CN115512914A - 一种抗静电的汽车用厚膜晶片电阻 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 7
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 4
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 210000002489 tectorial membrane Anatomy 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 1
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/06—Electrostatic or electromagnetic shielding arrangements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by chemical deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
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- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for baking
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种抗静电的汽车用厚膜晶片电阻，包括：电介质基板，被配置为条状结构，电介质基板沿条状长度方向的两端覆盖有电极，所述电极自电介质基板的侧端部延伸至电介质基板的正面以及背面；电阻层，用于覆盖于所述电介质基板的正面，并分别连接电介质基板正面两端的电极；助焊层，用于包覆在所述电极的外表面；保护层，用于包覆在所述电阻层的外表面；绝缘粘接层，用于包覆制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面，并露出所述电介质基板背面的电极；绝缘覆膜，用于包覆所述绝缘粘接层的外表面。
Description
技术领域
本发明涉及一种抗静电的汽车用厚膜晶片电阻。
背景技术
汽车由于车内纤维织物如地毯、座椅等物品较多，易与人体摩擦，另一方面由于汽车在行驶过程中，经常空气中的尘埃与车身金属表面相互摩擦，导致车内空间极容易产生静电放电负荷。
静电放电负荷不仅是对人体产生电击危害，对于车内电子元件也会产生影响。汽车用厚膜晶片电阻属于当前集成化趋势下汽车上较多使用的电子元件，在遭遇静电放电负荷事件时可能会被迫改变电阻器的阻值，导致引起电阻阻值精度漂移，进而引起与电阻搭配使用的功能系统的测算或检测的结果失常，更致命的是，静电放电负荷对电阻器阻值的危害不会影响电阻本身的使用功能，因此对于功能系统而言，其检测装置将不会对静电放电负荷产生的电阻值变化作出警示反应，导致危害往往是难以察觉的。
发明内容
本发明为改善现有技术中的不足之处，而提供一种汽车用厚膜晶片电，其能够达到抗静电目的。
为此，提供一种抗静电的汽车用厚膜晶片电阻，包括：
电介质基板，被配置为条状结构，电介质基板沿条状长度方向的两端覆盖有电极，所述电极自电介质基板的侧端部延伸至电介质基板的正面以及背面；
电阻层，用于覆盖于所述电介质基板的正面，并分别连接电介质基板正面两端的电极；
助焊层，用于包覆在所述电极的外表面；
保护层，用于包覆在所述电阻层的外表面；
绝缘粘接层，用于包覆制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面，并露出所述电介质基板背面的电极；
绝缘覆膜，用于包覆所述绝缘粘接层的外表面。
进一步的，所述绝缘粘接层为硅胶，且所述绝缘覆膜为热塑性聚酰亚胺。
进一步的，所述热塑性聚酰亚胺的外表面通过镭射刻印有用于标识的字码。
进一步的，所述电阻层的材料被配置为镍，并以沉镍工艺进行制备。
进一步的，所述电极配置为铜电极，所述助焊层配置为锡铅并直接电镀于所述铜电极的外表面。
进一步的，所述锡铅在电镀前先对所述铜电极进行表面金属热处理。
进一步的，所述电介质基板配置为氧化铝基板、氧化铍基板、碳化硅基板或氮化铝基板。
进一步的，汽车用厚膜晶片电阻的制备方法进一步包括：
在电介质基板正面和背面的沿条状长度方向的两端分别丝印铜浆料以制作正面电极和背面电极，然后高温烧结至正面电极和背面电极结晶化；
