CN114335101B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括衬底、像素定义层以及发光层，像素定义层设置于衬底上，像素定义层设置有第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层，发光层设置于第一通孔中，发光层与像素定义层之间设置有隔离层。在本申请中，在发光层与像素定义层之间设置隔离层，避免像素定义层中的水氧进入发光层，进而避免发光层失效，从而提高显示面板的性能。

Description

显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

目前，像素定义层(Bank)通常为有机材料，其在一定温度或压力等环境因素作用下会释放出水氧等气体。请参阅图1，现有器件结构中，发光层通常与bank直接接触，bank释放出的水氧等气体可直接进入发光层，与发光材料反应后，导致发光层失效问题，从而引起像素内缩。像素内缩的主要表现为像素周边发暗，严重时会导致出现画面色偏、暗点等缺陷，影响了产品良率和使用寿命。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中像素定义层中的水氧等气体进入发光层导致发光层失效的问题。

本申请提供一种显示面板，包括：

衬底；

像素定义层，所述像素定义层设置于所述衬底上，所述像素定义层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层；以及

发光层，所述发光层设置于所述第一通孔中，所述发光层与像素定义层之间设置有隔离层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔离层包括金属层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述隔离层还包括绝缘的氧化层，所述氧化层设置于所述金属层远离所述衬底的一面，且所述氧化层位于所述金属层的远离所述显示区的端部，所述显示面板还包括上电极和电子功能层，所述电子功能层设置于所述发光层以及所述金属层上，所述上电极设置于所述电子功能层以及所述氧化层上，所述上电极远离所述显示区的端部与所述氧化层相连。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化层的材料为所述金属层的材料的金属氧化物，所述金属层和所述氧化层一体成型。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔离层覆盖所述像素定义层并填充所述第一通孔。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔离层设置有第一过孔，所述第一过孔位于相邻所述发光层之间，所述第一过孔贯穿所述隔离层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括晶体管层、平坦层以及自修复层，所述晶体管层设置于所述衬底上，所述平坦层设置于所述晶体管层上，所述像素定义层设置于所述平坦层上，所述像素定义层还设置有第二通孔，所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述第二通孔位于所述显示区和所述非显示区中的至少一个，所述第二通孔与所述第一通孔间隔设置，所述第二通孔与所述第一过孔贯通，所述第二通孔贯穿所述像素定义层以及所述平坦层，暴露出所述晶体管层，所述隔离层延伸入所述第二通孔中与所述晶体管层接触，所述自修复层设置于所述隔离层上，并延伸入所述第二通孔与所述晶体管层接触。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述隔离层覆盖所述第一通孔的侧壁。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括晶体管层和自修复层，所述晶体管层设置于所述衬底上，所述像素定义层设置于所述晶体管层上，所述自修复层设置于所述晶体管层中或所述隔离层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述自修复层包括自修复材料，所述自修复材料包括微胶囊自修复高分子材料、空心纤维自修复高分子材料、纳米粒子自修复高分子材料和微脉管自修复高分子材料中的一种或几种组合。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述自修复层的材料远离所述衬底的表面为疏水表面。

相应的，本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成像素定义层，所述像素定义层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层以暴露所述衬底；

在所述像素定义层上形成隔离层，且位于所述第一通孔的侧壁上；以及

在所述第一通孔中设置发光层，且所述隔离层位于所述发光层与所述像素定义层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，在所述像素定义层上形成隔离层的步骤中，包括：

在所述像素定义层上设置金属，对所述金属进行图案化处理形成隔离层的金属层，所述金属层位于所述第一通孔的侧壁上；

所述金属层的端部位于所述金属层远离所述显示区的一侧，且对远离所述衬底的所述金属层的端部的表面进行氧化处理形成隔离层的氧化层，所述金属层的端部的上表面形成绝缘的氧化层；

在所述第一通孔中设置发光层的步骤之后，包括：

在所述发光层以及所述像素定义层上设置电子功能层；

在所述电子功能层以及氧化层上设置上电极，所述上电极的端部位于所述上电极远离所述显示区的一侧，所述上电极的端部与所述氧化层相连。

本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括衬底、像素定义层以及发光层，像素定义层设置于衬底上，像素定义层设置有第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层，发光层设置于第一通孔中，发光层与像素定义层之间设置有隔离层。在本申请中，在发光层与像素定义层之间设置隔离层，避免像素定义层中的水氧进入发光层，进而避免发光层失效，从而避免像素周边发暗或内缩问题，从而提高显示面板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中提供的显示面板中的发光层的电子显微镜示意图。

