CN115411198A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents
发光器件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115411198A CN115411198A CN202110582937.4A CN202110582937A CN115411198A CN 115411198 A CN115411198 A CN 115411198A CN 202110582937 A CN202110582937 A CN 202110582937A CN 115411198 A CN115411198 A CN 115411198A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- emitting device
- absorbing material
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种发光器件及其制造方法。发光器件包括第一电极层、电极保护层、发光层和第二电极层。电极保护层设置于第一电极层上。电极保护层中分散有氧气吸收材料。发光层设置于电极保护层远离第一电极层的一侧。第二电极层设置于发光层远离电极保护层的一侧。本申请通过在第一电极层侧形成电极保护层,电极保护层中分散有氧气吸收粒子,氧气吸收粒子能够吸收发光器件中的氧气,从而避免了氧气对电极层的侵蚀,有效地保障了器件的稳定性,并延长器件寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种发光器件及其制造方法。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)发光器件和量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode,QLED)发光器件等发光器件由于具有广视角、高对比度、高响应速度、高亮度等优点,而逐渐成为显示领域的主流。
但是,目前的OLED和QLED显示器封装技术和封装材料不能完全避免氧气的入侵。当氧气残留或从外部进入到发光器件内部时,会使电子传输层等功能层与电极之间的界面发生氧化,改变传输性质,降低界面之间的结合力。当发光器件通电或进行加热等处理时,会加剧氧化的进行,造成器件的迅速老化、失效,器件性能急剧降低。因此,需要提出一种方案来降低氧气对发光器件的影响,提高器件光电特性,并延长器件寿命。
发明内容
有鉴于此,本申请目的在于提供一种能够降低氧气对发光器件的影响的发光器件及其制造方法。
本申请提供一种发光器件,其包括:
第一电极层;
电极保护层,设置于所述第一电极层上,所述电极保护层中分散有氧气吸收材料;
发光层,设置于所述电极保护层远离所述第一电极层的一侧;以及
第二电极层,设置于所述发光层远离所述电极保护层的一侧。
在一种实施方式中,所述氧气吸收材料包括二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种。
在一种实施方式中,所述氧气吸收材料由二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种组成。
在一种实施方式中,所述电极保护层中还分散有氢气吸收材料。
在一种实施方式中,所述氢气吸收材料包括C60+Ca和TiSi2中的至少一种。
在一种实施方式中,所述氢气吸收材料由C60+Ca和TiSi2中的至少一种组成。
在一种实施方式中,所述电极保护层包括有机薄膜,所述氧气吸收材料分散于所述有机薄膜中,所述有机薄膜的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯树脂、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯乙烯中的一种。
在一种实施方式中,所述电极保护层包括有机薄膜和氢气吸收材料,所述氧气吸收材料和所述氢气吸收材料分散于所述有机薄膜中,所述电极保护层中,所述有机薄膜的材料的质量分数为50wt%至75wt%;所述氧气吸收材料的质量分数为12.5wt%至25wt%;所述氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至25wt%。
在一种实施方式中,所述电极保护层中还分散有空穴消除剂。
在一种实施方式中,所述空穴消除剂包括三乙醇胺、聚二乙醇、聚乙烯醇、聚环氧乙烷中的一种或多种。
在一种实施方式中,所述电极保护层包括有机薄膜和氢气吸收材料,所述氧气吸收材料和所述氢气吸收材料分散于所述有机薄膜中,所述电极保护层中,所述有机薄膜的材料的质量分数为50wt%至65wt%;所述氧气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;所述氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;所述三乙醇胺的质量分数为10wt%至20wt%。
在一种实施方式中,所述第一电极层为阴极层,所述发光器件还包括电子传输层,所述电子传输层设置于所述电极保护层与所述发光层之间。
