感器的感应电容会受到外界的环境的温度、气压等因素的影响，为了消除环境电容引起的零点飘移，本申请实施例基于所述MEMS传感器处于非工作状态时，通过优化设计第一电容和第二电容各自所对应的第一电极区域和第二电极区域的图形，以将所对应的所述第一电容和所述第二电容的初始电容值设置为相等，通过利用第一电容和第二电容的差值作为实际的MEMS压力传感器的感测到的电容值，以抑制环境电容引起的零点漂移，并且将所述第一电容和第二电容的差值配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系，以实现MEMS压力传感器的线性输出。
进一步地，基于调节所述振膜300的刚度而调整所述第一电容和所述第二电容的差值与所述施加在所述MEMS压力传感器上的压力之间的线性关系。
在一些实施例中，所述第二电极区域622也可以全部设置在所述振膜300的振动区域的投影范围之外。
本申请至少一实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上所述任一实施例所述的MEMS压力传感器。
采用本发明实施例提供的MEMS压力传感器和电子设备，利用第一电容和第二电容的差值来消除环境电容引起的零点漂移，极大地提高了MEMS压力传感器的压力检测的准确性。
进一步地，能够实现在特定的振膜的刚度下解决MEMS压力传感器输出非线性的问题，利用所述第一电容和所述第二电容的差值作为实际感测到的电容值来表征施加在所述MEMS压力传感器上的压力，且与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系，进而实现高精度的，小量程的压力的测量。
在本申请的各个实施例中，如果没有特殊说明以及逻辑冲突，不同的实施例之间的术语或描述具有一致性、且可以相互引用，不同的实施例中的技术特征根据其内在的逻辑关系可以组合形成新的实施例。本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。
可以理解的是，在本申请的实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分，并不用来限制本申请的实施例的范围。上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定。
以上对本申请实施例所提供的MEMS压力传感器及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的MEMS压力传感器及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (17)
1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，包括：
以层叠的方式依次设置的基底、振膜以及背极板，所述基底具有在其厚度方向上贯通的背腔；
所述背极板包括绝缘层和与所述绝缘层固定连接的导电层，所述导电层包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域构成第一电极，所述第二电极区域构成第二电极，所述振膜构成第三电极，所述第一电极与所述第三电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容；
在所述MEMS压力传感器处于工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容的差值被配置为与施加在所述MEMS压力传感器上的压力呈线性关系；
其中，以穿过所述振膜的几何中心为轴线，所述第一电极区域上的任意一点到所述振膜的几何中心的轴向距离与所述第二电极区域上的任意一点到所述振膜的几何中心的轴向距离不等。
2.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
在所述MEMS压力传感器处于非工作状态下时，所述第一电容和所述第二电容被配置为相等。
3.如权利要求2所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
在所述基底的厚度方向上，所述第一电极区域和所述第二电极区域均设置在所述振膜的振动区域的投影范围之内。
4.如权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一电极区域和所述第二电极区域的面积相等。
5.如权利要求4所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一电极区域和所述第二电极区域呈同心设置。
6.如权利要求5所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一电极区域和所述第二电极区域中的一者被另一者环绕。
7.如权利要求5所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一电极区域和所述第二电极区域中的一者包括第一部分和第二部分，所述第一部分被另一者环绕，所述第二部分环绕另一者。
8.如权利要求4所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一电极区域位于所述第二电极区域的一侧，
所述第一电极区域和所述第二电极区域相配合形成一环形区域，所述环形区域与所述振膜的振动区域呈偏心设置。
9.如权利要求8所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一电极区域与所述第二电极区域呈轴对称设置。
10.如权利要求2所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
在所述基底的厚度方向上，所述第一电极区域和所述第二电极区域中的一者设置在所述振膜的振动区域的投影范围之内，另一者的部分区域设置在所述振膜的振动区域的投影范围之外。
11.如权利要求10所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
基于调节所述振膜的刚度而调整所述第一电容和所述第二电容的差值与所述施加在所述MEMS压力传感器上的压力之间的线性关系。
12.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述振膜与所述基底之间具有部分区域贯通的第一支撑体，所述背极板与所述振膜之间具有部分区域贯通的第二支撑体。
13.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述背极板上设置有在厚度方向上贯穿所述背极板的至少一个通孔。
14.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述背极板的所述绝缘层朝向所述振膜的一侧设置有第一防粘结构；
其中，在所述基底的厚度方向上，所述第一防粘结构在所述振膜上的正投影位于所述背腔在所述振膜的正投影的范围之内。
15.如权利要求14所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
所述第一防粘结构与所述背极板的所述绝缘层一体成型。
16.如权利要求1至15中任意一项所述的MEMS压力传感器，其特征在于，还包括信号处理电路芯片，
所述信号处理电路芯片分别与所述第一电容和所述第二电容电连接，以接收并处理所述MEMS压力传感器对应各个工作状态的信号输出；
基于所述MEMS压力传感器处于各个工作状态下时，将所对应的所述第一电容和所述第二电容的信号输出值进行预设的差动运算，以得到对应所述MEMS压力传感器的差动输出。
17.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求16所述的MEMS压力传感器。
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