图2是本申请实施例提供的显示面板的平面示意图。

图3是图2中提供的显示面板的沿A-B线的截面示意图。

图4是本申请实施例提供的自修层修复膜层裂纹的原理示意图。

图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。

图6-图12是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本申请中，“反应”可以为化学反应或物理反应。

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括衬底、像素定义层、发光层以及隔离层。像素定义层设置于衬底上，像素定义层设置有第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层，发光层设置于第一通孔中，发光层与像素定义层之间设置有隔离层。

在本申请中，通过在发光层与像素定义层之间设置隔离层，可以避免像素定义层中的水氧等气体进入发光层，进而防止发光层由于水氧侵蚀发生失效，从而避免像素出现内缩问题，从而提高显示面板的性能。

以下分别进行详细说明：

请参阅图2和图3，本申请提供一种显示面板10。显示面板10包括依次层叠设置的衬底100、晶体管层200、平坦层300、下电极400、像素定义层500、隔离层600、发光层700、自修复层800、电子功能层900、上电极1000和封装层1100。显示面板10设置有显示区11和围绕显示区11设置的非显示区12。

晶体管层200的数量为多个。每一晶体管层200间隔设置于衬底100上。具体的，每一晶体管层200均包括遮光层210、缓冲层220、有源层230、绝缘层240、栅极250、层间介质层260、连接部270、源极280、漏极290以及钝化层299。遮光层210设置于所述衬底100上。遮光层210包括间隔设置的遮光部210a以及金属部210b。遮光层210用于遮挡外界光线，避免光线对有源层230的影响，进而提高晶体管的性能。金属部210b为电容的第一极板的一部分。缓冲层220覆盖于遮光层210以及衬底100上。有源层230设置于缓冲层220上。有源层230包括相互间隔设置的有源部230a和导通部230b。有源部230a位于遮光部210a之上。导通部230b位于金属部210b之上，有源部230a包括半导体部和设置于半导体部两侧的导体部。导通部230b为电容的第二极板。绝缘层240设置于有源部230a上，且位于半导体部之上。栅极250设置于绝缘层240上。层间介质层260覆盖于有源层230、绝缘层240以及栅极250上。源极280、漏极290以及连接部270同层且间隔设置于层间介质层260上，其中，连接部270位于导通部230b之上，且连接部270延伸入一连接孔与金属部210b连接。源极280延伸入另一连接孔与一导体部连接。漏极290延伸入又另一连接孔与另一导体部连接。连接部270为存储电容的第一极板的一部分。钝化层299覆盖缓冲层220、连接部270、源极280以及漏极290。

在本申请中，金属部210b和连接部270组成电容的第一极板，使得第一极板与第二极板的重叠面积增大，提高存储电容的电容值，从而提高显示面板10的性能。

平坦层300设置于钝化层299上。平坦层300设置有连接孔，平坦层300的连接孔贯穿平坦层300以及钝化层299以暴露漏极290。

下电极400设置于平坦层300上，并延伸入平坦层300的连接孔与漏极290连接，可选的，下电极400可以为阳极。

像素定义层500设置于下电极400以及平坦层300上。像素定义层500设置有第一通孔501和第二通孔502。第一通孔501贯穿像素定义层500以暴露下电极400。第二通孔502贯穿像素定义层500以及平坦层300以暴露钝化层299。

在本申请中，在像素定义层500上设置有第二通孔502，在本申请中，通过在像素定义层500中设置第二通孔502，可以缓冲在使用过程或制备过程中出现的应力，进而避免显示面板10中的膜层出现断裂的问题，从而提高了显示面板10的性能。

隔离层600设置于发光层700与像素定义层500之间。具体的，隔离层600覆盖于第一通孔501的侧壁上。可选的，隔离层600包括金属层610。金属层610设置于像素定义层500与发光层700之间。可选的，隔离层600也可以采用其他材料，例如具有隔绝水氧等气体能力的无机材料。