在电极结晶化后的半成品的正面贴干膜，并经曝光显影制备出干膜的裸露窗口，其中，窗口的位置被配置为位于该半成品正面的中央，且分别从内向外覆盖该半成品正面两端的部分或全部正面电极，然后在窗口溅射铜附着膜，并控制铜附着膜的厚度使其呈非导电性，接着在窗口中以化学镀方式制备电阻层；
对固化后的电阻层丝印保护层并烧结；
在电介质基板两端的侧部覆盖铜浆料，并高温烧结使两端的正面电极与背面电极形成电导通，然后在固化后的铜浆料上直接电镀锡铅；
在制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面上涂覆硅胶至露出电介质基板背面的电极，然后通过浸塑工艺在硅胶外表面覆膜热塑性聚酰亚胺。
进一步的，在丝印保护层之前且电阻层固化之后，对电介质基板正面的干膜进行褪膜。
进一步的，所述铜浆料的表面进行微蚀后才进行所述电镀。
本发明的电阻，粘接层的自粘接性牢固固定绝缘覆膜，绝缘覆膜形成保护外壳进行内外的电气隔离，避免电阻层受静电放电负荷破坏产生精度漂移。
附图说明
图1示出了本发明的汽车用厚膜晶片电阻的制备流程。
具体实施方式
下文结合附图和具体实施例对本发明的技术方案做进一步说明。
如图1所示，本发明的汽车用厚膜晶片电阻，制备时，先在电阻器的基板1的背面的两端丝印导体浆料作为背面电极22，在基板1的正面的两端丝印导体浆料以制作正面电极21，其中，基板1的形状配置为条形，正面电极21和背面电极22均设于沿条形延伸方向的两端部，利用其长度方向来供同侧面两电极之间的距离留出足够空间，使得后续覆盖电阻浆料3后能够形成足够的电阻阻值。本实施例中，基板1的材料选用为陶瓷，例如氧化铝基板、氧化铍基板、碳化硅基板或氮化铝基板，基板1的表面要求平整无弯曲且厚度均匀，一方面，主体以陶瓷制作达到节能环保要求，另一方面，利用陶瓷热膨胀系数小的特点，避免后续烧结工序中发生基体变形，进而影响贴干膜性能。
在基板1的正背面印刷导体浆料后，高温烧结使导体浆料在基板表面结晶化，结晶化后导体浆料21、22与基板1紧密结合，其中，烧结的温度根据所使用导体浆料制定，例如导体浆料选用为传统所用的银膏时，使用850°高温进行烧结处理，而在导体浆料选用为铜膏时，烧结温度配置为900-1020℃之间。导体结晶化处理后，在半成品的正面贴干膜，其中，为提升干膜开孔精度，贴干膜前对半成品的正面使用DF前处理，然后压膜，接着通过LDI曝光，再进行MSAP垂直显影，从而裸露窗口。本实施例中，干膜的裸露窗口的位置被配置为位于半成品的正面中央，且分别从内向外覆盖半成品正面两端的部分或全部正面电极，以便于后续化学镀制备电阻时使得两端的电极通过中间的电阻3连接起来。干膜开窗后，进行电阻层3制备，具体在窗口中溅射铜附着膜，其中，铜附着膜的厚度可以控制在20nm以下，或者是0-15nm，还可以是3-12nm，其中优选地，配置铜附着膜的厚度5-10nm从而兼顾以镍为前提的电阻层的附着性能以及铜附着膜的非导电性，本发明通过在陶瓷基板顶面溅射铜附着膜，为沉镍工艺的实施提供前提条件以及化学镀平台。然后，在窗口中通过化学镀方式制备电阻层3，利用化学镀方式，达到所制备的电阻3在窗口内各处相对较为均匀，提升产品电阻值的精度，并且，节省传统所需的镭射切割工序以及由镭射带来的二次保护层丝印(镭射前后印刷GLASS)的需要，实现工艺简化。
电阻层3制备后，待电阻层3固化完毕，对半成品正面的干膜进行褪膜处理，以避免对后续印刷形成干涉，然后，在固化后的电阻层3上丝印保护层4以防止电阻层3遭到外力破坏，其中保护层4的材料配置为GLASS。本实施例中，保护层的印刷次数可以配置为一次以简化工序，也可以配置为两次及两次以上，从而获得更优越的防护性能。保护层4制备完毕后，在陶瓷基板1两端的侧部覆盖导体浆料23，并高温烧结使两端的正面电极21与背面电极22形成电导通，覆盖导体浆料23时，可以使用滚轮粘上导体浆料23后在条形基板1的侧端部滚动实现所述覆盖。
正面电极21与背面电极22形成电导通后，导体浆料21、22、23上电镀锡铅，用以日后使用时便于焊接，提高可焊接性能，然后通过涂覆在制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面上覆上绝缘粘接层6，并露出基板1背面的电极22，然后通过浸塑工艺在粘接层6的外表面配置绝缘覆膜7，一方面，粘接层6对电极绝缘避免短路，另一方面，利用粘接层的自粘接性更加牢固固定绝缘覆膜7，此时绝缘覆膜7形成保护外壳进行内外的电气隔离，避免电阻层3受静电放电负荷破坏产生精度漂移。
