CN108364988A - 触控显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 17
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 173
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本发明提供一种触控显示基板及其制作方法、显示装置,属于触控显示技术领域。触控显示基板的制作方法,包括在衬底基板上依次形成阳极、公共层和触控电极的步骤,所述制作方法还包括:在所述触控显示基板的显示区域分别形成触控信号线和导电连接线,所述触控信号线与所述触控电极一一对应,所述触控信号线通过导电连接线与对应的触控电极电连接。本发明的技术方案能够实现内嵌式触控显示装置的窄边框和大尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域,特别是指一种触控显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的急速进步,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言,OLED作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
随着便携式电子显示设备的发展,触摸显示装置提供了一种新的人机互动界面,其在使用上更直接、更人性化。目前OLED触控显示装置通常采用将OLED显示屏和触摸屏分开来做,然后再将二者结合起来。该OLED触控显示装置通常可以包括OLED基板、OLED盖板、触摸屏基板以及触摸屏盖板。然而这种技术存在光透过率较低、显示装置较厚等缺点。
为了减薄OLED触摸显示装置的厚度,现有技术提出一种将OLED触控显示装置的阴极复用为触控电极的方案,阴极下方为公共层,由于不易形成贯穿公共层的过孔,因此,触控电极都是通过位于显示区域周边的过孔与公共层下方的触控信号线连接,这样就需要在显示区域的周边预留周边走线区域,随着触控显示装置尺寸的增大,触控电极数量的增加,周边走线区域的面积也会增大,导致在显示区域周边出现比较大的触控盲区,不利于实现OLED触摸显示装置的窄边框。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种触控显示基板及其制作方法、显示装置,能够实现内嵌式触控显示装置的窄边框和大尺寸。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种触控显示基板的制作方法,包括在衬底基板上依次形成阳极、公共层和触控电极的步骤,所述制作方法还包括:
在所述触控显示基板的显示区域分别形成触控信号线和导电连接线,所述触控信号线与所述触控电极一一对应,所述触控信号线通过导电连接线与对应的触控电极电连接。
进一步地,所述触控显示基板包括薄膜晶体管阵列层,形成所述触控信号线包括:
通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管阵列层的导电图形和所述触控信号线;或
在形成所述薄膜晶体管阵列层后,在所述薄膜晶体管阵列层上方形成所述触控信号线。
进一步地,形成所述导电连接线包括:
形成覆盖所述触控信号线的平坦层;
在所述平坦层上形成所述阳极和位于相邻阳极之间的支撑物;
形成贯穿所述支撑物和所述平坦层的第一过孔,所述第一过孔暴露出所述触控信号线;
形成通过所述第一过孔与所述触控信号线连接的导电连接线。
进一步地,形成所述公共层包括:
形成覆盖所述导电连接线的像素界定层,对所述像素界定层进行构图形成暴露出所述导电连接线的第二过孔;
采用遮蔽部件遮挡所述第二过孔,并蒸镀公共层材料;
在完成公共层材料的蒸镀后,移走遮蔽部件,形成的所述公共层包括对应所述第二过孔的第三过孔。
进一步地,形成所述触控电极包括:
在形成有所述第三过孔的衬底基板上形成触控电极,所述触控电极通过所述第三过孔和所述第二过孔与所述导电连接线连接。
进一步地,所述在形成有所述第三过孔的衬底基板上形成触控电极之前还包括:
在衬底基板上形成负性光刻胶材料层,对所述负性光刻胶材料层进行曝光,显影后形成多个倒台型结构的隔垫部。
进一步地,形成所述触控电极包括:
在衬底基板上整面蒸镀阴极材料,所述阴极材料在所述隔垫部的边缘自然断裂分割为多个相互绝缘的子阴极,所述子阴极复用为所述触控电极。
进一步地,所述遮蔽部件为呈网格状的金属档条。
本发明实施例还提供了一种触控显示基板,包括位于衬底基板上的阳极、位于阳极上方的公共层和位于所述公共层上方的多个相互绝缘的触控电极,所述触控显示基板还包括:
位于所述触控显示基板的显示区域、与所述触控电极一一对应的触控信号线,所述触控信号线通过位于所述显示区域的导电连接线与对应的触控电极电连接。