在本申请中，在像素定义层500与发光层700之间采用金属形成隔离层600中的金属层610，使得隔离层600可以阻止像素定义层500中的水氧等气体进入发光层700，同时隔离层600中的金属层610是由金属形成，使得金属层610具有反射作用，进而避免出射的光线向四周发散，进而提升显示面板10的出光率，进而提高显示面板10的显示效果。

在一实施例中，隔离层600覆盖像素定义层500并填充第一通孔501，此时，后续的发光层700设置于金属层610上，也即后续的发光层700与金属层610直接接触。

在一实施例中，当隔离层600覆盖像素定义层500并填充第一通孔501时，隔离层600设置有第一过孔601。第一过孔601贯穿隔离层600以暴露钝化层299，第一过孔601与第二通孔502贯通。

在本申请中，当隔离层600覆盖像素定义层500并填充第一通孔501时，在隔离层600上设置第一过孔601，使得隔离层600断开，从而形成多个间隔设置的间隔部，也即形成多个间隔设置的金属部，从而避免金属层610因与下电极400接触，而使得相邻的下电极400之间导通，从而避免出现短路现象，同时，当某一个子像素由于水氧等气体失效后，因隔离部间隔设置，使得水氧等气体无法通过隔离层而影响其它子像素，保证其他子像素正常工作，从而提高了显示面板10的性能。

在一实施例中，当隔离层600覆盖像素定义层500并填充第一通孔501时，隔离层600还设置有第二过孔602，第二过孔602贯穿隔离层600以暴露下电极400，也即第二过孔602贯穿金属层610，第二过孔602与第一通孔501贯通。

在本申请中，当隔离层600覆盖像素定义层500并填充第一通孔501时，在隔离层600还设置第二过孔602与第一通孔501贯通，使得后续的发光层700可以设置于第一通孔501以及第二过孔602中以与下电极400连接，也即发光层700与下电极400直接接触，从而使得后续发光层700以及下电极400与金属层610之间的能级相匹配，从而使得空穴容易注入，从而提高了显示面板10的出光效率，同时，避免微腔效应的影响。

在一实施例中，金属层610的材料为易氧化金属。

需要说明的是，易氧化金属是指在空气中较容易反生氧化反应的金属。

在一实施例中，金属层610的材料包括铝、镁、锌、镍、铅、银、铜以及铁中的一种或几种组合。

在一实施例中，金属层610的厚度H为50-800纳米。

氧化层620设置于金属层610远离衬底100的一面，氧化层620位于金属层610远离显示区11的端部C，金属层610的端部C位于金属层610远离发光层700的一侧。

在本申请中，在金属层610远离衬底100的一面设置氧化层620，避免后续的电子功能层900未完全覆盖下电极400时，而造成后续的上电极1000与金属层610的连接，从而避免出现短路问题，从而保证了显示面板10的性能，且氧化层620仅设置于金属层610远离显示区11的端部C，可以降低了成本。

在一实施例中，金属层610远离衬底100的一面均设置有氧化层620，这里的隔离层600指金属层610和氧化层620，第一过孔601贯穿氧化层620以及金属层610以暴露钝化层299，且第一过孔601与第二通孔502导通，第二过孔602与第一通孔501贯通，使得金属层610形成多个间隔设置的金属部以及使得氧化层620形成多个间隔设置的氧化部。

在本申请中，在金属层610远离衬底100的一面均设置有氧化层620，即整面金属层610的表面设置氧化层620，简化了显示面板10的制备工艺，同时，避免金属层610与后续的上电极1000接触，从而保证了显示面板10的性能。

在一实施例中，氧化层620的材料包括三氧化二铝、氧化镁、氧化锌、氧化镍、二氧化锡、氧化铅、氧化铁、氧化银以及氧化铜中的一种或几种组合。

在一实施例中，氧化层620的材料为金属层610的材料的金属氧化物，氧化层620的材料包括三氧化二铝、氧化镁、氧化锌、氧化镍、二氧化锡、氧化铅、氧化铁、氧化银以及氧化铜中的一种或几种组合。作为示例，金属层的材料为铝，氧化层的材料为三氧化二铝；或者，金属层的材料为铅，氧化层的材料为氧化铅；或者，金属层的材料为银，氧化层的材料为氧化银等等。

在本申请中，氧化层620的材料为金属层610的材料的金属氧化物，使得在制备金属层610和氧化层620时，金属层610和氧化层620可以一体成型，简化了隔离层600的制备工艺，有利于快速制备隔离层600，同时降低生产成本。