本申请提供一种发光器件的制造方法,其包括以下步骤:
形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成电极保护层;
在所述电极保护层远离所述第一电极层的一侧形成发光层;以及
在所述发光层远离所述电极保护层的一侧形成第二电极层,得到发光器件;
其中,在所述第一电极层上形成电极保护层的步骤包括:
提供电极保护溶液,所述电极保护溶液包括氧气吸收材料;以及
将所述电极保护溶液形成于所述第一电极层的表面,并固化成膜,得到电极保护层。
在一种实施方式中,所述的发光器件的制造方法还包括对所述发光器件进行封装;以及
对封装好的所述发光器件照射紫外线。
本申请提供一种发光器件及其制造方法。发光器件包括第一电极层、电极保护层、发光层和第二电极层。电极保护层设置于第一电极层上。电极保护层中分散有氧气吸收材料。发光层设置于电极保护层远离第一电极层的一侧。第二电极层设置于发光层远离电极保护层的一侧。本申请通过在第一电极层侧形成电极保护层,电极保护层中分散有氧气吸收粒子,氧气吸收粒子能够吸收发光器件中的氧气,从而避免了氧气对电极层的侵蚀,有效地保障了器件的稳定性,并延长器件寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案,下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式的发光器件的结构示意图。
图2为图1中的电极保护层的结构示意图。
图3为本申请第二实施方式的发光器件中的电极保护层的结构示意图。
图4为本申请第三实施方式的发光器件的结构示意图。
图5为本申请第四实施方式的发光器件的结构示意图。
图6为本申请第五实施方式提供的一种发光器件的制造方法的流程图。
图7为图6中在第一电极层上形成电极保护层的流程图。
图8为本申请第六实施方式提供的发光器件的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种发光器件。例如,发光器件可以为OLED发光器件,也可以为QLED发光器件。
由于量子点具有发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等独特的光学性质,QLED在显示领域得到广泛的关注和研究。以下,基于QLED对本申请进行详细说明。
请参考图1和图2,图1为本申请第一实施方式的发光器件的结构示意图。图2为图1中的电极保护层的结构示意图。本申请第一实施方式提供的发光器件100包括:
第一电极层10;
电极保护层20,设置于第一电极层10上,电极保护层20中分散有氧气吸收材料21;
发光层30,设置于电极保护层20远离第一电极层10的一侧;以及
第二电极层40,设置于发光层30远离电极保护层20的一侧。
本实施方式中,发光器件100为底发光器件。第一电极层10可以为阴极层。阴极层可以为金属阴极。阴极层的材料可以包括Al、Ca、Ba、Ag中的一种或其叠层金属。
电极保护层20位于第一电极层10与发光层30之间,用于保护第一电极层10。在一些实施方式中,电极保护层20也可以直接设置于第一电极层10的表面,即电极保护层20与第一电极层10的表面直接接触。在另一些实施方式中,电极保护层20也可以不与第一电极层10直接接触。由于封装材料和工艺的限制,发光器件100中会残留氧气,或者在使用过程中有氧气侵入发光器件100中。电极保护层20中的氧气吸收材料21能够吸收发光器件中的氧气,从而避免了氧气对电极层,特别是第一电极层10的侵蚀,有效地保障了器件的稳定性,并延长器件寿命。
氧气吸收材料21可以采用能够产生电子-空穴对的光催化材料。具体地,氧气吸收材料21可以包括二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种。氧气吸收材料21还可以包括三氧化二铁、氧化锡、氧化钴、钙钛矿型复合氧化物三氧化镧铁LaFeO3和三氧化镧钴LaCoO3等。氧气吸收材料21可以单独使用二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种,也可以混合使用多种。在一种实施方式中,氧气吸收材料21由二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种组成。氧气吸收材料21可以为半导体纳米粒子。当能量大于或等于能隙的光照射到作为光催化材料的半导体纳米粒子上时,其价带中的电子将被激发跃迁到导带,在价带上留下相对稳定的空穴,从而形成电子-空穴对。由于光催化材料纳米材料中存在大量的缺陷和悬键,这些缺陷和悬键能俘获电子或空穴并阻止电子和空穴的重新复合。这些被俘获的电子和空穴分别扩散到微粒的表面,扩散到微粒表面的电子被氧气所捕获,由此来吸附氧气。举例而言,在光照下,TiO2能有效地产生电子-空穴对,进而使O2分子与电子结合,生成O2-,从而消除界面中的氧气。