进一步地,所述触控显示基板的阴极包括多个相互绝缘的子阴极,所述多个子阴极复用为所述触控电极。
进一步地,所述触控显示基板包括多个倒台型结构的隔垫部,所述隔垫部将所述阴极分割为多个相互绝缘的子阴极。
进一步地,所述触控电极与所述触控信号线之间间隔有像素界定层,所述像素界定层包括多个限定出像素区域的挡墙,所述挡墙内设置有过孔结构,所述导电连接线位于所述过孔结构内。
进一步地,所有触控信号线的延伸方向均相同。
进一步地,所述触控信号线采用Ti/Al/Ti的三层结构。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的触控显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,触控电极是通过位于显示区域的导电连接线与位于显示区域的触控信号线连接,这样可以保证触控电极的均一化设计,可以有效提高触控精度,同时由于无需在显示区域的周边预留周边走线区域,因此,有利于实现触控显示装置的窄边框和大尺寸。
附图说明
图1为现有触控显示基板的触控信号线和触控电极的示意图;
图2为本发明实施例触控显示基板的触控信号线和触控电极的示意图;
图3-图6为本发明实施例制作触控显示基板的流程示意图;
图7和图8为本发明实施例遮蔽部件的结构示意图;
图9为本发明实施例利用遮蔽部件遮挡触控显示基板的示意图。
附图标记
1 触控电极
11 走线
2、4 触控信号线
3 基板
5 平坦层
6 支撑物
7 像素界定层
8 导电连接线
9 遮蔽部件
10 阳极
11 空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层
12 有机发光层
13 电子传输层和电子注入层
14 阴极
15 金属挡条
16 转轨装置
17 触控显示基板
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
现有技术中,为了减薄OLED触摸显示装置的厚度,将OLED触控显示装置的阴极复用为触控电极,但是由于不易形成贯穿公共层的过孔,因此,如图1所示,触控电极1都是通过走线11引到显示区域周边,再通过位于显示区域周边的过孔与公共层下方的触控信号线连接,这样就需要在显示区域的周边预留周边走线区域,随着触控显示装置尺寸的增大,触控电极数量的增加,周边走线区域的面积也会增大,导致在显示区域周边出现比较大的触控盲区,不利于实现OLED触摸显示装置的窄边框。
为了解决上述问题,本发明实施例提供一种触控显示基板及其制作方法、显示装置,能够实现内嵌式触控显示装置的窄边框和大尺寸。
本发明实施例提供一种触控显示基板的制作方法,包括在衬底基板上依次形成阳极、公共层和触控电极的步骤,所述制作方法还包括:
在所述触控显示基板的显示区域分别形成触控信号线和导电连接线,所述触控信号线与所述触控电极一一对应,所述触控信号线通过导电连接线与对应的触控电极电连接。
本实施例制备的触控显示基板中,如图2所示,触控电极1是通过位于显示区域的导电连接线与位于显示区域的触控信号线2连接,这样可以保证触控电极的均一化设计,可以有效提高触控精度,同时由于无需在显示区域的周边预留周边走线区域,因此,有利于实现触控显示装置的窄边框和大尺寸。
进一步地,所述触控显示基板包括薄膜晶体管阵列层,具体地,可以通过一次构图工艺形成薄膜晶体管阵列层的导电图形和触控信号线,这样能够在不增加构图工艺次数的前提下形成触控信号线,能够降低触控显示基板的构图次数,降低触控显示基板的成本。或者,还可以在形成薄膜晶体管阵列层后,在薄膜晶体管阵列层上方形成触控信号线。形成所述触控信号线包括:
通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管阵列层的导电图形和所述触控信号线;或
在形成所述薄膜晶体管阵列层后,在所述薄膜晶体管阵列层上方形成所述触控信号线。
薄膜晶体管阵列层的导电图形包括栅金属图形和源漏金属图形,可以通过一次构图工艺形成栅金属图形和所述触控信号线或通过一次构图工艺形成源漏金属图形和所述触控信号线。如果触控信号线的延伸方向与触控显示基板的数据线的延伸方向相同,则优选通过一次构图工艺形成源漏金属图形和所述触控信号线。
进一步地,形成所述导电连接线包括:
形成覆盖所述触控信号线的平坦层;
在所述平坦层上形成所述阳极和位于相邻阳极之间的支撑物;
形成贯穿所述支撑物和所述平坦层的第一过孔,所述第一过孔暴露出所述触控信号线;
形成通过所述第一过孔与所述触控信号线连接的导电连接线。