在一实施例中，氧化层620的厚度h为10-20纳米。

发光层700设置于第一通孔501以及第二过孔602中以与下电极400连接，也即发光层700与下电极400直接接触，从而降低发光层700以及下电极400与金属层610之间的能级差，使得空穴容易注入发光层700中，从而提高了显示面板10的出光效率，同时，避免微腔效应的影响。

自修复层800设置于隔离层600上，并延伸入第二通孔502与晶体管层200接触。具体的，当金属层610远离衬底100的一面均设置有氧化层620时，自修复层800设置于氧化层620上，延伸入第一过孔601以及第二通孔502中与钝化层299接触，且自修复层800围绕第一通孔501设置形成多个间隔设置的自修复部。

在本申请中，在隔离层600上设置自修复层800，并延伸入第一过孔601以及第二通孔502中与钝化层299接触，使得自修复层800可以自动修复显示面板10在制造及使用过程中出现的裂纹，从而避免膜层出现断裂的问题，同时，设置第二通孔502和第一过孔601，可以缓冲在使用过程或制备过程中出现的应力，进而避免显示面板10中的膜层出现断裂的问题，从而提高了显示面板10的性能。

在一实施例中，自修复层800包括修复剂。修复剂也即自修复材料。修复剂包括外援型自修复高分子材料和本征型自修复高分子材料中的一种或几种组合。具体的，外援型自修复高分子材料包括微胶囊自修复高分子材料、空心纤维自修复高分子材料、纳米粒子自修复高分子材料、微脉管自修复高分子材料、碳纳米管自修复高分子材料中的一种或几种组合。微胶囊自修复高分子材料包括双环戊二烯(DCPD)自修复剂体系高分子材料和环氧树脂自修复剂体系中的一种或几种组合。修复剂为低粘度液体，和断裂面有良好的润湿性，使得修复剂可以包覆在颗粒中。

在一实施例中，自修复层800的材料还包括固化剂。固化剂为室温固化剂。固化剂包括脂肪族胺、硫醇、三氟化硼、多硫醇-季戊四醇四巯基丙酸酯、苄基二甲胺、偶氮二异丁腈(AIBN)和金属钌基(Grubbs)中的一种或几种组合。固化剂可以被包裹在装有自修复剂的颗粒中，或者不设置在装有自修复剂的颗粒中。需要说明的是固化剂不和膜层发生反应。

请参阅图4。修复原理：膜层中的裂纹扩展使得装有修复剂颗粒破裂，颗粒中的修复剂在毛细作用下流到裂纹处，在固化剂的作用下修复剂发生聚合反应，从而修复裂纹。

举例说明，双环戊二烯(DCPD)自修复剂体系高分子材料是双环戊二烯(DCPD)与金属钌基(Grubbs)催化剂，DCPD可与Grubbs催化剂发生开环易位聚合反应，起到修复裂纹的作用，实现自修复。

在一实施例中，自修复层800远离衬底100的表面为疏水表面。疏水表面的材料为疏水材料。疏水材料包括含有氟的化合物。在本申请中，在自修复层800中加入疏水材料，疏水材料在显示面板10的使用或制备过程中，疏水材料会上浮于自修复层800的表面形成疏水表面，使得自修复层800表面形成具有疏水作用的疏水表面，从而可以避免在制备发光层700的过程中，相邻发光层700之间出现混色现象，从而提高显示面板10的性能。

在一实施例中，疏水材料与修复剂的质量比为1-5％：1。控制在此范围内，可以提高自修复层800的疏水效果，从而提高显示面板10的性能。

在另一实施例中，自修复层800设置于晶体管层200中、设置于衬底100与晶体管层200之间以及设置于晶体管层200与像素定义层500之间。

在另一实施例中，在晶体管层200中、设置于衬底100与晶体管层200之间、设置于晶体管层200与像素定义层500之间或设置于像素定义层500与隔离层600之间还设置有自修复层800。

在本申请中，在晶体管层200中、设置于衬底100与晶体管层200之间以及设置于晶体管层200与像素定义层500之间还设置有自修复层800，使得自修复层800还可以修复除与自修复层800相邻以外膜层的裂纹，从而进一步提高显示面板10的弯折性能。

