CN115910608A - 电容隔离器及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一种电容隔离器及其形成方法，其中电容隔离器包括：衬底；位于所述衬底上的底层电极板；位于所述底层电极板上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上的顶层电极板；位于所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者侧壁的第三覆盖层，所述第三覆盖层的材料包括金属氮化物。金属氮化物中氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成第三覆盖层的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高电容隔离器极板侧壁处的绝缘结构的抗击穿能力及减小电容隔离器的漏电。另外金属氮化物还可以有效防止底层电极板或顶层电极板中的电子迁移，使得电容隔离器的经时击穿也得到较大的改善。

Description

电容隔离器及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电容隔离器及其形成方法。

背景技术

在电路设计中，出于安全、噪声控制、交互操作等方面的考虑，数字隔离器的使用是必不可少的。当前的数字隔离器主要有三种隔离方式，即光电耦合、电磁耦合以及电容耦合。其中，采用电容耦合隔离方式的电容隔离器的主要结构是通过金属层为上下极板的平行板电容器，两极板间填充以二氧化硅为主要电介质的绝缘材料，因其体积小、集成度高、功耗低、通讯速度高等特点，在工业、医疗、汽车等领域得到越来越多的应用。

然而，现有技术中的电容隔离器的性能仍有待提升。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种电容隔离器及其形成方法，能够有效提升电容隔离器的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种电容隔离器，包括：衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层包括若干器件结构、与所述器件结构电连接的器件导电层、以及覆盖所述器件结构和所述器件导电层的介质层；位于所述衬底上的底层电极板，所述底层电极板的底部表面和顶部表面具有第一覆盖层，所述底层电极板在所述衬底上具有第一投影；位于所述底层电极板上的绝缘结构；位于所述绝缘结构上的顶层电极板，所述顶层电极板的底部表面和顶部表面具有第二覆盖层，所述顶层电极板在所述衬底上具有第二投影，所述第二投影在所述第一投影的范围内；位于所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者侧壁的第三覆盖层；位于所述绝缘结构内的导电结构，所述导电结构与所述底层电极板电连接，所述导电结构在所述衬底上具有第三投影，所述第三投影与所述第二投影不重叠。

可选的，所述第一覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第二覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第三覆盖层的材料包括：金属氮化物，且所述第三覆盖层的厚度大于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的厚度。

可选的，所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。

可选的，所述金属氮化物中的金属元素与氮元素的摩尔比为0.5～10。

可选的，所述第三覆盖层位于所述底层电极板的侧壁。

可选的，所述第三覆盖层的厚度是所述底层电极板的厚度的1％～20％。

可选的，所述第三覆盖层位于所述顶层电极板的侧壁。

可选的，所述第三覆盖层的厚度是所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

可选的，所述第三覆盖层分别位于所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁。

可选的，所述第三覆盖层的厚度是对应的所述底层电极板的厚度或对应的所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

可选的，所述顶层电极板的厚度大于所述底层电极板的厚度。

可选的，所述绝缘结构包括一层或多层绝缘层，所述绝缘层的材料包括：氧化硅。

可选的，所述导电结构包括：若干导电插塞和若干导电层，所述导电插塞位于相邻的所述导电层之间。

可选的，所述底层电极板和所述顶层电极板的材料包括：铝或铝铜合金。

可选的，还包括：位于所述绝缘结构上的钝化层，所述钝化层覆盖所述顶电电极板；位于所述钝化层上的顶电极导电层；位于所述钝化层和所述顶电极导电层内的导电开口，所述导电开口暴露出部分所述顶层电极板的表面。

相应的，本发明的技术方案中还提供了一种电容隔离器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层包括若干器件结构、与所述器件结构电连接的器件导电层、以及覆盖所述器件结构和所述器件导电层的介质层；在所述衬底上形成底层电极板，所述底层电极板的底部表面和顶部表面具有第一覆盖层，所述底层电极板在所述衬底上具有第一投影；在所述底层电极板上形成绝缘结构；在所述绝缘结构上形成顶层电极板，所述顶层电极板的底部表面和顶部表面具有第二覆盖层，所述顶层电极板在所述衬底上具有第二投影，所述第二投影在所述第一投影的范围内；在所述底层电极板和所述顶层电极板中至少一者的侧壁形成第三覆盖层；在所述绝缘结构内形成导电结构，所述导电结构与所述底层电极板电连接，所述导电结构在所述衬底上具有第三投影，所述第三投影与所述第二投影不重叠。