本实施例中,在形成阳极和位于相邻阳极之间的支撑物后,形成贯穿支撑物和平坦层的第一过孔,由于支撑物是位于相邻阳极之间,因此,第一过孔无需贯穿阳极,不会对触控显示基板的显示造成影响,第一过孔能够暴露出触控信号线,之后形成通过第一过孔与触控信号线连接的导电连接线。由于像素界定层也是位于相邻阳极之间,因此,支撑物将与像素界定层存在重叠,由于像素界定层的高度比较大,在后续对像素界定层进行构图形成暴露出所述导电连接线的第二过孔时,为了避免第二过孔的深度过大,将导电连接线形成在具有一定高度的支撑物上,这样能够降低第二过孔的深度,有利于优化导电连接线与触控电极的连接状况。
进一步地,形成所述公共层包括:
形成覆盖所述导电连接线的像素界定层,对所述像素界定层进行构图形成暴露出所述导电连接线的第二过孔;
采用遮蔽部件遮挡所述第二过孔,并蒸镀公共层材料;
在完成公共层材料的蒸镀后,移走遮蔽部件,形成的所述公共层包括对应所述第二过孔的第三过孔。
本实施例中,对所述像素界定层进行构图形成暴露出所述导电连接线的第二过孔;之后采用遮蔽部件遮挡所述第二过孔,并蒸镀公共层材料,由于有遮蔽部件的遮挡,因此,不会在第二过孔处蒸镀上公共层材料,这样在完成公共层材料的蒸镀后,移走遮蔽部件,自然可以形成包括有第三过孔的公共层,实现了贯穿公共层的过孔的制作。
进一步地,形成所述触控电极包括:
在形成有所述第三过孔的衬底基板上形成触控电极,所述触控电极通过所述第三过孔和所述第二过孔与所述导电连接线连接,进而实现与触控信号线的电连接。
进一步地,所述在形成有所述第三过孔的衬底基板上形成触控电极之前还包括:
在衬底基板上形成负性光刻胶材料层,对所述负性光刻胶材料层进行曝光,由于负性光刻胶材料具有被曝光的部分被保留的特性,因此,显影后形成多个倒台型结构的隔垫部。
进一步地,形成所述触控电极包括:
在衬底基板上整面蒸镀阴极材料,所述阴极材料位于隔垫部上的部分与其他部分相分离,所述阴极材料在所述隔垫部的边缘自然断裂分割为多个相互绝缘的子阴极,所述子阴极复用为所述触控电极,这样可以实现内嵌式的触控显示装置,同时简化触控显示装置的结构。
具体地,所述遮蔽部件为呈网格状的金属档条,在蒸镀公共层材料时,将金属档条移动至衬底基板上方,使得金属档条的位置与第二过孔相对应,金属档条能够完全遮蔽第二过孔,这样在蒸镀公共层材料时,不会在第二过孔内蒸镀上公共层材料。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的触控显示基板的制作方法进行详细介绍,本实施例的触控显示基板的制作方法具体包括以下步骤:
步骤1、提供一衬底基板,在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层和触控信号线;
其中,衬底基板可为玻璃基板或石英基板。
具体地,可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在衬底基板上先沉积缓冲层,缓冲层可以采用厚度为的SiNx或厚度为的SiO2。
在缓冲层上沉积一层半导体材料作为薄膜晶体管的有源层,具体地,半导体材料层可以采用厚度为的p-Si,对半导体材料层进行构图,形成薄膜晶体管的有源层。
可以采用等离子体增强化学气相沉积方法在形成有有源层的基板上沉积栅绝缘层,栅绝缘层可以采用厚度为的SiO2或厚度为的SiNx。
在栅绝缘层上采用溅射或热蒸发的方法沉积第一栅金属层,第一栅金属层可以是Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,Mn,Ti,Ta,W等金属以及这些金属的合金,栅金属层可以为单层结构或者多层结构,多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti,Mo\Al\Mo等。本实施例中,第一栅金属层可以采用厚度为的Mo,对第一栅金属层进行构图,形成第一栅金属层的图形。
可以采用等离子体增强化学气相沉积方法在形成有第一栅金属层的图形的基板上沉积存储电容的介电层,介电层可以采用SiNx。
在形成有介电层的基板上采用溅射或热蒸发的方法沉积第二栅金属层,第二栅金属层可以是Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,Mn,Ti,Ta,W等金属以及这些金属的合金,栅金属层可以为单层结构或者多层结构,多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti,Mo\Al\Mo等。本实施例中,第二栅金属层可以采用Mo,对第二栅金属层进行构图,形成第二栅金属层的图形。
可以采用等离子体增强化学气相沉积方法在形成有第二栅金属层的图形的基板上沉积层间绝缘层,层绝缘层可以采用厚度为的SiO2或厚度为的SiNx。