电子功能层900设置于发光层700以及金属层610上，上电极1000设置于电子功能层900以及氧化层620上，上电极1000远离显示区11的端部C与氧化层620相连。具体的，电子功能层900包括电子注入层以及电子传输层，电子传输层覆盖氧化层620、发光层700以及自修复层800，电子注入层设置于电子传输层上，上电极1000设置于电子注入层以及氧化层620上。上电极1000可以为阴极。

封装层1100设置于上电极1000上。

需要说明的是，显示面板10中的衬底100、晶体管层200、平坦层300、下电极400、自修复层800、电子功能层900、上电极1000和封装层1100可以根据需要去除。

本申请提供一种显示面板10，通过在发光层700与像素定义层500之间设置隔离层600，避免像素定义层500中的水氧等气体进入发光层700，进而避免发光层700失效，从而避免像素出现内缩问题，从而提高显示面板10的性能；在显示面板10中设置自修复层800，使得自修复层800可以修复显示面板10在使用或制备的过程中出现的裂纹，从而提高了显示面板10的弯折性能，从而提高了显示面板10的性能。

本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：

B11、提供一衬底。

B12、在衬底上形成像素定义层，像素定义层设置有第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层以暴露衬底。

B13、在像素定义层上形成隔离层，且位于第一通孔的侧壁上。

B14、在第一通孔中设置发光层，且隔离层位于发光层与像素定义层之间。

在本申请中，通过在发光层与像素定义层之间设置隔离层，可以避免像素定义层中的水氧等气体进入发光层，进而避免发光层失效，从而避免像素出现内缩问题，从而提高显示面板的性能。

具体说明如下：

请参阅图5和图6-图12，本申请还提供一种显示面板的制备方法。

B11、提供一衬底。

在一实施例中，在B11之后，还包括：

请参阅图6。在衬底100上形成多个晶体管层200，且每一晶体管层200均间隔于衬底100上。每一晶体管层200均包括遮光层210、缓冲层220、有源层230、绝缘层240、栅极250、层间介质层260、连接部270、源极280、漏极290以及钝化层299。遮光层210设置于所述衬底100上。遮光层210包括相互间隔设置的遮光部210a以及金属部210b。遮光层210用于遮挡外界光线，避免光线对有源层230的影响，进而提高晶体管的性能。金属部210b为电容的第一极板的一部分。缓冲层220覆盖遮光层210以及衬底100。有源层230设置于缓冲层220上。有源层230包括相互间隔设置的有源部230a和导通部230b。有源部230a位于遮光部210a之上。导通部230b位于金属部210b之上，有源部230a包括半导体部和设置于半导体部两侧的导体部。导通部230b为电容的第二极板。绝缘层240设置于有源层230上，且位于半导体部之上。栅极250设置于绝缘层240上。层间介质层260覆盖于有源层230、绝缘层240以及栅极250上。源极280、漏极290以及连接部270同层且间隔设置于层间介质层260上，其中，连接部270位于导通部230b之上，且连接部270延伸入一连接孔与金属部210b连接。源极280延伸入另一连接孔与一导体部连接。漏极290延伸入又一连接孔与另一导体部连接。连接部270为存储电容的第一极板的一部分。钝化层299覆盖缓冲层220、连接部270、源极280以及漏极290。

在一实施例中，在衬底100上形成晶体管层200之后，还包括：

在钝化层299上形成平坦层300。平坦层300设置有连接孔，连接孔贯穿平坦层300以及钝化层299以暴露漏极290。

在一实施例中，在钝化层299上形成平坦层300之后，还包括：

在平坦层300上形成下电极400，并延伸入平坦层300的连接孔与漏极290连接。

B12、在衬底上形成像素定义层，像素定义层设置有第一通孔，第一通孔贯穿像素定义层。

请继续参阅图6。具体的，在平坦层300以及下电极400上形成像素定义层500，并对像素定义层500进行半蚀刻处理，使得像素定义层500形成预制孔203和第二通孔502。预制孔203贯穿像素定义层500以暴露下电极400，且位于下电极400之上，且保留位于下电极400之上的像素定义层500。第二通孔502贯穿像素定义层500以及平坦层300以暴露钝化层299。