在一些实施方式中,电极保护层20中还分散有氢气吸收材料22。氢气吸收材料22可以选自能够进行吸氢和储氢功能的材料。具体地,氢气吸收材料22可以包括C60+Ca和TiSi2中的至少一种。C60+Ca和TiSi2均为性能优异的吸氢、储氢材料。C60+Ca为表面修饰有钙的C60。钙在C60上吸附很强,可以均匀地覆盖在C60表面,形成表面掺杂碱金属钙元素的C60。经过表面掺杂碱金属钙元素的C60在其表面附近能形成一个强电场以极化氢分子,从而提高氢分子的吸附能力,能够有效吸附氢气。氢气吸收材料22可以仅使用C60+Ca和TiSi2中的一种,也可以将C60+Ca和TiSi2混合使用。在一种实施方式中,氢气吸收材料由C60+Ca和TiSi2中的至少一种组成。在发光器件100通电工作过程中,水被电解产生微量氢气,氢气使电极鼓泡,不平整,有可能导致黑点产生。这些都会导致发光器件100的光电特性急剧衰退,造成发光器件100的迅速老化、失效。通过在电极保护层20中分散氢气吸收材料22,氢气吸收材料22能够吸收发光器件100中因为通电产生的氢气,防止氢气使电极层鼓泡,不平整,并防止黑点的产生。从而提高发光效率,延长器件寿命。并且,残留在发光器件100中的水汽会在阴极层处被电解产生氢气,将电极保护层20设置在阴极层侧,能够快速吸收氢气,对阴极层产生良好的保护作用。
电极保护层20包括有机薄膜20a。氧气吸收材料21和氢气吸收材料22分散于有机薄膜20a中。由于发光器件100用于显示面板中,有机薄膜20a可以是具有高透光率的有机薄膜。另一方面,有机薄膜20a的材料还可以选自具有良好的隔绝氧气性能的材料。具体地,有机薄膜20a的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯树脂、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯乙烯中的一种。有机薄膜20a的材料还可以包括聚醚酰亚胺和聚醚砜。在本实施例中,有机薄膜20a的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚对苯二甲酸乙二醇酯具有高透光率以及良好的隔绝氧气的性能,在保证OLED器件透光率的同时,还能够防止氧气入侵。
为了有机薄膜20a能顺利成膜,达到基底骨架的作用,并保证电极保护层20的氧气吸附和氢气吸附能力,在电极保护层20中,有机薄膜20a的材料的质量分数为50wt%至75wt%;氧气吸收材料21的质量分数为12.5wt%至25wt%;氢气吸收材料22的质量分数为12.5wt%至25wt%。在一种实施方式中,有机薄膜20a的材料的质量分数为60wt%至70wt%;氧气吸收材料21的质量分数为15wt%至25wt%;氢气吸收材料22的质量分数为15wt%至25wt%。
发光层30的材料可以为量子点发光材料。量子点发光材料可以选自元素周期表中IV族、II-V族、II-VI族、III-VI、III-V族、IV-VI族、Ⅵ-Ⅵ族、Ⅷ-Ⅵ族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族单一或者复合结构量子点中的至少一种。复合结构量子点包括核壳结构量子点,构成核壳结构量子点的核的材料包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP和InGaN中的至少一种;构成核壳结构量子点的壳的材料包含ZnSe、ZnS和ZnSeS中的至少一种。
第二电极层40可以为阳极层。阳极层的材料可以选自铟锡氧化物、铟锌氧化物等透明氧化物材料。
本申请通过在电极层表面形成电极保护层,电极保护层中分散有氧气吸收粒子,氧气吸收粒子能够吸收发光器件中的氧气,从而避免了氧气对电极层的侵蚀,有效地保障了器件的稳定性,并延长器件寿命。此外,通过在电极保护层中分散有氢气吸收材料,氢气吸收材料能够吸收发光器件中因为通电产生的氢气,防止氢气使电极层鼓泡,不平整,防止黑点的产生。从而提高发光效率,延长器件寿命。
请参考图3,图3为本申请第二实施方式的发光器件中的电极保护层的结构示意图。本申请的第二实施方式提供的发光器件100结构与第一实施方式大致相同,不同点仅在于:
电极保护层20中还分散有空穴消除剂23。空穴消除剂23可以采用具有孤对电子的有机物。空穴消除剂23能与空穴结合,从而消除氧气吸收材料21产生的空穴。空穴消除剂23可以包括三乙醇胺、聚二乙醇、聚乙烯醇、聚环氧乙烷中的一种或多种。空穴消除剂23还可以包括甲醇、乙醇、异丙醇、甲酸、抗坏血酸和乙二胺四乙酸。在本实施例中,空穴消除剂23为三乙醇胺。三乙醇胺的氮上具有孤对电子,能有效消除TiO2产生的空穴,从而使电子更好地与O2结合。
为了有机薄膜20a能顺利成膜,达到基底骨架的作用,并保证电极保护层20的氧气吸附和氢气吸附能力,电极保护层20中,有机薄膜20a的材料的质量分数为50wt%至65wt%;氧气吸收材料21的质量分数为12.5wt%至15wt%;氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;三乙醇胺的质量分数为10wt%至20wt%。