在层间绝缘层上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积源漏金属层,源漏金属层可以是Cu,Al,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni,Mn,Ti,Ta,W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构,多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti,Mo\Al\Mo等。本实施例中,为了降低源漏金属层的电阻率,源漏金属层采用Ti\Al\Ti,其中三层结构的厚度分别为对源漏金属层进行构图,形成源漏金属层的图形和触控信号线,由于触控信号线与源漏金属层的图形通过一次构图工艺同时形成,因此可以减少触控显示基板的构图次数,降低触控显示基板的成本。
步骤2、形成覆盖薄膜晶体管阵列层和触控信号线的平坦层;
如图3所示,在形成有薄膜晶体管阵列层(未图示)和触控信号线4的基板3上沉积一层平坦层5,平坦层5可以采用聚酰亚胺或者光刻胶,厚度在左右。
步骤3、在平坦层上形成阳极和位于相邻阳极之间的支撑物,形成贯穿支撑物和平坦层的第一过孔,并形成通过第一过孔与触控信号线连接的导电连接线;
如图3所示,在平坦层上沉积一层透明导电材料,具体地,为了降低透明导电材料的电阻率,透明导电材料可以采用ITO\Ag\ITO,其中三层结构的厚度分别为对透明导电材料进行构图形成触控显示基板的阳极。
在形成有阳极的基板上沉积一层绝缘材料,对绝缘材料进行构图,形成位于相邻阳极之间的支撑物6,并且该支撑物形成有第一过孔,该第一过孔能够暴露出触控信号线4;
在形成有支撑物的基板上沉积一层导电材料,具体地,为了降低导电材料的电阻率,导电材料采用Ti\Al\Ti,其中三层结构的厚度分别为对导电材料进行构图,形成通过第一过孔与触控信号线4连接的导电连接线8。
步骤4、形成覆盖导电连接线的像素界定层,对像素界定层进行构图形成暴露出导电连接线的第二过孔;
如图3所示,在经过步骤3的基板上沉积一层像素界定层材料,像素界定层材料可以采用聚酰亚胺或者光刻胶,对像素界定层材料进行构图,形成像素界定层7的图形,像素界定层7包括多个限定像素区域的挡墙,并且每个挡墙形成有第二过孔,第二过孔能够暴露出导电连接线8。像素界定层的厚度可以在左右。
其中,支撑物6和像素界定层7能够组成用于支撑触控显示装置盒厚的隔垫物。
步骤5、形成多个倒台型结构的隔垫部(未图示);
在基板上形成负性光刻胶材料层,对负性光刻胶材料层进行曝光,由于负性光刻胶材料具有被曝光的部分被保留的特性,因此,显影后形成多个倒台型结构的隔垫部。其中,隔垫部是为了将阴极分割为多个子阴极,隔垫部的设置位置以及数量可以根据子阴极的位置和数量来决定,隔垫物位于相邻像素区域之间,不会对触控显示基板的显示造成影响,隔垫物的高度可以为左右。
步骤6、采用遮蔽部件遮挡第二过孔,并蒸镀公共层材料;
如图4所示,采用遮蔽部件9遮挡第二过孔,并在基板上蒸镀公共层材料和有机发光层材料,公共层包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层11、电子传输层和电子注入层13,在空穴注入层和空穴传输层11、电子传输层和电子注入层13之间蒸镀有机发光层材料形成有机发光层12。
具体地,遮蔽部件9可以采用如图7和图8所示的金属挡条15,金属档条15呈网格状,如图9所示,金属挡条15受转轨装置16的控制,在蒸镀前,金属挡条15不遮挡基板,在进行蒸镀时,转轨装置16转动,利用金属挡条15对基板进行遮挡,遮挡基板上的第二过孔,金属挡条15能够完全遮挡住第二过孔。
在进行蒸镀时,首先蒸镀厚度为的空穴注入层,然后蒸镀厚度为的空穴传输层公共层,再蒸镀厚度为的对应红色发光单元的空穴传输层,再蒸镀厚度为的对应绿色发光单元的空穴传输层,再蒸镀厚度为的电子阻挡层,再蒸镀厚度为的对应蓝色发光单元的有机发光层,再蒸镀厚度为的对应绿色发光单元的有机发光层,再蒸镀厚度为的对应红色发光单元的有机发光层,再蒸镀厚度为的电子传输层,再蒸镀电子注入层。在蒸镀时,由于第二过孔上方有金属挡条15遮挡,因此,蒸镀的材料不会落入第二过孔内。
步骤7、在完成公共层材料的蒸镀后,移走遮蔽部件,形成的公共层包括对应第二过孔的第三过孔;
如图5所示,移走遮蔽部件9后,公共层自然包括有第三过孔,第二过孔和第三过孔能够形成暴露出导电连接线8的过孔结构。
步骤7、在基板上整面蒸镀阴极材料,形成多个相互独立的子阴极;
由于隔垫部为倒台型结构,阴极材料在隔垫部的边缘自然断裂分割为多个相互绝缘的子阴极,本实施例将子阴极复用为触控电极,这样可以实现内嵌式的触控显示装置,同时简化触控显示装置的结构。
如图6所示,子阴极通过过孔结构实现了与触控信号线4的电连接。
通过上述方案,实现了阴极的图形化,使得阴极能够复用为触控电极,并且能够实现阴极在显示区域与触控信号线的导通,可以保证触控电极的均一化设计,有效提高触控精度,同时由于无需在显示区域的周边预留周边走线区域,因此,有利于实现触控显示装置的窄边框和大尺寸。