通过上述制备方法，所制备的汽车用厚膜晶片电阻的构造如图1最终产品所示，包括电介质基板1，被配置为条状结构，电介质基板1沿条状长度方向的两端覆盖有电极，电极自电介质基板1的侧端部延伸至电介质基板1的正面以及背面；电阻层3，覆盖于电介质基板1的正面，并分别连接电介质基板正面两端的电极；助焊层5，即锡铅，包覆在电极的外表面；保护层4，包覆在电阻层3的外表面；绝缘粘接层6，包覆制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面，并露出电介质基板1背面的电极；绝缘覆膜7，用于包覆绝缘粘接层的外表面。
本发明的制备方法及其制备电阻，具有如下优势：
(1)利用粘接层6的自粘接性牢固固定绝缘覆膜7，绝缘覆膜7形成保护外壳进行内外的电气隔离，避免电阻层3受静电放电负荷破坏产生精度漂移；
(2)通过在基板1的正面进行压模后进行曝光显影开窗，然后以化学镀方式在开窗中制备电阻3，所制得的电阻3在窗口内各处相对较为均匀，因此能够提升产品电阻值的成型精度，并且能够节省传统所需的镭射切割工序以及由镭射带来的二次保护层丝印(镭射前后印刷GLASS)的需要，实现工艺简化、结构简化。
作为一种改进方案，本发明中，绝缘覆膜7配置为热塑性聚酰亚胺，一方面，聚酰亚胺具有良好绝缘性能，更重要的是，兼具了导热性，通过配合使绝缘粘接层6配置为硅胶，可以将电阻3的工作热传导至聚酰亚胺后散出，使电阻器在实现抗静电功能时能够兼顾散热指标，保障电阻器使用寿命；另一方面，利用聚酰亚胺固化后的低摩擦系数，改善电阻器与车上纤维摩擦积累静电现象，降低电阻器附近的静电放电负荷的产生概率。进一步的，为实现电阻器的阻值可识别功能，考虑到聚酰亚胺的低摩擦系数，可以通过镭射工艺在热塑性聚酰亚胺的外表面刻印用于标识的字码，作为电阻值的标示。
作为另一种改进方案，本发明中，电阻层3的材料被配置为镍，如此在制备电阻层时，可以使用沉镍工艺在窗口中进行制备，使得相同面积情况下所能制备的电阻的数值(上限)得到提升。进一步的，在使用镍制备电阻层3的基础上，可以将导体浆料的材料由传统所使用的银，变更为铜(此时烧结温度变更为900-1020℃)，如此实施的优势在于，可以节省电镀工序中需要先对银表面镀保护层以避免镀锡铅时遭锡铅液腐蚀的工序，进而，可以直接在固化后的铜浆料表面镀锡铅，达到工艺简化目的。由于银的导电性比铜优越，本实施例，在铜浆料表面镀锡铅之前，可以先对固化后的铜浆料进行表面金属热处理，由于铜是通过金属键结合到一起的，铜内部的自由电子越多，电子自由迁移的阻力越小，铜的导电性就越好，所以，通过热处理恢复铜的晶格结构，把铜加工过程中形成的晶格缺陷予以去除，就可以提高导电性，同时可以降低电子穿越晶界时的阻力。更优选地，对金属热处理后的铜浆料的表面进行微蚀，使之表面形成多孔结构，此时进行电镀能够提升锡铅与铜的结合性。
上述具体实施例仅仅是本发明的几种优选的实施例，基于本发明的技术方案和上述实施例的相关启示，本领域技术人员可以对上述具体实施例做出多种替代性的改进和组合。
Claims (10)
1.一种抗静电的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于，包括：
电介质基板，被配置为条状结构，电介质基板沿条状长度方向的两端覆盖有电极，所述电极自电介质基板的侧端部延伸至电介质基板的正面以及背面；
电阻层，用于覆盖于所述电介质基板的正面，并分别连接电介质基板正面两端的电极；
助焊层，用于包覆在所述电极的外表面；
保护层，用于包覆在所述电阻层的外表面；
绝缘粘接层，用于包覆制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面，并露出所述电介质基板背面的电极；
绝缘覆膜，用于包覆所述绝缘粘接层的外表面。
2.根据权利要求1的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于：所述绝缘粘接层为硅胶，且所述绝缘覆膜为热塑性聚酰亚胺。
3.根据权利要求2的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于：所述热塑性聚酰亚胺的外表面通过镭射刻印有用于标识的字码。
4.根据权利要求1的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于：所述电阻层的材料被配置为镍，并以沉镍工艺进行制备。
5.根据权利要求4的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于：所述电极配置为铜电极，所述助焊层配置为锡铅并直接电镀于所述铜电极的外表面。