可选的，所述第一覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第二覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第三覆盖层的材料包括：金属氮化物，且所述第三覆盖层的厚度大于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的厚度。

可选的，所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。

可选的，所述金属氮化物中的金属元素与氮元素的摩尔比为0.5～10。

可选的，在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层包括：在所述底层电极板的侧壁上形成所述第三覆盖层。

可选的，所述第三覆盖层的厚度是所述底层电极板的厚度的1％～20％。

可选的，在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层包括：在所述顶层电极板的侧壁上形成所述第三覆盖层。

可选的，所述第三覆盖层的厚度是所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

可选的，在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层包括：在所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁形成所述第三覆盖层。

可选的，所述第三覆盖层的厚度是对应的所述底层电极板的厚度或对应的所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

可选的，在形成所述绝缘结构的过程中，所述导电结构包括：若干导电插塞和若干导电层，所述导电插塞位于相邻的所述导电层之间。

可选的，在形成所述顶层电极板之后，还包括：在所述绝缘结构上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层电极板；在所述钝化层上形成顶电极导电层；在所述钝化层和所述顶电极导电层内形成导电开口，所述导电开口暴露出部分所述顶层电极板的表面。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在本发明技术方案的电容隔离器中，包括：位于所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者侧壁的第三覆盖层，所述第三覆盖层的材料包括金属氮化物。在金属氮化物中，氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，从而使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成所述第三覆盖层的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高所述电容隔离器极板侧壁处的所述绝缘结构的抗击穿能力以及减小所述电容隔离器的漏电。另外，金属氮化物还可以有效防止所述底层电极板或所述顶层电极板中的电子迁移，使得所述电容隔离器的经时击穿(TDDB)也得到较大的改善。

在本发明技术方案的电容隔离器的形成方法中，通过在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成所述第三覆盖层，所述第三覆盖层的材料包括金属氮化物。在金属氮化物中，氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，从而使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成所述第三覆盖层的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高所述电容隔离器极板侧壁处的所述绝缘结构的抗击穿能力以及减小所述电容隔离器的漏电。另外，金属氮化物还可以有效防止所述底层电极板或所述顶层电极板中的电子迁移，使得所述电容隔离器的经时击穿(TDDB)也得到较大的改善。

附图说明

图1是一种电容隔离器的结构示意图；

图2至图7是本发明实施例中一种电容隔离器的形成方法各步骤结构示意图；

图8是发明另一实施例中电容隔离器的结构示意图；

图9是发明又一实施例中电容隔离器的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中的电容隔离器的性能仍有待提升。以下将结合附图进行具体说明。

请参考图1，包括：衬底100；位于所述衬底100上的底层电极板101；位于所述底层电极板101上的绝缘结构102；位于所述绝缘结构102上的顶层电极板103。

在本实施例中，所述底层电极板101和所述顶层电极板103均为金属层，在所述底层电极板101和所述顶层电极板103之间增加绝缘结构102进而形成了电容隔离器。然而，由于所述底层电极板101和所述顶层电极板103的侧壁直接裸露出金属层，在对所述电容隔离器施加电压之后，侧壁裸露的金属层往往会有大量的电场聚集，在电场的作用下所述顶层电极板103或所述底层电极板101会释放大量的自由电子高速撞击所述绝缘结构102，进而容易使得位于所述底层电极板101和所述顶层电极板103侧壁位置的绝缘结构102发生击穿问题。

在此基础上，本发明提供一种电容隔离器及其形成方法，通过在底层电极板和顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层，第三覆盖层的材料包括金属氮化物。在金属氮化物中，氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，从而使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成第三覆盖层的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高电容隔离器极板侧壁处的绝缘结构的抗击穿能力以及减小电容隔离器的漏电。另外，金属氮化物还可以有效防止底层电极板或顶层电极板中的电子迁移，使得电容隔离器的经时击穿(TDDB)也得到较大的改善。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。