本发明实施例还提供了一种触控显示基板,包括位于衬底基板上的阳极、位于阳极上方的公共层和位于所述公共层上方的多个相互绝缘的触控电极,所述触控显示基板还包括:
位于所述触控显示基板的显示区域、与所述触控电极一一对应的触控信号线,所述触控信号线通过位于所述显示区域的导电连接线与对应的触控电极电连接。
本实施例中,触控电极是通过位于显示区域的导电连接线与位于显示区域的触控信号线连接,这样可以保证触控电极的均一化设计,可以有效提高触控精度,同时由于无需在显示区域的周边预留周边走线区域,因此,有利于实现触控显示装置的窄边框和大尺寸。
进一步地,所述触控显示基板的阴极包括多个相互绝缘的子阴极,所述多个子阴极复用为所述触控电极,这样可以实现内嵌式的触控显示装置,同时简化触控显示装置的结构。
进一步地,所述触控显示基板包括多个倒台型结构的隔垫部,这样在形成有倒台型结构的隔垫部的衬底基板上整面蒸镀阴极材料时,所述阴极材料位于隔垫部上的部分与其他部分相分离,在所述隔垫部的边缘自然断裂分割为多个相互绝缘的子阴极,从而通过所述隔垫部将所述阴极分割为多个相互绝缘的子阴极。
进一步地,所述触控电极与所述触控信号线之间间隔有像素界定层,所述像素界定层包括多个限定出像素区域的挡墙,所述挡墙内设置有过孔结构,所述导电连接线位于所述过孔结构内,由于挡墙是位于相邻阳极之间,因此,过孔结构无需贯穿阳极,不会对触控显示基板的显示造成影响。
进一步地,所有触控信号线的延伸方向均相同。具体地,触控信号线的延伸方向可以与触控显示装置的数据线的延伸方向相同。
优选地,触控信号线采用Ti/Al/Ti的三层结构,这样能够使得触控信号线的阻抗非常小,触控信号线上传输的触控信号的压降也会很小,最大限度的降低了触控电极的负载,有利于提高触控精度。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的触控显示基板。所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (15)
1.一种触控显示基板的制作方法,包括在衬底基板上依次形成阳极、公共层和触控电极的步骤,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述触控显示基板的显示区域分别形成触控信号线和导电连接线,所述触控信号线与所述触控电极一一对应,所述触控信号线通过导电连接线与对应的触控电极电连接。
2.根据权利要求1所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,所述触控显示基板包括薄膜晶体管阵列层,形成所述触控信号线包括:
通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管阵列层的导电图形和所述触控信号线;或
在形成所述薄膜晶体管阵列层后,在所述薄膜晶体管阵列层上方形成所述触控信号线。
3.根据权利要求1所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述导电连接线包括:
形成覆盖所述触控信号线的平坦层;
在所述平坦层上形成所述阳极和位于相邻阳极之间的支撑物;
形成贯穿所述支撑物和所述平坦层的第一过孔,所述第一过孔暴露出所述触控信号线;
形成通过所述第一过孔与所述触控信号线连接的导电连接线。
4.根据权利要求1所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述公共层包括:
形成覆盖所述导电连接线的像素界定层,对所述像素界定层进行构图形成暴露出所述导电连接线的第二过孔;
采用遮蔽部件遮挡所述第二过孔,并蒸镀公共层材料;
在完成公共层材料的蒸镀后,移走遮蔽部件,形成的所述公共层包括对应所述第二过孔的第三过孔。
5.根据权利要求4所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述触控电极包括:
在形成有所述第三过孔的衬底基板上形成触控电极,所述触控电极通过所述第三过孔和所述第二过孔与所述导电连接线连接。
6.根据权利要求5所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,所述在形成有所述第三过孔的衬底基板上形成触控电极之前还包括:
在衬底基板上形成负性光刻胶材料层,对所述负性光刻胶材料层进行曝光,显影后形成多个倒台型结构的隔垫部。
7.根据权利要求6所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述触控电极包括:
在衬底基板上整面蒸镀阴极材料,所述阴极材料在所述隔垫部的边缘自然断裂分割为多个相互绝缘的子阴极,所述子阴极复用为所述触控电极。