在本申请中，保留位于下电极400之上的像素定义层500，可以避免后续蚀刻时损伤下电极400，从而保证了显示面板10的性能。

B13、在像素定义层上形成隔离层，且位于第一通孔的侧壁上。

请参阅图7和图8。具体的，在下电极400、钝化层299以及像素定义层500上使用磁控溅射或蒸镀的方式沉积一层金属，对其进行图案化处理形成隔离层600中的金属层610。金属层610延伸入第二通孔502与钝化层299接触。

然后，通过刻蚀等方式去位于下电极400上以及位于平坦层300上的隔离层600的金属层610，预制孔203形成第一通孔501和第二过孔602，并暴露下电极400；然后，在金属层610的上表面利用等离子体方式处理金属层610，金属层610的上表面均形成绝缘的氧化层620，也即对金属层610的上表面均进行氧化处理。隔离层600设置有第一过孔601和第二过孔602，这里的隔离层600指金属层610和氧化层620，第一过孔601贯穿氧化层620以及金属层610以暴露钝化层299，且第一过孔601与第二通孔502导通，第二过孔602与第一通孔501贯通，使得金属层610形成多个间隔设置的金属部以及使得氧化层620形成多个间隔设置的氧化部。

在一实施例中，也可以将除位于第一通孔501的侧壁上的隔离层600去除，即仅保留位于第一通孔501的侧壁上的隔离层600，可以节省隔离层600的原料。

在一实施例中，金属层610的材料为易氧化金属。

在一实施例中，金属层610的材料为包括铝、镁、锌、镍、铅、银、铜以及铁中的一种或几种组合。

在一实施例中，金属层610的厚度H为50-800纳米。

在一实施例中，氧化层620的材料为金属层610的材料的金属氧化物，氧化层620的材料包括三氧化二铝、氧化镁、氧化锌、氧化镍、二氧化锡、氧化铅、氧化铁、氧化银以及氧化铜中的一种或几种组合。作为示例，金属层的材料为铝，氧化层的材料为三氧化二铝；或者，金属层的材料为铅，氧化层的材料为氧化铅；或者，金属层的材料为银，氧化层的材料为氧化银等等。

在另一实施例中，形成氧化层620的方式还包括：在金属层610上直接设置一层绝缘的氧化层620，也即氧化层620不是由金属层610氧化形成。作为示例，金属层的材料为铅，氧化层的材料为三氧化二铝；或者，金属层的材料为铝，氧化层的材料为氧化铅；或者，金属层的材料为铁，氧化层的材料为氧化银等等。

在一实施例中，在B13之后，还包括：

请参阅图9。在氧化层620上形成自修复层800，且延伸入第一过孔601以及第二通孔502与钝化层299接触。具体的，自修复层800设置于氧化层620上，延伸入第一过孔601以及第二通孔502与钝化层299接触，且自修复层800围绕第一通孔501设置形成多个间隔设置的自修复部。

在一实施例中，自修复层800的材料包括修复剂。修复剂包括外援型自修复高分子材料和本征型自修复高分子材料中的一种或几种组合。具体的，外援型自修复高分子材料包括微胶囊自修复高分子材料、空心纤维自修复高分子材料、纳米粒子自修复高分子材料、微脉管自修复高分子材料、碳纳米管自修复高分子材料中的一种或几种组合。微胶囊自修复高分子材料包括双环戊二烯(DCPD)自修复剂体系高分子材料和环氧树脂自修复剂体系中的一种或几种组合。修复剂为低粘度液体，和断裂面有良好的润湿性，使得修复剂可以包覆在颗粒中。

在一实施例中，自修复层800的材料还包括固化剂。固化剂为室温固化剂。固化剂包括脂肪族胺、硫醇、三氟化硼、多硫醇-季戊四醇四巯基丙酸酯、苄基二甲胺、偶氮二异丁腈(AIBN)和金属钌基(Grubbs)中的一种或几种组合。固化剂可以被包裹在装有自修复剂的颗粒中，或者不设置在装有自修复剂的颗粒中。需要说明的是固化剂不和膜层发生反应。

B14、在第一通孔中设置发光层，且隔离层位于发光层与像素定义层之间。

请参阅图10。具体的，在第一通孔501中设置发光层700，发光层700与下电极400以及隔离层600接触。

在一实施例中，在B14之后，还包括：

请参阅图11和图12。在氧化层620、发光层700以及自修复层800上形成电子功能层900中的电子传输层；然后，在电子传输层上形成电子功能层900中的电子注入层；然后，在电子注入层上形成上电极1000；然后，在上电极1000上形成封装层1100。