请参考图4,图4为本申请第三实施方式的发光器件的结构示意图。本申请的三实施方式提供的发光器件100结构与第一实施方式大致相同,不同点仅在于:发光器件100还包括电子传输层50、和空穴注入层70和空穴传输层60。电子传输层50设置于电极保护层20与发光层30之间。电子传输层50的材料为n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种。空穴传输层60的材料可以为PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种。
空穴传输层60位于第二电极层40与发光层30之间。
空穴注入层70位于空穴传输层60与第二电极层40之间。空穴注入层70的材料可以为PEDOT:PSS、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨、氧化铜中的一种或多种。
在本实施方式中,电极保护层20位于阴极层与电子传输层50之间。由于当氧气进入到器件内部时,会影响阴极层与电子传输层50之间的接触,使两者结合力降低。将电极保护层20设置于阴极层与电子传输层50之间时,能够增强阴极层与电子传输层50的结合力。并且,残留在发光器件中的水汽会在阴极层处被电解产生氢气,将电极保护层20设置在阴极层侧,能够快速吸收氢气,对阴极层产生良好的保护作用。
请参考图5,图5为本申请第四实施方式的发光器件的结构示意图。本申请的第四实施方式提供一种发光器件100,其结构与第三实施方式大致相同,不同点仅在于:
发光器件100为顶发射器件。第一电极层10为阳极层。阳极层可以为金属阳极。阳极层的材料可以包括Al、Ca、Mg、Ag中的一种或其叠层金属。第二电极层40为阴极。阴极的材料可以选自铟锡氧化物、铟锌氧化物等透明导电材料。
具体地,发光器件包括依次层叠设置的第一电极层10、电极保护层20、空穴注入层70、空穴传输层60、发光层30、电子传输层50以及第二电极层40。
请参考图6,图6为本申请第五实施方式提供的一种发光器件的制造方法的流程图。图7为图6中在第一电极层上形成电极保护层的流程图。本申请第五实施方式的发光器件的制造方法,其包括以下步骤:
1:形成第一电极层;
2:在第一电极层上形成电极保护层;
3:在电极保护层远离第一电极层的一侧形成发光层;以及
4:在发光层远离电极保护层的一侧形成第二电极层,得到发光器件;
其中,步骤2还包括以下步骤:
21:将有机材料以及氧气吸收材料溶解于有机溶剂中,形成电极保护溶液;以及
22:将电极保护溶液形成于第一电极层的表面,并固化成膜,得到电极保护层。
在步骤21中,将电极保护溶液形成于第一电极层的表面的方法包括但不限于旋涂法、浸渍提拉法、打印法、印刷法、喷墨法、喷涂法、滚涂法、刮涂法、浇铸法、电解沉积法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。氧气吸收材料21可以采用能够产生电子-空穴对的光催化材料。具体地,氧气吸收材料21可以包括二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种。氧气吸收材料21还可以包括三氧化二铁、氧化锡、氧化钴、钙钛矿型复合氧化物三氧化镧铁LaFeO3和三氧化镧钴LaCoO3等。氧气吸收材料21可以单独使用二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种,也可以混合使用多种。
在步骤21中,还可以向有机溶剂中加入氢气吸收材料22。氢气吸收材料22可以选自能够进行吸氢和储氢功能的材料。具体地,氢气吸收材料22可以包括C60+Ca和TiSi2中的至少一种。C60+Ca和TiSi2均为性能优异的吸氢、储氢材料。
有机溶剂由苯酚与乙醇构成。有机溶剂中的各组分的体积分数为:苯酚,75%-85%;乙醇,15%-25%。在其他实施方式中,有机溶剂也可以由苯酚与氯仿构成。溶液中的各组分的体积分数为:苯酚,75%-85%;氯仿,15%-25%。
使有机材料、氧气吸收材料以及氢气吸收材料均匀分散在有机溶剂中,每毫升的溶剂加溶质的总质量可以为1mg/ml至20mg/ml。即,有机材料、氧气吸收材料以及氢气吸收材料的浓度可以为1mg/ml至20mg/ml。
在一个实施方式中,为了有机薄膜20a能顺利成膜,达到基底骨架的作用,并保证电极保护层20的氧气吸附和氢气吸附能力,在电极保护层20中,有机薄膜20a的材料的质量分数为50wt%至75wt%;氧气吸收材料的质量分数为12.5wt%至25wt%;氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至25wt%。
在另一个实施方式中,步骤21为:混合有机材料、氧气吸收材料、氢气吸收材料以及空穴消除剂形成溶液。空穴消除剂23可以包括三乙醇胺、聚二乙醇、聚乙烯醇、聚环氧乙烷中的一种或多种。空穴吸收剂23还可以包括甲醇、乙醇、异丙醇、甲酸、抗坏血酸和乙二胺四乙酸。为了有机薄膜20a能顺利成膜,达到基底骨架的作用,并保证电极保护层的氧气吸附和氢气吸附能力,电极保护层中,有机薄膜20a的材料的质量分数为50wt%至65wt%;氧气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;三乙醇胺的质量分数为10wt%至20wt%。
需要说明的是,用于所述方法的步骤的上述顺序仅是为了进行说明,本发明的方法的步骤不限于以上具体描述的顺序,除非以其它方式特别说明。