8.根据权利要求4所述的触控显示基板的制作方法,其特征在于,所述遮蔽部件为呈网格状的金属档条。
9.一种触控显示基板,包括位于衬底基板上的阳极、位于阳极上方的公共层和位于所述公共层上方的多个相互绝缘的触控电极,其特征在于,所述触控显示基板还包括:
位于所述触控显示基板的显示区域、与所述触控电极一一对应的触控信号线,所述触控信号线通过位于所述显示区域的导电连接线与对应的触控电极电连接。
10.根据权利要求9所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控显示基板的阴极包括多个相互绝缘的子阴极,多个所述子阴极复用为所述触控电极。
11.根据权利要求10所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控显示基板包括多个倒台型结构的隔垫部,所述隔垫部将所述阴极分割为多个相互绝缘的子阴极。
12.根据权利要求9所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控电极与所述触控信号线之间间隔有像素界定层,所述像素界定层包括多个限定出像素区域的挡墙,所述挡墙内设置有过孔结构,所述导电连接线位于所述过孔结构内。
13.根据权利要求9所述的触控显示基板,其特征在于,所有触控信号线的延伸方向均相同。
14.根据权利要求9所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号线采用Ti/Al/Ti的三层结构。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9-14中任一项所述的触控显示基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810161774.0A CN108364988A (zh) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 |
PCT/CN2018/121468 WO2019165826A1 (en) | 2018-02-27 | 2018-12-17 | Touch display substrate, fabrication method thereof, and display apparatus |
US16/463,887 US11217637B2 (en) | 2018-02-27 | 2018-12-17 | Touch display substrate with touch signal lines and touch electrodes and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810161774.0A CN108364988A (zh) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108364988A true CN108364988A (zh) | 2018-08-03 |
Family
ID=63003077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810161774.0A Pending CN108364988A (zh) | 2018-02-27 | 2018-02-27 | 触控显示基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11217637B2 (zh) |
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WO (1) | WO2019165826A1 (zh) |
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- 2018-12-17 US US16/463,887 patent/US11217637B2/en active Active
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CN114335101A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20210118957A1 (en) | 2021-04-22 |
US11217637B2 (en) | 2022-01-04 |
WO2019165826A1 (en) | 2019-09-06 |
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