在一实施例中，上电极1000远离发光层700的端部C与氧化层620相连。

本申请提供一种显示面板10及其制备方法，通过在发光层700与像素定义层500之间设置隔离层600，避免像素定义层500中的水氧等气体进入发光层700，进而避免发光层700失效，从而避免像素周边内缩问题，从而提高显示面板10的性能；在显示面板10中设置自修复层800，使得自修复层800可以修复显示面板10在使用或制备的过程中出现的裂纹，从而提高了显示面板10的弯折性能，从而提高了显示面板10的性能。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；所述显示面板包括：

衬底；

像素定义层，所述像素定义层设置于所述衬底上，所述像素定义层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层；

发光层，所述发光层设置于所述第一通孔中，所述发光层与像素定义层之间设置有隔离层，所述隔离层包括金属层和设置于所述金属层远离所述衬底一面的绝缘的氧化层，所述氧化层位于所述金属层远离所述显示区的端部；

上电极和电子功能层，所述电子功能层设置于所述发光层以及所述金属层上，所述上电极设置于所述电子功能层以及所述氧化层上，所述上电极远离所述显示区的端部与所述氧化层相连。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述氧化层的材料为所述金属层的材料的金属氧化物，所述金属层和所述氧化层一体成型。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层覆盖所述第一通孔的侧壁。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括晶体管层和自修复层，所述晶体管层设置于所述衬底上，所述像素定义层设置于所述晶体管层上，所述自修复层设置于所述晶体管层中或所述隔离层上。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述自修复层包括自修复材料，所述自修复材料包括微胶囊自修复高分子材料、空心纤维自修复高分子材料、纳米粒子自修复高分子材料和微脉管自修复高分子材料中的一种或几种组合。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述自修复层远离所述衬底的表面为疏水表面。

7.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区；所述显示面板包括：

衬底；

像素定义层，所述像素定义层设置于所述衬底上，所述像素定义层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层；

发光层，所述发光层设置于所述第一通孔中，所述发光层与像素定义层之间设置有隔离层，所述隔离层覆盖所述像素定义层并填充所述第一通孔，所述隔离层中设置有第一过孔，所述第一过孔位于相邻所述发光层之间，所述第一过孔贯穿所述隔离层；

晶体管层，设置于所述衬底上；

平坦层，设置于所述晶体管层上，所述像素定义层设置于所述平坦层上，所述像素定义层还设置有第二通孔，所述第二通孔位于所述显示区和所述非显示区中的至少一个，所述第二通孔与所述第一通孔间隔设置，所述第二通孔与所述第一过孔贯通，所述第二通孔贯穿所述像素定义层和所述平坦层，暴露出所述晶体管层，所述隔离层延伸入所述第二通孔中与所述晶体管层接触；

自修复层，设置于所述隔离层上，并延伸入所述第二通孔与所述晶体管层接触。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述隔离层覆盖所述第一通孔的侧壁。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述自修复层包括自修复材料，所述自修复材料包括微胶囊自修复高分子材料、空心纤维自修复高分子材料、纳米粒子自修复高分子材料和微脉管自修复高分子材料中的一种或几种组合。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述自修复层远离所述衬底的表面为疏水表面。

11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成像素定义层，所述像素定义层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述像素定义层；

在所述像素定义层上形成隔离层，且位于所述第一通孔的侧壁上；以及

在所述第一通孔中设置发光层，且所述隔离层位于所述发光层与所述像素定义层之间；

其中，所述显示面板设置有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，在所述像素定义层上形成隔离层，且位于所述第一通孔的侧壁上的步骤中，包括：

在所述像素定义层上设置金属，对所述金属进行图案化处理形成隔离层的金属层，所述金属层位于所述第一通孔的侧壁上；

所述金属层的端部位于所述金属层远离所述显示区的一侧，且对远离所述衬底的所述金属层的端部的表面进行氧化处理形成绝缘的氧化层；

在所述第一通孔中设置发光层的步骤之后，包括：

在所述发光层以及所述像素定义层上设置电子功能层；

在所述电子功能层以及所述氧化层上设置上电极，所述上电极的端部位于所述上电极远离所述显示区的一侧，所述上电极的端部与所述氧化层相连。