请参考图8,图8为本申请第六实施方式提供的发光器件的制造方法的流程图。本申请第六实施方式提供的发光器件的制造方法与第五实施方式的发光器件的制造方法大致相同,不同点仅在于:
发光器件的制造方法还包括:
步骤5:对发光器件进行封装;以及
步骤6:对封装好的发光器件照射紫外线。
在步骤6中,紫外照射时间可以为15min至30min,通过对封装好的发光器件照射紫外线,能有效促进光催化材料产生电子,进而消除氧气,提高器件的抗氧化性能。
以下,结合具体实施例说明本申请的发光器件的制造方法。
实施例1
本申请实施例1的发光器件的制造方法包括以下步骤:
在衬底上形成透明阳极,透明阳极的材料可以为氧化铟锡,透明阳极形成的方法可以是沉积氧化铟锡并图案化;
在透明阳极上旋涂空穴注入层;
在空穴注入层上旋涂空穴传输层;
在空穴传输层上旋涂量子点发光层;
在量子点发光层上旋涂电子传输层;
在电子传输层上旋涂电极保护层;
在电极保护层上蒸镀金属电极;以及
对发光器件进行封装。
其中,电极保护层溶液的制备过程为:将聚对苯二甲酸乙二醇酯、TiO2、C60+Ca按照质量比5:1:1共混并溶于体积比为5:1的苯酚:乙醇的有机溶剂得到电极保护层溶液。电极保护层溶液中溶质的浓度为10mg/ml。在搅拌台上一边搅拌,一边加热,加热温度为60℃,加热时间为24h。待充分溶解后超声15min,用0.22μm过滤头过滤后得到电极保护层溶液。电极保护层溶液的旋涂转速为5000RPM,旋涂时间为30s。
实施例2
本申请实施例2的发光器件的制造方法包括以下步骤:
在衬底上形成透明阳极,透明阳极的材料可以为氧化铟锡,透明阳极形成的方法可以是沉积氧化铟锡并图案化;
在透明阳极上旋涂空穴注入层;
在空穴注入层上旋涂空穴传输层;
在空穴传输层上旋涂量子点发光层;
在量子点发光层上旋涂电子传输层;
在电子传输层上旋涂电极保护层;
在电极保护层上蒸镀金属电极;以及
对发光器件进行封装。
其中,电极保护层溶液的制备过程为:将聚对苯二甲酸乙二醇酯、TiO2、三乙醇胺、C60+Ca复合材料的混合质量比5:1:1:1共混并溶于体积比为5:1的苯酚:乙醇的有机溶剂得到电极保护层溶液。电极保护层溶液中溶质的浓度为10mg/ml。在搅拌台上一边搅拌,一边加热,加热温度为60℃,加热时间为24h。待充分溶解后超声15min,用0.22μm过滤头过滤后得到电极保护层溶液。电极保护层溶液的旋涂转速为5000RPM,旋涂时间为30s。
实施例3
本申请实施例3的发光器件的制造方法包括以下步骤:
在衬底上形成透明阳极,透明阳极的材料可以为氧化铟锡,透明阳极形成的方法可以是沉积氧化铟锡并图案化;
在透明阳极上旋涂空穴注入层;
在空穴注入层上旋涂空穴传输层;
在空穴传输层上旋涂量子点发光层;
在量子点发光层上旋涂电子传输层;
在电子传输层上旋涂电极保护层;
在电极保护层上蒸镀金属电极;
对发光器件进行封装;以及
对封装好的发光器件照射紫外线,照射时间为15min。
其中,电极保护层溶液的制备过程为:将聚对苯二甲酸乙二醇酯、TiO2、C60+Ca按照质量比5:1:1共混并溶于体积比为5:1的苯酚:乙醇的混合溶剂得到电极保护层溶液。电极保护层溶液中溶质的浓度为10mg/ml,加入搅拌子在搅拌台上60℃,加热24h,转速为5000RPM,旋转时间为30s。待充分溶解后超声15min,用0.22μm过滤头过滤后使用。
对比例
本申请对比例的发光器件的制造方法包括以下步骤:
在衬底上形成透明阳极,透明阳极的材料可以为氧化铟锡,透明阳极形成的方法可以是沉积氧化铟锡并图案化;
在透明阳极上旋涂空穴注入层;
在空穴注入层上旋涂空穴传输层;
在空穴传输层上旋涂量子点发光层;
在量子点发光层上旋涂电子传输层;
在电子传输层上蒸镀金属电极;以及
对发光器件进行封装。
针对上述实施例1至3和对比例测量8h内氢氧总吸收量、电致发光外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)以及手动最大亮度1000nit衰减到95%所用的时间(以T95@1000nit表示),结果如下表1。
表1
从表1可以看出,根据现有技术制造的对比例的发光器件,对氢气和氧气没有吸收能力,而根据本申请的实施例1至3制造的发光器件能够一定程度上吸收氢气和氧气,从而获得更高的外量子效率以及更长的使用寿命。对比实施例1和2可以看出,通过在电极保护层中添加空穴消除剂,能够进一步提高氢氧吸收能力,外量子效率,并延长使用寿命。再对比实施例1至3可以看出,通过在封装后进行紫外光照射,能够再进一步提高氢氧吸收能力,外量子效率,并延长使用寿命。
本申请提供一种发光器件及其制造方法。发光器件包括第一电极层、电极保护层、发光层和第二电极层。电极保护层设置于第一电极层上。电极保护层中分散有氧气吸收材料。发光层设置于电极保护层远离第一电极层的一侧。第二电极层设置于发光层远离电极保护层的一侧。本申请通过在第一电极层侧形成电极保护层,电极保护层中分散有氧气吸收粒子,氧气吸收粒子能够吸收发光器件中的氧气,从而避免了氧气对电极层的侵蚀,有效地保障了器件的稳定性,并延长器件寿命。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (14)
1.一种发光器件,其特征在于,包括:
第一电极层;
电极保护层,设置于所述第一电极层上,所述电极保护层中分散有氧气吸收材料;
发光层,设置于所述电极保护层远离所述第一电极层的一侧;以及
第二电极层,设置于所述发光层远离所述电极保护层的一侧。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述氧气吸收材料包括二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述氧气吸收材料由二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆以及硫化镉中的一种或多种组成。
4.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述电极保护层中还分散有氢气吸收材料。
5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述氢气吸收材料包括C60+Ca和TiSi2中的至少一种。
6.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述氢气吸收材料由C60+Ca和TiSi2中的至少一种组成。
7.如权利要求1或4所述的发光器件,其特征在于,所述电极保护层包括有机薄膜,所述氧气吸收材料分散于所述有机薄膜中,所述有机薄膜的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯树脂、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚苯乙烯中的一种。
8.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述电极保护层包括有机薄膜和氢气吸收材料,所述氧气吸收材料和所述氢气吸收材料分散于所述有机薄膜中,所述电极保护层中,所述有机薄膜的材料的质量分数为50wt%至75wt%;所述氧气吸收材料的质量分数为12.5wt%至25wt%;所述氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至25wt%。
9.如权利要求1、4和7中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述电极保护层中还分散有空穴消除剂。
10.如权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述空穴消除剂包括三乙醇胺、聚二乙醇、聚乙烯醇、聚环氧乙烷中的一种或多种。
11.如权利要求10所述的发光器件,其特征在于,所述电极保护层包括有机薄膜和氢气吸收材料,所述氧气吸收材料和所述氢气吸收材料分散于所述有机薄膜中,所述电极保护层中,所述有机薄膜的材料的质量分数为50wt%至65wt%;所述氧气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;所述氢气吸收材料的质量分数为12.5wt%至15wt%;所述三乙醇胺的质量分数为10wt%至20wt%。
12.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一电极层为阴极层,所述发光器件还包括电子传输层,所述电子传输层设置于所述电极保护层与所述发光层之间。
13.一种发光器件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成电极保护层;
在所述电极保护层远离所述第一电极层的一侧形成发光层;以及
在所述发光层远离所述电极保护层的一侧形成第二电极层,得到发光器件;
其中,在所述第一电极层上形成电极保护层的步骤包括:
提供电极保护溶液,所述电极保护溶液包括氧气吸收材料;以及
将所述电极保护溶液形成于所述第一电极层的表面,并固化成膜,得到电极保护层。
14.如权利要求13所述的发光器件的制造方法,其特征在于,所述的发光器件的制造方法还包括对所述发光器件进行封装;以及
对封装好的所述发光器件照射紫外线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110582937.4A CN115411198A (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 发光器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110582937.4A CN115411198A (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 发光器件及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115411198A true CN115411198A (zh) | 2022-11-29 |
Family