图2至图7是本发明实施例的一种电容隔离器的形成过程的结构示意图。

请参考图2，提供衬底200。

在本实施例中，所述衬底200包括基底以及位于所述基底上的器件层(未图示)，所述器件层包括若干器件结构、与所述器件结构电连接的器件导电层、以及覆盖所述器件结构和所述器件导电层的介质层。

在本实施例中，所述器件结构包括：晶体管、电容结构以及电阻结构等。

在本实施例中，所述基底的材料采用硅；在其他实施例中，所述基底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。

请参考图3和图4，图3是电容隔离器的立体图，图4是图3中沿A-A线截面示意图，在所述衬底200上形成底层电极板201。

在本实施例中，所述底层电极板201的形成方法包括：在所述衬底200上形成底层电极板材料层(未图示)；在所述底层电极板材料层上形成第一图形化层(未图示)，所述第一图形化层暴露出所述底层电极板材料层的部分顶部表面；以所述第一图形化层为掩膜刻蚀所述底层电极板材料层，直至暴露出所述衬底200的顶部表面为止，形成所述底层电极板201。

在本实施例中，所述底层电极板201的材料采用铝；在其他实施例中，所述底层电极板的材料还可以采用铝铜合金。

在本实施例中，所述底层电极板201的厚度为0.1μm～1μm，所述厚度方向为沿所述衬底200表面法线方向。

在本实施例中，所述底层电极板201的底部表面和顶部表面具有第一覆盖层209，第一覆盖层209的材料包括金属氮化物。

所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。在本实施例中，所述金属氮化物采用氮化钛。

在本实施例中，所述底层电极板201在所述衬底200上具有第一投影S1。

请参考图5，图5和图4的视图方向一致，在形成所述底层电极板201之后，在所述底层电极板201上形成绝缘结构202。

所述绝缘结构202包括一层或多层绝缘层，所述绝缘层的材料采用氧化硅。在本实施例中，所述绝缘结构202包括多层绝缘层。

在本实施例中，所述绝缘结构202的厚度根据所述电容隔离器所需要的容值决定，所述绝缘结构与其他器件区域中的介质层同时形成，因此所述绝缘结构的层数也根据其他器件区域中介质层的层数决定。

请继续参考图5，在本实施例中，在形成所述绝缘结构202的过程中，还包括：在所述绝缘结构202内形成导电结构203，所述导电结构203与所述底层电极板201电连接；所述导电结构203包括：若干导电插塞(未标示)和若干导电层(未标示)，所述导电插塞位于相邻的所述导电层之间。

在本实施例中，所述导电结构203起到引线的作用，由于所述底层电极板201是掩埋在所述绝缘结构202内，因此需要通过所述导电结构203将所述底层电极板201引出，以便后续施加电压。

在本实施例中，所述导电结构203在所述衬底200上具有第三投影S3。

请参考图6，在形成所述绝缘结构202之后，在所述绝缘结构202上形成顶层电极板204。

在本实施例中，所述顶层电极板204的形成方法包括：在所述绝缘结构202上形成顶层电极板材料层(未图示)；在所述顶层电极板材料层上形成第二图形化层(未图示)，所述第二图形化层暴露出所述顶层电极板材料层的部分顶部表面；以所述第二图形化层为掩膜刻蚀所述顶层电极板材料层，直至暴露出所述绝缘结构202的顶部表面为止，形成所述顶层电极板204。

在本实施例中，所述顶层电极板204的材料采用铝；在其他实施例中，所述顶层电极板的材料还可以采用铝铜合金。

在本实施例中，所述顶层电极板204的厚度大于所述底层电极板201的厚度，所述顶层电极板204的厚度为0.45μm～5μm，所述厚度方向为沿所述衬底200表面法线方向。

在本实施例中，由所述底层电极板201、绝缘结构202以及顶层电极板204形成所述电容隔离器。

在本实施例中，所述顶层电极板204的底部表面和顶部表面具有第二覆盖层210，所述第二覆盖层210的材料包括金属氮化物。

所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。在本实施例中，所述金属氮化物采用氮化钛。

在本实施例中，所述顶层电极板204在所述衬底上具有第二投影S2，所述第二投影S2在所述第一投影S1的范围内，且所述第二投影S2与所述第三投影S3不重叠。

请继续参考图6，在形成所述顶层电极板204的过程中，还包括：在所述导电结构203的顶部表面形成顶层导电层205。

请参考图7，在形成所述顶层电极板204之后，在所述顶层电极板204的侧壁形成第三覆盖层206，所述第三覆盖层206的厚度大于所述第一覆盖层209和所述第二覆盖层210的厚度，所述第三覆盖层206的材料包括金属氮化物。

通过在所述顶层电极板204中的侧壁形成所述第三覆盖层206，所述第三覆盖层206的材料包括金属氮化物。在金属氮化物中，氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，从而使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成所述第三覆盖层206的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高所述电容隔离器极板侧壁处的所述绝缘结构的抗击穿能力以及减小所述电容隔离器的漏电。另外，金属氮化物还可以有效防止所述顶层电极板204中的电子迁移，使得所述电容隔离器的经时击穿(TDDB)也得到较大的改善。

在本实施例中，所述第三覆盖层206仅在所述顶层电极板204的侧壁形成；在其他实施例中，根据对所述电容隔离器的参数需求，所述第三覆盖层还可以仅在所述底层电极板的侧壁形成(请参考图8，图中对应结构的标号修改为300～306)，或者在所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁均形成(请参考图9，图中对应结构的标号修改为400～406)。

在本实施例中，所述第三覆盖层206的形成方法包括：在所述顶层电极板204的侧壁和顶部表面、以及所述绝缘结构202的顶部表面形成第三覆盖层材料层(未图示)；回刻蚀所述第三覆盖层材料层，直至暴露出所述顶层电极板204和所述绝缘结构202的顶部表面为止，形成所述第三覆盖层206。

由于所述第三覆盖层材料层是通过全局工艺形成，因此在所述顶层导电层205的侧壁和顶部表面也会形成所述第三覆盖层材料层，在回刻蚀所述第三覆盖层材料层之后，在所述顶层导电层205的侧壁也会形成所述第三覆盖层206。

所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。在本实施例中，所述金属氮化物采用氮化钛。

在本实施例中，所述金属氮化物中的金属元素与氮元素的摩尔比为0.5～10。

在本实施例中，所述第三覆盖层206的厚度是所述顶层电极板204的厚度的1％～20％。

在其他实施例中，当所述第三覆盖层位于所述底层电极板的侧壁时，所述第三覆盖层的厚度是所述底层电极板的厚度的1％～20％；当所述第三覆盖层分别位于所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁；所述第三覆盖层的厚度是对应的所述底层电极板的厚度或对应的所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

需要说明的是，在其他实施例中，在所述底层电极板侧壁形成所述第三覆盖层的方法与在所述顶层电极板侧壁形成所述第三覆盖层的方法一致，只是在所述底层电极板侧壁形成所述第三覆盖层需要在形成所述绝缘结构之前形成。

在本实施例中，请继续参考图7，在形成所述顶层电极板205之后，还包括：在所述绝缘结构202上形成钝化层207，所述钝化层207覆盖所述顶层电极板205；在所述钝化层207上形成顶电极导电层211；在所述钝化层205和所述顶电极导电层211内形成导电开口208，所述导电开口208暴露出部分所述顶层电极板205的表面。

相应的，在本发明的实施例中还提供了一种电容隔离器，请继续参考图7，包括：衬底，所述衬底200包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层包括若干器件结构、与所述器件结构电连接的器件导电层、以及覆盖所述器件结构和所述器件导电层的介质层；位于所述衬底200上的底层电极板201，所述底层电极板201的底部表面和顶部表面具有第一覆盖层209，所述第一覆盖层209的材料包括金属氮化物，所述底层电极板201在所述衬底200上具有第一投影S1；位于所述底层电极板201上的绝缘结构202；位于所述绝缘结构202上的顶层电极板204，所述顶层电极板204的底部表面和顶部表面具有第二覆盖层210，所述第二覆盖层210的材料包括金属氮化物，所述顶层电极板204在所述衬底200上具有第二投影S2，所述第二投影S2在所述第一投影S1的范围内；位于所述顶层电极板204侧壁的第三覆盖层206，所述第三覆盖层206的厚度大于所述第一覆盖层209和所述第二覆盖层210的厚度，所述第三覆盖层206的材料包括金属氮化物；位于所述绝缘结构内的导电结构203，所述导电结构203与所述底层电极板201电连接，所述导电结构203在所述衬底200上具有第三投影S3，所述第三投影S3与所述第二投影S2不重叠。

通过位于所述顶层电极板204侧壁的所述第三覆盖层206，所述第三覆盖层206的材料包括金属氮化物。在金属氮化物中，氮原子占据着金属晶格中的间隙位置，从而使得金属氮化物中电子的迁移能力远弱于金属，这种形成所述第三覆盖层206的金属氮化物能够起到电子缓冲层的作用，从而提高所述电容隔离器极板侧壁处的所述绝缘结构的抗击穿能力以及减小所述电容隔离器的漏电。另外，金属氮化物还可以有效防止所述顶层电极板204中的电子迁移，使得所述电容隔离器的经时击穿(TDDB)也得到较大的改善。

在本实施例中，所述第三覆盖层206的厚度是所述顶层电极板204的厚度的1％～20％。

在其他实施例中，所述第三覆盖层还可以仅位于所述底层电极板的侧壁；所述第三覆盖层的厚度是所述底层电极板的厚度的1％～20％。

在其他实施例中，所述第三覆盖层还可以分别位于所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁；所述第三覆盖层的厚度是对应的所述底层电极板的厚度或对应的所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。在本实施例中，所述金属氮化物采用氮化钛。

在本实施例中，所述金属氮化物中的金属元素与氮元素的摩尔比为0.5～10。

在本实施例中，所述顶层电极板204的厚度大于所述底层电极板201的厚度，所述顶层电极板204的厚度为0.45μm～5μm，所述底层电极板201的厚度为0.1μm～1μm，所述厚度方向为沿所述衬底200表面法线方向。

在本实施例中，所述绝缘结构202包括多层绝缘层，所述绝缘层的材料采用氧化硅；在其他实施例中，所述绝缘结构还可以为一层绝缘层。

在本实施例中，所述导电结构包括：若干导电插塞和若干导电层，所述导电插塞位于相邻的所述导电层之间。

在本实施例中，所述底层电极板201和所述顶层电极板204的材料采用铝；在其他实施例中，所述底层电极板和所述顶层电极板的材料还可以采用铝铜合金。

在本实施例中，还包括：位于所述绝缘结构202上的钝化层207，所述钝化层207覆盖所述顶层电极板204；位于所述钝化层207上的顶电极导电层211；位于所述钝化层207和所述顶电极导电层211内的导电开口208，所述导电开口208暴露出部分所述顶层电极板204的表面。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (27)

1.一种电容隔离器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层包括若干器件结构、与所述器件结构电连接的器件导电层、以及覆盖所述器件结构和所述器件导电层的介质层；

位于所述衬底上的底层电极板，所述底层电极板的底部表面和顶部表面具有第一覆盖层，所述底层电极板在所述衬底上具有第一投影；

位于所述底层电极板上的绝缘结构；

位于所述绝缘结构上的顶层电极板，所述顶层电极板的底部表面和顶部表面具有第二覆盖层，所述顶层电极板在所述衬底上具有第二投影，所述第二投影在所述第一投影的范围内；

位于所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者侧壁的第三覆盖层，位于所述绝缘结构内的导电结构，所述导电结构与所述底层电极板电连接，所述导电结构在所述衬底上具有第三投影，所述第三投影与所述第二投影不重叠。

2.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述第一覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第二覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第三覆盖层的材料包括：金属氮化物，且所述第三覆盖层的厚度大于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的厚度。

3.如权利要求2所述的电容隔离器，其特征在于，所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。

4.如权利要求2所述的电容隔离器，其特征在于，所述金属氮化物中的金属元素与氮元素的摩尔比为0.5～10。

5.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述第三覆盖层位于所述底层电极板的侧壁。

6.如权利要求5所述的电容隔离器，其特征在于，所述第三覆盖层的厚度是所述底层电极板的厚度的1％～20％。

7.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述第三覆盖层位于所述顶层电极板的侧壁。

8.如权利要求7所述的电容隔离器，其特征在于，所述第三覆盖层的厚度是所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

9.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述第三覆盖层分别位于所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁。

10.如权利要求9所述的电容隔离器，其特征在于，所述第三覆盖层的厚度是对应的所述底层电极板的厚度或对应的所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

11.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述顶层电极板的厚度大于所述底层电极板的厚度。

12.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述绝缘结构包括一层或多层绝缘层，所述绝缘层的材料包括：氧化硅。

13.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述导电结构包括：若干导电插塞和若干导电层，所述导电插塞位于相邻的所述导电层之间。

14.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，所述底层电极板和所述顶层电极板的材料包括：铝或铝铜合金。

15.如权利要求1所述的电容隔离器，其特征在于，还包括：位于所述绝缘结构上的钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层电极板；位于所述钝化层上的顶电极导电层；位于所述钝化层和所述顶电极导电层内的导电开口，所述导电开口暴露出部分所述顶层电极板的表面。

16.一种电容隔离器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的器件层，所述器件层包括若干器件结构、与所述器件结构电连接的器件导电层、以及覆盖所述器件结构和所述器件导电层的介质层；

在所述衬底上形成底层电极板，所述底层电极板的底部表面和顶部表面具有第一覆盖层，所述底层电极板在所述衬底上具有第一投影；

在所述底层电极板上形成绝缘结构；

在所述绝缘结构上形成顶层电极板，所述顶层电极板的底部表面和顶部表面具有第二覆盖层，所述顶层电极板在所述衬底上具有第二投影，所述第二投影在所述第一投影的范围内；

在所述底层电极板和所述顶层电极板中至少一者的侧壁形成第三覆盖层；在所述绝缘结构内形成导电结构，所述导电结构与所述底层电极板电连接，所述导电结构在所述衬底上具有第三投影，所述第三投影与所述第二投影不重叠。

17.如权利要求16所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述第一覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第二覆盖层的材料包括：金属氮化物；所述第三覆盖层的材料包括：金属氮化物，且所述第三覆盖层的厚度大于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的厚度。

18.如权利要求17所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述金属氮化物中的金属元素包括：钛、钽和铝中的一种或几种的组合。

19.如权利要求17所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述金属氮化物中的金属元素与氮元素的摩尔比为0.5～10。

20.如权利要求16所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层包括：在所述底层电极板的侧壁上形成所述第三覆盖层。

21.如权利要求20所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述第三覆盖层的厚度是所述底层电极板的厚度的1％～20％。

22.如权利要求16所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层包括：在所述顶层电极板的侧壁上形成所述第三覆盖层。

23.如权利要求22所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述第三覆盖层的厚度是所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

24.如权利要求16所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，在所述底层电极板和所述顶层电极板中的至少一者的侧壁形成第三覆盖层包括：在所述底层电极板和所述顶层电极板的侧壁形成所述第三覆盖层。

25.如权利要求24所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述第三覆盖层的厚度是对应的所述底层电极板的厚度或对应的所述顶层电极板的厚度的1％～20％。

26.如权利要求16所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，所述导电结构包括：若干导电插塞和若干导电层，所述导电插塞位于相邻的所述导电层之间。

27.如权利要求16所述的电容隔离器的形成方法，其特征在于，在形成所述顶层电极板之后，还包括：在所述绝缘结构上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述顶层电极板；在所述钝化层上形成顶电极导电层；在所述钝化层和所述顶电极导电层内形成导电开口，所述导电开口暴露出部分所述顶层电极板的表面。

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