6.根据权利要求5的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于：所述锡铅在电镀前先对所述铜电极进行表面金属热处理。
7.根据权利要求1的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于：所述电介质基板配置为氧化铝基板、氧化铍基板、碳化硅基板或氮化铝基板。
8.根据权利要求1-7任一项汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于，汽车用厚膜晶片电阻的制备方法进一步包括：
在电介质基板正面和背面的沿条状长度方向的两端分别丝印铜浆料以制作正面电极和背面电极，然后高温烧结至正面电极和背面电极结晶化；
在电极结晶化后的半成品的正面贴干膜，并经曝光显影制备出干膜的裸露窗口，其中，窗口的位置被配置为位于该半成品正面的中央，且分别从内向外覆盖该半成品正面两端的部分或全部正面电极，然后在窗口溅射铜附着膜，并控制铜附着膜的厚度使其呈非导电性，接着在窗口中以化学镀方式制备电阻层；
对固化后的电阻层丝印保护层并烧结；
在电介质基板两端的侧部覆盖铜浆料，并高温烧结使两端的正面电极与背面电极形成电导通，然后在固化后的铜浆料上直接电镀锡铅；
在制备保护层后的半成品的除开背面的其余各面上涂覆硅胶至露出电介质基板背面的电极，然后通过浸塑工艺在硅胶外表面覆膜热塑性聚酰亚胺。
9.根据权利要求8的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于，在丝印保护层之前且电阻层固化之后，对电介质基板正面的干膜进行褪膜。
10.根据权利要求8的汽车用厚膜晶片电阻，其特征在于，所述铜浆料的表面进行微蚀后才进行所述电镀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN115512914A true CN115512914A (zh) | 2022-12-23 |
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| Country | Link |
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09320802A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗器 |
| WO2010113341A1 (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | 釜屋電機株式会社 | 電流検出用金属板抵抗器及びその製造方法 |
| CN206401110U (zh) * | 2017-01-16 | 2017-08-11 | 丽智电子(昆山)有限公司 | 一种抗静电汽车专用厚膜晶片电阻 |
| CN108470613A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-08-31 | 丽智电子（南通）有限公司 | 一种汽车抗硫化厚膜晶片电阻及其制造方法 |
| JP2021005683A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09320802A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗器 |
| WO2010113341A1 (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | 釜屋電機株式会社 | 電流検出用金属板抵抗器及びその製造方法 |
| CN206401110U (zh) * | 2017-01-16 | 2017-08-11 | 丽智电子(昆山)有限公司 | 一种抗静电汽车专用厚膜晶片电阻 |
| CN108470613A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-08-31 | 丽智电子（南通）有限公司 | 一种汽车抗硫化厚膜晶片电阻及其制造方法 |
| JP2021005683A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
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