ID=84154793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110582937.4A Pending CN115411198A (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 发光器件及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115411198A (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1653853A (zh) * | 2002-05-10 | 2005-08-10 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光控制板 |
KR20060002313A (ko) * | 2004-07-01 | 2006-01-09 | 이병철 | 전면발광 능동형 유기이엘디스플레이 소자 및 이에 적합한제습편광필름 |
KR20090059606A (ko) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN103681768A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、oled显示装置 |
CN105118931A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN107086228A (zh) * | 2016-02-16 | 2017-08-22 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled显示装置 |
CN109786579A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-21 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN109950419A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件封装结构、显示装置及封装方法 |
CN111384278A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN111384263A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN112420938A (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种封装层、光电器件及其制备方法 |
-
2021
- 2021-05-27 CN CN202110582937.4A patent/CN115411198A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1653853A (zh) * | 2002-05-10 | 2005-08-10 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光控制板 |
KR20060002313A (ko) * | 2004-07-01 | 2006-01-09 | 이병철 | 전면발광 능동형 유기이엘디스플레이 소자 및 이에 적합한제습편광필름 |
KR20090059606A (ko) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN103681768A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、oled显示装置 |
CN105118931A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN107086228A (zh) * | 2016-02-16 | 2017-08-22 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled显示装置 |
CN111384278A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN111384263A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
CN109786579A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-21 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
CN109950419A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-06-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件封装结构、显示装置及封装方法 |
CN112420938A (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种封装层、光电器件及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
王冬华;: "石墨烯的制备方法及应用研究进展", 当代化工, no. 09, 28 September 2017 (2017-09-28) * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Wang et al. | Molecule‐induced p‐doping in perovskite nanocrystals enables efficient color‐saturated red light‐emitting diodes | |
CN111989792B (zh) | 太阳能电池模块 | |
CN107565033B (zh) | 氧化镍薄膜及其制备方法、功能材料、薄膜结构的制作方法及电致发光器件 | |
CN107833976A (zh) | Qled器件的制作方法及qled器件 | |
CN110265564B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法和显示屏 | |
Mokarian Zanjani et al. | Tailored ZnO functional nanomaterials for solution‐processed quantum‐dot light‐emitting diodes | |
Song et al. | Performance enhancement of crystal silicon solar cell by a CsPbBr3–Cs4PbBr6 perovskite quantum Dot@ ZnO/Ethylene Vinyl acetate copolymer downshifting composite film | |
Kim et al. | Polystyrene enhanced crystallization of perovskites towards high performance solar cells | |
Ning et al. | Passivating defects in ZnO electron transport layer for enhancing performance of red InP-based quantum dot light-emitting diodes | |
KR102077534B1 (ko) | 용액 공정 기반 광 소자용 투명 상부전극의 제조 방법 및 이로부터 제조된 광 소자용 투명 상부전극 | |
CN111384263B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
Lu et al. | Highly stable quantum dot light-emitting diodes with improved interface contacting via violet irradiation | |
CN110970569A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN115411198A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
JP6156797B2 (ja) | 有機電子デバイス | |
CN114039002B (zh) | 电子传输墨水、电子传输薄膜、电致发光二极管及显示器件 | |
CN114203941B (zh) | 薄膜的制备方法和发光二极管 | |
Shi et al. | Mercaptopropionic Acid Capped ZnMgO for Efficient and Stable Quantum Dot Light‐Emitting Diodes | |
CN109713152B (zh) | 一种薄膜及其制备方法与qled器件 | |
CN115249774A (zh) | 量子点薄膜及其制备方法和量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN115867094A (zh) | 光电器件及其制备方法、碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法 | |
WO2023051317A1 (zh) | 氧化钨纳米材料及其制备方法、光电器件 | |
Lee et al. | Interfacial Modification of ZnO/ZnMgO Bilayer for Efficient and Stable InP Quantum Dot Light-Emitting Diodes via Ultraviolet Ozone Treatment | |
WO2023051461A1 (zh) | 氧化钼纳米材料及制备方法、光电器件 | |
WO2023065864A1 (zh) | Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |